JPS6089944A - 立体配線の形成方法 - Google Patents
立体配線の形成方法Info
- Publication number
- JPS6089944A JPS6089944A JP19859483A JP19859483A JPS6089944A JP S6089944 A JPS6089944 A JP S6089944A JP 19859483 A JP19859483 A JP 19859483A JP 19859483 A JP19859483 A JP 19859483A JP S6089944 A JPS6089944 A JP S6089944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- wiring
- power supply
- forming
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置における立体配線の形成方法に関
し、さらに詳しくは空気絶縁された立体配線の形成方法
に関するものである。
し、さらに詳しくは空気絶縁された立体配線の形成方法
に関するものである。
半導体素子、特に化合物半導体であるＧａＡｓを用いた
接合ゲート型電界効果トランジスタ（以下ＧａＡｓＭＥ
ＳＦＥＴと称する）はｓｉバイボラトランジスタの特性
限界を打破するマイクロ波トランジスタとして実用化さ
れている。このようなマイクロ波でのＧａＡｓＭＥＳＦ
ＥＴの出力電力は全ゲート幅を増やすことによって増加
させることができる。
接合ゲート型電界効果トランジスタ（以下ＧａＡｓＭＥ
ＳＦＥＴと称する）はｓｉバイボラトランジスタの特性
限界を打破するマイクロ波トランジスタとして実用化さ
れている。このようなマイクロ波でのＧａＡｓＭＥＳＦ
ＥＴの出力電力は全ゲート幅を増やすことによって増加
させることができる。
そのため通常、電力用のＧａＡｓＭＥＳＦＥＴは第１図
（ａ）の平面図に示すように櫛型のドレイン電極１１お
よびソース電極１２を交互に配置し、その間にゲート電
極１３を配置する構造がとられている。
（ａ）の平面図に示すように櫛型のドレイン電極１１お
よびソース電極１２を交互に配置し、その間にゲート電
極１３を配置する構造がとられている。
このような構成にするには必然的にソース電極１２への
配線１２１とゲート電極１３への給電用配線１３１とは
点１４のような位置で立体配線（クロスオーバー）され
なければならない。通常これらりＣ１２スオーバーは第
１図（ｂ）に第１図（ａ）のＡ−Ａ’部の断面を示すよ
うにＳｉＱ□膜１５により両配線電極間を絶縁する構造
がとられている。
配線１２１とゲート電極１３への給電用配線１３１とは
点１４のような位置で立体配線（クロスオーバー）され
なければならない。通常これらりＣ１２スオーバーは第
１図（ｂ）に第１図（ａ）のＡ−Ａ’部の断面を示すよ
うにＳｉＱ□膜１５により両配線電極間を絶縁する構造
がとられている。
しかしながらＸ帯以上の超高周波になると、これら立体
配線部に生じる寄生容量はＦＥＴ自身がもつゲート・ソ
ース間空乏層容量ＣＧＳに比べて無視できなくなり、透
電体積と相俟って利得あるいは帯域特性低下の一因とな
る。立体交差する電極幅を小さくすればある程度寄生容
量を低減できるが、配線抵抗の増加しいては配線電極の
エレクトロマイグレーションをきたすので好ましくない
。
配線部に生じる寄生容量はＦＥＴ自身がもつゲート・ソ
ース間空乏層容量ＣＧＳに比べて無視できなくなり、透
電体積と相俟って利得あるいは帯域特性低下の一因とな
る。立体交差する電極幅を小さくすればある程度寄生容
量を低減できるが、配線抵抗の増加しいては配線電極の
エレクトロマイグレーションをきたすので好ましくない
。
寄生抵抗の増加なしに寄生容量を大幅に低減する方法と
しては、透電体を介さずに立体交差部を空気絶縁する（
エアークロスオーバ構造）のが最も有効である。
しては、透電体を介さずに立体交差部を空気絶縁する（
エアークロスオーバ構造）のが最も有効である。
これまでにエアークロスオーバー構造をもったデバイス
が幾つか報告されているが、それらの形成方法はいずれ
もエツチングの選択性を主に利用したものである。即ち
、スペーサ材となる金属（一般に銅が多用されている）
を両配線電極間に電解めっき等で形成した後、スペーサ
材のみを選択的にエツチング除去することによりエアー
クロスオーバー構造を得る方法である。
が幾つか報告されているが、それらの形成方法はいずれ
もエツチングの選択性を主に利用したものである。即ち
、スペーサ材となる金属（一般に銅が多用されている）
を両配線電極間に電解めっき等で形成した後、スペーサ
材のみを選択的にエツチング除去することによりエアー
クロスオーバー構造を得る方法である。
このような従来の方法を用いてＧａＡｓＭＥＳＰＥＴの
エアークロスオーバー化を図ろうとした場合、以下に述
べるような問題点を生じる。即ち、１）酸あるいはアル
カリ溶液に弱いＧａＡｓあるいはＡｌから成るゲート電
極等を全く侵さずスペーサ材のみを選択的に除去できる
エツチング液が得難い。２）数μｎ１の厚さに形成され
たスペーサ材をウェーハ内で均一性よく加工することが
困難等である。
エアークロスオーバー化を図ろうとした場合、以下に述
べるような問題点を生じる。即ち、１）酸あるいはアル
カリ溶液に弱いＧａＡｓあるいはＡｌから成るゲート電
極等を全く侵さずスペーサ材のみを選択的に除去できる
エツチング液が得難い。２）数μｎ１の厚さに形成され
たスペーサ材をウェーハ内で均一性よく加工することが
困難等である。
本発明の目的は、これら従来の問題点を取シ除いた新し
い空気絶縁された立体配線の形成方法を提供するもので
ある。
い空気絶縁された立体配線の形成方法を提供するもので
ある。
本発明によれば基板上の第１の配線となる帯状の電極上
に厚膜から成る第１のホトレジスト層を形成し、該ホト
レジスト層をマスクとして電解めっきを施すことによシ
選択的に厚膜電極を形成する工程、粘度の大きいホトレ
ジストを形成して表面を平担化した後、全面に０２イオ
ンビームをシャワー状に照射して前記第１の配線部に前
記厚膜電極の厚さに略等しい膜厚の第１のホトレジスト
層を選択的に残す工程、全面に給電用の金属膜を被着し
た後、前記第１の配線との交差部が開口した第３のホト
レジスト層を形成し、再度電解めっきを施すことにより
前記第１の配線と立体交差した第２の配線を形成する工
程、前記第３のホトレジスト層を除去した後、前記第２
の配線をマスクとして前記給電用の金属膜を選択的にエ
ツチングで除去し、しかる後第２のホトレジスト層を除
去する工程を含むことを特徴とする空気絶縁された立体
配線の形成方法が得られる。
に厚膜から成る第１のホトレジスト層を形成し、該ホト
レジスト層をマスクとして電解めっきを施すことによシ
選択的に厚膜電極を形成する工程、粘度の大きいホトレ
ジストを形成して表面を平担化した後、全面に０２イオ
ンビームをシャワー状に照射して前記第１の配線部に前
記厚膜電極の厚さに略等しい膜厚の第１のホトレジスト
層を選択的に残す工程、全面に給電用の金属膜を被着し
た後、前記第１の配線との交差部が開口した第３のホト
レジスト層を形成し、再度電解めっきを施すことにより
前記第１の配線と立体交差した第２の配線を形成する工
程、前記第３のホトレジスト層を除去した後、前記第２
の配線をマスクとして前記給電用の金属膜を選択的にエ
ツチングで除去し、しかる後第２のホトレジスト層を除
去する工程を含むことを特徴とする空気絶縁された立体
配線の形成方法が得られる。
前記本発明によれば、通常のホトリソグラフィ工程で簡
単に処理できるホトレジスト自体をスペーサ材として使
用するため、立体配線形成に要する工程が従来法に比べ
大幅に簡略化される。
単に処理できるホトレジスト自体をスペーサ材として使
用するため、立体配線形成に要する工程が従来法に比べ
大幅に簡略化される。
以下、本発明の一実施例としてＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの
エアークロスオーバー化を例にとシ詳しく説明する。
エアークロスオーバー化を例にとシ詳しく説明する。
第２図、第３図は本発明の一実施例を説明するだめの図
で、第２図（ａ）〜（ｇ）は製作工程の要部平面図、第
３図（ａ）〜（ｇ）は各々第２図におけるＡ−Ａ’。
で、第２図（ａ）〜（ｇ）は製作工程の要部平面図、第
３図（ａ）〜（ｇ）は各々第２図におけるＡ−Ａ’。
１１−Ｂ’ 、 Ｃ−Ｃ’ 、 Ｄ−Ｄ／ 、 Ｅ−Ｂ
’ 、 Ｆ−Ｆ’ 。
’ 、 Ｆ−Ｆ’ 。
５−
Ｇ−ｑ′の要部断面図を示す。まず最初に半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板２０上にエピタキシャル成長された動作Ｎ２１
上にショットキーバリア形成用のｋｌから成るゲート電
極２２、およびＡｕＧｅＮｉから成るオーム性のソース
電極２３、ドレイン電極２４を通常の光学露光によりリ
フトオフ法で形成する（第２図（ａ））。次にＡＡＩゲ
ート電極２２の保護膜となる５ｉｎ２膜２５をＣＶＤ法
により３０００Ａ程度ウェーハ全面に被着させ、ソース
およびドレイン電極域シ出し部２３１，２４１およびゲ
ート電極取シ出し部２２１に窓をあける。次にｌから成
るゲートパッド部２２２とそこから引き出されるＡｕか
ら成るボンディング線との反応を防止するために、例え
ばＴｉ／Ｐｔ 等の反応防止用電極２２３を選択的にゲ
ートパッド部２２２に形成した後、電解めっきのための
給電用金属ｇ２６として、例えばＴ ｉ ／Ａ、ｕ を
それぞれ約５０ＯＡ蒸着する（第３図（ｂ））。次にＡ
Ｚ１３５０Ｊ（商品名）等のホトレジスト２７を重ね塗
シすることにより例えば４〜６μｍの厚さに形成した後
、ゲート電６一 極２２への給電用配線２２４上を選択的に被覆するよう
にパターニングを行う（第２図（Ｃ）で斜視を施した領
域）。次に第３図（ｃ）（ｃ、示すように、第２図（ｄ
）の斜蔵部にＡ窒めっきを施すことにより、厚み約５μ
ｒｎ程度の厚膜配線２８を形成する。次にホトレジスト
層２７を除去した後、比較的粘度の大キいホトレジスト
（ＡＺ１３７５）をスピンコード去で富ね塗りすること
により％第３図（ｄ）に示すように表面が殆んど平担な
ホトレジスト層２９を形成する。次に全面を加速電圧５
００Ｖ、酸素イオン電流密５０．８ ｍ Ａ ／ ｃｒ
ｄの条件下で６分程度イオンエツチングし、第３図（ｅ
）に示すように厚膜配線２８を系出さぜる。このとき、
給電用配線２２４部には厚ｐ！Ａ’ＦＱ線２８の厚さに
相当した厚みのホトレジスト藝２９が選択的に残る。次
に全面に前述したと同様の給電粗金Ｍ膜３０を再度蒸着
によって形成した後、ＡＺ１３５０Ｊ等のホトレジスト
を塗布し、給電用配線２２４との交差部が開口するよう
に、即ち、第２図（ｆ）の斜線部が選択的に覆われるよ
うにパターニングを行う。厚膜配線２８とホトレジスト
層２７との間に段差がある場合には、段差部で給電用金
）ｆＡ）ＪＡ３０が段切れを起し易く、その結果、この
２層目のホトレジスト層３１のパターニングの際、１層
目のホトレジスト層２７も溶解して給電用金属膜３０が
変形ちるいはり７トオフされてしまい、後のクロスオー
バー電極の形成が困難である。次にホトレジスト層３１
をマスクに再度Ａｕめっきを施して例えＶよ２〜３μｍ
、厚のクロスオーバー電極３２を形成する（第３図（ｆ
））。次にアセトン等の有機溶剤でホトレジスト３１を
除去した後、クロスオーバー′ｄ７Ｌ極３２をマスクと
して、ｋｒイオンビームエツｆングあるいはＩ２：ＫＩ
：Ｈ２Ｏ系およびｌ−１２８０，糸のエツチング液を
用いてクロスオーバー電極３２部以外の不要な給電用金
属膜３２を除去し、さらに露出したホトレジスト層２９
をレジスト剥離剤（Ｊ−１００）を用いて完全に除去す
る。最後Ｋ、前記同様のエツチング液を用いて選択的に
不要な給電用金属膜２６を除去することによシ、第３図
□□□）に示すようなゲート給電用配線２２４とクロス
オーバー電極３２が空気絶縁されたエアークロスオーバ
ー構造が完成する。
Ａｓ基板２０上にエピタキシャル成長された動作Ｎ２１
上にショットキーバリア形成用のｋｌから成るゲート電
極２２、およびＡｕＧｅＮｉから成るオーム性のソース
電極２３、ドレイン電極２４を通常の光学露光によりリ
フトオフ法で形成する（第２図（ａ））。次にＡＡＩゲ
ート電極２２の保護膜となる５ｉｎ２膜２５をＣＶＤ法
により３０００Ａ程度ウェーハ全面に被着させ、ソース
およびドレイン電極域シ出し部２３１，２４１およびゲ
ート電極取シ出し部２２１に窓をあける。次にｌから成
るゲートパッド部２２２とそこから引き出されるＡｕか
ら成るボンディング線との反応を防止するために、例え
ばＴｉ／Ｐｔ 等の反応防止用電極２２３を選択的にゲ
ートパッド部２２２に形成した後、電解めっきのための
給電用金属ｇ２６として、例えばＴ ｉ ／Ａ、ｕ を
それぞれ約５０ＯＡ蒸着する（第３図（ｂ））。次にＡ
Ｚ１３５０Ｊ（商品名）等のホトレジスト２７を重ね塗
シすることにより例えば４〜６μｍの厚さに形成した後
、ゲート電６一 極２２への給電用配線２２４上を選択的に被覆するよう
にパターニングを行う（第２図（Ｃ）で斜視を施した領
域）。次に第３図（ｃ）（ｃ、示すように、第２図（ｄ
）の斜蔵部にＡ窒めっきを施すことにより、厚み約５μ
ｒｎ程度の厚膜配線２８を形成する。次にホトレジスト
層２７を除去した後、比較的粘度の大キいホトレジスト
（ＡＺ１３７５）をスピンコード去で富ね塗りすること
により％第３図（ｄ）に示すように表面が殆んど平担な
ホトレジスト層２９を形成する。次に全面を加速電圧５
００Ｖ、酸素イオン電流密５０．８ ｍ Ａ ／ ｃｒ
ｄの条件下で６分程度イオンエツチングし、第３図（ｅ
）に示すように厚膜配線２８を系出さぜる。このとき、
給電用配線２２４部には厚ｐ！Ａ’ＦＱ線２８の厚さに
相当した厚みのホトレジスト藝２９が選択的に残る。次
に全面に前述したと同様の給電粗金Ｍ膜３０を再度蒸着
によって形成した後、ＡＺ１３５０Ｊ等のホトレジスト
を塗布し、給電用配線２２４との交差部が開口するよう
に、即ち、第２図（ｆ）の斜線部が選択的に覆われるよ
うにパターニングを行う。厚膜配線２８とホトレジスト
層２７との間に段差がある場合には、段差部で給電用金
）ｆＡ）ＪＡ３０が段切れを起し易く、その結果、この
２層目のホトレジスト層３１のパターニングの際、１層
目のホトレジスト層２７も溶解して給電用金属膜３０が
変形ちるいはり７トオフされてしまい、後のクロスオー
バー電極の形成が困難である。次にホトレジスト層３１
をマスクに再度Ａｕめっきを施して例えＶよ２〜３μｍ
、厚のクロスオーバー電極３２を形成する（第３図（ｆ
））。次にアセトン等の有機溶剤でホトレジスト３１を
除去した後、クロスオーバー′ｄ７Ｌ極３２をマスクと
して、ｋｒイオンビームエツｆングあるいはＩ２：ＫＩ
：Ｈ２Ｏ系およびｌ−１２８０，糸のエツチング液を
用いてクロスオーバー電極３２部以外の不要な給電用金
属膜３２を除去し、さらに露出したホトレジスト層２９
をレジスト剥離剤（Ｊ−１００）を用いて完全に除去す
る。最後Ｋ、前記同様のエツチング液を用いて選択的に
不要な給電用金属膜２６を除去することによシ、第３図
□□□）に示すようなゲート給電用配線２２４とクロス
オーバー電極３２が空気絶縁されたエアークロスオーバ
ー構造が完成する。
以上述べてきたように１本発明による形成力法を用いれ
ば、従来のよりな拶雑な工程を必要とするスペーサ材の
形成を通常のホトプｔ１セスで簡単に行なえるため、生
産性、歩留り及び信頼度の大幅な向上が可能となった。
ば、従来のよりな拶雑な工程を必要とするスペーサ材の
形成を通常のホトプｔ１セスで簡単に行なえるため、生
産性、歩留り及び信頼度の大幅な向上が可能となった。
第１゛図（ａ） ＋ （ｂ）はそれぞれ一般の電力用Ｏ
ａＡｓ−ＭＥＳＦＥＴの構造を示す平面図、および要部
断面図で、１１，１２．１３はそれぞわドレイン、ソー
ス、ゲー）４１Ｅ極、１５１ｄ Ｓ ’０２ 膜、１２
１はソース配線、１３１はゲート配線１４はソース配線
１２１とゲート配線１３１の立体配線部を示す。 第２図（ａ）〜億）、＃、３図（ａ）〜（ｇ）は本発明
の一実施例を説明するための図で、第２図（ａ）〜（ｇ
）は製作工程の要部平面図、第３図（ａ）〜（ｇ）は第
２図の要部断面図である。 各図において、２０・・・・・・半絶縁性（、）ａＡＳ
基板、９− ２１・・・・・・動作層、２２，２３．２４・・・・・
・それぞれゲート、ソース、ドレイン電極、２５・・・
・・・ＳｉＱ。 膜、２６．３０・・・・・・給電用金属膜、２７，２９
゜３１・・・・・・ホトレジスト、２８・・・・・・厚
膜配線、３２・・・・・・クロスオーバー電極、２２１
，２３１，２４１・・・・・・それぞれｓｉｏ、膜２５
に開けられたゲート、ソース、ドレイン寛極用の窓、２
２２・・・・・・ゲートパッド、２２３は反応防止用金
属膜、２２４・・・・・・ゲート給電用配線を示す。 ＝１０− 篤 ／ 図 （θ 〕 ｒｂ） ５ｒｙ ／’ １２ （ｄ）
ａＡｓ−ＭＥＳＦＥＴの構造を示す平面図、および要部
断面図で、１１，１２．１３はそれぞわドレイン、ソー
ス、ゲー）４１Ｅ極、１５１ｄ Ｓ ’０２ 膜、１２
１はソース配線、１３１はゲート配線１４はソース配線
１２１とゲート配線１３１の立体配線部を示す。 第２図（ａ）〜億）、＃、３図（ａ）〜（ｇ）は本発明
の一実施例を説明するための図で、第２図（ａ）〜（ｇ
）は製作工程の要部平面図、第３図（ａ）〜（ｇ）は第
２図の要部断面図である。 各図において、２０・・・・・・半絶縁性（、）ａＡＳ
基板、９− ２１・・・・・・動作層、２２，２３．２４・・・・・
・それぞれゲート、ソース、ドレイン電極、２５・・・
・・・ＳｉＱ。 膜、２６．３０・・・・・・給電用金属膜、２７，２９
゜３１・・・・・・ホトレジスト、２８・・・・・・厚
膜配線、３２・・・・・・クロスオーバー電極、２２１
，２３１，２４１・・・・・・それぞれｓｉｏ、膜２５
に開けられたゲート、ソース、ドレイン寛極用の窓、２
２２・・・・・・ゲートパッド、２２３は反応防止用金
属膜、２２４・・・・・・ゲート給電用配線を示す。 ＝１０− 篤 ／ 図 （θ 〕 ｒｂ） ５ｒｙ ／’ １２ （ｄ）
Claims (1)
- 基板上の第１の配線の両側に第１の電極を形成する工程
と、前記第１の配線部をおおうように前記第１の電極の
厚さに略等しい膜厚の第１のホトレジスト層を形成する
工程と、前記第１の配線との交差部が開口した第２のホ
トレジスト層を形成し、その後前記第１の配線と立体交
差した第２の配線を形成する工程と、前記第２のホトレ
ジスト層を除去した後、前記第１のホトレジスト層を除
去する工程とを含むことを特徴とする空気絶縁された立
体配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19859483A JPS6089944A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 立体配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19859483A JPS6089944A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 立体配線の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089944A true JPS6089944A (ja) | 1985-05-20 |
| JPH0226386B2 JPH0226386B2 (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=16393780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19859483A Granted JPS6089944A (ja) | 1983-10-24 | 1983-10-24 | 立体配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089944A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54115065A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-10-24 JP JP19859483A patent/JPS6089944A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54115065A (en) * | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0226386B2 (ja) | 1990-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4213840A (en) | Low-resistance, fine-line semiconductor device and the method for its manufacture | |
| JP2637937B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH05275373A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPS6351550B2 (ja) | ||
| US20030173584A1 (en) | Semiconductor integrated circuit device and method of fabricating the same | |
| JPS6089944A (ja) | 立体配線の形成方法 | |
| US5483089A (en) | Electrically isolated MESFET | |
| JPH0226385B2 (ja) | ||
| JP2712340B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60153149A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JPS60130862A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6088445A (ja) | 立体配線の形成方法 | |
| JP3533796B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR930006725B1 (ko) | 반도체장치의 전극구조 및 그 제조방법 | |
| JP2825284B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2558766B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS598378A (ja) | ＧａＡｓＦＥＴ | |
| JPS59189678A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH0252438A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH09252050A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS61290777A (ja) | シヨツトキ−ゲ−ト電極を製造する方法 | |
| JPS63318145A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6239834B2 (ja) | ||
| JPS6281768A (ja) | ＧａＡｓ半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS58135678A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 |