JPS6083948A

JPS6083948A - 光導電部材

Info

Publication number: JPS6083948A
Application number: JP58189595A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Yukihiko Onuki; 大貫　幸彦; Shigeru Ono; 茂大野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1983-10-11
Filing date: 1983-10-11
Publication date: 1985-05-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ筋！等を指す）の様な電
磁波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度でＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）　
／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無害であること、更には固
体撮像装置に松いイけ　興伸か所安跣間内ｆ宛只πがＬ
卵すＡととができること等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用
時における無害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ　−Ｓｔ　と表記す）が
あり、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第
２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として
、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装
置への応用として記載されている。

百年ら、従来のａ−８ｌで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特性
向上を計るには更に改良５される可き点が存するのが実
情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って残像が生
ずる所謂ゴースト現象を発する様になる、或いは、高速
で繰返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都合
な点が生ずる場合が少なしなかった。

更には、ａ−３ｉは、可視光領域の短波長側に較べて、
長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比
較的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマ
ツチングに於いて、又は通常使用されているハロダンラ
ングや螢光灯を光源とする場合にｌ長波長側の光を有効
に使用し得ないという点に於いて、夫々改良される余地
が残っている。又、別には、照射される光が光４直層中
に於いて充分秋収されず支持体に到達する光の量が多く
なると、支持体自体が光導電層を透過して来る元に対す
る反射率が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射
による干渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因と
なる。

この影警は、解像度を一ヒげる為に照射ス号？ットを小
さくする程大きくなり、殊に半導体レーザな光源とする
場合には大きな問題となっている。

更に、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のハロダン原子、及び電気伝
導型の制御のために硼素原子や燐原子等、或いはその他
の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として光
導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕
方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において支持体側よりの電荷の注入の阻
止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が、通常、電子写真分野に於いて使用されてい
るドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の
点に於いて解決される可き点である。

従ってａ−８Ｌ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に上記した様な問題の総てが
解決される様に工夫される必要がある。

本発明は、上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｔ
に就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置
等に・使用される光導電部材としての適用性とその応用
性という観点から総括的に鋭意研究検ｌを続けた結果、
シリコン原子（８１）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）とを
母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロダン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルファス材料、所
謂水素化アモルファスシリコンゲルマニウム、ハロゲン
化アモルファスシリコンゲルマニウム、或いはハロゲン
含有水素化アモルファスシリコンゲルマニウム〔以後こ
れら等の総称的表記として「ａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ＋Ｘ
）Ｊを使用する〕から構成される光導電性な示す光受容
層を有する光導電部材であって以後に説明される様な特
定化して設計され作成された光導電部材は、実用上著し
く優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材を
あらゆる点において凌駕していること、殊に電子写真用
の光導電部材として著しく優れた特性を有していること
、及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性に優れてい
ることを見出したこ′とに基いている。

本発明は、電気的、光学的、光導電的特性が常時安定し
ていて殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間および積層される層の各層間の密着性圧優れ、構
造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い光導電部
材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として使
用した場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用され
得る程度に静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保持能
が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下が殆
んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導電部
材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ！・−ン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を有する光
導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とダルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された光導電性を示す第一の層と、シリコン原子と窒素
原子を含む非晶質材料で構成された第二の層とで構成さ
れた光受容層を有し、前記第一の層中には伝導性を支配
する物質と炭素原子とが含有されており、且つ該第−の
層に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不
均一である事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部拐は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用した場合には、
画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的特
性が安定しており、高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、娘度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材は、支持体上に形成される第一
の層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に著し
く優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用するこ
とができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光専電部拐に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するための模式的構成図である。

第１図に示す光導電部材は１００は、光導電部材用とし
ての支持体１０１の上に、ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ。

Ｘ）から成り、炭素原子を含有し、光導電性を有する第
一の層（１）　１０２と第二の層（ＩＩ）　１０３とを
有する。９１’ｒ−のＪｌ）１０２中に含有されるダル
マニウム原子は、該第−の層（１）　１０２０層厚方向
には連続的であって且つ前記支持体１０１の設けられで
ある側とは反対の側（第一のＵ（１）１０２の第二の層
（Ｉｆ）側）の方よりも前記支持体側（第一の層（１）
１０２の支持体１０１との界面側）の方に多く分布した
状態となる様罠、前記第一の層（１）　１０２中に含有
される。

本発明の光導電部材においては、第一の層（１）中に含
有されるり一゛ルマニウム原子の分布状態は、層厚方向
においては前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と
平行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望まし
い。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
第一の層（１）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚
方向の分布状態の典壓的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニウム原子
の含有ｋｃを、縦軸は光導電性を示す第一の層（１）の
層厚６示し、鴫は支持体側の第一の層（１）の表面の位
置を、ｔＴは支持体側とは反対側の第一〇Ｆｆｔ　（１
）の表面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有
される第一の層（１）はｔＢ側よりｔＴ側に向って層形
成がなされる。

第２図には、第一の層（Ｉ）中に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る第一の層（Ｉ）が形成される支持体表面と該第−０層
（Ｉ）の表面とが接する界面位置ｔＢよりｔｌの位置ま
では、ダルマニウム原子の分布濃度Ｃが０１なる一定の
値を取り乍らゲルマニウム原子が、形成される第一のｍ
　（１）に含有され、位置ｔ１よりは界面位置ｔＴに至
るまで分布濃度ｃ２より徐々に連続的に減少されている
。界面位置ｔＴにおいてはダルマニウム原子の分布濃度
ＣはＣ５とされる。

第３図に示される例においては、含有されるダルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔＢより位置ｔ。

に至るまで濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔ
Ｔにおいて濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している
。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２まではゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６の一定値とされ、位
置ｔ２と位置ｔＴとの間において徐々に連続的に減少さ
れ、位置ｔＴにおいて分布濃度Ｃは実質的に零とされて
いる（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合であ
る）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔＢよシ位置ｔ、に至るまで濃度Ｃ８よ多連続的に保
々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされてい
る。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子・の分布
濃度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔ３間においては蹟ｔＷＣ，
の一定値であり、位置ｔＴにおいては濃度ｃ１゜とされ
る。位置ｔ３と位ｔｔ　ｔ　Ｔとの間では、分布濃度Ｃ
は一次関数的に位置ｔ３よシ位置ｔＴに至るまで減少さ
れている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
、Ｊニジ位１ｉｉｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り
、位置ｔ４より位置ｔＴまではｍ１度Ｃ１２よシ凝度ｃ
１３まで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置１Ｂよυ位置ｔＴに至
るまで、ダルマニウム原子の分布碗度Ｃは濃度Ｃ４４よ
り実質的に苓に至る株に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置鴫より位置ｔ５に至るまではダ
ルマニウム原子の分布績度ｃｉｌ″ｌ：濃度ｃ１５より
濃度Ｃ１６まで一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置
ｔ、との間においては濃度ｃ１６の一定値とされた例が
示されている。

第１０図に示される例においては、ダルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置ｔＢにおいて濃度ｃ１７であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度ｃ１７より初めはゆっくりと
減少され、ｔ６の位置付近においては急激に減少されて
位置ｔ６では濃度ｃ１８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位Ｒｔ７で
濃度Ｃ１，となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、極
めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において濃度
Ｃ２ｏに至る。位置ｔ８と位置１１０間においては、１
層度Ｃ２ｏより実質的に零になる様に図に示す如き形状
の間融に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、第一の層（１）中に
含有されるダルマニウム原子の層厚方向の分布状態の曲
型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支持
体側において、ケ゛ルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に較べて可成り低くされ１こ部分を有するゲル
マニウム原子の分布状態が第一の層（１）に設けられて
いる。

本発明に力台げる光導電部材を構成する第一の層（１）
層は、好ましくは、上記した様に支持体側の方にゲルマ
ニウム原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（
４）を有するのが望ましい。

本発明に於いては局在領域（４）は、第２図乃至第１０
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５
μ以内に設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（４）は、界面位置ｔ
Ｂより５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域囚を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全部と
するか口１、形成される第一の層（１）に要求される特
性に従って適宜法められる。

局在領域（Ａ）は、その中に含有されるケ゛ルマニウム
原子の層厚方向の分布状態としてダルマニウム原子の分
布濃度Ｃの最大値ＣｍａＸがシリコン原子との相に対し
て、好ましくは１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、
より好適には５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最
適にはＩ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とさ
れる様な分布状態となり得る様に層形成される。

即ち、本発明においては、ダルマニウム原子の含有され
る第一の層（１）は、支持体側からの層厚で５μ以内（
１Ｂから５μ層の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃｍａ
ｘが存在する様に形成されるのが好ましい。

本発明において、第一の層（Ｉ）中に含有されるダルマ
ニウム原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達成さ
れる様に所望に従って適宜法められるが、シリコン原子
との和に対して、好ましくは１〜９．５　Ｘ　１０　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、より好ましくは１００〜８　Ｘ
　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には５００〜７　
×ｌ　Ｏａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされる。

本発明の光導電部材に於いては、第ニーの層（１）中に
於けるケ゛ルマニウム原子の分布状態は、全層領域にゲ
ルマニウム原子が連続的に分布し、ゲルマニウム原子の
層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側より第一の層（１）の
第二の層（ＩＩ）側に向って減少する変化が与えられて
いるので、分布濃度Ｃの変化率曲線を所望に従って任意
に設計することによって、要求される特性を持った第一
の層（１）を所望通りに実現することが出来る。例えば
、第一のｉ　（１）中に於けるダルマニウムの分布濃度
Ｃを支持体側に於いては充分高め、第一の層（１）の第
二の層（ＩＩ）側に於いては極力低める様な、分布濃度
Ｃの変化を、ダルマニウム原子の分布濃度曲線に与える
ことによって、可視光領域を含む比較的短波長から比較
的短波長迄の全領、域の波長の光に対して光感度化を計
ることが出来る。

又、後述される杼に、第一の層（１）の支持体側端部に
於いてダルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大きくす
ることにより、半導体レーザを使用した場合の、第一の
層（１）のレーザ照射面（１１ｊに於いて充分吸収し切
れない長波長側の光を第一の層（Ｉ）の支持体側端部層
領域に於いて実質的に完全に吸収することが出来、支持
体面からの反射による干渉を効果的に防止することが出
来る。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と第一の層（１）との間の密着性の
改良を計る目的の為に、第一の層（１）中には炭素原子
が含有される。第一の層（１）中に含有される炭素原子
は、第一の層（１）の全層領域に万偏なく含有されても
良いし、或いは第一の／？Ｍ（１）の一部の層領域のみ
に含有させて偏在させても良い。

又、炭素原子の分布状態は、分布濃度Ｃ（Ｃ）が第一の
層（１）の層厚方向に於いては、均一であってもよいし
、第２図乃至第１０図を用いて説明したダルマニウム原
子の分布状態と同様に、層厚方向にじ−４均一であって
も良い。

詰り、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）が層厚方向に不均一
である場合の炭素原子の分布状態は、第２図乃至第１０
図を用いてケ゛ルマニウム原子の場合と同様に説明され
得る。

本発明に於いて、第一の層（１）に設けられる炭素原子
の含有されている層領域（Ｃ）は、光感度と暗抵抗の向
上を主たる目的とする場合には、第一の層（Ｉ）の全層
領域を占める様に設けられ、支持体と第一の層（Ｉ）と
の間の密着性の強化を計るのを主たる目的とする場合に
は、第一の層（Ｉ）の支持体側端部層領域を占める様に
設けられる。

前者の場合、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後
者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に計る為
に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、第一の層（
Ｉ）の第二の層（ＩＩ）側に於いて比較的低濃度に分布
させるか、或いは第一の層（１）の第二のＪＣ’ｊ　（
ＩＩ）側の表層領域には炭素原子を積極的には含有させ
ない様な炭素原子の分布状態を層領域（Ｃ）中に形成す
れば良い。

本発明に於いて、第一の層（１）に設けられる層領域（
Ｑに含有される炭素原子の含有量は、層領域（Ｑ自体に
要求される特性、或いは、該層領域（Ｃ）が支持体に直
に接触して設けられる場合には、該支持体とや接触界面
に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜
選択することが出来る。

又、前記層領域（Ｃ）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、炭素
原子の含有量が適宜選択される。

層領域切中に含有される炭素原子の量は、形成される光
導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適宜決
められるが、好ましくは０．００１〜５０　ａｔｏｍｉ
ｃ　％、よシ好ましくは０．００２〜４０ａｔｏｍｉｃ
％、最適には０．　ＯＯ３〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％と
される。

本発明に於いて、層領域（Ｃ）が第一の層（１）の全域
を占めるか、或いは第一の層（Ｉ）の全域を占めなくと
も、層領域（Ｃ）の層厚Ｔ。の第一の層（１）の層厚Ｔ
に占める割合が充分多い場合には、層領域（Ｃ）に含有
される炭素原子の含有量の上限は、前記の値よシ充分少
々くされるのが望ましい。

本発明においては、層領域側の層厚Ｔ。が第一の層（１
）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる様
な場合には、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の量
の上限は、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃチ以下、より
好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ係以下、最適には１０　
ａｔｏｍｉｃ％以下とされる。

本発明において、第一の層（１）を構成する炭素原子の
含有される層領域（Ｃ）は、上記した様に支持体側の方
に炭素原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（
Ｂ）を有するものとして設けられるのが望ましく、この
場合には、支持体と第一の層（１）との間の密着性をよ
り一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５μ以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位Ｉ野
ｔｎより５μ））すまでの全層領域（ＬＴ）とされる場
合もあるし、５又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合
もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の５　（１）に要求され
る特性に従って適宜決められる。

局在領域（Ｂ）は、その中に含有される炭素原子の層厚
方向の分布状態として炭素原子の分布濃度Ｃ′（０の最
大値ｃｍａ　Ｘが、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上と
される様な分布状態となり得る様に層形成される。

即ち、本発明においては、炭素原子の含有されるＪΔ層
領域Ｃ）は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔａから
５μ厚の層領域）Ｋ分布濃度Ｃ（Ｃ）の最大値ＣｍａＸ
が存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第一の層（１）中には、伝導特性を支配する物
質（Ｃ）を含有させることにより、第一の層（１）の伝
導特性を所望に従って任意に制御することが出来る。

この様な物質（Ｑとしては、所謂、半導体分野で云われ
る不純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成
される第一０Ｍ　（１）を構成するａ−８ｉＧｅ（Ｈ，
Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ
型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐｆｉ不純物としては周期律表第延族に属
する原子（第延族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、ｈｔ　
（アルミニウム）　ｌ　Ｇａ　（カリウム）。

Ｉｎ　（インジウム）　ｌ　Ｔｔ　（タリウム）等があ
り、殊に好適に用いられるのはＢ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（
アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊ｙｃ、好
適に用いられるのはＰ、Ａｓである。

本発明に於いて、第一〇ル】（■）中に含有される伝導
特性を制御する物質（Ｃ）の含有量は、第一の層（＋）
に要求される伝導特性、或いは該第−の層（１）が直に
接触して設けられる支持体との接触界面に於ける特性と
の「ｊ係等、有機的１１Ａ連性に於いて、適宜選択する
ことが出来る。

又、前記の伝導特性を制御する物質を第一のＩＱ（１）
中に含有させるのに、該第−の層（１）の所望される層
領域に局在的に含有させる場合、殊に、第一の層（１）
の支持体側端部層領域（ｌに含有させる場合には、該層
領域に直に接触して設けられる他の層領域の特性や、該
他の層領域との接触界面に於ける特性との１夕」係も考
慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が適宜選択
される。

本発明に於いて、第一の層中に含有される伝導特性を制
御する物質（Ｃ）の含有量は、好ましくは０．０１〜５
　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適には０．
５〜１　×１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ１最適には１〜
５×１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされる。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｑが含有さ
れる層領域に於ける該物質の含有量が、好ましくは３０
　ａｔｏｍｉｃ　ＰＰｍ　、好適には５０　ａｔｏｍ１
ｃｐｐｍ以上、最適には１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
以上の場合には、前記物質（Ｃ）は、第一の層（１）の
一層領域に局所的に含有させるのが望ましく、殊に第一
の層（Ｉ）の支持体側端部層領域（Ｅ）に偏在させるの
が望ましい。

上記の中、第一のＪ？５（１）の支持体側端部層領域（
ト）に前記の数値以上の含有量となる様に前記の伝導特
性を支配する物質を含有させることによって、例えば該
含有させる物質（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、
第二の層（Ｉｔ）の自由表面が■極性に帯電処理を受け
た際に支持体側からの第一の層（Ｉ）中への電子の注入
を効果的に阻止することが出来、又、前記含有させる物
質が前記の１１型不純物の場合には、第二の層（ｎ）の
自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際に、支持体側か
ら第二の層（ＩＩ）中への正孔の注入を効果的ＪＣ１５
ｆｌ止することが出来る。

この様に、前記端部層領域（匂に一方の極性の伝導特性
を支配する物質を含有させる場合には、残りの層領域、
即ち、前記端部層領域（ト）を除いた部分の層領域（２
））には、他の極性の伝導特性を支配する物質を含有さ
せても良いし、或いは、同極性の伝導特性を支配する物
質を、端部層領域（匂に含有される実際のはよりも一段
と少ない量にして含有させても良い。

この様なニリ“１合、前記層領域体）中に含有される前
記伝導特性を支配する物質の含有量は、端部層領域（匂
に含有される前記物質の極性や含有量に応じて所望に従
って適宜決定されるものであるが、好ましくは０．００
１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適には０
．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には０１
〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされる。

本発明に於いて、端部層領域（匂及び層領域体）に同種
の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層領域
（Ｚ）に於ける含有量は、好ましくは３゜ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ以下とす゛るのが望ましい。上記した場合の他
に、本発明に於いては、第一のＮＪ（１）中に、一方の
極性を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域
と、他方の極性を有する伝導性を支配する物質を含有さ
せた層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域に
所謂空乏層を設けることも出来る。詰り、例えば、第一
の層（１）中に、前記のｐ型不純物を含有する層領域と
前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触する様
に設けて所謂ｐ　−ｎ接合を形成して、空乏層を設ける
ことが出来る。

本発明において、必要に応じ、第一の層（１）中に含有
されるハロゲン原子■としては、具体的にはフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適
なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−Ｓ　Ｓ　Ｇｅ　（Ｈ＋　Ｘ　）
で構成される第一の層（１）を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法が用いられる
。例えば、グロー放電法によって、ａ　−５ＩＧｅ（Ｈ
，Ｘ）で構成される第一の層を形成するには、基本的に
はシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るｓｉ供給用の原料
ガスと、ダルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供
給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用
の原料ガス又は／及びハロダン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスとを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧
状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上に含
有されるダルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲
線に従って制御し乍らａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）から
なる層を形成さぜれば良い。又、スパッタリング法で形
成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス
又はこれ等のガスをペースとした混合ガスの豚囲気中で
８１で構成されたターグット、或いは、該ターグットと
Ｇｅで構成されたターグットの二枚を使用して、又は、
ＳｌとＧｏの混合されたターケゞットを使用して、必要
に応じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給
用の原料ガスを、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用
の堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成
すると共に、前記Ｇｅ供給用の原料ガスのガス流量を所
望の変化率曲線に従って制御し乍ら、前記のターグット
をスパッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えハ多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ダルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは、エレクトロンビ
ーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物
を所望のガスプラズマ宴囲気中を通過させる以外は、ス
ｉ４　、ｙクリング法の場合と同様にする事で行うこと
が出来る。

本発明において使用される８１供給用の原料ガスとなり
得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，Ｓｉ、Ｈ８
゜５ｉ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｔ供給効率の
良さ等の点で５ｉｎ４．５ｉ２Ｉ（６が好ましいものと
して挙げられる。Ｇｅ供給用の原料ガスとなり得る物質
としては、ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３Ｈ８，Ｇｅ４
Ｈ１ｏ。

Ｇｅ　ｓ　Ｈ４２、Ｇｅ　６Ｈ４４，ＧＯｙＨ１６ｓ　
Ｇｅ　ｅＩ■１ａ　＋　Ｇｅ　、Ｈ２ｏ等のガス状態の
又はガス化し得る水素化ダルマニウムが有効に使用され
るものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易
さ、Ｇｏ供給効率の良さの点で、ＧｅＨ４Ｇｅ２Ｈ６、
Ｇｅ３ＨＢ　、好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効１よのは、多くのハロダン化合物が誉げら
れ、例えばハキダンガス、ハロダン化物、ハロダン間化
合物、ハロダンで置換されたシラン誘導体等のガス状態
の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましいものとし
て拳げられる。

又、更には、シリコン原子とハロダン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロダン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は拳げることか出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロダン
ガス、ＢｒＦ、　Ｃ１Ｆ、　ＣｔＦ、、　１３ｒＦ５゜
ＢｒＦ５．　ＩＦ５＋　ＩＦ７＋　ｒｃｚ、　ｌｌ３ｒ
等のハｌｆｆダン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．５ｔ２Ｆ６．５ｉｃｔ４．５ＩＢｒ４等のハロ
ゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来る。

この（ニ頂なハロダン原子を含む硅素化合物を採用して
グロー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形
成する場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共に８１を供
給し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなく
とも、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉＧ
ｅから成る第一〇Ｌ４　（１）層を形成する事が出来る
。

グロー放電法に従って、ハロダン原子を含む第一の層（
１）を製造するＪ烏合、基本的には、例えばＳｔ供給用
の原料ガスとブよるハロゲン化硅素、とＧｅ供給用の原
料ガスとなる水素化り８ルマニウムと、Ａｒ。

１１２、　ｆ（ｅ等のガストンとを所定の混合比および
ソガス流−ｂ工になる様にして第一のＭ　（１）を形成
する堆積室に導入し、グロー放電を１起してこれ等のガ
スのノシズマ雰［？ａ気を形成することによって、所望
の支持体上にｈ’６−の＃ｉ　（１’）を形成し得るも
のであるが、水素ル１．子の導入割合の制御が一層容易
になる様に計る為にこれ等の力スに更に水素ガス又は水
素原子を含む硅素化合物の）ガスも所望量混合して層形
成しても良い。

叉、各ガスは単独法のみでな（所定の？ｊム合比で複数
種混合して使用しても差支えない。

スハッタリング法、イオンノ０レーティング法の何れの
場合にも、形成される層中にハロダン原子を導入するに
は、前記のハロダン化合物又は前記のハロダン原子を含
む硅素化合物の力スを堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれば良い。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ダルマニウム等のガス類をスノ＋ツタリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロダン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるが、その他に、Ｈ
Ｆ、　ＨＣｌ、　ＨＢｒ、　ＨＩ等のハロダン化水素、
５ｉＨ２Ｆ’２．５ｉＨ２Ｉ２１ＳｉＨ２Ｃｔ２．５ｉ
ＨＣｔ３゜Ｓ　１１１２Ｂ　ｒ　２　＋　Ｓ　ｒ　ＨＢ
　ｒ　３等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ３
．ＧｅＦ２Ｆ２．　ＧｅＨ３Ｆ、　ＧｅＨＢｒ３．　Ｇ
ｅＨ２Ｃ１２゜ＧｅＨＢｒ３．　ＧｅＨＢｒ３．　Ｇｅ
Ｆ２Ｂｒ２．　ＧｅＨＢｒ３ＧｅＦ２Ｉ２．　ＧｅＨ３
Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構
成要素の１つとするハロゲン化物ＧｅＦ　ＧｅＣ７４，
ＧｅＢｒ４．　ＧｅＩ４．　ＧｅＦ２．　ＧｅＣ１２゜
４＋ＧｅＢｒ２．　ＧｅＩ２　等ＩＪ）ハロゲン化ゲルマニ
ウム等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な
第一つ層（１）形成用の出発物質として挙げる事が出来
る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
一〇ノ苔（１）形成の際に層中にハロダン原子の導入と
同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入するので、本発明においては好適なハロゲ
ン導入用の原料として使用される。

水素原子を夕）、−の層（１）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＦ２、或いは５ｉＩＩ４．５ｉ２Ｈ，、
５ｔ３Ｉ（８゜””　４Ｈ１０等の水素化硅素なＧｅを
供給する為のゲルマニウム又はケゞルマニウム化合物と
、或いは、　ＧａＨ４。

Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ、Ｉ（８，Ｇｅ４Ｈ，、、Ｇｅ５Ｈ，
２，Ｇｅ６Ｈ，４；Ｇｅ、Ｈ，６゜Ｇｅ８Ｊ（１，、Ｇ
ｅ、Ｈ２ｏ笠の水素化ｙルーｑ　＝　ｆｙ　ムトＳｉヲ
供給する為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室
中に共存させて放電を生起させる事でも行う事が出来る
。

本発明の好ましい倒産おいて、形成される光等型部材の
鎮−のＪＭ　（１）中に含有される水素原子（Ｈ）の量
又はハロダン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロダン原
子の量の和（Ｈ−１−Ｘ）は、好ましくは０，０１〜４
０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃチ、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％
とされる。

第一の層（１）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロダン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロダン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、第一の層（１）に炭素原子の含有され
た層領域（Ｃ）を設けるには、第一の層（１）の形成の
際に炭素原子尋人用の出発物質を前記した第一の層（１
）形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやれば良い。

層領域（Ｃ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した第一０層（１）形成用の出発物質の中か
ら所望に従って選択されたものに炭素原子導入用の出発
物質が加えられる。その様な炭素原子導入用の出発物質
としては、少なくとも炭素原子を構成原子とするガス状
の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（ＳＬ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じ°〔水素原子（Ｈ）又は及びノ・ロダン原子（Ｘ
）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又は、シリコン原子（ｓｔ）を構成原子
とする原料ガスと、炭素原子（Ｑ及び水素原子（Ｈ）を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｔ）を構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｔ）、炭素原子（
Ｃ）及び水素原子α旬の３つを朴７成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ）と水素原子（６）と
を構成原子とする原料ガスに炭素原子（Ｃ）を第１４成
原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

ＣとＩ（とを構成原子とするものとしては、例えば炭素
数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭
化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げ
られる。

（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｉ（６）　＋プロパン（ｃｓ
ｘ（ｓ　）　ｔ　ｎ　−ブタン（”−Ｃ４Ｈ１０）　ｒ
ペンタン（Ｃ５１１１２）　ｒエチレン系炭化水素とし
てはエチレン（Ｃ２ＩＩ４）、グロビレン（Ｃ５Ｈ６）
　ｒブチ、７−１　（Ｃ４ＨＢ　）’　ｒツアー／−２
（Ｃ４Ｈ８）インゾチレン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（ｃ
５Ｈ１ｏ）ｌアセチレン系炭化水素としてはアセチレン
（Ｃ２１（２）　、メチルアセチレン（Ｃ５Ｈ４）　）
ノチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

これ等の他にＳＳとＣとＩ（とを構成原子とする原料ガ
スとしてＳｉ（ＣＨ３）４．Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４　等の
ケイ化アルキルを挙げることが出来る。

本発明に於いては、層領域（Ｃ）中には炭素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に炭素原子に加えて、更に
酸素原子又は／及び窒素原子を含有することが出来る。

酸素原子を層領域（Ｃ）に導入する為の酸素原子導入用
の原料ガスとしては、例えば酸素（０２）、オゾン（０
３）、−酸化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（Ｎｏ２）。

−二酸化窒素（Ｎ、２０）ｊ三二酸化窒素（Ｎ２０３）
、四三酸化窒素（Ｎ２０４）　、三二酸化窒素（Ｎ２０
５）、三酸化窒素（ＮＯ３）　−シリコン原子（Ｓｉ）
と酸素言争（０）と水素原子（）Ｉ）とを構成原子とす
る、例えば、ジシロキサン（ＪＳｉＯ８ｉＨ３）　−）
ジシロキサン（Ｈ５ＳｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＨ３）等の低
級シロキサン＃を挙げることが出来る。

層領域（Ｃ）　ｅ形成する際に使用される窒素原子（財
）導入用の原料ガスになシ得るものとして有効に使用さ
れる出発物質は、Ｎを構成原子とする或い伏ＮとＨとを
構成原子とする例えば窒素（Ｎ２）　、アンモニア（Ｎ
ｉ（３）　、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）　ｐアジ化水
素（）（Ｎ３）　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ、）
等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアノ化
物等の窒素化合物を挙げることが出来る。この他に、窒
素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導
入も行えるという点から、三弗化窒素（Ｆ５Ｎ）−四弗
化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げる
ことが出来る。

スパッタリング法によって、炭素原子を含有する層領域
（Ｃ）　？、形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウ
ェーハー又はＣウェーハー、又はＳｔとＣが混合されて
含有されているウェーハーをターダクトとして、これ等
を種々のガス雰囲気中でスパッタリングする゛ことによ
って行えば良い。

例エバ、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、炭素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハーを
スパッタリングすれば良い。

又、別には、ＳｉとＣとは別々のターケ゛ットとして、
又はＳｔとＣの混合したニ枚のターゲットを使用するこ
とによって、スパッタ用のガスとしての稀釈ガスの雰囲
気中で又は少なくとも水素原子（ロ）又は／及びハロダ
ン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガス雰囲気中で
スパッタリングすることによって成される。炭素原子導
入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示
した原料ガスの中の炭素原子導入用の原料ガスが、スノ
４ッタリングの場合にも有効なガスとして使用され得る
。

本発明に於いて、第一のＷＪ（Ｉ）の形成の際に、炭素
原子の含有される層領域（Ｃ）を設ける場合、該層領域
（Ｃ）に含有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚
方向に変化させて、所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐ
ｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を有する層領域（Ｃ）を形成
するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（Ｃ）を
変化させるべき炭素原子導入用の出発物質のガスを、そ
のガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍
ら、堆積室内に導入することによって成される。例えば
手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられている何
らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられた所定
のニードルバルブの開口を漸次変化させる操作を行えば
良い。このとき、流量の変化率は線型である必要はなく
、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計された変
化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得
ることもできる。

層領域（Ｃ）をスパッタリング法によって形成する場合
、炭素原子の層厚方向の分布濃度ｃ’　（ｃ）を層厚方
向で変化させて、炭素原子の層厚方向の所望の分布状態
（（・ｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を形成するには、第
一には、グロー放電法による場合と同様に、炭素原子導
入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中
へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させる
ことによって成される。

第二には、スノぐツタリング用のターケゝットを、例え
ばＳｉとＣとの混合されたターゲットを使用するのであ
れば、ＳｔとＣとの混合比をターゲットの層厚方向に於
いて予め変化させておくことによって成される。

第一の層（１）中に、伝導特性を制御する物質、例えば
、第■族原子或いは第Ｖ族原子を構造的に導入するには
、層形成の際に、紀■族原千尋入用の出発物質或いは第
■族原子智入用の出発物質をガス状態で堆積室中に第一
の層（１）を形成する為の他の出発物質と共に導入して
やれば良い。この様な第■族原千尋入用の出発物質とな
り得るものとしては、常温常圧でガス状の、又は、少な
くとも層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用さ
れるのが望ましい。その様な第■族原子尋人用の出発物
質として、具体的には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ
６，Ｂ４Ｈ１０，Ｂ５Ｈ９，Ｂ５Ｈ１１，Ｈ６Ｈ１ｏ、
　Ｂ６Ｈ，２゜Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３’、
　ＢＣｔ３．　ＢＢｒ３等のハロダン化硼素等が挙げら
れる。この他、Ａｔｃｔ３゜ＧａＣＬ３．　Ｇａ（ＣＨ
３）３．　ＩｎＣ１，、ＴｔＣｌ、等も挙げることが出
来る。

第■族原千尋入用の出発物質として本発明において有効
に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ，、Ｐ
２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ、　ＰＦ３．　ＰＦ５゜
ＰＣｌ３．　ＰＣｌ５．　ＰＢｒ３．　ＰＢｒ３．　Ｐ
Ｈ５等のハロダン化燐が挙げられる。この他、ＡａＨｘ
　、　ＡｓＦ３．　ＡｓＣＡ３゜ＡｓＢｒ、、　ＡｓＦ
５．　ＳｂＨ３，ＳｂＦ３．　ＳｂＦ５．５ｂＣ２，，
５ｂＣｔ５゜ＢｉＨ３，ＢｉＣｔ３．　Ｂ１Ｂｒ３等も
ｇｖ族原子千尋用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。

本発明の光導電部桐に於ける第一の層（１）の層厚は、
第一の層（夏）中で発生されるフォトキャリアが効率良
く輸送される様に所望に従って適宜法められ、好ましく
は１〜１００μ、より好適には１〜８０μ、最適には２
〜５０μとされる。

第１図に示される光導電部材１００に於いてはム３−〇
層（Ｉ）　１０２上に形成される第二０層（ＩＩ）ｔｏ
ａは自由表面１０４を有し、主に耐湿性、連続繰返し使
用％、性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性に於い
′〔本発明の目的を達成する為に設けられる。

又、本発明に於いては、第一の層（Ｉ）、１０２　トｇ
二の層（ｎ）　１０３とを構成する非晶質月相の各々が
シリコン原子という共通の構成要素を有しているので、
積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されて
いる。

本発明に於ける第二の）Ｗｔ　（ＩＩ）は、シリコン原
子（Ｓｉ）と窒素原子（Ｎ）と、必要に応じて水素原子
ＣＨ）又は／及びハμダ／原子（Ｘ）とを含む非晶質材
料（以後、［ａ−（ＳｌｘＮｌ−、）ｙ（ＨＩＸ）１−
ｙＪ　と記す。

但し、Ｏ＜ｘ　、　ｙ（１）で構成される。

ａ　−（Ｓ　１ｘＮＩ　Ｌ　ｘ　）ｙ　（Ｈｒ　Ｘ）１
−ｙで構成される第二の層（Ｉｔ）の形成はグロー放電
法、ス・“ぐツタリング法、エレクトロンビーム法等に
よって成される。これ等の製造方法は、製造条件、設備
資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によって適宜選択されて採用
されるが、所望する特性を有する光導電部材ｆ：製造す
るための作製条件の制御が比較的拌易である、シリコン
原子と共に窒素原子及びハロダン原子を、作製する第二
の層（ｎ）中に導入するのが容易に行える、等の利点か
らグロー放電法或はスノ’？　ツタリング法が好適に採
用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して第二の層（ＩＩ）を形
成してもよい。

グロー放電法によって第二の層（ＩＩ）′ｆｆ：形成す
るには”（ＳＩＸＮｌ−ｘ）ｙ（Ｈｔｘ）１−ｙ形成用
の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体の設置しである真空堆積室に導入し
、導入されたガスを、グロー放電を生起させることでガ
スプラズマ化して、前記支持体上に既に形成されである
第一の層（１）上にａ−（Ｓｔ、Ｎ１−ｘ）ｙ（ａ＋Ｘ
）ｔ　ｙ”堆積させればよい。

本発明に於いて、ａ−（ＳｉｚＮｌ−ｘ）ｙ（ＬＸ）１
−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（ｓｉ）
、窒素原子（Ｎ）、水素原子（Ｈ）、ハロダン原子（Ｘ
）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したもの中の大概のもの
が使用され得る。

Ｓｌ、Ｎ、Ｈ，Ｘの中の１つとしてＳｌを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｔを構成原子と
する原料ガスと、Ｎを構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＩ（を構成原子とする原料ガス又は／及びＸを
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又はＳｔを構成原子とする原料ガスと、Ｎ及
びＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＮ及びＸを構
成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で
混合するか、或いは、Ｓｔを構成原子とする原料ガスと
、Ｓｉ、　Ｎ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又
は、Ｓｌ、　Ｎ及びＸの３つを構成原子とする原料ガス
とを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｌとＨとを構成原子とする原料ガスにＮ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｔとＸとを構成原子とする原料力スにＮを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二０層０１）中に含有されるハロダ
ン原子（Ｘ）として好適なのはＦ　、’　ＣＬ　、　Ｂ
ｒ　。

工であり、９ｊｋにＦ、Ｃ４１Ｊ′−望ましいものであ
る。

本発明に於いて、第二の層（ＩＩ）を形成するのに有効
に使用される原料ガスとなり得るものとしては、常温常
圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質
を挙げることかできる。

第二の層（１）を上記の非晶質材料で構成する場合の層
形成法としてはグロー放電法、スパッタリング法、イオ
ンインプランテーション法、イオンシレーティング法、
エレクトロンビーム法”Ｊ　カ挙’ｉｆられる。これ等
の製造法は、製造榮件、設備資本投下の負荷程度、製造
規模、作製される光感′、ｈ部′４Ａに所望される特性
等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望す
る特性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の制
御ｌｌが比較的容易である、シリコン原子と共に窒素原
子、必−要に応じて水素原子やハロダン原子を作製する
第二の層（ｎ）中に導入するのが容易に行える、等の利
点からグロー放電法或いはスパッタリング法が好適に採
用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して第二の層（ｎ）を形成
しＣも良い。

グロー放電法によって、ａ−８ＩＮ（ｉ（、Ｘ）で構成
される第二の層（ＩＩ）を形成するには、基本的にはシ
リコン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｔ供給用の原料ガス
と、窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスと、必要に応じて
水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロダン原子（３）
導入用の原料ガスとを、内部が減圧にし得る堆積室内に
導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所
定位置に設置されである所定の第一の層（１）上にａ−
８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）からなる第二の）９４　（ＩＩ）を形
成させれば良い。

又、スパッタリング法で第二の層（Ｉｔ）を形成する場
合には、例えば次の様にされる。

第一には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこ
れ等の力スをペースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔで
構成されたターゲットをスパッタリングする際、窒素原
子（Ｎ）導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原子（
Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）４人用の原
料ガスと共にスパッタリングを行う真空堆８’を室内に
２！う：人してやれば良い。

第二にば、スパッタリング用のターゲットとしてＳｉ３
■（４で構成されたターゲットか、或いはＳｔで構成さ
れたターゲットと８１．Ｎ４で構成されたターケ゛ット
の二枚か、又はＳｔとＳｉ３Ｎ４とで構成されたターゲ
ットを使用することで形成される第二の層（ｉｆ）中へ
窒素原子（Ｎ）を導入することが出来る。この際、前記
の窒素原子（Ｎ、）　４人用の原料ガスを併せて使用す
ればその流量を制御することで第二の層（ｎ）中に導入
される窒素原子（Ｎ）の量を任意に制御することが容易
である。

第二の１ｍ　（ＩＩ）中へ導入される窒素原子（Ｎ）の
含有邦、は、画素原子（Ｎ）４人用の原料ガスが堆積室
中へ導入される際の流量を制御するか、又は窒素原子（
Ｎ）導入用のターケ゛ノド中に含有される窒素原子（Ｎ
）の割合を該ターダン！・を作成する際に調整するか、
或いは、この両者を行うことによって、所望に従って任
意Ｋｆ１７［御することが出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、５ｔＨ４，Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈ６
゜５ｊ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業の扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ
等の点で５ｔＨ４，Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとして挙
げられる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成条件を適切に選
択することによって形成される第二の層（ＩＩ）中に８
１と共にＨも導入し得る。

Ｓｉ供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水素化硅素の他に、ハロダン原子（３）を含む硅
素化合物、所謂、ハロヶ゛ン原子で置換されたシラン訪
導体、具体的には例えばＳｉＦ４゜５１２Ｆ６，５ｌｃ
ｔ４，５ｌＢｒ４等のハロダン化硅素が好ましいものと
して挙げることが出来る。

更ニハ、５ＩＨ２Ｆ２，５ＩＨ２Ｉ２．５ｉＨ２Ｃｔ２
．５ｉｎｃｔ２Ｓ、Ｉ　Ｈ２Ｂ　ｒ　２　＋　Ｓ　ｉＨ
Ｂ　ｒ　ａ等のハロダン置換水素化硅素、等々のガス状
態の或いはガス化し得る、水素原子を構成’Ａ［の１つ
とするハロゲン化物も有効な第二０層（ｎ）の形成の為
のＳｉ供給用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等のハロダン原子ＣＸ）を含む硅素化合物を使用す
る場合にも前述した様に層形成条件の適切な選択によっ
て、形成される第二の層（ＩＩ）中にＳｔと共にＸを導
入することが出来る。

上記した出発物質の中、水素原子を詮むハロダン化硅素
化合物は、第二の層（ＩＩ）の形成の際に層中にハロダ
ン原子（Ｘ）の心入と同時に電気的或いは光電的特性の
制御に極めて有効な水素原子（Ｈ）も導入するので、本
発明においては好適なハロゲン原子（Ｘ）　４人用の出
発物質として使用される。

不発ψノにおいて第二の層（ＩＩ）を形成する際に使用
されるハロゲンガス（Ｘ）導入用の原料ガスとなる有効
な出発物質としては、上記したものの他に、例えば、フ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ”、
　Ｃ１Ｆ、　ＣｌＦ５．　ＢｒＦ５．　ＢｒＦ３．　Ｉ
Ｆ３．　ＩＦ７゜ＩＯＡ、’　ＩＢｒ等のハロダン間化
合物、ＩＩＦ、　Ｈｅ４　ＨＢｒ。

ＩＩＩ等のハロゲン化水素を挙げることが出来る。

第二の層（ＩＩ）を形成する際に使用される窒素原子（
Ｎ）導入用の原料ガスになり得るものとして有効に使用
される出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨと
を構成原子とする例えば窒素（Ｎ２　）　。

アンモニア（ＮＨ３）　、ヒドラゾン（Ｉ（２ＮＮ）Ｉ
２）、アジ化水素（Ｉ（Ｎ３）　、アジ化アンモニウム
（ＮＨ４Ｎ、）等のガス状の又はガス化し得る窒素、窒
化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることが出来る
。この他に、窒素原子（Ｎ）の心入に加えて、ハロヶ゛
ン原子（Ｘ）の尋人も行えるという点から、三弗化窒素
（Ｆ、Ｎ）　。

四弗化窒素（Ｆ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙
げることが出来る。

本発明に於いて、第二の層（ｎ）をグロー放電法又はス
ミ４ツタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所甜、希ガス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ　。

Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける第二のＪＧ　（ｎ）は、その要求される
特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｌ、Ｎ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を各々示すので、本発萌に
於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓｉ
ＸＮ１−Ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−。

が形成される様に、所望に従ってその作成条件の選択が
厳密に成される。例えば、第二の層（Ｉｔ）を１航気的
劇圧性の向上を主な目的として設げるにはａ　（ＳｔＸ
Ｎｌ　−ｚ）ｙ（”、Ｘ）１−ｙは使用環境に於いて電
気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の１ｍ　（１１）が設げられる場合には
上記の電気絶縁性の度合はある程１１０され、照射され
る光に対しである程度の感度を有する非晶質旧料として
ａ−（ＳｉＸＮ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）、−ｙ　が作成さ
れる。

第一の層（１）の表面にａ−（８１ＸＮ１−ｙ）ｙ（Ｌ
Ｘ）１−ｙ　７！ｌ’ら成る第二の層叩を形成する際、
層形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性
を左右する重要な因子であって、本発明に於いては、目
的とする特性を有するａ−（Ｓｔ　Ｎ　）　（Ｈ，Ｘ）
１．、が所望ｘ　１−ｘ　ｙ通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に
制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、Ｉ５［望の目的が効果的に達成される
ための第二の層（ＩＩ）の形成法に合せて適宜最適温度
範囲が選択されて第二の）＠（■）の形成が実行される
が、好ましくは２０〜４００℃、より好適には５０〜３
５０℃、最適には１００〜３００℃とされる。第二の層
（Ｉｆ）の形成には、層を構成する原子の組成化の微妙
な制御や層厚の制御が他の方法に妓べて比較的容易であ
る事等のために、グロー放電法やスノ！ツタリング法の
採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二の層（Ｔ
Ｉ）を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層
形成の際の放電パワーが作成される＆−（ｓｉＸＮ、　
−ｘ）ｙ（ｕｓＸ）１−ｙ　の特性を左右する重要な因
子の一つである。

本発萌に於ける目的が達成されるための特性を有するａ
７（ＳｔｘＮ＋−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）、−ｙが生産性良く
効果的に作成されるための放電パワー条件としては好ま
しく＆！１．０〜３００Ｗ、より好適にハ２．０〜２５
０Ｗ、最適には５．０〜２００Ｗとされる。

堆積室内のガス圧は好ましくはｏ、ｏｉ〜Ｉ　Ｔｏｒｒ
。

より好適にはＯ１１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされる。

本発明に於いては第二の層（ＩＩ）を作成するだめの支
持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記し
た範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクター
は、独立的に別々に決められるものではなく、所望特性
のａ−（ＳｔＸＮ、−、）ｙ（Ｈ，Ｘ）１゜から成る第
二の層（ＩＩ）が形成される様に相互的有機的関連性に
基づいて各層作成ファクターの最適値が決められるのが
望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の層（ＩＩ）に含有さ
れる窒素原子の量は、第二の層（ＩＩ）の作成条件と同
様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二
の層（Ｉｔ）が形成される重要な因子である。

本発明に於ける第二の層（Ｉｆ）に含有される窒素原子
の量は、第二の層（１０を構成する非晶質材料の種類及
びその特性に応じて適宜所望に応じて決められる。

即ち、前記一般式ａ−（ＳｉｘＮ、−Ｘ）ｙ（ＨｌＸ）
で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン原子と
窒素原子とで構成される非晶質材料（以後、「ａ−８ｉ
ａＮ１−ａ」と記す。但し、Ｏ（ａ　（１）、シリコン
原子と窒素原子と水素原子とで構成される非晶質材料（
以後、「ａ−（ｓ　１ｂＮ１−　ｂ几馬−８」と記す。

但し、０（ｂ、ｃ（１）、シリコン原子と窒素原子とハ
ロダン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、ｒ　ａ−（Ｓ　１　ａＮ　＋　−ｄ）。

（Ｈ，Ｘ）１−ｅＪと記す。但しｏ＜ａ、ｅａｌ）、に
分類される。

本発明に於いて、第二の層（ｎ）がａ−８１＆Ｎ、ａで
構成される場合、第二の層（Ｉｔ）に含有される窒素原
子の量は、好ましくはＩ　Ｘ　１０　’　〜６０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には１〜５Ｑａｔｏｍｉｃ％、最
適には１０〜４５ａｔｏｍｆｃ％とされる。即ち、先の
ａ−８ｉ　ａＮｌ−ａのａの表示で行えば、ａは好まし
くは０．４〜０．９９９９９、より好適には０．５〜０
．９９、最適には０．５５〜０．９である。

本発明に於いて、第二の層（ｎ）がａ−（Ｓｉ６Ｎｔ−ｂ）ｃＨｌ−ｃで構成される場合、
第二の層（ＩＩ）Ｋ含有される窒素原子の量は、好まし
くは１×１０　〜５５　ａｔｏｒｎｉｃ係とされ、より
好ましくは１〜５５　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜
５０　ａｔｏｍｉｃチとされる。水素原子の含有量は、
好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃチ、より好ましくは
２〜３５　ａｔｏｍｉｃチ、最適には５〜３０　ａｔｏ
ｍｉｃチとされ、これ等の範囲に水素原子含有量がある
場合に形成される光導電部材は、実際面に於いて優れた
ものとして充分適用させ得る。

即ち、先のａ−（ＳｉｂＮｌ−ｂ）ｃ馬−０の表示で行
えばｂは好ましくは０．４５〜０．９９９９９、より好
適には０．４５〜０．９９、最適には０．１５〜０．９
、Ｃは好ましくは０．６〜０．９９、より好適には０．
６５〜０．９８、最適には０．７〜０．９５である。

第二の）ｔＡ　（ｎ）が８−（Ｓｔ、Ｎ、−ｄ）ｅ（Ｈ
，Ｘ）、−ｅで構成される場合には、第二の層（ＩＩ）
中に含有される窒素原子の含有量は、好ましくはＩ　Ｘ
　１０−３〜９０　ａｔｏｍｉｃチ、より好適には１〜
９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜５５　ａｔｏｍ
ｉｃ　％とされる。ハロゲン原子の含有量は、好ましく
は１〜２０　ａｔｏｍｉｃ　％、より好適には１〜１８
　ａｔｏｍｉｃ％、最適には２〜１５　ａｔｏｍｉｃチ
とされ、これ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合
に作成される光導電部材は実際面に充分適用させ得るも
のである。必要に応じて含有される水素原子の含有量は
、好ましくは１９　ａｔｏｍｉｃ％以下、より好適罠は
１３　ａｔｏｍｉｃ％以下とされる。

即ち、先のｔｃ−（Ｓｉ、３Ｎ＋−ｄ）ｅ（Ｈ，Ｘ）　
１−ｅ　Ｃ１ｄ　、ｅの表示で行えばｄけ好ましくは０
．４〜０．９９９９９、よシｆＥ適Ｋ［０，４〜０．９
９．８Ｍには０．４５〜０．９、ｅけ好まし、くけ０．
４〜０．９９９９９、よシ好適には０．４０〜０．９９
、最適には０．４５〜０．９である。

本発明に於ける第二の層（Ｉｆ）の層厚の数範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
であり、本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従って決められる。

又、らＸ二の層重）の層厚は、該層（ＩＩ）中に含有さ
れる９緊原子の量やル１−のＰ（１）の層厚との関係に
於いても、各々の層（）域にやされる１゛ν性に応じた
有枦的な関連性の下に所望に従って適宜決定される必４
ｙがある。更に加え得るに、量産性や量産性を加味した
経済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の層（ＩＩ）の層厚は、好ましくは
０．００３〜３０μ、よシ好適には０．００４〜２０μ
、最適には０．００５〜１０μとされる。

本発明において使用される支持体は導電性でも電気絶縁
性でも良い。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ
、ステンレス、Ａｔ＋Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　、Ｎｂ　
、Ｔａ　＊ＶｒＴｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ　等の金属又はこ
れ笠の合金が誉けられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、／す環化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
等の電気絶縁性支持体は、好適には、少なくともその一
方の表面を導ｉ４Ｂ処理され、該導電処理された表面側
に他の層が設けられる。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ　ｌＡ
ｔ、Ｃｒ　、Ｍｏ　、Ａｕ　、　Ｉｒ　、Ｎｂ　、Ｔａ
　、Ｖ、Ｔｉ　、Ｐｔ　、Ｐｄ　、　Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ
０２　。

ＩＴＯ（Ｉｎ　２０　ｘ＋ｓｎｏ。）等から成る薄膜を
設けることによって導電性が付与され、或いはポリエス
テルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ
、Ａｔ＋Ａｇ＋Ｐｂ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ＋Ｔｉ　、Ｐｔ等の金鵜の薄膜を
真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス・やツタリング等でその
表面に設け、又は前記金烏でその表面をラミネート処理
して、その表面に導電性が付与される。支持体の形状は
、円筒状、ベルト状。

板状等任意の形状とし得、所望によってその形状は決定
されるが、例えは、第１図の光導電“１部材１００をｔ
子写真用像形成部旧として使用するのであれば、連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい。支持体の厚さは、所望通）の光導電部桐が形
成される様に適宜決定されるが、光導電部羽として可視
性が要求される場合には、支持体としての機能が充分発
揮される範、回内であれば可能な限シ薄くされる。百年
ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、榛械的
強度等の点から、好１しくは１０μ以上とされる。

次に本発明の光４ｊ市：部材の製造方法の一例の概略に
ついて粘ｔ、明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

Ｎ中（７）　１１０２〜１１０６のガスボンベには、本
発明の光導電部相砧形成するための原料がスが密封され
ておシ、その１例として、たとえば１１０２はＨｅで稀
釈されたＳ　ｉ　Ｈ４がス（純度９９．９９９係、以下
Ｓ　ｔ　Ｈ４／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅ
で稀釈されたＧｅ　Ｘ（４ガス（純度９９．９９９％、
以下ＧｅＨ４／　Ｈｅと陥す。）ボンベ、１１０４はＨ
ｅで稀釈されたＢ２Ｈ６がス（純度９９．９９％、以下
Ｂ２Ｈ６／　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０５はＣ２Ｈ
４ガス（純度９９．９９９チ）ボンベ、１１０６はＨ２
ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのがスを反応室１１０１に流入させるにはがスポ
ンペ１１０２〜１１０６のノ々ルブ１１２２〜１１２６
゜リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し
、又、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出／クルシブ
１１１７〜１１２１、補助ノぐルブ１１３２．１１３３
が開力１れていることを確認して、先づメイン・ぐルア
”１１３４を開いて反応室１１０１及び各ガス配管内を
排気する。次に真空計１１３６の読みが約５Ｘ１０ｔｏ
ｒｒになった時点で補助バルブ１１３２．１１３３、流
出ノくルブ１１１７〜１１２１を■〕しる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第一の層（１）を形
成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２より
Ｓ１馬／ｆ（ｅガス、ガスボンベ１１０３よｊ）　Ｇｅ
１１４／１（ｅガス、ガスボンベ１１０４よυＢ２Ｈ６
Ａｌｅガス、ガスボンベ１１０５よシＣ２Ｈ４ガスを）
々ルブ１１２２〜１１２５を開いて出口圧ｒ　−−／　
１１２７〜１１３０の圧を１　ｋｇ　／　ｃｍ２に調整
し、流入バルブ１１１２〜１１１５を徐々に開けて、マ
スフローコントローラ１１０７〜１１１０内に夫々ｉＡ
入させる。引き続いて流出ノ４）レプ１１１７〜１１２
０、補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のソｒスを
反応室１１０１に流入させる。このときのＳｉＨ４／Ｈ
ｅガス流量とＧｅＨａ／Ｈｅがス流４４．ｉとＢ２Ｈ６
／Ｈｅガス流曾とＣ２Ｈ４がス流量との比が所望の値に
なるように流出、Ｎｌ　／シブ１１１フ〜１１２０を調
整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値になるよ
うに真空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１１
３４の開口をＭｔ５Ｍする。

そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８によ
り５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを
確認した後、′ｔ１．源１１４０をハｆ望の電力に設定
して反応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時に
あらかじめ設計された変化率曲線に従ってＧｅＨ４／Ｈ
ｅガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法に
よってバルブ１１１Ｂの［Ｊｉ４０を漸次変化させる操
作を行なって制御することによυ、形成される層中に含
有されるゲルマニウム原子の分布湿度を制御する。

この様にして、基体１１３７上に硼素原子中）と炭素原
子（Ｃ）とが含有され、前記の変化率曲線に従ったダル
マニウム原子の分布状態が形成されている、ａ−８ｉＧ
ｅ（Ｈ、Ｘ）で構成された層領域（Ｂ、Ｃ）が所望の層
厚に形成される。

層領域（Ｂ　、Ｃ）が所望層厚に形成された段階に於い
て、流出バルブ１１１９．１１２０の夫々を完全に閉じ
ること、及び必要に応じて放電条件を変えること以外は
、同様な条件と手順に従って、所望時間グロー放電を紹
持することで前記層領域（Ｂ、Ｃ）上に、硼素原子（Ｉ
３）も炭素原子（Ｃ）も含有されていないが、前記の変
化率曲線に従ったゲルマニウム原子の分布状態が形成さ
れている、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成された上部層
領域が形成されて、第一の層（１）の形成が終了される
。

上記の第一の層（１）の形成の際に、該層形成開始後、
ｐＪｒ望の同量が紅過した段階で、堆８？室へのＢ２Ｈ
６／Ｈｅがス或いはＣ２Ｈ４がスの流入を止めることに
よって　ｊ、ＩＩＱｌｌっ子の含有された層領域（Ｂ）
及び炭雰原子の含有された層領域（Ｃ）の各層！ｆを任
意に制御することが出来る。

又、所望の変化率曲線に従って、堆Ｒ室１１０１へのＣ
２Ｈ４がスのがス流ザを制御することによって、層領域
（Ｃ）中に含有される炭素原子の分布状態を所望通シに
形成することが出来る。

上記の様にして所定層厚に形成された訂゛−の層（１）
上に第二のＪＭＯＩ＞を形成するには、ｕｒ−の層（１
）の形成の際と同様なバルブ４．：、ｌ、作によって、
例えばＳ　ｒ　Ｈがス、ＮＨ３の夫々を必要に応じてＨ
ｅＭ、Ｈの稀釈がスで稀釈して、所望の条件に９ｅって
、グロー放′ｌ）１、を生起させることによって成され
る。第二の層Ｇｌ）中にハロダン原子を含有させるには
、例えばＳｉＦ４がスとＣ２Ｈ４がス、或いは、これに
ＳｉＨ４ガスを加えて上記と同様にして幀二の層（Ｉｎ
を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に８費ながスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは名うまでもなく、又夫々
の層を形成する除、前層の形成に使用したガスか反応室
１１０１内、流出）々ルブ１１１７〜１１２１から反応
室１１０１内に至るがス配管内に残留することを避ける
ために、３ｉｉ、出バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、
補助バルブ１１３２．１１３３を匪いてメインバルブ１
１３４を全開して系内を一旦高真空に排気する４へ゛・
作を必をに応じて省う。

鉋二の層（１１）中に含有される覧素冴子のおば、例え
ばグロー放電による場合は、５ＩＨ４がスと聞）がスの
反応室１１０１内に導入される流量比を所望に従って変
えるか、或いは、スノ’？ツターリングで層形成する堀
合には、ターケ゛ットを形成する際シリコンウェハと窒
化シリコン板のスパッタ面イ責比率を変えるか、又はシ
リコン粉末と（：Ｘ化シリコン粉末の混合比率を変えて
ターケ゛ットを成型することによって所望に応じて制御
することが出来る。第二の層（ＩＩ）中に含有されるノ
・ロダン原子（イ）の餡は、ノ・ログン原子尋入用の原
料がス、例えばＳｉＦ４がスが反応室１１０１内に尋人
される際の流証を崎、躯することによって成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均−什を図るため
基体１１３７はモータ１１３９によシ一定速度で回転さ
せてやるのがＷ、ｔしい。

以下実施例について説明する。

実施例１第１１図に示しだ製造装置によシ、シリンダー状のＡｔ
基体上に第１表に示す条件で第１２図に示すがス流周比
の変化率曲線に従ってＧｅＨ４Ａ（ｅがスとＳ　ｉＨ４
／Ｈｅがスのがス流量比を層作成経過時間と共に変化さ
せて層形成を行って電子写真用像形成部制を祠だ。

こうして得られた像形成部材を帯電露光実験装置に膜力
゛し、■５．　ＯＫＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行
い、直ちに光１隊を照射した。光源はタングステンラン
プ光１ｌｊｊ＋を用い、２１１ｕｘ−８ｅｃの光′ｉ７
４．ｆ：透ｉＤ型のテストチャートを；ｉｊｊ　して照
射させた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面にカスケードすることによって
、像形成部材表ｍＪ上に良好なトナーｉ’１ｌｉｉ像を
イ旬た。像形成部材上のトナーＷｉＩ像を、■５．　Ｏ
ＫＶのコロナ布筒で転写爪上に転与した所、解像力に傅
れ階調再現性のよい解明な高診鹿の画像が得られた。

実力出側２第１１回に示した製造装置によシ、汗、２表に示す条件
で第１３図に示すがス流弗比の変化率曲線に従って、ａ
ｅ　ａ４／’ＨｅがスとＳ　＋　Ｈ４ハｅがスのがス流
量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は
実が１．例１と同様にして、ｊ層形成を行って１Ｌ子写
負用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙士に画像を形成したところ極め
て鮮明外画質が得られた。

実施例３第１１図に示した製造装置により、第３表に示す条件で
第１４図に示すガス流−足止の変化率曲線に従って、Ｇ
ｅＨ４７’ＨｅｆスとＳ　ｉＨ４７’）Ｉｅがスのがス
流創比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例１と同様にして層形成を行って電子写真用低形
成部イミ４をＶ４Ｊた。

こうしてイ％られた像形成部制に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鼾゛明な画質が得られた。

実施例４第１１図に示した製造装置により、第４表に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ　
ｅ　Ｈ４７’ｉＩｅガスとＳ　ｉ　Ｈ４／Ｈｅがスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条
件は実施例１と同様圧して層形成を行って’７１．−ｂ
子写真用体形成部相を得た。

こうして′ｌｉｕられた像形成部材に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙」二に画像を形成したと
ころ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例５第１１図に示した製造装置によシ、第５表に示す条件で
第１６図に示すがス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ＋／Ｔ（ｅがスとＳ　ｉ　Ｈ４，／Ｈａがスのガス流
知二比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例１と同様ｔこして層形成を行って電子写真こう
して荘られた像形成部Ｉに罵いて、実施例１と同様の条
件及び手１１１１７で転写紙上に画像を形成したところ
極めて鮮明な画質か得られた。

実施例６第１１図に示しだ製造装置、によ）、第６表に示す条件
で第１７図に示すガス流日比の変化率曲線Ｋｆって、Ｇ
ｅ　Ｈ４ＡｅガスとＳ　ｓ　Ｈ４Ａｅガスのがス流量比
を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施
例１と同様にして層形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうして裂られた像形成部利に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で伝力紙上に両イ３を形成したところ極
めて鮮りｊな画質か（６られた。

実力千しイノリフ第１１図に示した製造装置によシ、紀７表に示す条件で
第１８図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
　Ｈ４，／）ＩｅがスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのがス流１
ｉ比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件烈
実施例１と同様にして、層形成を行ってｔ子写真用像形
成部拐を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例８実施例１に於ける第１表の条件を第８表乃至第１０表に
示す各条件にした以外は、実施例１と同様の条件にして
層形成を行って電子写真用像形成部材の夫々（試料＆８
０１〜８０３）を得た。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、実Ｍ１１
例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成した
ところ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例９私も１１図に示した製造装置トｊ″により、シリンダー
状のＡｔ基体上に第１１表に示す条件で第１２図に示す
がス流」ｉ比の変化率曲線に従って、Ｇｅ　Ｈ４Ａｅが
スと８ｉＨ４Ａ（ｅガスのガス流ｍ比を層作成経過時間
と共に変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうして祠られた像形成部制を帯電露光実験装置に設置
し、ｅ５．ＯＫＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯笛、を行い
、直ちに光像を照射した。光源はタングステンランプ光
源を用い、２Ａ！ｕｘ、ｓｅｃの光昂を透過型のテスト
チャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面にカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像をｅ５．ＯＫＶのコロナ帯電で転写
献上に転写したＦ９［、解像力に優れ階調再現性のよい
鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例１０第１１図に示した製造装置６によシ、シリンダー状のＡ
ｔ基体上に第１２表に示す条件で第１２図に示すがス流
量比の変化率曲線に従ってＧｅＨ４／Ｈｅがスと５ｉＩ
（４／Ｈｅガスのガス流量比を層作成経過時間と共に変
化させて層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

　− こうして得られた像形成部拐ケ帯電蕗光実験装置に設置
し、６１５．ＯＫＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した。光源はタングステンランプ光
６ｔｉｊを用い、２ｊ９ｕｘ、ｓｅｃの光量を透過型の
テストチャートを通して照射させた。

その後節ちに、■荷電、性の現像剤（トナーとキャリア
を含む）を像形成部材上Ｍ」にカスケードすることによ
って、像形成部材上面上に良好なトナー画像をイ（Ｉた
。像形成部材上のトナー画像をｅ５．ＯＫＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写したＷｆ、Ｍ偉力に優れ階訓杓現件
のよいＩ！σ明な菌濃度の画像が得られた。

実施例１１第１１図に示した製造装置げにより、第１３表に示す条
件で第１３図に示すガス流お比の変化率曲線に従ってＧ
　ｅ　）Ｉ４／ＨｅがスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのガス流
量比を層作成経過町間と共に変化させ、その他の条件は
実施例１０と同様にして、層形成を行って電子写真用像
形成部材を得た。

こうして得られた像形成部側に就いて、実施例１０と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて飴、明な画質が得られた。

実施例１２第１１図に示した製造装置によシ、第１４表に示す条件
で第１４図に示すがス流お比の変化率曲線に従って、Ｇ
ｅＨ４／ＨｅがスとＳ　ｉ　Ｈ４７４（ｅがス、Ｃ２Ｈ
４がスとＳ　ｉＨ４，布ｅガスのがス流量比を層作成経
過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例１０と同
様にして、層形成を行って礼、子写真用佃形成部材を得
た。

こうして得られた像形成部側に就いて、実施例１０と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質がイ（］られた。

実箱例１３第１１図に示した１・″１造装置によシ、第１５表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従っ
て、Ｇｅ　Ｈ４，／’）（ｅがスと５ＩＨ４／／Ｉ（ｅ
ガス、Ｃ２Ｈ４−ＪｆスとＳ　ｉＨ４，／）（ｅがスの
ガス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の
条件は実施例１０と同様にして層形成を行って電子写真
用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部側に就いて、実施例１０と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１４第１１図に示した製造装置によシ、第１６表に示す条件
で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ
ｅ　Ｈ４，／ｈｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１０と同様にして、層形成を行って電子写真用像形
成部材を得た。

仁うして得られた像形成部材に就いて、実施例１０と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像全形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１５第１１図に示した製造装置によシ、第１７表に示す条件
で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＧｅ
　Ｈ４／１（ｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比
金層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施
例１０と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成
部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１０と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１６第１１図に示した製造装置によシ、第１８表に示す条件
で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＧｅ
　Ｈ４／ｌ（ｅガスと５ｉｌｉ４／’Ｈｅガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は
実施例１０と同様にして、層形成を行って電子写真用像
形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１０と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質がＷられた。

実施例１７実施例１０に於ける第１２表の条件を第１９表乃至第２
１表に示す各条件にした以外は、実施例１０と同様の条
件にして層形成を行って電子写真用像形成部材の夫々（
試料１（ｈ　１９０１〜１９０３）’Ｉｒ得た。

第１１図に示した製造装置にょシ、シリンダー状のＡｔ
基体上に第２２表に示す条件で第１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従ってＧｅ　Ｈ４７’ＨｅガスとＳ　
ｉ　Ｈ４Ａｅガスのガス流量比を層作成経過時間と共に
変化させて層形成を行って電子写真用像形成部材を得た
。

こうして得られた像形成部材全帯電露光実験装置に設置
し、■５．０ｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電全行い、
直ちに光像を照射した。光源はタングステンランプ光源
を用い、２１ｕｘ−ａｅｃの光量を透過型のテストチャ
ート全通して照射させた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリア金
倉む）を像形成部材表面にカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像を■５、６　ｋＶのコロナ帯電で転
写紙上に転写した所、解像力に優れ階調再現性のよい鮮
明な高濃度が得られた。

実施例１９実施例１及び１０に於いて光源としてタングステンラン
プの代シに８１０ｎｍＯＧａＡｓ系半尋体レーデ（１０
ｍＷ）ｔ−用いて静電像の形成を行った以外は、実施例
１及び１０と同様のトナー画像形成条件にして、実施例
１及び１ｏと同様の条件で作成した電子写真用像形成部
材に就いてトナー転写画像の画質評価を行ったところ、
解像力に優れ階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得
られた。

実施例２０層（…）の作成条件全第２３表に示す各条件にした以外
は、実施例２〜１ｏの各実施例と同様の条件と手順に従
って電子写真用像形成部材の夫々（試料Ａ１２−２０１
〜１２−２０８．１２−３０１〜１２−３０８．・、１
２−１００１〜１２−１００９の７２個の試料）を作成
した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設置し、ｅ５に■で０．２ｓｅｃ間コロナ
帯電全行い、光像を照射した。光源はタングステンラン
プを用い、光量は１．０１ｕｘ−ｓｅｃ　トした。潜像
は■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）によっ
て現像され、通常の紙に転写された。転写画像は極めて
良好なものであった。転写されないで電子写真用像形成
部材上に残ったトナーは、ゴムブレードによってクリー
ニングされた。このような工程を繰シ返し１０万回以上
行っても、いずれの場合も画像の劣化は見られなかった
。

各試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続使用によ
る耐久性の評価の結果を第２３Ａ表に示す。

実施例２１層（ＩＩ）の形成時、ＡｒとＮＨ，の混合ガスとシリコ
ンウェハと窒化シリコンのターゲツト面積比を変えて層
（ＩＩ）に於けるシリコン原子と窒素原子の含有量比全
変化させる以外は、実施例１と全く同様な方法によって
像形成部材の夫々金作成した。

こうして得られた像形成部材の夫々につき、実施例１に
述べた如き作像、現像、クリーニングの工程全約５万回
繰シ返した後画像評価を行ったところ第２４表の如き結
果を得た。

実施例２２層（ＩＩ）の層の形成時、ＳｉＨガスとＮ■Ｉ３ガスの
流量比を変えて層（ＩＩ）に於けるシリコン原子と窒素
原子の含有量比を変化させる以外は実施例１と全く同様
な方法によって像形成部材の夫々全作成した０こうして
得られた各像形成部材につき、実施例１に述べた如き方
法で転写までの工程全約５万回繰シ返した後、画像評価
を行ったところ、第２５表の如き結果を得た。

実施例２３層（ＩＩ）の層の形成時、ＳｉＨＩｆス、ＳｉＦ４ガス
、ＮＩ（３〃スの流量比全変えて層（Ｉｔ）に於けるシ
リコン原子と窒素原子の含有量比を変化させる以外は、
実施例１と全く同様な方法によって像形成部月の夫々を
作成した。こうして得られた各像形成部材につき実施例
１に述べた如き作像、現像、クリーニング工程を約５万
回繰シ返した後、画像評価を行ったところ第２６表の如
き結果を得た。

実施例２４層（Ｉｆ）の層厚音度える以外は、実施例１と全く同様
な方法によって像形成部材の夫々全存成した。実施例１
に述べた如き作像、現像、クリーニングの工程金繰シ返
し第２７表の結果葡得た。

第２７表以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：ダルマニウム原子（Ｇｅ　）含有層・・・約
２００℃放電周波数：　１３．５６　ＡＩＩＨｚ反応時
反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は、夫々、第一の
層（１）中のダルマニウム原子の分布状態を説明する為
の説明図、第１１図は、本発明で使用された装置の模式
的説明図で、第１２図乃至第１８図は夫々本発明の実施
例に於けるガス流量比の変化率曲線を示す説明図である
。１００・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２・
・・第一の層（１）　１０３・・・第二の層ω）−一一
一慢−ＣＣがス流量比第７３同ガ′ス５Ｌ１上ヒ第７６２ガ又３Ｌｆ上ヒ力゛ス流量比補　正　曹本願明細書中下記事項を補正いだし捷す。記１、笛５５負１６行目にｒ　Ｏ，１５〜０．９」とあるをｒＯ，４５〜０，９」と訂正する。２、第５６員１〜２行目にｒ　Ｉ　Ｘ　１０　〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％　Ｊとあ
るをｒ　Ｉ　Ｘ　１０　〜６０　ａｔｏｍｉｃ　％　Ｊ
　ト訂正する。３、第５６頁２行目に「１〜９Ｑ　ａｔｏｍｉｃチ」とめるをｒ　１〜６０　
ａｔｏｍｉｃ　％　」と訂正する。４、第５７頁４行目に「０．４〜０．９９９９９　Ｊとあるを「０．８〜０．
９９　Ｊと６１正する。５、第５７頁５行目にｒｏ、ａｏ〜０．９９Ｊとあるをｒｏ、１３２〜０．９９　ｊと６１正する。６、第５７頁５行目にｒ　Ｏ，４５〜０゜９」とあるをｒｏ、８５〜０．９８Ｊと訂正する。７、第９２貞「第２３表」中ｒＬ２−２ｊ欄の「流鷺比
又は面積比」項に「Ｓｉウェハ；窒化シリコン−１：３０Ｊとあるを１’−８ｔウェハ：窒化シリコン＝１＝６０」と訂正す
る。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子とダルマ
ニウム原子とを含む非晶質材料で構成された光導電性を
示す第一の層と、シリコン原子と窒素原子を含む非晶質
材料で構成された第二の層とを有し、前記第一の層中に
は伝導性を支配する物質と炭素原子とが含有されており
、且つ該第−の層に於けるケ゛ルマニウム原子の分布状
態が層厚方向に不均一である事を特徴とする光導電部材
。
（２）■九−の層中に水素原子が含有されている特許請
求の範囲第１項に記載の光導′ｆ’ｆｆ部材。
（３）第一の層中にハロダン原子が含有されている特許
請求の範囲第１項又は同第２項に記載の光導電部材。
（４）第一の層中に於けるダルマニウムＪＤ　子の分布
状態が前記支ね体側の方に多く分布する分布状ｆｊＴ３
　ｆ　ｔ−ス／ト、、　ｈ　ｌ；’Ｉ　−；ダン　σ）
Ｉｌｌｉ貨ホ日’Ｎｈ’　Ｉ　Ｗｉ　Ｉｆｆ　弁一式υ
／７’ｌ　専ａｔ　ＦＥＷ　ｆｆＡ利。
（５）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
（６）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属する
原子である特許請求の範囲第一１項に記載の光導電部材
。