JPS61100969A - 絶縁ゲ−ト保護半導体装置 - Google Patents
絶縁ゲ−ト保護半導体装置Info
- Publication number
- JPS61100969A JPS61100969A JP59221704A JP22170484A JPS61100969A JP S61100969 A JPS61100969 A JP S61100969A JP 59221704 A JP59221704 A JP 59221704A JP 22170484 A JP22170484 A JP 22170484A JP S61100969 A JPS61100969 A JP S61100969A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- gate
- polycrystalline silicon
- insulated gate
- protection semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
- H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
- H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
- H10D89/911—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using passive elements as protective elements
Landscapes
- Protection Of Static Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は絶縁ゲート保護半導体装置に関し、特に絶縁ゲ
ート型電界効果トランジスタのゲート保護装置に関する
ものである。
ート型電界効果トランジスタのゲート保護装置に関する
ものである。
従来、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（以下ＭＯ８
ＦＥＴと略す）には、ゲートの絶縁破壊防止のための保
護装置として第２図に示すような抵抗１とダイオード２
とを含む回路が一般的に知られてｉる。これは過大入力
に対してダイオード２がブレークダウンして、上記ＭＯ
８ＦＥＴ３のゲート４に過大入力がかからないように動
作する。この場合上記抵抗１は過大入力が瞬間的に上記
ゲート電極にかかるのを防止する。この抵抗として拡散
層抵抗と多結晶シリコン抵抗が一般的に使用されている
が、多結晶シリコン抵抗は拡散層抵抗に比べ入力容量お
よび入カリ・−り電流を小さく設計できる長所がある。
ＦＥＴと略す）には、ゲートの絶縁破壊防止のための保
護装置として第２図に示すような抵抗１とダイオード２
とを含む回路が一般的に知られてｉる。これは過大入力
に対してダイオード２がブレークダウンして、上記ＭＯ
８ＦＥＴ３のゲート４に過大入力がかからないように動
作する。この場合上記抵抗１は過大入力が瞬間的に上記
ゲート電極にかかるのを防止する。この抵抗として拡散
層抵抗と多結晶シリコン抵抗が一般的に使用されている
が、多結晶シリコン抵抗は拡散層抵抗に比べ入力容量お
よび入カリ・−り電流を小さく設計できる長所がある。
＄３図は第２図の保護装！！ｉを従来技術でレイアウト
した平面図である０図において１は多結晶シリコン抵抗
、２はダイオードを構成する拡散層、４はゲート電極、
５はドレイン電極、６はソース電極である。また７は入
力ボンディングパットであシ、 ８． ９． １０．
１１はコンタクトであシ、１２．１３は各々ドレインと
ソースを形成する拡散層である。＠３図に示されている
ように多結晶シリコン抵抗は抵抗値を大きくするため曲
げてつ〈られ屈曲部は直角にまげられている。
した平面図である０図において１は多結晶シリコン抵抗
、２はダイオードを構成する拡散層、４はゲート電極、
５はドレイン電極、６はソース電極である。また７は入
力ボンディングパットであシ、 ８． ９． １０．
１１はコンタクトであシ、１２．１３は各々ドレインと
ソースを形成する拡散層である。＠３図に示されている
ように多結晶シリコン抵抗は抵抗値を大きくするため曲
げてつ〈られ屈曲部は直角にまげられている。
上述したように形成された保護装置に高電圧が印加され
ると、多結晶シリコン抵抗の曲がっている部分例えば１
４の部分で電流は１５に示されるような最短径路を取る
ため電流集中が起こり多結晶シリコンが溶断しやすくな
るという欠点を有している。
ると、多結晶シリコン抵抗の曲がっている部分例えば１
４の部分で電流は１５に示されるような最短径路を取る
ため電流集中が起こり多結晶シリコンが溶断しやすくな
るという欠点を有している。
本発明の目的は上記従来技術の欠点を無くし、良好な特
性を有し、かつ製作容易な構造を有するゲート保護半導
体装置を提供する事にある。
性を有し、かつ製作容易な構造を有するゲート保護半導
体装置を提供する事にある。
ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明の絶縁ゲート保護半導体装置は、絶縁ゲート型電
界効果トランジスタを含む回路において、上記電界効果
トランジスタのゲート電極と入力端子間に挿入されてい
る多結晶シリコン抵抗パターンの屈曲部分の表面が金属
で被われていることを特徴として構成される。
界効果トランジスタを含む回路において、上記電界効果
トランジスタのゲート電極と入力端子間に挿入されてい
る多結晶シリコン抵抗パターンの屈曲部分の表面が金属
で被われていることを特徴として構成される。
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。第１図（ａ）、Φ）は本発明の一実施例の平面図及
びＡ−Ｂ線に於ける断面図である。第１図（ａ）、 （
ｂ）において、２１は多結晶シリコン抵抗、２２はダイ
オードを構成する拡散層、２４はゲート電極、２５はド
レイン電極、２６はソース電極である。また２７はボン
ディングパットであり、２８、 ２９． ３０． ３１
． ４１． ４３． ４５，４７゜４９はコンタクトで
あり、３２．３３は各々ドレインとソースを形成する拡
散層で４Ｄ、４２，４４゜４６．４８，５０はアルミニ
ウムであり、５１はシリコン基板、５２はフィールド絶
縁膜、５３は眉間絶Ｒ膜、５４はパッシベーション絶縁
膜である。
る。第１図（ａ）、Φ）は本発明の一実施例の平面図及
びＡ−Ｂ線に於ける断面図である。第１図（ａ）、 （
ｂ）において、２１は多結晶シリコン抵抗、２２はダイ
オードを構成する拡散層、２４はゲート電極、２５はド
レイン電極、２６はソース電極である。また２７はボン
ディングパットであり、２８、 ２９． ３０． ３１
． ４１． ４３． ４５，４７゜４９はコンタクトで
あり、３２．３３は各々ドレインとソースを形成する拡
散層で４Ｄ、４２，４４゜４６．４８，５０はアルミニ
ウムであり、５１はシリコン基板、５２はフィールド絶
縁膜、５３は眉間絶Ｒ膜、５４はパッシベーション絶縁
膜である。
本実施例の構造によるゲート保護装置によれば、多結晶
シリコン抵抗の曲がっている部分、例えば３４では表面
がコンタクト４１を通じてアルミニウム４２により被わ
れているため、抵抗が小さくなり電流集中が起らず多結
晶シリコンの溶断は発生しなくなる。他の曲がっている
部分も同様の構造になっているので、ゲート保護効果の
良好なゲート保護半導体装置が容易に製作することがで
きる。
シリコン抵抗の曲がっている部分、例えば３４では表面
がコンタクト４１を通じてアルミニウム４２により被わ
れているため、抵抗が小さくなり電流集中が起らず多結
晶シリコンの溶断は発生しなくなる。他の曲がっている
部分も同様の構造になっているので、ゲート保護効果の
良好なゲート保護半導体装置が容易に製作することがで
きる。
なお、説明では抵抗とダイオードを使用した保護装置を
例として用いたが、抵抗とフィールド絶縁膜をゲート絶
縁膜としたＭＯＳ ＦＥＴｔ−組み合わせた保護装置、
または抵抗とゲートコントロールダイオードを組み合わ
せた保護装置等に本発明の多結晶シリコン抵抗を用いる
事ができるのは言うまでも無い。
例として用いたが、抵抗とフィールド絶縁膜をゲート絶
縁膜としたＭＯＳ ＦＥＴｔ−組み合わせた保護装置、
または抵抗とゲートコントロールダイオードを組み合わ
せた保護装置等に本発明の多結晶シリコン抵抗を用いる
事ができるのは言うまでも無い。
以上説明したとおシ、本発明によれば、製作が容易で高
電圧が印加されたとき多結晶シリコンが溶断されやすい
等の欠点がなくなり、良好な特性を有するゲート保護半
導体装置を得ることができる。
電圧が印加されたとき多結晶シリコンが溶断されやすい
等の欠点がなくなり、良好な特性を有するゲート保護半
導体装置を得ることができる。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例の平面図及
びそのＡ−Ｂ線に於ける断面図、第２図は抵抗とダイオ
ードで構成した従来の保該装置の回路図、第３図は第２
図の保護装置を従来技術でレイアウトした平面図である
。 １．２１・・・・・・抵抗、２．２２・・・・・・ダイ
オード、３・・・・・・ＭＯＳ ＦＥＴ、４，２４・
・・・・・ゲート電極、５．２５・・・・・・ドレイン
電極、６．２６・・・・・・ソース電極、７．２７・・
・・・・ポンディングパッド％８ｔ９１１０、 １１．
２８． ２９． ３０． ３１． ４１．４３゜４５
．４７．４９・・・・・・コンタクト、１２．３２・・
・・・・ドレイン拡散層、１３．３３・・・・・・ソー
ス拡散層、１４．３４・・・・・・多結晶シリコン抵抗
の曲がっている部分、１５・・・・・・電流径路、 ４
２． ４４． ４６゜４８．５０・・・・・・アルミニ
ウム、５１・・・・・・シリコン基板、５２・・・・・
・フィールド絶縁膜、５３・・・・・・層間絶縁膜、５
４・・・・・・パッシベーション絶縁膜。 ￥１回 茅２回 水゛シアン〉り°ハ゛ｌド
びそのＡ−Ｂ線に於ける断面図、第２図は抵抗とダイオ
ードで構成した従来の保該装置の回路図、第３図は第２
図の保護装置を従来技術でレイアウトした平面図である
。 １．２１・・・・・・抵抗、２．２２・・・・・・ダイ
オード、３・・・・・・ＭＯＳ ＦＥＴ、４，２４・
・・・・・ゲート電極、５．２５・・・・・・ドレイン
電極、６．２６・・・・・・ソース電極、７．２７・・
・・・・ポンディングパッド％８ｔ９１１０、 １１．
２８． ２９． ３０． ３１． ４１．４３゜４５
．４７．４９・・・・・・コンタクト、１２．３２・・
・・・・ドレイン拡散層、１３．３３・・・・・・ソー
ス拡散層、１４．３４・・・・・・多結晶シリコン抵抗
の曲がっている部分、１５・・・・・・電流径路、 ４
２． ４４． ４６゜４８．５０・・・・・・アルミニ
ウム、５１・・・・・・シリコン基板、５２・・・・・
・フィールド絶縁膜、５３・・・・・・層間絶縁膜、５
４・・・・・・パッシベーション絶縁膜。 ￥１回 茅２回 水゛シアン〉り°ハ゛ｌド
Claims (1)
- 絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む回路におい
て、上記電界効果トランジスタのゲート電極と入力端子
間に挿入されている多結晶シリコン抵抗パターンの屈曲
部分の表面が金属で被われていることを特徴とする絶縁
ゲート保護半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221704A JPS61100969A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 絶縁ゲ−ト保護半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59221704A JPS61100969A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 絶縁ゲ−ト保護半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61100969A true JPS61100969A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16770967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59221704A Pending JPS61100969A (ja) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | 絶縁ゲ−ト保護半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61100969A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724563A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-09 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS57153461A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-22 | Toshiba Corp | Input protective resistor for semiconductor device |
-
1984
- 1984-10-22 JP JP59221704A patent/JPS61100969A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724563A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-09 | Nec Corp | Semiconductor device |
| JPS57153461A (en) * | 1981-03-17 | 1982-09-22 | Toshiba Corp | Input protective resistor for semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0161983B1 (en) | Input protection arrangement for vlsi integrated circuit devices | |
| US4541002A (en) | Protective device for a semiconductor integrated circuit including double polysilicon resistor | |
| JPS61100969A (ja) | 絶縁ゲ−ト保護半導体装置 | |
| US5113230A (en) | Semiconductor device having a conductive layer for preventing insulation layer destruction | |
| JPS6225448A (ja) | ゲ−ト保護半導体装置 | |
| JPH0821630B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0518466B2 (ja) | ||
| JPS63275158A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2523966B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01185974A (ja) | Ｍｉｓ−ｆｅｔ | |
| JPS59154056A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63239972A (ja) | 半導体装置の入力保護回路 | |
| JPH025478A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2996346B2 (ja) | Ｍｏｓ集積回路 | |
| JPH0381310B2 (ja) | ||
| JPH03236281A (ja) | 電力用半導体装置 | |
| JPS58182271A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0130301B2 (ja) | ||
| JPH0329361A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61114558A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS61128553A (ja) | 入力保護回路 | |
| JPS62155548A (ja) | 半導体集積回路の静電保護回路素子 | |
| JPS63244681A (ja) | 半導体装置の入力保護部 | |
| JPS6237550B2 (ja) | ||
| JPS6143465A (ja) | 半導体装置 |