JPS61104487A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS61104487A JPS61104487A JP59223981A JP22398184A JPS61104487A JP S61104487 A JPS61104487 A JP S61104487A JP 59223981 A JP59223981 A JP 59223981A JP 22398184 A JP22398184 A JP 22398184A JP S61104487 A JPS61104487 A JP S61104487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- pattern
- memory element
- magnetic
- transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気パプルノモリ素子に係わり、特に磁気バブ
ル転送に好適な転送パターンの形状に関するものである
。
ル転送に好適な転送パターンの形状に関するものである
。
磁気バプルメそり素子の高集積化の要求に対してワイド
ギャップパターンと称される新規な磁気バブル転送パタ
ーンが、高集積化を可能とする手段として１３）ｂ＠ｅ
ｆによシ提案されている（米国特許４３５５３７３号会
報）。
ギャップパターンと称される新規な磁気バブル転送パタ
ーンが、高集積化を可能とする手段として１３）ｂ＠ｅ
ｆによシ提案されている（米国特許４３５５３７３号会
報）。
このため、最近では４μｍ 周期のワイドギャップパタ
ーンが、ＩＥΣＥ Ｔｒａａａ、Ｍａｘｇｎ＊ｔｌｃ
ｇ、ＡＤ−０２’（１９８４年）において、Ｙａｍａｇ
ｉ ｓｈｉ、 ０ｒｉｋａｒａ。
ーンが、ＩＥΣＥ Ｔｒａａａ、Ｍａｘｇｎ＊ｔｌｃ
ｇ、ＡＤ−０２’（１９８４年）において、Ｙａｍａｇ
ｉ ｓｈｉ、 ０ｒｉｋａｒａ。
Ｉｎｏｔｌｅ、 Ｙａｍａａｓ、 Ｍａｊｉｍｓによる
ＤＥＥｉＩＧＮ ＡＮＤＦＡＢＲＩＣＡ’ｒＩＯＮ
ＯＦ Ａ ４ＭＢＩＴ ＢＵＢＢＬＥ ＫＥＭＯ−ＲＹ
ＣＨＩＰ ＷＩＴＨ４ａｍ ＰＥＲＩＯＤ ＰｉＲＭ
人ＬＬＯＹＰＲＯＰＡＧＡＴＩＯＮ ＴＩＩＡＣＫ８と
題して発表されている。 ・ このように磁気パプルメそり素子の高集積化についての
可能性が示されているが、従来のＩＭＢＩＴ磁気パブ磁
気パブツメ子と比較すると、磁気バブルを駆動させる回
転磁界強度が大きくかつ磁気バブルを転送させるバイア
ス磁界マージンも実用上、不充分であることが判明した
。
ＤＥＥｉＩＧＮ ＡＮＤＦＡＢＲＩＣＡ’ｒＩＯＮ
ＯＦ Ａ ４ＭＢＩＴ ＢＵＢＢＬＥ ＫＥＭＯ−ＲＹ
ＣＨＩＰ ＷＩＴＨ４ａｍ ＰＥＲＩＯＤ ＰｉＲＭ
人ＬＬＯＹＰＲＯＰＡＧＡＴＩＯＮ ＴＩＩＡＣＫ８と
題して発表されている。 ・ このように磁気パプルメそり素子の高集積化についての
可能性が示されているが、従来のＩＭＢＩＴ磁気パブ磁
気パブツメ子と比較すると、磁気バブルを駆動させる回
転磁界強度が大きくかつ磁気バブルを転送させるバイア
ス磁界マージンも実用上、不充分であることが判明した
。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、磁気バブル
のパターン間ギャップ転送特性を向上させることによっ
て良好な転送マージンが得られる磁気バブルメモリ素子
を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、磁気バブル
のパターン間ギャップ転送特性を向上させることによっ
て良好な転送マージンが得られる磁気バブルメモリ素子
を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明による磁気バブ
ルメモリ素子は、ワイドギャップ転送パターンをギャッ
プを介して複数配列してなる磁気バブル転送路において
、転送パターンの磁気バブル入口側長脚部先端に、この
転送パターンと同一部材からなる突出部分を延長して設
けたものである。
ルメモリ素子は、ワイドギャップ転送パターンをギャッ
プを介して複数配列してなる磁気バブル転送路において
、転送パターンの磁気バブル入口側長脚部先端に、この
転送パターンと同一部材からなる突出部分を延長して設
けたものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図は本発明による磁気バプルメそり素子の一実施例
を示す磁気バブル転送路の平面図である。
を示す磁気バブル転送路の平面図である。
同図において、ＩＡはパーマロイ薄膜パターンをエツチ
ングして形成された例えばクラブフット形ワイドギャッ
プパターンであり、これらの同一種の各パターン１人は
所定寸法幅のギャップを有し、多数個配列して形成され
て磁気バブル転送路１が構成されている。そして、この
転送路１を構成する各パターン１人には磁気バブル転送
方向Ｐに対応する磁気バブル入口側となる長脚部１１先
端に、同一パーマロイ薄膜パターンからなる突出部１ｂ
がそれぞれ形成されている。なお、１ｃは磁気バブル出
口側となる短脚部であり、点線で示すパターン１には前
述した従来パターンの形状である。
ングして形成された例えばクラブフット形ワイドギャッ
プパターンであり、これらの同一種の各パターン１人は
所定寸法幅のギャップを有し、多数個配列して形成され
て磁気バブル転送路１が構成されている。そして、この
転送路１を構成する各パターン１人には磁気バブル転送
方向Ｐに対応する磁気バブル入口側となる長脚部１１先
端に、同一パーマロイ薄膜パターンからなる突出部１ｂ
がそれぞれ形成されている。なお、１ｃは磁気バブル出
口側となる短脚部であり、点線で示すパターン１には前
述した従来パターンの形状である。
このような構成によれば、各パターン１人の磁気バブル
に与えるポテンシャルの井戸をギャップ側に近づけるこ
とができるので、磁気バブルが隣接するバター／ＩＡの
短脚部１ｃから磁気バブル転送方向Ｐ側のパターン１人
の長脚部１ａへパターン間ギャップを飛び越えるときの
ポテンシャル障壁を従来のパターンＩＡ’に比べて小さ
くすることができる。この結果、パターン１人相互間の
ギャップ転送特性が向上し、第２図に曲線！で示すよう
に従来の特性曲線■に比べてバイアス磁界マージンを大
幅に向上させることができた。
に与えるポテンシャルの井戸をギャップ側に近づけるこ
とができるので、磁気バブルが隣接するバター／ＩＡの
短脚部１ｃから磁気バブル転送方向Ｐ側のパターン１人
の長脚部１ａへパターン間ギャップを飛び越えるときの
ポテンシャル障壁を従来のパターンＩＡ’に比べて小さ
くすることができる。この結果、パターン１人相互間の
ギャップ転送特性が向上し、第２図に曲線！で示すよう
に従来の特性曲線■に比べてバイアス磁界マージンを大
幅に向上させることができた。
なお、本発明は前述した実施例のみに限定されることな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施
し得ることは勿論である。例えば第３図に示すものはワ
イドギャップパターン１Ｂがほぼへの字状に形成する、
また第４図に示すものはワイドギャップパターン１Ｃを
変形への字状に形成する他は第１図のものと同様に構成
されかつ同様の作用効果を奏するものである。
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施
し得ることは勿論である。例えば第３図に示すものはワ
イドギャップパターン１Ｂがほぼへの字状に形成する、
また第４図に示すものはワイドギャップパターン１Ｃを
変形への字状に形成する他は第１図のものと同様に構成
されかつ同様の作用効果を奏するものである。
以上説明しえように本発明によれば、磁気バブル転送路
を構成するワイドギヤシブ転送パターンの磁気バブル入
口側長脚部先端に、この転送パターンと同一部材の突出
部分を設けたことによって、磁気バブルのパターン間ギ
ャップの転送特性が向上し、良好な転送マージンが得ら
れるので、品質の高い、高集積度化磁気バブルメモリ素
子が実現可能となるという極めて優れた効果が得られる
。
を構成するワイドギヤシブ転送パターンの磁気バブル入
口側長脚部先端に、この転送パターンと同一部材の突出
部分を設けたことによって、磁気バブルのパターン間ギ
ャップの転送特性が向上し、良好な転送マージンが得ら
れるので、品質の高い、高集積度化磁気バブルメモリ素
子が実現可能となるという極めて優れた効果が得られる
。
第１図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一実施例
を示す磁気バブル転送路の平面図、第２図は従来および
本発明に係わる磁気バブル転送路の磁気バブル転送特性
を示す図、第３図および第４図は本発明の他の実施例を
示す磁気バブル転送路の平面図である。 １１１＠１１１１磁気バブル転送路、ＩＡ、ＩＢ、ＩＣ
−幸・−ワイドギャップパターン、１ａ・・廖・長脚部
、１ｂ・・・・突出部、１ｃ・・Φ−短脚部。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫、″）又、。
を示す磁気バブル転送路の平面図、第２図は従来および
本発明に係わる磁気バブル転送路の磁気バブル転送特性
を示す図、第３図および第４図は本発明の他の実施例を
示す磁気バブル転送路の平面図である。 １１１＠１１１１磁気バブル転送路、ＩＡ、ＩＢ、ＩＣ
−幸・−ワイドギャップパターン、１ａ・・廖・長脚部
、１ｂ・・・・突出部、１ｃ・・Φ−短脚部。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫、″）又、。
Claims (1)
- ワイドギャップパターンを所定寸法のギャップを介して
複数配列し磁気バブルを転送させる磁気バブル転送路を
構成してなる磁気バブルメモリ素子において、前記パタ
ーンの磁気バブル入口側長脚部先端に、該パターンと同
一部材からなる突出部を延長して設けたことを特徴とす
る磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223981A JPS61104487A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 磁気バブルメモリ素子 |
| GB08515784A GB2162709A (en) | 1984-06-22 | 1985-06-21 | A magnetic bubble memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223981A JPS61104487A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104487A true JPS61104487A (ja) | 1986-05-22 |
Family
ID=16806703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59223981A Pending JPS61104487A (ja) | 1984-06-22 | 1984-10-26 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61104487A (ja) |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP59223981A patent/JPS61104487A/ja active Pending
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