JPS61102787A - 発光半導体装置 - Google Patents

発光半導体装置

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JPS61102787A
JPS61102787A JP59226347A JP22634784A JPS61102787A JP S61102787 A JPS61102787 A JP S61102787A JP 59226347 A JP59226347 A JP 59226347A JP 22634784 A JP22634784 A JP 22634784A JP S61102787 A JPS61102787 A JP S61102787A
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JP
Japan
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light emitting
groove
grooves
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emitting device
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Pending
Application number
JP59226347A
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English (en)
Inventor
Kazuhiro Sawa
沢　和弘
Susumu Furuike
進 古池
Shigeru Nagao
長尾　茂
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS61102787A publication Critical patent/JPS61102787A/ja
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、保持体（以後サブマウントと記す）を有する
発光半導体装置に関する。
従来の技術 従来、この種のサブマウントは第２図の断面図に示すよ
うな平坦なものであった。第２図において、１はシリコ
ン、２は絶縁膜である二酸化硅素、３は融着材としての
スズであり、これらをもってサブマウントを閘成し、こ
の上に発光半導体をｐ型極性蛋唖４の側を下にして取り
付ける。なお、発光半導体は、ｐ復極性電極４上にｐ型
エピタキシャル層５．ｎ型エピタキシャル層６．ｎ型基
板７およびｎ型極性電極８をそなえ、通常いわゆるアッ
プサイドダウン形式で組み込まれる場合が多い。
発明が解決しようとする問題点 このようなサブマウントを有する発光半導体装置、例え
ば、発光ダイオードや半導体レーザーはブフイバーを用
いた光通信用の光源に用いられることが多く、熱放散の
ため最も発熱の大きい部分であるｐｎ接合をサブマウン
ト側に近くした、いわゆるアンプサイドダウン（Ｕｐｓ
ｉｄｅ　−ｄｏｗｎ　）　構造が一般的であるが、サブ
マウントの界面からｐｎ接合までは数ミクロン−数十ミ
クロン程度であり、第２図に示されるように従来の平坦
なサブマウントでは発光装置を接着した際、融着材３が
発光装置の側面に吸い上がって、ｐｎ接合部分が短絡状
態になりやすい。
また、放射した光を効率よくファイバーに入射するため
には発光装置を精密に設置しなければならず、従来のサ
ブマウントでは位置合わせが困難であった。
本発明は、このような問題点を解決するもので融着材の
吸い上がりを防止すると共に、発光装置を設置する際の
位置合わせの目印とすることを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段 本発明は、サブマウントの表面に溝を形成し、溝に囲ま
れた凸部が発光装置の面積より小さく、１だ溝の外周部
が発光装置の外形形状よりも大きくしたものである。
作用 本発明の構成によると、サブマウントに設けらＦｌ、た
溝に囲まれた凸部を発光装置の面積より小さくすること
忙より、発光装置を接着した際に、溶融した融着材が発
光装置の側面に吸い上がることを防ぐ。また、溝の外周
部を発光半導体の外形形状より大きくすることでその溝
の段差を発光半導体の組み込みの際の位置合わせの目印
にすることができ、高精度に組み立て可能である。
実施例 第１図は本発明の一実施例によるサブマウントの断面図
である。また、この実施例装置の各構成要素１〜８は、
従来例のものと同じである。この実施例装置では、サブ
マウントの表面に溝９を設けている。
１ず、７リコン基板１の表面に弗硝酸系エツチング液を
用い、通常の写真食刻法により、４〜６ミクロン程度の
深さの溝９を形成する。溝９の幅は６０ミクロンで溝に
囲まれた凸部は ０．４４ｍＸ０．４４１１Ｂ、溝９の外周部は０．６６
ｆｌＸ０．５８０である。発光ダイオードの大きさｏ、
５ｕｘｏ、ｓｕに対し、溝９に囲まれた凸部はこれより
小さく、まだ溝の外周部はこれより大きいような溝を形
成している。ついでシリコン１を１ｏＯＱ℃以上に加熱
して二酸化硅素膜２を５０００Ａ程度形成した後、表面
に融着材であるスズを２ミクロン程度蒸着する。このよ
うにして作製したサブマウント（大きさ１．０騙×１．
０鵡）の中央の凸部に溝９の外周部の段差を位置合わせ
の目印として発光ダイオードを２４０℃程度の処理温度
で融着する。
発明の効果 本発明によれば、周辺に溝を配設したことによりサブマ
ウントの融着材が発光装置の側面に吸い上がることなく
、また発光装置の際の位置合わせが容易にできる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例装置の断面図、第２図は従来
例装置の断面図である。 １・・・・・・シリコン、２・・・・・・二酸化硅素、
３・・・・・・スズ、４・・・・・・ｐＨｌｌｌ電極、
５・・・・・・ｐ型エピタキシャル層、６・・・・・ｎ
型エピタキシャル層、７・・・・・・ｎ型基反、８・・
・・・・ｎ側電極、９・・・・・・溝。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　発光半導体を搭載する保持体の表面に溝を形成し、同
    溝に囲まれた凸部が前記発光半導体の接着面積より小さ
    く、かつ、前記溝の外周部が前記発光半導体の外形形状
    よりも大きいことを特徴とする発光半導体装置。
JP59226347A 1984-10-26 1984-10-26 発光半導体装置 Pending JPS61102787A (ja)

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