JPH0212462B2

JPH0212462B2 -

Info

Publication number: JPH0212462B2
Application number: JP23859584A
Authority: JP
Inventors: Tsunemitsu Torigoe; Mitsuru Kano; Yoshinori Kato; Yoshimi Kamijo
Original assignee: ARUPUSU DENKI KK; KAWAKEN FUAINKEMIKARU KK
Current assignee: ARUPUSU DENKI KK; KAWAKEN FUAINKEMIKARU KK
Priority date: 1984-11-14
Filing date: 1984-11-14
Publication date: 1990-03-20
Also published as: JPS61118340A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、透明導電体形成に有用なインジウム
アセチルアセトナートエチルアセトアセテートお
よびその製造方法に関するものである。

従来の技術近年インジウムの酸化物被膜が液晶素子の透明
導電膜に使用されるようになり、インジウムの金
属としての特性を利用すべく、その応用範囲が拡
大してきている。

このような酸化物被膜の形成方法には、化学ス
プレー法、真空蒸着法、スクリーン印刷法等があ
る。化学スプレー法は比較的大面積の形状の被膜
を得るには有利であるが、微細で複雑な形状のも
のをえるにはエツチング処理等の余分な工程が必
要となり経済的に不利である。真空蒸着法は、最
近マスク蒸着法が発達し、エツチング処理は必要
でなくなつたが、バツチ式である為、大量生産に
好適とはいい難い。スクリーン印刷法では、上記
のような問題がなく、目的形状のものを印刷焼成
により容易に得ることができ、しかも、エツチン
グ処理にともなう廃液処理の必要もないという利
点を有する。

しかし、従来のインジウム化合物を含む透明導
電性被膜形成用ペーストは、それ自体の安定性が
良くないため、スクリーン印刷時の作業性も悪
く、また、形成された被膜の導電性についてもバ
ラツキが大きいという欠点があつた。

すなわち、従来、透明導電体形成用インジウム
化合物としては、オクチル酸インジウム
〔（C₇H₁₅CO₂）₃In〕のような有機酸インジウムや、
インジウムトリスアセチルアセトナート〔In
（acac）₃〕が使用されている。

有機酸インジウムは一般に加水分解しやすく、
またペーストとした場合、ペーストのゲル化を促
進する等、比較的容易に化学変化するという欠点
を持つており、このため、有機酸インジウムを含
有するペーストの寿命が短く、スクリーン印刷時
の作業性を悪くする原因となつている。

発明が解決しようとする問題点本発明は、従来の透明導電体形成用インジウム
化合物の欠点を解消し、すなわち化学的安定性に
すぐれ、かつスクリーン印刷操作の容易なインジ
ウム化合物を提供し、かつ、その製造方法を提供
するものである。

問題点を解決するための手段上記問題点は、下記構造式(1)：〔但し、上式中ｎは整数１又は２を表わす〕で示されるインジウムアセチルアセトナートエチ
ルアセトアセテートにより解消される。

また、上記インジウムアセチルアセトナートエ
チルアセトアセテートは、下記構造式(2)：で示されるインジウムトリイソプロピレートに対
し、下記構造式(3)：で示されるアセト酢酸エチルと、下記構造式(4)：で示されるアセチルアセトンとを反応させること
を特徴とする本発明方法によつて製造される。

作用および実施例本発明にかかるインジウムアセチルアセトナー
トエチルアセトアセテートは良好な化学的安定性
と、有機溶媒に対する良好な溶解性を有してい
る。このためインジウムアセチルアセトナートエ
チルアセトアセテートを、例えばベンゼン、又は
酢酸エチルなどの有機溶媒に高濃度で均一に溶解
させることができ、得られたペーストは、透明導
電体、例えば皮膜などの形成用に使用することが
できる。

本発明のインジウムアセチルアセトナートエチ
ルアセトアセテートは、インジウムモノアセチル
アセトナートジエチルアセトアセテートと、イン
ジウムジアセチルアセトナートモノエチルアセト
アセテートを包含する。本発明方法においては、
インジウムトリイソプロピレート１部（モル）に
対しアセト酢酸エチル１又は２部（モル）とアセ
チルアセトン２又は１部（モル）が反応し、１部
（モル）のインジウムアセチルアセトナートエチ
ルアセトアセテートが得られる。この反応におい
て、所望量のインジウムトリイソプロピレートを
有機溶媒に溶解し、この溶液に所定量のアセト酢
酸エチルとアセチルアセトンとを滴下混合しても
よい。或は、インジウムトリイソプロピレート
と、アセト酢酸エチルとアセチルアセトンとの所
定量を別々に有機溶媒に溶解しておき、これら三
溶液を混合して反応させてもよい。

上記いづれの反応操作においても、反応系を所
定温度に保持しながら反応が完了するまで撹拌す
る。反応が完了したならば反応系から有機溶媒
と、生成したイソプロピルアルコールとを常圧、
又は、減圧下に蒸留して除去して、目的の化合物
を得る、上記の反応において、反応温度に格別の限定は
ないが一般に室温以上100℃以下の温度が好まし
い。反応温度を100℃より高くしても格別の効果
はなく、却つて経済的に不利となる。上記の反応
温度範囲内では反応時間は数分ないし数時間であ
る。

本発明方法の反応に用いられる溶媒は、インジ
ウムトリイソプロピレート、アセト酢酸エチル、
アセチルアセトン、およびインジウムアセチルア
セトナートエチルアセトアセテートとに対し、化
学的反応性に乏しく、しかし、溶解性にすぐれて
いるものであれば格別の限定はないが、一般に、
ベンゼン、トルエン、キシレン、などから選ばれ
る少くとも１種からなるものが好ましい。

前述のように、反応完了後、反応系から有機溶
媒およびイソプロピルアルコールが常圧、又は減
圧下で蒸留除去される。使用した溶媒の沸点が、
インジウムアセチルアセトナートエチルアセトア
セテートの分解点以上である場合、上記蒸留除去
操作を減圧下において、上記目的化合物の分解点
より低い温度で行うことが好ましい。

本発明のインジウムアセチルアセトナートエチ
ルアセトアセテートは、有機溶媒に溶解し易く高
濃度のペーストが容易に得られるので、このペー
ストは特に液晶素子の透明導電性皮膜形成用に好
適である。

このような透明導電性皮膜形成用ペーストを得
るには、本発明のインジウムアセチルアセトナー
トエチルアセトアセテートを２〜30重量％の濃度
で、有機溶媒、例えばベンゼン、酢酸エチル、又
はメチルエチルケトンなどに溶解すればよい。こ
のとき、抵抗値調整剤として、スズの有機錯化合
物、例えばジブチルスズアセテートを、インジウ
ムに対するスズの原子比が５〜30％になるよう
に、上記ペーストに添加すれば、より抵抗値の低
い透明導電性皮膜、例えば電極、が得られる。

実施例１ 500mlの四つ口フラスコに、撹はん機、温度計、
滴下ロート、および乾燥管付き冷却管をとりつ
け、このフラスコ中に、インジウムトリイソプロ
ピレート35.05ｇ（120ミリモル）、およびベンゼ
ン300mlを入れ、室温で撹はんしながら、滴下ロ
ートより、アセト酢酸エチル31.23ｇ（240ミリモ
ル）とアセチルアセトン12.01ｇ（120ミリモル）
とを５分間で滴下した。滴下終了後、反応混合物
を80℃に加熱して30分還流し、その後、不溶分を
ろ去し、次にベンゼンと生成したイソプロピルア
ルコールを留出させて、ろ液を減圧下に濃縮し、
残査としてインジウムモノアセチルアセトナート
ジエチルアセトアセテート56.00ｇ（収率98.9％）
を得た。この生成物のNMRの測定結果は次のよ
うであつた。¹ H NMR（CDCl₃）δ（ppm） 1.22（ｔ，6H） 1.93（ｓ，6H） 1.98（ｓ，6H） 4.08（ｑ，4H） 4.81（ｓ，2H） 5.32（ｓ，1H）また、この生成物のインジウム含量をキレート
滴定により測定したところ24.8％（理論値24.31
％）であつた。また、その赤外特性吸収は下記の
通りであつた。

キレートＣ＝Ｏ構造：1581cm^-1 キレートＣ＝Ｃ構造：1526cm^-1 実施例２ 500mlの四つ口フラスコに、撹はん機、温度計、
滴下ロート、および乾燥管付き冷却管をとりつ
け、このフラスコ中に、インジウムトリイソプロ
ピレート35.05ｇ（120ミリモル）およびベンゼン
300mlを入れ、室温で撹拌しながら、滴下ロート
より、アセチルアセトン24.03ｇ（240ミリモル）
とアセト酢酸エチル15.62ｇ（120ミリモル）とを
５分間で滴下した。滴下終了後、反応混合物を80
℃に加熱して30分還流し、その後、不溶分をろ去
し、次にベンゼンと生成したイソプロピルアルコ
ールを留出させて、ろ液を減圧下に濃縮し、残渣
としてインジウムジアセチルアセトナートモノエ
チルアセトアセテート52.0ｇ（収率98.0％）を得
た。この生成物のNMRの測定結果は次のようで
あつた。¹ H NMR（CDCl₃）δ（ppm） 1.23（ｔ，3H） 1.95（ｓ，3H） 1.99（ｓ，12H） 4.12（ｑ，2H） 4.86（ｓ，1H） 5.37（ｓ，2H）また、この生成物のインジウム含量をキレート
滴定により測定したところ26.2％（理論値25.96
％）であつた。また、その赤外特性吸収は下記の
通りであつた。

キレートＣ＝Ｏ構造：1582cm^-1 キレートＣ＝Ｃ構造：1525cm^-1 実施例３実施例２と同様の操作を行つた。但し、インジ
ウムトリイソプロピレートと、アセチルアセトン
と、アセト酢酸エチルとを、別々に、それぞれ、
100mlのベンゼンに溶解し、３溶液を混合して反
応させた。

得られた生成物の収率は97.5％であり、この生
成物は実施例２記載と同様のNMR測定結果、イ
ンジウム含有率および赤外特性吸収を示した。

発明の効果本発明のインジウムアセチルアセトナートエチ
ルアセトアセテートは、良好な安定性と有機溶媒
溶解性を示すので、透明導電性皮膜形成用に有用
なものである。

Claims

【特許請求の範囲】１下記構造式(1) 〔但し、上式中ｎは、整数１又は２を表わす〕
で表わされるインジウムアセチルアセトナートエ
チルアセトアセテート。２特許請求の範囲第１項記載の化合物におけ
る、インジウムジアセチルアセトナートモノエチ
ルアセトアセテート。３特許請求の範囲第１項記載の化合物におけ
る、インジウムモノアセチルアセトナートジエチ
ルアセトアセテート。４下記構造式(2)：で示されるインジウムトリイソプロピレートに対
し、下記構造式(3)：で示されるアセト酢酸エチルと、下記構造式(4)：で示されるアセチルアセトンとを反応させることを特徴とする、下記構造式(1)：〔但し、上式中ｎは整数１又は２を表わす〕で示されるインジウムアセチルアセトナートエチ
ルアセトアセテートの製造方法。５前記インジウムトリイソプロピレート１部
（モル）に対し、アセト酢酸エチル２部（モル）、
および、アセチルアセトン１部（モル）を反応さ
せる、特許請求の範囲第４項記載の方法。６前記インジウムトリイソプロピレート１部
（モル）に対し、アセト酢酸エチル１部（モル）
およびアセチルアセトン２部（モル）を反応させ
る、特許請求の範囲第４項記載の方法。７前記インジウムトリイソプロピレートに対す
るアセト酢酸エチルとアセチルアセトンとの反応
が室温から100℃までの温度で行われる、特許請
求の範囲第４項記載の方法。