JPS6097689A - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成方法Info
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- JPS6097689A JPS6097689A JP20541783A JP20541783A JPS6097689A JP S6097689 A JPS6097689 A JP S6097689A JP 20541783 A JP20541783 A JP 20541783A JP 20541783 A JP20541783 A JP 20541783A JP S6097689 A JPS6097689 A JP S6097689A
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
この発明はレジストパターン形成方法、特に、レジスト
膜の現像方法に関する。
膜の現像方法に関する。
（技術的背景）
集積回路の高集積度を実現するため、レジストパターン
の微細加工に努力が注がれており、これまで、機能、用
途に応じた種々のレジスト材料が提案されている。しか
しながら、これらレジスト材料から成るレジス）Ｍを現
像してレジスタパターンを形成するに際し、現像方法に
よっては奇麗なパターンが得られず、歩留まりが悪く、
実用的でない場、合があった。例えば、従来のＩＣプロ
セスのホトリソ工程において、ＰＭＩＰＫ （ポリメチ
ルイソプロペニルケトン）をレジスト材料として用いた
レジストｌｌ５ｉのパターン形成を行う場合には、この
レジスト膜の表面からレジストが溶けてパターニングが
行われるので問題はないが、他のレジスト材料の場合で
あって、レジスト膜が剥離した後、現像液中で溶解する
ようなレジスト、或いは、現像液を使用する場合にはレ
ジストが完全に溶解するのに時間が掛るため、現像液中
に浮遊している未溶解のレジストが基板上に再刊着して
しまい、これがため、メタル蒸着後のリフトオフ工程等
に支障を来たし、奇麗なパターンが得られず、従って、
パターン形成の歩留まりが低下するという欠点があった
。
の微細加工に努力が注がれており、これまで、機能、用
途に応じた種々のレジスト材料が提案されている。しか
しながら、これらレジスト材料から成るレジス）Ｍを現
像してレジスタパターンを形成するに際し、現像方法に
よっては奇麗なパターンが得られず、歩留まりが悪く、
実用的でない場、合があった。例えば、従来のＩＣプロ
セスのホトリソ工程において、ＰＭＩＰＫ （ポリメチ
ルイソプロペニルケトン）をレジスト材料として用いた
レジストｌｌ５ｉのパターン形成を行う場合には、この
レジスト膜の表面からレジストが溶けてパターニングが
行われるので問題はないが、他のレジスト材料の場合で
あって、レジスト膜が剥離した後、現像液中で溶解する
ようなレジスト、或いは、現像液を使用する場合にはレ
ジストが完全に溶解するのに時間が掛るため、現像液中
に浮遊している未溶解のレジストが基板上に再刊着して
しまい、これがため、メタル蒸着後のリフトオフ工程等
に支障を来たし、奇麗なパターンが得られず、従って、
パターン形成の歩留まりが低下するという欠点があった
。
（発明の目的）
この発明の目的はレジストパターン形成に際し、現像中
基板上に再付着するような不要レジストを確実に除去出
来るようにしたレジストパターン形成方法を提供するに
ある。
基板上に再付着するような不要レジストを確実に除去出
来るようにしたレジストパターン形成方法を提供するに
ある。
（発明の構成）
この目的の達成を図るため、この発明のレジストパター
ン形成方法によれば、マスクパター ン露光済レジスト
膜の現像工程を、同一成分の現像液を用いて、複数回に
分けて多段現像することを特徴とする。
ン形成方法によれば、マスクパター ン露光済レジスト
膜の現像工程を、同一成分の現像液を用いて、複数回に
分けて多段現像することを特徴とする。
（実施例の説明）
以下、図面によりこの発明の実施例につき説明する。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の一実施例を説明す
るための工程図であって、これら図は各段階での状態を
概略的に断面図として示したものである。
るための工程図であって、これら図は各段階での状態を
概略的に断面図として示したものである。
図示の実施例では、レジスト材料としてオリゴマーの一
種であるノホラ・ンク樹脂のナフトキノン−１，２−ジ
アジド−５−スルフオン酸エステ）Ｉｙ（以下、ＬＭＲ
と称する）をレジストとして使用した。この場合、重合
度が低いことが解像度を高める一因であることを考慮し
て、重合度が１〜１ｏのノホラック樹脂のナフトキノン
−１，２−ジアジド−５−スルフォン酸エステルヲ使用
した。尚、このレジストはネガ型レジストである。
種であるノホラ・ンク樹脂のナフトキノン−１，２−ジ
アジド−５−スルフオン酸エステ）Ｉｙ（以下、ＬＭＲ
と称する）をレジストとして使用した。この場合、重合
度が低いことが解像度を高める一因であることを考慮し
て、重合度が１〜１ｏのノホラック樹脂のナフトキノン
−１，２−ジアジド−５−スルフォン酸エステルヲ使用
した。尚、このレジストはネガ型レジストである。
まず、第１図（Ａ）に示すように、ＬＭＲを用意しりＧ
ａＡｓ基板１上に、スピンコーティング法により、適当
な厚さに塗布してレジスト膜２を形成し、然る後、この
レジスト膜２を有する基板ｌを適当な温度及び時間にわ
たり熱処理（プリベーク）シ、次に、このレジスト膜２
に対して、コンタクト方式により、マスク３のパターン
を放射４で露光して、マスクパターンをレジスト膜２に
転写した・。
ａＡｓ基板１上に、スピンコーティング法により、適当
な厚さに塗布してレジスト膜２を形成し、然る後、この
レジスト膜２を有する基板ｌを適当な温度及び時間にわ
たり熱処理（プリベーク）シ、次に、このレジスト膜２
に対して、コンタクト方式により、マスク３のパターン
を放射４で露光して、マスクパターンをレジスト膜２に
転写した・。
次に、第１図（Ｂ）に示すように、第一回目の現像処理
を行った。この場合には、現像液として、酢酸イソプロ
ピルを８０容積％及びシクロヘキサンを２０容積％とし
て成る混合溶液を用い、溶液温度２３°Ｃの時には現像
時間を１７秒とし、２５°Ｃの時には１５秒として現像
を行った。いずれの場合にも、第１図（Ｂ）に５で示す
所要な、レジストパターン及び６で示すような現像液中
に浮遊している未溶解の不要なＬにＲがＧａＡｓ基板１
上に再付着した。
を行った。この場合には、現像液として、酢酸イソプロ
ピルを８０容積％及びシクロヘキサンを２０容積％とし
て成る混合溶液を用い、溶液温度２３°Ｃの時には現像
時間を１７秒とし、２５°Ｃの時には１５秒として現像
を行った。いずれの場合にも、第１図（Ｂ）に５で示す
所要な、レジストパターン及び６で示すような現像液中
に浮遊している未溶解の不要なＬにＲがＧａＡｓ基板１
上に再付着した。
そこで、続いて、再度、同じ成分の新しい現像液を用い
て、２３°Ｃ及び２５６ｃの各場合において、２秒間に
わたり夫々二回目の現像を行ったところ、第１図（Ｃ）
に示すように、−回目の現像で再付着したＬＭＲが除去
出来、しかも、二回目の現像によるＬＭＲの基板１への
再付着は認められず、奇麗なパターンが得られた。
て、２３°Ｃ及び２５６ｃの各場合において、２秒間に
わたり夫々二回目の現像を行ったところ、第１図（Ｃ）
に示すように、−回目の現像で再付着したＬＭＲが除去
出来、しかも、二回目の現像によるＬＭＲの基板１への
再付着は認められず、奇麗なパターンが得られた。
また、新たな現像液を用いずに、−先に用いた現像液か
ら未溶解のレジストを除去して得られた現像液を再利用
して再現像を行った場合にも、上述と同様に、完全に再
イづ着レジストの除去を行うことが出来た。
ら未溶解のレジストを除去して得られた現像液を再利用
して再現像を行った場合にも、上述と同様に、完全に再
イづ着レジストの除去を行うことが出来た。
上述した実施例では、二回の現像処理で再付着レジスト
の除去を行うことが出来たが、二回で完全に除去出来な
い場合には、同様に同一成分の現像液で繰り返し現像処
理を行うことにより、回付−７ルシストの完全な除去を
達成することが可能である。
の除去を行うことが出来たが、二回で完全に除去出来な
い場合には、同様に同一成分の現像液で繰り返し現像処
理を行うことにより、回付−７ルシストの完全な除去を
達成することが可能である。
また、」二連の実施例では、ＬＭＲのレジスト材料に対
して、現像液として、酢酸イソプロピルを８０容積％及
びシクロヘキサンを２０容積％として成る混合溶液を用
いたが、他のレジスト及びこれに対応する他の現像液の
組合せを用いることが出来、又、再付着したレジストの
大きさとか量に応じた適切な現像時間等を選定すること
が出来る。
して、現像液として、酢酸イソプロピルを８０容積％及
びシクロヘキサンを２０容積％として成る混合溶液を用
いたが、他のレジスト及びこれに対応する他の現像液の
組合せを用いることが出来、又、再付着したレジストの
大きさとか量に応じた適切な現像時間等を選定すること
が出来る。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明によるレ
ジストパターン形成方法によれば、現像液中でレジスト
膜が剥離した後にレジストが溶解するような現像方法に
おいて、同一現像液による複数回の、すなわち、少なく
とも二段の現像処理を行うことによって、−回目の現像
で基板上に再付着したレジストを完全に除去することが
出来ので、メタル蒸着後のリフトオフ工程等に支障を来
だせずに、奇麗なレジストパターンが得られ、よって、
レジストパターン形成歩留まりを従来よりも一層高める
ことが出来るという利点が得られる。
ジストパターン形成方法によれば、現像液中でレジスト
膜が剥離した後にレジストが溶解するような現像方法に
おいて、同一現像液による複数回の、すなわち、少なく
とも二段の現像処理を行うことによって、−回目の現像
で基板上に再付着したレジストを完全に除去することが
出来ので、メタル蒸着後のリフトオフ工程等に支障を来
だせずに、奇麗なレジストパターンが得られ、よって、
レジストパターン形成歩留まりを従来よりも一層高める
ことが出来るという利点が得られる。
このように、この発明は多段現像の可能なレシスト又は
現像液を使用するホトリソ工程において、同一成分の現
像液による多段現像を行って不要なレジストの基板上へ
の再付着を防ぎ、このレジストを完全に除去することを
特色とするのであるから、基板材料やその他の諸条件は
任意所望なものと成し得ること明らかである。
現像液を使用するホトリソ工程において、同一成分の現
像液による多段現像を行って不要なレジストの基板上へ
の再付着を防ぎ、このレジストを完全に除去することを
特色とするのであるから、基板材料やその他の諸条件は
任意所望なものと成し得ること明らかである。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）はこの発明によるレジストパター
ン形成方法を説明するだめの工程図である。 １・・・基板、 ２・・・レジスト膜 ３・・・マスク、 ４・・・放射 ５・・・マスクパターン、６・・・未溶解のレジスト。
ン形成方法を説明するだめの工程図である。 １・・・基板、 ２・・・レジスト膜 ３・・・マスク、 ４・・・放射 ５・・・マスクパターン、６・・・未溶解のレジスト。
Claims (1)
- 基板上に設けたレジスト＋ｉＱに対しマスクパターンを
露光した後、このレジスト膜の現像を行ってレジストパ
ターンを形成するに当り、前記レジスト膜に対して同一
成分の現像液を用いて多段現像を行うことを特徴とする
レジストパターン形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20541783A JPS6097689A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | レジストパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20541783A JPS6097689A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | レジストパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097689A true JPS6097689A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16506498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20541783A Pending JPS6097689A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | レジストパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097689A (ja) |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP20541783A patent/JPS6097689A/ja active Pending
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