JPS61118340A

JPS61118340A - インジウムアセチルアセトナ−トエチルアセトアセテ−トおよびその製造方法

Info

Publication number: JPS61118340A
Application number: JP23859584A
Authority: JP
Inventors: Tsunemitsu Torigoe; 恒光鳥越; Mitsuru Kano; 満鹿野; Yoshinori Kato; 加藤　義徳; Yoshimi Kamijo; 芳省上條
Original assignee: Kawaken Fine Chemicals Co Ltd; Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Kawaken Fine Chemicals Co Ltd; Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1984-11-14
Filing date: 1984-11-14
Publication date: 1986-06-05
Also published as: JPH0212462B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、透明導電体形成に有用なインジウムアセチル
アセトナートエチルアセトアセテートおよびその製造方
法に関するものである。

従来の技術近年インジウムの酸化物被膜が液晶素子の透明導電膜に
使用されるようになシ、インジウムの金属としての特性
を利用すべく、その応用範囲が拡大してきている。

とのような酸化物被膜の形成方法には、化学スプレー法
、真空蒸着法、スクリーン印刷法等がある。化学スグレ
ー法は比較的大面積の形状の被膜を得るには有利である
が、微細で複雑な形状のものをえるには工、チング処理
等の余分な工程が必要となシ経済的に不利である。真空
蒸着法は、最近マスク蒸着法が発達し、工、チング処理
は必要でなくなったが、パッチ式である為、大量生産に
好適とはいい難い。スクリーン印刷時では、上記のよう
な問題がなく、″目的形状のものを印刷焼成Ｋよ）容易
に得ることができ、しかも、工、チング処理にともなう
廃液処理の必要もないという利点を有する。

しかし、従来のインジクム化合物を含む透明導電性被膜
形成用イーストは、それ自体の安定性が良くないため、
スクリーン印刷時の作業性も悪く、また、形成された被
膜の導電性についてもバラツキが大きいという欠点があ
った。

すなわち、従来、透明導電体形成用インジクム化合物と
しては、オクチル酸インジクム［：（ｃｚｕ、５ｃｏｚ
）ｓｚｎ）のような有機酸インジウムや、インジクムト
リスアセチルアセトナート（ｔｎ（ａｃａｃ）、）が使
用されている。

有機酸インジ９ムは一般〈加水分解しゃすく、またイー
ストとした場合、ペーストのグル化を促進する等、比較
的容易に化学変化するという欠点を持っておシ、このた
め、有機酸インジウムを含有するペーストの寿命が短く
、スクリーン印刷時の作業性を悪くする原因となってい
る。

また、インジクムトリアセチルアセトナートは一般に有
機溶剤に対する溶解性が低く、このものを溶解するため
には有機溶媒中にスラリー化した後、アセチルアセトン
を適当量添加し、その後加熱して一度完全に溶解させた
後、加熱釦よジアセチルアセトンを除去するという方法
を２らなければ均一に溶解させることが難しいという欠
点があった口発明が解決しようとする問題点本発明は、従来の透明導電体形成用インジクム化合物の
欠点を解消し、すなわち化学的安定性に　・すぐれ、か
つスクリーン印刷操作の容易なインジクム化合物を提供
し、かつ、その製造方法を提供するものである。

上記問題点は、下記構造式（１）：で示されるインジウムアセチルアセトナートエチルアセ
トアセテートによシ解消される。

また、上記インジウムアセチルアセトナートエチルアセ
トアセテートは、下記構造式（２）：で示されるインジ
ウムトリイソプロピレートに対し、下記構造式（３）：で示されるアセト酢酸エチルと、下記構造式（４ン：ＯＯで示されるアセチルアセトンとを反応させることｔ−特
徴とする本発明方法によって製造される。

作用および実施例本発明にかかるインジウムアセチルアセトナートエチル
アセトアセテートは良好な化学的安定性と、有機溶媒に
対する良好な溶解性を有している。

このためインジウムアセチルアセトナートエチルアセト
アセテートを、例えばベンゼン、又は酢酸エチルなどの
有機溶媒に高濃度で均一に溶解させることができ、得ら
れたイーストは、透明導電体、例えば皮膜などの形成用
に使用することができる＠本発明のインジウムアセチル
アセトナートエチルアセトアセテートは、イ／ジクムモ
ノアセチルアセトナートノエチルアセトアセテートと、
インジウムジアセチルアセトナートモノエチルアセトア
セテートを包含する。本発明方法においては、インジウ
ムトリイソグロ・ビレ−）１部（モル）に対しアセト酢
酸エチル１又は２部（モル）とアセチルアセト／２又は
１部（モル）が反応し、１部（モル）のインジウムアセ
チルアセトナートエチルアセトアセテートが得られる。

この反応において、所望量のインジウムトリイソプロピ
レートを有機溶媒に溶解し、この溶液に所定量のアセト
酢酸エチルとアセチルアセトンとを滴下混合してもよい
。或は、インジウムトリイソプロピレートと、アセト酢
酸エチルとアセチルアセトンとの所定量を別々に有機溶
媒に溶解しておき、これら三溶液を混合して反応させて
もよい。

上記いづれの反応操作においても、反応系を所定温度に
保持しながら反応が完了するまで攪拌する。反応が完了
したならば反応系から有機溶媒と、生成したイソグロビ
ルアルコールとを常圧、又は、減圧下に蒸留して除去し
て、目的の化合物を得る、上記の反応において、反応温
度に格別の限定はないが一般に室温以上１００℃以下の
温度が好ましい。反応温度を１００℃よ）高くしても格
別の効果はなく、却って経済的に不利となる。上記の反
応温度範囲内では反応時間は数分ないし数時間である。

本発明方法の反応に用いられる溶媒は、インジウムトリ
イソプロピレート、アセト酢酸エチル、アセチルアセト
ン、およびインジウムアセチルアセトナートエチルアセ
トアセテートとに対し、化学的反応性に乏しく、シかし
、溶解性にすぐれているものであれば格別の限定はない
が、一般に、ベンゼン、トルエン、キシレン、なトカＧ
ｙＲＦ！、１１゜る少くとも工種からなるものが好まし
い。

前述のように、反応完了後、反応系から有機溶媒および
イングロビルアルコールが常圧、又は減圧下で蒸留除去
される。使用した溶媒の沸点が、インジウムアセチルア
セトナートエチルアセトアセテートの分解点以上である
場合、上記蒸留除去操作を減圧下において、上記目的化
合物の分解点よシ低い温度で行うことが好ましい。

本発明のインジウムアセチルアセトナートエチルアセト
アセテートは、有機溶媒に溶解し易く高濃度のペースト
が容易に得られるので、このイーストは特に液晶素子の
透明導電性皮膜形成用に好適である。

とのような透明導電性皮膜形成用ペーストを得るＫｄ、
本発明のインジウムアセチルアセトナートエチルアセト
アセテートを２〜３０重量−〇濃度で、有機溶媒、例え
ばベンゼン、酢酸エチル、又はメチルエチルケトンなど
に溶解すればよい。

このとき抵抗値調整剤として、スズの有機錯化合物、例
えばジブチルスズアセドーグを、インジウムに対するス
ズの原子比が５〜３０嘩になるようくい上記ペーストに
添加すれば、よ）抵抗値の低い透明導電性皮膜、例えば
電極、が得られる。

実施例１６００　ｍＪ　Ｏ−６四つロフラスコに１攪はん機、温
度計、滴下ロート、および乾燥管付き冷却管をとシつけ
、このフラスコ中に１インジウムトリイソプロビレ−）
３５．０５ｇ（１２０ミリモル）、およびベンゼン３０
０　ｍｌを入れ、室温で攪はんしながら、滴下ロートよ
）、アセト酢酸エチル３１２３、（２４０ミリモル）と
アセチルアセトン１２．０１ｇ　（１２０ミＩＪモル）
とを５分間で滴下した。滴下終了後、反応混合物を８０
℃に加熱して３０分還流し、その後、不溶分をろ去し、
次にベンゼンと生成したイソプロピルアルコールを留出
させて、ろ液を減圧下に濃縮し、残査としてインジクム
モノアセチルアセトナートジエチルアセトアセテー）５
６．００ｇ（収率９８．９％）を得た。この生成物のＮ
ＭＨの測定結果は次のようであった。

’ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ、　）δ（ｐｐｍ　）１．２２　
　（ｔ、６Ｈ）１．９３　　（ｇ、６Ｈ）１．９８　　（易、６Ｈ）４．０８　　（ｑ、４Ｈ）４．８１　　（ｓ、２Ｈ）５．３２（畠、ＩＨ）また１この生成物のインジウム含量をキレート滴定によ
〕測定したところ２４．８％（理論値２４．３１チ）で
あった。また、その赤外特性吸収は下記の通シであった
。

キレ−）Ｃ＝Ｃ構造：　１５８１５１−’キレー）ｃｘ
ｃ構造：　１５２６ｔｘ−’実施例２５００ｄの四つロフラスコに１攪はん機、温度針、滴下
ロート、および乾燥管付き冷却ｔをと多つけ、このフラ
スコ中に、インジウムトリイソゾロピレー）３５．０５
１１（１２０ミリモル）およびベンゼン３ｏｏａｊｔ−
入れ、室温で攪はんしながら、滴下ロートよシ、アセチ
ルアセトン２４．０３．ｆ（２４０ミリモル）とアセト
酢酸エチル１５．６２Ｉｉ（１２０ミリモル）とを５分
間で滴下した。滴下終了後、反応混合物を８０℃に加熱
して３０分還流し、その後、不溶分をろ去し、次にベン
ゼンと生成したイソプロピルアルコールを留出させて、
ろ液を減圧下に濃縮し、残遁としてインゾクムジアセチ
ルアセトナートモノエチルアセトアセテートｓ２．ｏＩ
（収率９８．０％）ｔ−得た。この生成物のＮＭＲの測
定結果は次のようであった。

’ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ、）δ（ｐｐｍ　）１．２３　　
（ｔ、３Ｍ）１．９５　　（ｓ、３Ｈ）１．９９　　（ｓ、１２Ｈ）４．１２　　（ｑ、２Ｈ）４．８６　　　（ｓ、ＩＨ）５．３７（虐　、　２Ｈ）また、この生成物のインジウム含量をキレート滴定によ
シ測定したところ２６．２％（理論値２５．９６チ）で
あった。また、その赤外特性吸収は下記の通シであった
。

キレートＣ−０構造：　１５８２ｃｍ−’キレー）Ｃ＝
Ｃ構造：１５２５伽−１実施例３実施例２と同様の操作を行りた。但し、インジウムトリ
イソゾロぜレートと、アセチルアセトンと、アセト酢酸
エチルとを、別々に、それぞれ、１００ｖＬｌのベンゼ
ンに溶解し、３溶液を混合して反応させ仁。

得られた生成物の収率は９７．５　％であシ、この生成
物は実施例２記載と同様のＮＭＲ測定結果、インジウム
含量率および赤外特性吸収を示した。

発明の効果本発明のインジクムアセチルアセトナートエチルアセト
アセテートは、良好な安定性と有機溶媒溶解性を示すの
で、透明導電性皮膜形成用に有用なものである。

Claims

【特許請求の範囲】１、下記構造式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、上式中ｎは、整数１又は２を表わす〕で表わさ
れるインジウムアセチルアセトナートエチルアセトアセ
テート。２、特許請求の範囲第１項記載の化合物における、イン
ジウムジアセチルアセトナートモノエチルアセトアセテ
ート。３、特許請求の範囲第１項記載の化合物における、イン
ジウムモノアセチルアセトナートジエチルアセトアセテ
ート。４、下記構造式（２）： ▲数式、化学式、表等があります▼（２）で示されるインジウムトリイソプロピレートに対し、下記構造式（３）： ▲数式、化学式、表等があります▼（３）で示されるアセト酢酸エチルと、下記構造式（４）： ▲数式、化学式、表等があります▼（４）で示されるアセチルアセトンとを反応させることを特徴とする、下記構造式（１）： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、上式中ｎは整数１又は２を表わす〕で示される
インジウムアセチルアセトナートエチルアセトアセテー
トの製造方法。５、前記インジウムトリイソプロピレート１部（モル）
に対し、アセト酢酸エチル２部（モル）、および、アセ
チルアセトン１部（モル）を反応させる、特許請求の範
囲第４項記載の方法。６、前記インジウムトリイソプロピレート１部（モル）
に対し、アセト酢酸エチル１部（モル）およびアセチル
アセトン２部（モル）を反応させる、特許請求の範囲第
４項記載の方法。７、前記インジウムトリイソプロピレートに対するアセ
ト酢酸エチルとアセチルアセトンとの反応が室温から１
００℃までの温度で行われる、特許請求の範囲第４項記
載の方法。