JPS61108589A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPS61108589A JPS61108589A JP59230300A JP23030084A JPS61108589A JP S61108589 A JPS61108589 A JP S61108589A JP 59230300 A JP59230300 A JP 59230300A JP 23030084 A JP23030084 A JP 23030084A JP S61108589 A JPS61108589 A JP S61108589A
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- JP
- Japan
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- bis
- ion
- recording medium
- recording layer
- substrate
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/249—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing organometallic compounds
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/247—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes
- G11B7/2472—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes methine or polymethine dyes cyanine
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Heat Sensitive Colour Forming Recording (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はレーザ特に半導体レーザによる書込み記録に適
し念光情報記録媒体に関する。
し念光情報記録媒体に関する。
従来、回転しているディスク状の情報記録装置にレーザ
光を照射して情報の記録再生を行なう情報記録再生装置
が知られている。そして、この種の情報記録装置に用い
られる情・報記録媒体としては基板上に低融点金属ま九
は低融点金属と誘電体とからなる記録磁層を設けたもの
などが提案されている。しかし、これらは保存性が悪い
、分解能が低い、記録密麓が低い、コスト高になるなど
の欠点を有する。
光を照射して情報の記録再生を行なう情報記録再生装置
が知られている。そして、この種の情報記録装置に用い
られる情・報記録媒体としては基板上に低融点金属ま九
は低融点金属と誘電体とからなる記録磁層を設けたもの
などが提案されている。しかし、これらは保存性が悪い
、分解能が低い、記録密麓が低い、コスト高になるなど
の欠点を有する。
そこで、本発明者等は種々検討の結果基板上に色素薄膜
を設けた場合に書き込み感度および反射率が向上し読み
出しのＳＡ比が高い記録媒体が得られることを見出し既
にそれを提案している。しかしながら、かかる記録媒体
は光および熱に対する安定性、記録後の再生光に対する
保存性などがまだ充分でないのが現状である。
を設けた場合に書き込み感度および反射率が向上し読み
出しのＳＡ比が高い記録媒体が得られることを見出し既
にそれを提案している。しかしながら、かかる記録媒体
は光および熱に対する安定性、記録後の再生光に対する
保存性などがまだ充分でないのが現状である。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであって、その
主な目的は熱および光に対する保存性、再生光に対する
保存性などが改良された光情報記録媒体を提供すること
である。
主な目的は熱および光に対する保存性、再生光に対する
保存性などが改良された光情報記録媒体を提供すること
である。
本発明者は上記目的について種々検討を行った結果、光
情報記録媒体の保存性の向上には記録層を設ける基体の
材質ならびに記録層の構成；□ 成分の性状のみ
ならず該成分と基体材料との相互作用が影響することに
着目し本発明をなすに至った。そこで１本発明の目的は
記録層を設ける基体としてアクリル系重合体層を用いる
こと、該重合体層に案内溝を設けること、記録層の構成
成分として下記一般式印の化合物および遷移金属錯体ま
たは該錯体とカチオンとの塩を用いることにより達成す
ることができる。ここで本発明でいう「アクリル系重合
体」はアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル
の重合体を意味する。
情報記録媒体の保存性の向上には記録層を設ける基体の
材質ならびに記録層の構成；□ 成分の性状のみ
ならず該成分と基体材料との相互作用が影響することに
着目し本発明をなすに至った。そこで１本発明の目的は
記録層を設ける基体としてアクリル系重合体層を用いる
こと、該重合体層に案内溝を設けること、記録層の構成
成分として下記一般式印の化合物および遷移金属錯体ま
たは該錯体とカチオンとの塩を用いることにより達成す
ることができる。ここで本発明でいう「アクリル系重合
体」はアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル
の重合体を意味する。
一般式
ただし、Ｘは弗素、塩素、臭素および沃素からなる群よ
り選ばれたハロゲン原子を表わし、ｍおよびｎは１〜４
の整数を表わし、そしてＹは過塩素酸塩イオン、ベンゼ
ンスルホン酸塩イオン、Ｐ−）ルエンスルホン酸塩イオ
ン、メチル硫酸塩イオンおよびエチル硫酸塩イオンから
なる群より選ばれたアニオンを表わす。
り選ばれたハロゲン原子を表わし、ｍおよびｎは１〜４
の整数を表わし、そしてＹは過塩素酸塩イオン、ベンゼ
ンスルホン酸塩イオン、Ｐ−）ルエンスルホン酸塩イオ
ン、メチル硫酸塩イオンおよびエチル硫酸塩イオンから
なる群より選ばれたアニオンを表わす。
本発明の光情報記録媒体は基本的には表面に案内＊ｔ−
有するアクリル系重合体層上に上記一般式〔０の化合物
および遷移金属錯体またはそのカチオン塩を主成分とす
る記録層を設けたものである。さらに必要に応じて記録
層の上に保護層を設けてもよい。また、このようにして
構成された記録媒体をサンドイッチ構造にして使用する
こともできる。
有するアクリル系重合体層上に上記一般式〔０の化合物
および遷移金属錯体またはそのカチオン塩を主成分とす
る記録層を設けたものである。さらに必要に応じて記録
層の上に保護層を設けてもよい。また、このようにして
構成された記録媒体をサンドイッチ構造にして使用する
こともできる。
上記一般式印の化合物を用いると記録媒体の耐熱性が改
良され特にハロゲン原子（３）をもたないものと比較す
るとその傾向が顕著にあられれる。その原因はいまだ充
分に解明されていないがインドール環およびインドレニ
ン環上のハロゲン原子（３）による電子吸引効果の影響
とカウンターイオ７ （ＹＯ）のイオン半径の大きさに
よるものと考えられる。さらにこの特定の化合物に遷移
金属錯体またはそのカチオン塩を組合せると記録媒体の
耐光性と再生元に対する保存性がさらに向上するという
ことがわかった。
良され特にハロゲン原子（３）をもたないものと比較す
るとその傾向が顕著にあられれる。その原因はいまだ充
分に解明されていないがインドール環およびインドレニ
ン環上のハロゲン原子（３）による電子吸引効果の影響
とカウンターイオ７ （ＹＯ）のイオン半径の大きさに
よるものと考えられる。さらにこの特定の化合物に遷移
金属錯体またはそのカチオン塩を組合せると記録媒体の
耐光性と再生元に対する保存性がさらに向上するという
ことがわかった。
本発明の上記一般式印の化合物はインドールおよびイン
ドレニン環上に１〜４個のハロゲン・原子が存在し且つ
カウンターイオンとしてハロゲンイオンが存在しないと
いう特徴を有するものである。なお、カウンターイオン
トシてハロゲンイオンが存在するものは分解速度が早い
ため記録媒体とした場合に耐熱性が低くなる傾向がある
ので適当でない。上記一般式の化合物の代表例をあげれ
ば次のとおりでおるがこれらだけに制限されるものでは
ない。
ドレニン環上に１〜４個のハロゲン・原子が存在し且つ
カウンターイオンとしてハロゲンイオンが存在しないと
いう特徴を有するものである。なお、カウンターイオン
トシてハロゲンイオンが存在するものは分解速度が早い
ため記録媒体とした場合に耐熱性が低くなる傾向がある
ので適当でない。上記一般式の化合物の代表例をあげれ
ば次のとおりでおるがこれらだけに制限されるものでは
ない。
また、本発明−において上記一般式印の化合物と組合せ
て用いられる遷移金属錯体またはそのカチオン塩の代表
例を以下にあげるがこれだけに制限されない。
て用いられる遷移金属錯体またはそのカチオン塩の代表
例を以下にあげるがこれだけに制限されない。
１） アセチルアセ・トナートキジート系（Ｃ−１）
Ｎ１（ＩＩ）アクリルアセトナート（Ｃ−２） Ｃｕ（
ＩＩ）アセチルアセトナート（Ｃ−３） Ｍｎ（ＩＩＩ
）アセチルアセトナート（Ｃ−４） Ｃｏ （ＩＩ）ア
セチルアセトナート２）°ビスジチオーα−ジケトン系 （Ｃ−５）ビス（ジチオベンジル）ニッケル（Ｃ−６）
ビス（ジチオビアセチル）ニッケル（Ｃ−７）ビス（４
−ジメチルアミノベンジルジチオンニッケル （Ｃ−８３ビス（４−ジメチルアミノベンジルジチオン
ニッケル ３） ビスフェニルジチオール系 （Ｃ−９３ビス（１，２−ジチオ７エエルンニツケル（
Ｃ−１０） ビス（１，２−ジチオ−３，６−シメチ
ルフエニル）ニッケル （Ｃ−１１） ビス（１，２−ジチオ−５，４，６−
トリメチルフェニル）ニッケル （Ｃ！−１２） ビス（１，２−ジチオ−５，４，５
−トリメチルフェニル）ニッケル （Ｃ−１３） ビス（１，２−ジチオ−５，４，５，
６−チトラメチルフエニル）ニッケル （Ｃ−１４） ビス（１，２−ジチオ−５，４，５，
６−テト２クロロフエニル）ニッケル （Ｃ−１５） ビス（１，２−ジチオ−３，６−ジク
ロロフェニル）ニッケル （Ｃ−１６３ビス（１，２−ジチオ−＠−ベンゾフェニ
ル）ニッケル （Ｃ−１７） ビス（１，２−ジテオ−３，６−メチ
ル−■−ベンゾフェニル）ニッケル （Ｃ−１８） ビス（１，２−ジチオ−３−メチル７
エ二ル）ニッケル （Ｃ−１９） ビス（１，２−ジチオ−３，４，５＋
、 ）リクロロフェニル）ニッケル （Ｃ−２０） ビス（１，２−ジチオ−５，４，６−
トリクロロフェニル）ニッケル （ｃ−２１） ビス（１，２−ジチオフェニル）コバ
ルト（Ｃ−２２） ビス（１，２−ジチオフェニルン
白金（Ｃ−２３） ビス（１，２−ジチオ−５−クロ
ロ７二二ル］ニツケル （Ｃ−２４） ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフ
ェニル）ニッケル また、これらの金属錯体はカチオンと塩を形成してもよ
く、たとえば下記の第４級アンモニ１ ラム塩を
あげることができる。
Ｎ１（ＩＩ）アクリルアセトナート（Ｃ−２） Ｃｕ（
ＩＩ）アセチルアセトナート（Ｃ−３） Ｍｎ（ＩＩＩ
）アセチルアセトナート（Ｃ−４） Ｃｏ （ＩＩ）ア
セチルアセトナート２）°ビスジチオーα−ジケトン系 （Ｃ−５）ビス（ジチオベンジル）ニッケル（Ｃ−６）
ビス（ジチオビアセチル）ニッケル（Ｃ−７）ビス（４
−ジメチルアミノベンジルジチオンニッケル （Ｃ−８３ビス（４−ジメチルアミノベンジルジチオン
ニッケル ３） ビスフェニルジチオール系 （Ｃ−９３ビス（１，２−ジチオ７エエルンニツケル（
Ｃ−１０） ビス（１，２−ジチオ−３，６−シメチ
ルフエニル）ニッケル （Ｃ−１１） ビス（１，２−ジチオ−５，４，６−
トリメチルフェニル）ニッケル （Ｃ！−１２） ビス（１，２−ジチオ−５，４，５
−トリメチルフェニル）ニッケル （Ｃ−１３） ビス（１，２−ジチオ−５，４，５，
６−チトラメチルフエニル）ニッケル （Ｃ−１４） ビス（１，２−ジチオ−５，４，５，
６−テト２クロロフエニル）ニッケル （Ｃ−１５） ビス（１，２−ジチオ−３，６−ジク
ロロフェニル）ニッケル （Ｃ−１６３ビス（１，２−ジチオ−＠−ベンゾフェニ
ル）ニッケル （Ｃ−１７） ビス（１，２−ジテオ−３，６−メチ
ル−■−ベンゾフェニル）ニッケル （Ｃ−１８） ビス（１，２−ジチオ−３−メチル７
エ二ル）ニッケル （Ｃ−１９） ビス（１，２−ジチオ−３，４，５＋
、 ）リクロロフェニル）ニッケル （Ｃ−２０） ビス（１，２−ジチオ−５，４，６−
トリクロロフェニル）ニッケル （ｃ−２１） ビス（１，２−ジチオフェニル）コバ
ルト（Ｃ−２２） ビス（１，２−ジチオフェニルン
白金（Ｃ−２３） ビス（１，２−ジチオ−５−クロ
ロ７二二ル］ニツケル （Ｃ−２４） ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフ
ェニル）ニッケル また、これらの金属錯体はカチオンと塩を形成してもよ
く、たとえば下記の第４級アンモニ１ ラム塩を
あげることができる。
（Ｃ−２５） ビス（１，２−ジテオ−６−メチルフ
ェニル）ニッケルテトラブチルアンモニウム（Ｃ−２６
） ビス（１，２−ジチオ−４−メチル７エ二ル）ニ
ッケルテトラブチルアンモニウム（Ｃ−２７） ビス
（１，２−ジチオ−３−メチル７エ二ル）ニッケルテト
ラ（ｔ−ブチル）アンモニウム （Ｃ−２８３ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェニ
ル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウム （Ｃ−２９） ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−
）リメチルフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）ア
ンモニウム （Ｃ−５０） ビス（１，２−ジチオ−５，４，５−
トリメチルフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）ア
ンモニウム （Ｃ−５１） ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−
）リメチルフェニル）ニッケルテトラ（４−ｋ： トロ
キシブチル）アンモニウム （Ｃ−３２３ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−）リ
メチルフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒ）’ロキシブ
チル】アンモニウム （Ｃ−３３３ビス（１，２−ジチオ−５，４，６−）リ
クロロフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチ
ル）アンモニウム （Ｃ−３４） ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−
）リクロロフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシ
ブチル）アンモニウム （Ｃ−３５） ビス（１，２−ジチオフェニルンコバ
ルトテトラプロビルアンモニウム （Ｃ−３６） ビス（１，２−ジチオフェニル）白金
ジプロピルジブチルアンモニウム （Ｃ−３７） ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−
ドリクロロフエニル］ニッケルテ）う（ｔ−）ａＦ−ル
）アンモニウム （Ｃ−３８） ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−
トリクロロフェニル）ニッケルテトラ（ｔ、−フチル］
アンモニウム ４） サリチルアルデヒドオキシム系 揚 ここに、Ｒ１およびＲ２は、アルキル基を表わしＭは、
Ｎ１、Ｃ０１Ｃｕ、 Ｐｄ、 Ｐｊ＋等の遷移金属原子
を表わす。
ェニル）ニッケルテトラブチルアンモニウム（Ｃ−２６
） ビス（１，２−ジチオ−４−メチル７エ二ル）ニ
ッケルテトラブチルアンモニウム（Ｃ−２７） ビス
（１，２−ジチオ−３−メチル７エ二ル）ニッケルテト
ラ（ｔ−ブチル）アンモニウム （Ｃ−２８３ビス（１，２−ジチオ−４−メチルフェニ
ル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）アンモニウム （Ｃ−２９） ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−
）リメチルフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）ア
ンモニウム （Ｃ−５０） ビス（１，２−ジチオ−５，４，５−
トリメチルフェニル）ニッケルテトラ（ｔ−ブチル）ア
ンモニウム （Ｃ−５１） ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−
）リメチルフェニル）ニッケルテトラ（４−ｋ： トロ
キシブチル）アンモニウム （Ｃ−３２３ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−）リ
メチルフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒ）’ロキシブ
チル】アンモニウム （Ｃ−３３３ビス（１，２−ジチオ−５，４，６−）リ
クロロフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシブチ
ル）アンモニウム （Ｃ−３４） ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−
）リクロロフェニル）ニッケルテトラ（４−ヒドロキシ
ブチル）アンモニウム （Ｃ−３５） ビス（１，２−ジチオフェニルンコバ
ルトテトラプロビルアンモニウム （Ｃ−３６） ビス（１，２−ジチオフェニル）白金
ジプロピルジブチルアンモニウム （Ｃ−３７） ビス（１，２−ジチオ−３，４，６−
ドリクロロフエニル］ニッケルテ）う（ｔ−）ａＦ−ル
）アンモニウム （Ｃ−３８） ビス（１，２−ジチオ−３，４，５−
トリクロロフェニル）ニッケルテトラ（ｔ、−フチル］
アンモニウム ４） サリチルアルデヒドオキシム系 揚 ここに、Ｒ１およびＲ２は、アルキル基を表わしＭは、
Ｎ１、Ｃ０１Ｃｕ、 Ｐｄ、 Ｐｊ＋等の遷移金属原子
を表わす。
（Ｃ−３９） Ｎ１（Ｉｆ）ｏ −（Ｎ−イソプロピ
ルホルムイミドイル）フェノール （Ｃ−４０） Ｎ１（Ｉｆ）ｏ −（Ｎ−ドデシルホ
ルムイミドイルンフェノール （Ｃ−４１） Ｃｏ（Ｉｆ）ｏ −（Ｎ−ドデシルホ
ルムイミドイル）フェノール （Ｃ−４２） Ｃｕ（Ｉｆ）ｏ −（Ｎ−ドデシルホ
ルムイミドイル）フェノール （Ｃ−４３） Ｎｔ（ｔ） ２．２’−１：エチレン
ビスにトリロメテリジンン〕−ジフェノール （ｃ−４４） Ｃｏ（Ｉｆ） ２．２’−Ｃエチレン
ビスにトリロメチリジン）〕−ジフェノール （Ｃ−４５） 阻（■） ２．２’−（１，８−ナフ
チレンビス°にトリロメチリジン）〕−ジフェノール（
Ｃ−４６） 阻（ＩＩ） −（Ｎ−フェニルホルムイ
ミドイル）フェノール （Ｃ−４７） Ｃｏ（ＩＩ） −（Ｎ−フェニルホル
ムイミドイル）フェノール （Ｃ−４８） Ｃｕ（Ｉｆ） −（Ｎ−フェニルホル
ムイミドイル）フェノール （Ｃ−４９） Ｎｉ（…）サリチルアルデヒドフェニ
ルヒドラゾン （Ｃ−５０） Ｎｉ （ＩＩ）サリチルアルデヒドオ
キシム５）チオビスフェルレートキレート系 ここに、Ｍは前記と同じであ夛、Ｒ５および穐は、アル
キル基を表わす。また、Ｍは一電荷をもち、カチオンと
塩とを形成していてもよい。
ルホルムイミドイル）フェノール （Ｃ−４０） Ｎ１（Ｉｆ）ｏ −（Ｎ−ドデシルホ
ルムイミドイルンフェノール （Ｃ−４１） Ｃｏ（Ｉｆ）ｏ −（Ｎ−ドデシルホ
ルムイミドイル）フェノール （Ｃ−４２） Ｃｕ（Ｉｆ）ｏ −（Ｎ−ドデシルホ
ルムイミドイル）フェノール （Ｃ−４３） Ｎｔ（ｔ） ２．２’−１：エチレン
ビスにトリロメテリジンン〕−ジフェノール （ｃ−４４） Ｃｏ（Ｉｆ） ２．２’−Ｃエチレン
ビスにトリロメチリジン）〕−ジフェノール （Ｃ−４５） 阻（■） ２．２’−（１，８−ナフ
チレンビス°にトリロメチリジン）〕−ジフェノール（
Ｃ−４６） 阻（ＩＩ） −（Ｎ−フェニルホルムイ
ミドイル）フェノール （Ｃ−４７） Ｃｏ（ＩＩ） −（Ｎ−フェニルホル
ムイミドイル）フェノール （Ｃ−４８） Ｃｕ（Ｉｆ） −（Ｎ−フェニルホル
ムイミドイル）フェノール （Ｃ−４９） Ｎｉ（…）サリチルアルデヒドフェニ
ルヒドラゾン （Ｃ−５０） Ｎｉ （ＩＩ）サリチルアルデヒドオ
キシム５）チオビスフェルレートキレート系 ここに、Ｍは前記と同じであ夛、Ｒ５および穐は、アル
キル基を表わす。また、Ｍは一電荷をもち、カチオンと
塩とを形成していてもよい。
（Ｃ−５１） Ｎ１（Ｉｆ）ｎ−ブチルアミノ（２，
２’−チオビス（４−ｔｅｒｔ−オクチル）−フェノレ
ート〕（Ｃｙａａｏｒｂ −Ｕｖ−１０８４（アメリカ
ン シアナミド カンパニーリミテッド）〕 （Ｃ−５２） Ｃｏ （ｎ）ｎ−ブチルアミノ（２，
２’−チオビス（４−ｔａｒｔ−オクチル）−７二ル−
ト〕（Ｃ−５３） Ｎ１（ｎ） −２，２’−チオビ
ス（４−ｔｅｒｔ−オクチル）フェノレート
１旬 ヒドラジン−８−メチルジチオカ
ルボキシレート類 一般式 ％式％ 上記金属錯体の中でビスジチオ−２−ジケトン類および
ビスフェニルジチオール類が特に好ましい。なお、遷移
金属錯体は一般式印の化合物に対し重量比で１／１００
〜１／２程度加えられるが１／２０〜１／６の重量比が
好ましい。
２’−チオビス（４−ｔｅｒｔ−オクチル）−フェノレ
ート〕（Ｃｙａａｏｒｂ −Ｕｖ−１０８４（アメリカ
ン シアナミド カンパニーリミテッド）〕 （Ｃ−５２） Ｃｏ （ｎ）ｎ−ブチルアミノ（２，
２’−チオビス（４−ｔａｒｔ−オクチル）−７二ル−
ト〕（Ｃ−５３） Ｎ１（ｎ） −２，２’−チオビ
ス（４−ｔｅｒｔ−オクチル）フェノレート
１旬 ヒドラジン−８−メチルジチオカ
ルボキシレート類 一般式 ％式％ 上記金属錯体の中でビスジチオ−２−ジケトン類および
ビスフェニルジチオール類が特に好ましい。なお、遷移
金属錯体は一般式印の化合物に対し重量比で１／１００
〜１／２程度加えられるが１／２０〜１／６の重量比が
好ましい。
本発明による記録層の形成には種々の方法が適用されう
るが一般式印の化合物自体昇華性が低いために蒸着とか
スパッタリングなどの方法は好ましくなく通常有機溶媒
を用いるゴーティング法を適用することが好ましい。コ
ーティング法を適用する場合には本発明における記録層
は上記一般式〔０の化合物および遷移金属錯体またけそ
のカチオン塩を有機溶媒に溶解した溶液を案内溝を有す
るアクリル系重合体層上に塗布“１ して形成す
ることができる。さらに、記録層の形成には安定剤、抗
酸化剤、離燃剤、界面活性剤、分散剤などを含有させて
もよいが、バインダーは反射率を低下させる傾向がある
ので好ましくない。塗布に用いる有機溶媒としては例え
ばメタノール、メチレンジクロ２イド、１．２−ジクロ
ロエタンなどをあげることができる。塗布ハスプレーコ
ーチインク、スピンコーティング、ローラーコーティン
グ、ディッピングなどの慣用の；−ティング法によって
行なわれる。
るが一般式印の化合物自体昇華性が低いために蒸着とか
スパッタリングなどの方法は好ましくなく通常有機溶媒
を用いるゴーティング法を適用することが好ましい。コ
ーティング法を適用する場合には本発明における記録層
は上記一般式〔０の化合物および遷移金属錯体またけそ
のカチオン塩を有機溶媒に溶解した溶液を案内溝を有す
るアクリル系重合体層上に塗布“１ して形成す
ることができる。さらに、記録層の形成には安定剤、抗
酸化剤、離燃剤、界面活性剤、分散剤などを含有させて
もよいが、バインダーは反射率を低下させる傾向がある
ので好ましくない。塗布に用いる有機溶媒としては例え
ばメタノール、メチレンジクロ２イド、１．２−ジクロ
ロエタンなどをあげることができる。塗布ハスプレーコ
ーチインク、スピンコーティング、ローラーコーティン
グ、ディッピングなどの慣用の；−ティング法によって
行なわれる。
記録層の膜厚（乾燥時）は、案内溝の凸部において２０
０λ〜２０００Ｘ好ましくは２５０又〜８００＾の範囲
が適当である。膜厚が２００λ以下では吸収が小さく記
録できず２０００＾以上では記録感度が低下し、さらに
ノイズが多くなる。
０λ〜２０００Ｘ好ましくは２５０又〜８００＾の範囲
が適当である。膜厚が２００λ以下では吸収が小さく記
録できず２０００＾以上では記録感度が低下し、さらに
ノイズが多くなる。
本発明による記録層を設ける基体にはあらかじめ案内溝
が形成されていることが必要である。
が形成されていることが必要である。
情報はらせん状または同心円状に記録されるが高密度記
録のためにはこのピッチを小さくしていく必要がある。
録のためにはこのピッチを小さくしていく必要がある。
しかし、案内溝がないと軸ブ°しなどＫよって記録トラ
ックが交叉するといった不都合が生じる。案内溝は通常
高いレベルに位置する凸部と低いレベルに位置する凹部
とが交互に存在する構造となっていて凹凸の高さは通常
λ／１２〜λ／４に調整されている。また、凹部の幅は
０．３μｍ〜１．２μｍ程度であシそのピッチは１．６
ｐｍ 〜２．４ μｍ程度である。同時に、トラックア
ドレスやセクタアドレスといった情報も原盤作成時につ
（られる。
ックが交叉するといった不都合が生じる。案内溝は通常
高いレベルに位置する凸部と低いレベルに位置する凹部
とが交互に存在する構造となっていて凹凸の高さは通常
λ／１２〜λ／４に調整されている。また、凹部の幅は
０．３μｍ〜１．２μｍ程度であシそのピッチは１．６
ｐｍ 〜２．４ μｍ程度である。同時に、トラックア
ドレスやセクタアドレスといった情報も原盤作成時につ
（られる。
本発明における記録層の形成には通常有機溶媒によるコ
ーティングが用いられることから、案内溝は該溶媒に不
溶であることと案内溝を構成する材料が記録層を構成す
る成分と相互作用がない（反応して分解しない）ことが
必要であるので案内溝はアクリル酸エステル重合体およ
びメタクリル酸エステル重合体で構成されているのが必
要であル、特に光硬化量のものが好ましい。
ーティングが用いられることから、案内溝は該溶媒に不
溶であることと案内溝を構成する材料が記録層を構成す
る成分と相互作用がない（反応して分解しない）ことが
必要であるので案内溝はアクリル酸エステル重合体およ
びメタクリル酸エステル重合体で構成されているのが必
要であル、特に光硬化量のものが好ましい。
また、案内溝が形成されている基体としてはアクリル系
重合体層をそのまま用いてもよいしあるいは他の基板上
に案内溝を形成した層を用いてもよい。そのような基板
としては、プラスチック、ガラス、金属、セラミックな
どが用いられるが軽量で割れにくいことからプラスチッ
クが好ましい。
重合体層をそのまま用いてもよいしあるいは他の基板上
に案内溝を形成した層を用いてもよい。そのような基板
としては、プラスチック、ガラス、金属、セラミックな
どが用いられるが軽量で割れにくいことからプラスチッ
クが好ましい。
本発明で用いるアクリル系重合体の代表例としてはエチ
ルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、１−ブチル
アクリレート、ヘキシルアクリレート、ヘプチルアクリ
レート、オクチルアクリレート、２−エチルへキシルア
クリレート、デシルアクリレート、ドデシルアクリレー
ト、オクタデシルアクリレート、エトキシエチルアクリ
レート、フェノキシエチルアクリレート、２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリ
レート、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェー
ト、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ステアリル
アクリレート、ラウリルアクリレート、Ｎ、Ｎ−ジエチ
ルアミノエチルアクリレート、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ
エチルアクリレート、グリシジルアクリレｉト、ベンジ
ルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシク
ロはンテニールアクリレートおよびそれぞれに対応する
メタクリゞ レートがあシ、ジアクリレートおよび
ジメタクリレートとしては１，３−プロパンジオールジ
アクリレート、１，６−ブタンジオールジアクリレート
、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１．１０
−デカンジオールジアクリレート、ジエチレングリコー
ルジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレ
ート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリ
プロピレングリコールジアクリレート、ポリエチレング
リコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジア
クリレート、ヒドロキシピパリン酸エステル、ネオイン
チルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパ
ンジアクリレート、ビスオキシエチレン化ビスフェノー
ルＡジアクリレート１ビスジ（オキシエチレン化）ヒス
フェノールＡジアクリレート、ビスオキシブ鴛ピレン化
ビスフェノールＡジアクリレート、ビスシ（、ｔ −？
’／プロピレン化）ビスフェノールＡジアジリレ−［
ト、３−メチルベンタンジオールジアクリレート、ビス
（アクリロキシメチル）トリシクロデカンおよび上記そ
れぞれのアクリレートに対応するメークリレートなどが
ありまたトリ・アクリレートおよびトリメタクリレート
としては例えばトリメチロールプロパントリアクリレー
ト、インタエリスリトールトリアクリレートおよびそれ
ぞれに対応するメタクリレートならびにトリス（２−ヒ
ドロキシエチル）イソシアネートをあげることができる
。また、４個以上の官能基を有するアクリレートおよび
メタクリレートとしては例えばジにンタエリスリトール
へキサアクリレート、テトラメチロールメタンテトラア
クリレートおよびはンタエリスリトールテトラアクリレ
ートおよびそれぞれに対応するメタクリレートをあげる
ことができる。上記エステル類の中でジアクリル酸エス
テル類が架橋性などの点で好ましく、特にビス（アクリ
ロキシ）トリシクロデカンは記録層との相互作用が小さ
く好ましいものである。
ルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、１−ブチル
アクリレート、ヘキシルアクリレート、ヘプチルアクリ
レート、オクチルアクリレート、２−エチルへキシルア
クリレート、デシルアクリレート、ドデシルアクリレー
ト、オクタデシルアクリレート、エトキシエチルアクリ
レート、フェノキシエチルアクリレート、２−ヒドロキ
シエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリ
レート、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェー
ト、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ステアリル
アクリレート、ラウリルアクリレート、Ｎ、Ｎ−ジエチ
ルアミノエチルアクリレート、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ
エチルアクリレート、グリシジルアクリレｉト、ベンジ
ルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシク
ロはンテニールアクリレートおよびそれぞれに対応する
メタクリゞ レートがあシ、ジアクリレートおよび
ジメタクリレートとしては１，３−プロパンジオールジ
アクリレート、１，６−ブタンジオールジアクリレート
、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１．１０
−デカンジオールジアクリレート、ジエチレングリコー
ルジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレ
ート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリ
プロピレングリコールジアクリレート、ポリエチレング
リコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジア
クリレート、ヒドロキシピパリン酸エステル、ネオイン
チルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパ
ンジアクリレート、ビスオキシエチレン化ビスフェノー
ルＡジアクリレート１ビスジ（オキシエチレン化）ヒス
フェノールＡジアクリレート、ビスオキシブ鴛ピレン化
ビスフェノールＡジアクリレート、ビスシ（、ｔ −？
’／プロピレン化）ビスフェノールＡジアジリレ−［
ト、３−メチルベンタンジオールジアクリレート、ビス
（アクリロキシメチル）トリシクロデカンおよび上記そ
れぞれのアクリレートに対応するメークリレートなどが
ありまたトリ・アクリレートおよびトリメタクリレート
としては例えばトリメチロールプロパントリアクリレー
ト、インタエリスリトールトリアクリレートおよびそれ
ぞれに対応するメタクリレートならびにトリス（２−ヒ
ドロキシエチル）イソシアネートをあげることができる
。また、４個以上の官能基を有するアクリレートおよび
メタクリレートとしては例えばジにンタエリスリトール
へキサアクリレート、テトラメチロールメタンテトラア
クリレートおよびはンタエリスリトールテトラアクリレ
ートおよびそれぞれに対応するメタクリレートをあげる
ことができる。上記エステル類の中でジアクリル酸エス
テル類が架橋性などの点で好ましく、特にビス（アクリ
ロキシ）トリシクロデカンは記録層との相互作用が小さ
く好ましいものである。
また、本発明におけるアクリル系重合体層を形成するＫ
あ九っては上記エステル類の他に必要に応じて既知の光
重合開始剤（例えばベンゾインエーテル類）、増感剤（
例えばアミン類）、貯蔵安定剤（例えば第４級アンモニ
ウムクロライド）などを用いることができる。光重合開
始剤はアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル
のモノマー１００重量部に対して０．０５から１０重量
部の範囲好ましくは０，２から５重量部の範囲で用いら
れる。増感剤はモノマー１００重量部に対して０．０１
〜５重量部の範囲で含有させるのが好ましい。また、貯
蔵安定剤はモノマー１００重量部に対して０．００１〜
２ＭＥｋ部の範囲で含有させるのが好ましい。
あ九っては上記エステル類の他に必要に応じて既知の光
重合開始剤（例えばベンゾインエーテル類）、増感剤（
例えばアミン類）、貯蔵安定剤（例えば第４級アンモニ
ウムクロライド）などを用いることができる。光重合開
始剤はアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル
のモノマー１００重量部に対して０．０５から１０重量
部の範囲好ましくは０，２から５重量部の範囲で用いら
れる。増感剤はモノマー１００重量部に対して０．０１
〜５重量部の範囲で含有させるのが好ましい。また、貯
蔵安定剤はモノマー１００重量部に対して０．００１〜
２ＭＥｋ部の範囲で含有させるのが好ましい。
本発明の光情報記録媒体は基本的には案内溝を存する基
体上に記録層を設けたものであるが、さらに目的に応じ
て記録層の上に保瑣層を設けることができる。保護層は
キズ、ホコリ、汚れなどからの保護および記録層の化学
的安定性の向上を目的として設けられ、膜厚はα１μ脣
以上好ましくは５０μｍ以上が適当である。また、保護
層の材料としては例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド
系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状
ゴムなどの高分子材料、無機化合物例えば５１０２、Ｍ
ｇＦ２、ｓｉｏ、ＴｉＯ２、ＺｎＯ，ＴｉＮ。
体上に記録層を設けたものであるが、さらに目的に応じ
て記録層の上に保瑣層を設けることができる。保護層は
キズ、ホコリ、汚れなどからの保護および記録層の化学
的安定性の向上を目的として設けられ、膜厚はα１μ脣
以上好ましくは５０μｍ以上が適当である。また、保護
層の材料としては例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド
系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状
ゴムなどの高分子材料、無機化合物例えば５１０２、Ｍ
ｇＦ２、ｓｉｏ、ＴｉＯ２、ＺｎＯ，ＴｉＮ。
ＳｉＨなと、金属または半金属例えばＺｎＳＣｕ、 Ｓ
。
。
Ｎ１、Ｃｒ、 Ｇｅ、 Ｓｓ、 ＣｄｌＡｇ、 Ａｔな
どを用いることができる。
どを用いることができる。
また、本発明における記録層は基体上の片面または両面
に設けてもよいし、さらにこの記録） 媒体を一
対とし記録層が内側になるように配置□ したいわゆるサンドインチ構造にしてホコリやキズがつ
かないようにすることもできる。また、サンドイッチ構
造において記録面の対面に基板に用いられる材料を用い
て保護板とすることができる。ただし、この保護板は記
録層側の基板が不透明な場合には透明であることが必要
である。
に設けてもよいし、さらにこの記録） 媒体を一
対とし記録層が内側になるように配置□ したいわゆるサンドインチ構造にしてホコリやキズがつ
かないようにすることもできる。また、サンドイッチ構
造において記録面の対面に基板に用いられる材料を用い
て保護板とすることができる。ただし、この保護板は記
録層側の基板が不透明な場合には透明であることが必要
である。
次に、図面を参照して本発明の光情報記録媒体の構成を
例示する。
例示する。
第１図に示すように、本発明の記録媒体の一つの例は基
板１上に案内溝を有するアクリル系重合体層２が設（す
られさらにその上に記録層３が設けられたものである。
板１上に案内溝を有するアクリル系重合体層２が設（す
られさらにその上に記録層３が設けられたものである。
基板１と重合体層２との間にはアンカーコー）４などが
存在していてもよい。
存在していてもよい。
第２図は本発明による記録媒体のもつとも好ましい構成
であるいわゆるサンドインチ構造を示す。これは第１図
に示すような構成の記録媒体を記録層３が内側になるよ
うに基板１と対向させスペーサ４を使用して封入一体化
させたものである。対向する基板１°は単なる基板でも
よいしあるいはその上に記録層を設けたものでもよい。
であるいわゆるサンドインチ構造を示す。これは第１図
に示すような構成の記録媒体を記録層３が内側になるよ
うに基板１と対向させスペーサ４を使用して封入一体化
させたものである。対向する基板１°は単なる基板でも
よいしあるいはその上に記録層を設けたものでもよい。
また、別の態様として第２図に示すようにエアサンドイ
ッチ構造とせずＫ、第１図の構成の記録層６をカバーす
るように保護板を設けた単板構造にすることもできる。
ッチ構造とせずＫ、第１図の構成の記録層６をカバーす
るように保護板を設けた単板構造にすることもできる。
本発明における案内溝の形成には従来のインジェクショ
ン法などを適用できるが情報の正確な書込み読出しが可
能な案内溝を基板上に形成させるためには以下に説明す
るような方法を用いることが好ましい。
ン法などを適用できるが情報の正確な書込み読出しが可
能な案内溝を基板上に形成させるためには以下に説明す
るような方法を用いることが好ましい。
まず、第３図に示すように表面に転写すべき案内溝（凹
凸パターン）１１が形成されている型（スタンバ−）１
２を用意する。この型の材質は一般的にはニッケル、ク
ロムまたはこれらの合金などであり必要に応じて表面硬
化などの処理がしであるものであるが、紫外光に透明な
例えば石英ガラスが望ましい。次に、第４図に示すよう
に型１２の上に本発明の上記エステル類を主成分とする
重合性組成物１３を適用し、その上に基板１を重ね合せ
た後活性線を照射して重合性組成物１３を光硬化させる
。活性線の光源としては低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高
圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、カ
ーボンアーク、紫外用叶い光灯などが用いられる。活性
線照射後、第５図に示すように型１２を剥離すると型１
２の案内溝（凹凸パターン）１１が正確に転写された重
合体層１３′が基板１上に残る。
凸パターン）１１が形成されている型（スタンバ−）１
２を用意する。この型の材質は一般的にはニッケル、ク
ロムまたはこれらの合金などであり必要に応じて表面硬
化などの処理がしであるものであるが、紫外光に透明な
例えば石英ガラスが望ましい。次に、第４図に示すよう
に型１２の上に本発明の上記エステル類を主成分とする
重合性組成物１３を適用し、その上に基板１を重ね合せ
た後活性線を照射して重合性組成物１３を光硬化させる
。活性線の光源としては低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高
圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、カ
ーボンアーク、紫外用叶い光灯などが用いられる。活性
線照射後、第５図に示すように型１２を剥離すると型１
２の案内溝（凹凸パターン）１１が正確に転写された重
合体層１３′が基板１上に残る。
以下に比較例とともに実施例を掲げて本発明をさらに説
明するが、本発明はこれらの実施例によって限定される
ものではない。
明するが、本発明はこれらの実施例によって限定される
ものではない。
実施例 １
１，６−ヘキサンシオールアクリレー）９７．！に％と
ベンゾインイソプロピルエーテル３重量％とからなる重
合性組成物を石英スタンパ−上に滴下し、この上にアン
カーコート層としてアクリル系コート（富士）・−ド１
８７８−藤倉化成）を塗布したアクリル基板を重ね合せ
た後、２μｍピッチで幅１μｍ、深さ０．１３μｍの案
内溝を形成したスタンバ−側よシ高圧水銀灯（８０Ｗ／
ｍ ）を用いて２６画の距離から２分間照射して光硬化
させた。次に、アクリル基板をスタンパ−からゆっくり
引き離すと案内溝が基板上に形成された。
ベンゾインイソプロピルエーテル３重量％とからなる重
合性組成物を石英スタンパ−上に滴下し、この上にアン
カーコート層としてアクリル系コート（富士）・−ド１
８７８−藤倉化成）を塗布したアクリル基板を重ね合せ
た後、２μｍピッチで幅１μｍ、深さ０．１３μｍの案
内溝を形成したスタンバ−側よシ高圧水銀灯（８０Ｗ／
ｍ ）を用いて２６画の距離から２分間照射して光硬化
させた。次に、アクリル基板をスタンパ−からゆっくり
引き離すと案内溝が基板上に形成された。
このようにして形成された案内溝の上に、前） 掲
例示化合物（Ｄ−１） ０．７重量％および前掲例示錯
体（Ｃ−７）ｏ、１重量−の１，２−ジクロルエタン溶
液を塗布し乾燥後厚さ５００スの記録層を設けた。次に
、この記録層をアクリル板と対向させ厚さ１ｎのスは−
サと熱硬化型エポキシ接着剤とを用いて第３図に示すよ
うなエアサンドイッチ構造を形成させた。
例示化合物（Ｄ−１） ０．７重量％および前掲例示錯
体（Ｃ−７）ｏ、１重量−の１，２−ジクロルエタン溶
液を塗布し乾燥後厚さ５００スの記録層を設けた。次に
、この記録層をアクリル板と対向させ厚さ１ｎのスは−
サと熱硬化型エポキシ接着剤とを用いて第３図に示すよ
うなエアサンドイッチ構造を形成させた。
この記録媒体に波長７９０ ｎｍの半導体レーザを用い
線速１．２４ ｍ１ｓｅｃ 、ビーム径１．６ ｔｔｍ
で０．７■２の信号を記録した。これを再生したところ
５４ｄＢのＣ／Ｎが得られた。
線速１．２４ ｍ１ｓｅｃ 、ビーム径１．６ ｔｔｍ
で０．７■２の信号を記録した。これを再生したところ
５４ｄＢのＣ／Ｎが得られた。
次に、この記録媒体を５００Ｗのタングステン光下に２
４時間放置した後再び信号を再生したところ５５ ｄＢ
のＣ／Ｎが得られた。さらに、これとは別にこの記録媒
体を６０℃、９０％の恒温恒湿槽に３０００時間保存し
た後、再び信号を再生し九ところ５１６Ｂ ＯＣ／Ｎが
得られた。
４時間放置した後再び信号を再生したところ５５ ｄＢ
のＣ／Ｎが得られた。さらに、これとは別にこの記録媒
体を６０℃、９０％の恒温恒湿槽に３０００時間保存し
た後、再び信号を再生し九ところ５１６Ｂ ＯＣ／Ｎが
得られた。
実施例 ２〜３３
以下の表に示す処方にしたがって実施例１と同様にして
各記録媒体を作製して評価を行いその結果を以下の表に
まとめて示す。
各記録媒体を作製して評価を行いその結果を以下の表に
まとめて示す。
比較例 １〜１０
以下の表に示す処方にしたがって実施例１と同様にして
各記録媒体を作製して評価を行いその結果を以下の表に
まとめて示す。表においてＡ−１、Ａ−２およびＡ−３
の化合物は以下の一般式で表わされる。
各記録媒体を作製して評価を行いその結果を以下の表に
まとめて示す。表においてＡ−１、Ａ−２およびＡ−３
の化合物は以下の一般式で表わされる。
！（イ）−Ｔ６ へへヘロロへ寸 つりＬＯ哨哨 寸
のの唖の寸膿 め （イ） 噂 ロ ヘ ヘ ロ 寸
へ へ ６ 寸 へＬＩ’ｌＬｌ’）
の 唖 寸 膿 い 膿
い 臂 り 叩！ （イ） Ｆ
哨 哨 寸 唖 哨 哨 哨
寸 哨膿 り 唖 り
り 唖 ｈ 唖 の 唖 り
クロロロロ ロロロロロロロ ロ ロロロ唖 ロ１．ｎ唖のロロロ 唖 ’ＯＶｏへ＋０ ！寸寸寸噴哨（イ） 寸り哨ロク い
ロロ唖ロロロ ロ ーＣＮ唖Ｐ 例−一−ヘヘー ＝ ６口（ｌ Ｏ。（１（５ｄ ｄ ｃｌ ｃＩＯＦ％ Ｗ
Ｋ ＰＣＯへ−ＮＧ。
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哨噂唖哨 への噂哨哨り噂 哨
（ＪＣＪ（Ｊ（Ｊ （ＪＣ）ωＱＣ）Ｑ（Ｊ ＣＪ
唖賃膿Ｐヘク唖クり鱒りの ０ ロ ロ ロ ロ ロ ロ ロ
ロ ロ ロ ロＬｎ ％ＯＮａＱ
傷口−へめ！の 唖−セミｖ−ｖ−ｃ％４Ｃ’４へへへ
ヘ ヘ２Ｂ、 Ｄ−１０Ｃ−
５２α３０２９ Ｄ−１１Ｃ
−５５α２５３０ Ｄ−９Ｃ
−７０，２０３１Ｄ−９０−８０，２０ ３２Ｄ−９Ｃ−３５１ｌｌＬ３０ ｓ３ ｏ−９Ｃ−３５０，１５
−ト ２ Ｄ−２なし − ３ Ｄ−３なし − ４Ｄ−４なし − ５Ｄ−５なし − ６Ｄ−６なし − ７Ａ−Ｉ Ｃ−８０，１５ ８Ａ−２０−３７０，１５ ９Ａ−３０−７０，１５ １ＯＡ−Ｉ Ｃ−７０，１５ 比較例 １１ アクリル系重合体による平坦な下地層を設けた基板に、
実施例１と同様にして記録層を形成した。これに情報を
２μｍピッチで記録したがトラック交叉が発生して信号
を読み出せなかった。
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実施例１と同様にして記録層を形成した。これに情報を
２μｍピッチで記録したがトラック交叉が発生して信号
を読み出せなかった。
本発明の光情報記録媒体は記録感度が高いばかシでなく
また熱および光に対してきわめて安定であるので保存性
が高くしたがって書き込んだ情報の経時変化も少ないか
ら書き込み情報の変化もな（正確な情報を読木取ること
ができさらに製造も容易であるという利点を有する。
また熱および光に対してきわめて安定であるので保存性
が高くしたがって書き込んだ情報の経時変化も少ないか
ら書き込み情報の変化もな（正確な情報を読木取ること
ができさらに製造も容易であるという利点を有する。
第１図および第２図は本発明の光情報記録媒体の構成例
を示す断面図でありそして第３図ないし第５図は案内溝
の形成法の１例を示す説明図である。 １・・・基板、２・・・案内溝を設けた重合体層、３・
・・記録層、４・・・スペーサ、１１・・・案内溝、１
２・・・スタンパ−１１３・・・重合性組成物、１３′
・・・１合体層。 特許出願人 株式会社 リ コ 一代 理 人
弁理士 山 下 白。 −Ｉ・ 手続補正書 昭和６０年 １月２１日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許順第２３０３００号 ２、発明の名称 光情報記録媒体 ３、Ｍ正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都大田区中馬込１丁目３番６号名称 （
６７４１株式会社リ コー ・１４代理に ７６補正の内容 １） 特許請求の範囲を別紙のとおり補正します。 ２）第４頁第１０行の一般式（１） ｔ−次のとおシ補
正します。 ５）第１４頁第２行と第３行との間に以下の記載を加入
します。 「（Ｃ−Ｍｌ） ビス（１，２−ジチオ−３，４，６
−ドリクロロフエニル）ニッケルテトラブチルアンモニ
ウム 」４）第６５頁の式中、実施
例３３の次に以下の実施例６４の記載を加入します。 １ 以上２、特許請求
の範囲 表面に案内溝ｆｔ有するアクリル系重合体層上に、一般
式 （式中、又は弗素、＠素、臭素および沃ぶからなる群よ
り選ばれたハロケ゛／原子を表わし、ｍおよびｎは１〜
４のｉ数を表わし、そしてＹは過＠素酸塩イオン、ベン
ゼンスルホン［［イオン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イ
オ／、メチル硫酸塩イオンおよびエチル硫酸塩イオンか
らなる群よシ選ばれたアニオ／′ｆ：表わす）で表わさ
れる化合物および遷移金属錯体１九は該錯体とカチオン
との塩を含む記録層を有することを特徴とする、光情報
記録媒体。
を示す断面図でありそして第３図ないし第５図は案内溝
の形成法の１例を示す説明図である。 １・・・基板、２・・・案内溝を設けた重合体層、３・
・・記録層、４・・・スペーサ、１１・・・案内溝、１
２・・・スタンパ−１１３・・・重合性組成物、１３′
・・・１合体層。 特許出願人 株式会社 リ コ 一代 理 人
弁理士 山 下 白。 −Ｉ・ 手続補正書 昭和６０年 １月２１日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許順第２３０３００号 ２、発明の名称 光情報記録媒体 ３、Ｍ正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都大田区中馬込１丁目３番６号名称 （
６７４１株式会社リ コー ・１４代理に ７６補正の内容 １） 特許請求の範囲を別紙のとおり補正します。 ２）第４頁第１０行の一般式（１） ｔ−次のとおシ補
正します。 ５）第１４頁第２行と第３行との間に以下の記載を加入
します。 「（Ｃ−Ｍｌ） ビス（１，２−ジチオ−３，４，６
−ドリクロロフエニル）ニッケルテトラブチルアンモニ
ウム 」４）第６５頁の式中、実施
例３３の次に以下の実施例６４の記載を加入します。 １ 以上２、特許請求
の範囲 表面に案内溝ｆｔ有するアクリル系重合体層上に、一般
式 （式中、又は弗素、＠素、臭素および沃ぶからなる群よ
り選ばれたハロケ゛／原子を表わし、ｍおよびｎは１〜
４のｉ数を表わし、そしてＹは過＠素酸塩イオン、ベン
ゼンスルホン［［イオン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イ
オ／、メチル硫酸塩イオンおよびエチル硫酸塩イオンか
らなる群よシ選ばれたアニオ／′ｆ：表わす）で表わさ
れる化合物および遷移金属錯体１九は該錯体とカチオン
との塩を含む記録層を有することを特徴とする、光情報
記録媒体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 表面に案内溝を有するアクリル系重合体層上に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｘは弗素、塩素、臭素および沃素からなる群よ
り選ばれたハロゲン原子を表わし、ｍおよびｎは１〜４
の整数を表わし、そしてＹは過塩素酸塩イオン、ベンゼ
ンスルホン酸塩イオン、ｐ−トルエンスルホン酸塩イオ
ン、メチル硫酸塩イオンおよびエチル硫酸塩イオンから
なる群より選ばれたアニオンを表わす）で表わされる化
合物および遷移金属錯体または該錯体とカチオンとの塩
を含む記録層を有することを特徴とする、光情報記録媒
体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230300A JPH07121613B2 (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 光情報記録媒体 |
| GB08520259A GB2165658B (en) | 1984-08-13 | 1985-08-13 | Optical information recording media |
| FR858512349A FR2569034B1 (fr) | 1984-08-13 | 1985-08-13 | Milieu d'enregistrement optique d'informations |
| DE19853529061 DE3529061A1 (de) | 1984-08-13 | 1985-08-13 | Optisches informationsaufzeichnungsmaterial |
| US07/105,512 US4767693A (en) | 1984-08-13 | 1987-10-02 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59230300A JPH07121613B2 (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108589A true JPS61108589A (ja) | 1986-05-27 |
| JPH07121613B2 JPH07121613B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=16905663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59230300A Expired - Lifetime JPH07121613B2 (ja) | 1984-08-13 | 1984-11-02 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07121613B2 (ja) |
Cited By (3)
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| JPH0245191A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-15 | Adeka Argus Chem Co Ltd | 光学記録材料 |
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-
1984
- 1984-11-02 JP JP59230300A patent/JPH07121613B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07121613B2 (ja) | 1995-12-25 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |