JPS62169690A - 光記録材料 - Google Patents
光記録材料Info
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- JPS62169690A JPS62169690A JP61012388A JP1238886A JPS62169690A JP S62169690 A JPS62169690 A JP S62169690A JP 61012388 A JP61012388 A JP 61012388A JP 1238886 A JP1238886 A JP 1238886A JP S62169690 A JPS62169690 A JP S62169690A
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- Japan
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- optical recording
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- tellurium
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関し、さらに詳しくは集光したレーザ
光の熱作用により薄膜にピットを形成して記録する光記
録媒体に用いる光記録材料に関するものである。
きる光記録媒体に関し、さらに詳しくは集光したレーザ
光の熱作用により薄膜にピットを形成して記録する光記
録媒体に用いる光記録材料に関するものである。
（従来の技術）
レーザ光によって情報を媒体に記録しかつ再生する光デ
イスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録装
置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材料
としては、ビスマス、テルル等が使用されている（特公
昭４６−４０４７９．特公昭４７−２６８９７）。
イスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録装
置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材料
としては、ビスマス、テルル等が使用されている（特公
昭４６−４０４７９．特公昭４７−２６８９７）。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、ビスマス或いはテルルを使用した媒体で
は、その表面性が悪いために信号品質が悪く、実用に供
することができなかった。
は、その表面性が悪いために信号品質が悪く、実用に供
することができなかった。
本発明の目的は、信号品質の良好な光記録媒体に用いる
光記録材料を提供することにある。
光記録材料を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録材料は基板上に形成した記録層の一部を
レーザ光により選択的に除去して情報を記録する光記録
媒体の該記録層に用いる光記録材料であって、テルルに
コバルトを含有してなることを特徴とする。
レーザ光により選択的に除去して情報を記録する光記録
媒体の該記録層に用いる光記録材料であって、テルルに
コバルトを含有してなることを特徴とする。
（作用）
光記録媒体の一例は図のような構成になっている。即ち
基板１の上に記録層５が形成されている。
基板１の上に記録層５が形成されている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層５に集光照射さ
れ、ピット６が形成される。基板１としてはポリカーボ
ネート、ポリメチルペンテン、アクリル樹脂等の合成樹
脂やガラスが使用される。基板には、ピット６が同心円
状或いはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録される
ように案内溝が設けられる。レーザビーム径程度の幅の
溝に光が入射すると光は回折され、ビーム中心が溝から
ずれるにつれて回折強度の空間分布が変化するので、こ
れを検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよう
にサーボ系が構成されている。溝の幅は通常０゜３〜１
．２ｐｍであり、溝の深さは使用するレーザ波長の１１
１２〜１／４の範囲に設定されるが通常は１／８程度か
それ以下である。案内溝の位置をすばやく識別するため
に、案内溝の一部を不連続にしたり、案内溝の深さの一
部をさらに深く（レーザ波長のおよそ１／４）したりし
ておくこともある。案内溝の深さを一部だけ深くして位
置をあらかじめ記録しておく方法は読み出し信号を大き
くとれるので、望ましいが、案内溝付き基板を量産性よ
く作製することは困難となるので通常は案内溝の一部を
不連続にして位置情報をあらかじめ記録しておく方法が
とられている。このような方法では、位置情報読み出し
信号を大きくすることができないので、光記録媒体の未
記録ノイズを小さくしておく必要がある。記録層５とし
てテルルを使用する場合には、未記録ノイズが大きいと
いう問題点がある。本発明者らはテルルにコバルトを含
有させることにより、高感度を維持したまま表面性を良
好にして未記録ノイズが小さくなることを見出し、本発
明に到ったものである。
れ、ピット６が形成される。基板１としてはポリカーボ
ネート、ポリメチルペンテン、アクリル樹脂等の合成樹
脂やガラスが使用される。基板には、ピット６が同心円
状或いはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録される
ように案内溝が設けられる。レーザビーム径程度の幅の
溝に光が入射すると光は回折され、ビーム中心が溝から
ずれるにつれて回折強度の空間分布が変化するので、こ
れを検出してレーザビームを溝の中心に入射させるよう
にサーボ系が構成されている。溝の幅は通常０゜３〜１
．２ｐｍであり、溝の深さは使用するレーザ波長の１１
１２〜１／４の範囲に設定されるが通常は１／８程度か
それ以下である。案内溝の位置をすばやく識別するため
に、案内溝の一部を不連続にしたり、案内溝の深さの一
部をさらに深く（レーザ波長のおよそ１／４）したりし
ておくこともある。案内溝の深さを一部だけ深くして位
置をあらかじめ記録しておく方法は読み出し信号を大き
くとれるので、望ましいが、案内溝付き基板を量産性よ
く作製することは困難となるので通常は案内溝の一部を
不連続にして位置情報をあらかじめ記録しておく方法が
とられている。このような方法では、位置情報読み出し
信号を大きくすることができないので、光記録媒体の未
記録ノイズを小さくしておく必要がある。記録層５とし
てテルルを使用する場合には、未記録ノイズが大きいと
いう問題点がある。本発明者らはテルルにコバルトを含
有させることにより、高感度を維持したまま表面性を良
好にして未記録ノイズが小さくなることを見出し、本発
明に到ったものである。
記録層の膜厚は１００〜６００人程度が記録感度及び信
号品質の点で望ましい。
号品質の点で望ましい。
（実施例）
以下本発明の実施例について説明する。内径１５ｍｍ、
外径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝付きポリカー
ボネート樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に入れ、２
Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ以下に排気した。蒸発源としては抵
抗加熱用ボート（モリブデン製）にＴｅを入れ、電子ビ
ーム加熱用るつぼにｃｏを入れた。２つの水晶振動子式
膜厚モニターを用いてＴｅとＣｏそれぞれの蒸着速度を
制御しながら共蒸着することにより、ＴｅとＣｏが重量
％で９６対４で膜厚２００人の記録層を形成した。この
光ディスクを８０°Ｃの窒素雰囲気中で１時間アニール
したのち、波長８３００人におけるフラット部の基板入
射反射率を測定したところ２５％であり、吸収率は５６
％であった。波長８３００人のＡｌＧａＡｓ半導体レー
ザを用いて、媒体線速度５゜６ｍ／ｓｅｅ、記録周波数
０．６２５ＭＨｚ（デユーティ５０％）の条件で５ｍＷ
で記録し、０．７ｍＷで再生したところ、バンド幅３０
ｋＨｚの信号対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）は５２ｄＢ、第２高
調波対信号比（２ｎｄＨ／Ｃ）は−２５ｄＢ以下と良好
な品質の書き込みデータ信号が得られた。未記録ノイズ
は一７０ｄＢと小さいため、基板にあらかじめ記録さ五
ている案内溝位置信号も良好に再生゛することができた
。比較のための記録層がテルルのディスクでは、未記録
ノイズが一６３ｄＢと大きく問題であった。コバルトの
含有量は重量％で２％、６％、９％のものも作製したが
、いずｋも未記録ノイズは小さく良好であった。
外径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内溝付きポリカー
ボネート樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に入れ、２
Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ以下に排気した。蒸発源としては抵
抗加熱用ボート（モリブデン製）にＴｅを入れ、電子ビ
ーム加熱用るつぼにｃｏを入れた。２つの水晶振動子式
膜厚モニターを用いてＴｅとＣｏそれぞれの蒸着速度を
制御しながら共蒸着することにより、ＴｅとＣｏが重量
％で９６対４で膜厚２００人の記録層を形成した。この
光ディスクを８０°Ｃの窒素雰囲気中で１時間アニール
したのち、波長８３００人におけるフラット部の基板入
射反射率を測定したところ２５％であり、吸収率は５６
％であった。波長８３００人のＡｌＧａＡｓ半導体レー
ザを用いて、媒体線速度５゜６ｍ／ｓｅｅ、記録周波数
０．６２５ＭＨｚ（デユーティ５０％）の条件で５ｍＷ
で記録し、０．７ｍＷで再生したところ、バンド幅３０
ｋＨｚの信号対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）は５２ｄＢ、第２高
調波対信号比（２ｎｄＨ／Ｃ）は−２５ｄＢ以下と良好
な品質の書き込みデータ信号が得られた。未記録ノイズ
は一７０ｄＢと小さいため、基板にあらかじめ記録さ五
ている案内溝位置信号も良好に再生゛することができた
。比較のための記録層がテルルのディスクでは、未記録
ノイズが一６３ｄＢと大きく問題であった。コバルトの
含有量は重量％で２％、６％、９％のものも作製したが
、いずｋも未記録ノイズは小さく良好であった。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により表面性が
よく、信号品質の良好な光記録媒体に用いられる光記録
材料が得られる。
よく、信号品質の良好な光記録媒体に用いられる光記録
材料が得られる。
図は光記録媒体の一例の断面概略図である。図において
、工は基板、５は記録層、６はピットを示す。 ６ ビット １ 基板 ５ 記録層
、工は基板、５は記録層、６はピットを示す。 ６ ビット １ 基板 ５ 記録層
Claims (1)
- 基板上に形成した記録層の一部をレーザ光により選択的
に除去して情報を記録する光記録媒体の記録層に用いる
光記録材料において、テルルにコバルトを含有してなる
ことを特徴とする光記録材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61012388A JPS62169690A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 光記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61012388A JPS62169690A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 光記録材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62169690A true JPS62169690A (ja) | 1987-07-25 |
| JPH0530389B2 JPH0530389B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=11803882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61012388A Granted JPS62169690A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 光記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62169690A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60987A (ja) * | 1983-06-14 | 1985-01-07 | Nozaki Insatsu Shigyo Kk | 印刷方法及び装置 |
| JPS609870A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テルル低酸化物薄膜の製造方法 |
-
1986
- 1986-01-22 JP JP61012388A patent/JPS62169690A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60987A (ja) * | 1983-06-14 | 1985-01-07 | Nozaki Insatsu Shigyo Kk | 印刷方法及び装置 |
| JPS609870A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テルル低酸化物薄膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0530389B2 (ja) | 1993-05-07 |
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