JPS61120509A - 集積回路 - Google Patents

集積回路

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JPS61120509A
JPS61120509A JP23935384A JP23935384A JPS61120509A JP S61120509 A JPS61120509 A JP S61120509A JP 23935384 A JP23935384 A JP 23935384A JP 23935384 A JP23935384 A JP 23935384A JP S61120509 A JPS61120509 A JP S61120509A
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JP
Japan
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transistors
transistor
circuit
emitters
base
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JP23935384A
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Yoshiaki Sano
芳昭 佐野
Yasuhide Katagase
康英 片ケ瀬
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路に関し、さらに詳しくは集積化しやす
いようにしたダーリントン構成の差動増幅回路の集積回
路に関するものである。
〔従来の技術および発明が解決しようとする問題点〕
一般にダーリントン構成の差動回路としては第2図のご
とき回路がある。第2図に示すダーリントン構成の差動
回路はベースが第1または第2の入力端子(Vinlま
たはVin2)に接続され、コレクタが電源Vccに接
続されるトランジスタQ、l。
Q10と、ベースが前記トランジスタQ11 、 Q1
4のエミッタに接続されコレクタが抵抗R++、R+□
を介して電fiVccに接続され、面記コレクタと抵抗
R,,,R,□との接続点に出力端子Voutl 、 
Vout2に接続されるトランジスタQ1□、Q、、を
含み、トランジスタQ、のエミッタとトランジスタQ1
.のベースとの接続点は抵抗R0,を介して共通端子E
に、トランジスタQ13のベースとトランジスタQ14
のエミッタとの接続点は抵抗RI4を介して共通端子に
、トランジスタQ+□とQl3とのエミッタは接続され
定電流源■を介して共通端子に接続されている。
第2図に示すごとき従来の回路においては通常トランジ
スタQIl、Q14には電流性ノイズの発生を少なくし
且つQ、□、Q、、のベース電流を供給できればよいの
で小電流しか流さないため抵抗R1,。
R14として高抵抗を必要とした。したがって回路の集
積化にあたり高抵抗は面積を必要とするため集積化の障
害となっていた。また第2図の回路では入力電圧Vin
により動作電流が大幅に変動するという欠点があった。
この欠点を克服するために第3図の如き回路が用いられ
ている。第3図の回路は第2図の回路において抵抗RI
3およびR14を定電流トランジスタQISおよびQl
におき換えたものである。この回路によれば第2図の回
路における高抵抗が不要となり且つ定電流トランジスタ
QIS 、 Ql6を用いるため入力端子により動作電
流が大幅に変動するという欠点も解消されるが、トラン
ジスタの数がQISとQlにと2個増加するので集積化
にあたって都合悪い。またマスタースライス法によって
集積回路を形成するにあたってトランジスタの数が制限
される場合が多い。
これら上記従来の欠点にかんがみ、本発明は集積化に適
する集積回路を提供することを目的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は上記問題点を解消した集積化容易な集積回路を
提供するものでその手段は、ベースが第1または第2の
入力端子に接続され、コレクタが電源に接続される第1
および第2のトランジスタと、ベースが前記第1または
第2のトランジスタのエミッタに接続されコレクタに第
1および第2の出力端子が接続される第3および第4の
トランジスタとを含んでなるダーリントン構成の差動回
路の集積回路において、前記第3および第4のトランジ
スタのエミッタを接続し第3の抵抗および定電流源を介
して共通端子に接続し、前記第1のトランジスタのエミ
ッタと前記第3のトランジスタのベースとの接続点およ
び前記第2のトランジスタのエミッタと前記第4のトラ
ンジスタのベーとの接続点をそれぞれ第4および第5の
抵抗を介して前記第1〜第5と異極性の第5のトランジ
スタのエミッタに接続し、前記第5のトランジスタのベ
ースを前記第3の抵抗と前記電源との接続点に接続し、
前記第5のトランジスタのコレクタを共通端子に接続し
た集積回路によってなされる。
〔作 用〕
本発明によれば上記第4および第5の抵抗は小抵抗で済
み、かつトランジスタは1個で済むので集積化に適する
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図に本発明の1実施例の回路図を示す。
第1図においてトランジスタQ、およびQ4はそのエミ
ッタはそれぞれ入力端子V inlおよびVin2に接
続され、それらのコレクタは電源Vccに接続されてい
る。トランジスタQ2およびQ3はそのベースがトラン
ジスタQlおよびQ4のエミッタに接続されそのコレク
タはそれぞれ抵抗R,,R,を介して電源Vccに接続
され、そのエミッタは共通接続され抵抗R1および電流
源■1を介して共通端子Eに接続される。出力端子Vo
utlおよびVout2はトランジスタQ2およびQ3
のコレクタから取出される。一方トランジスタQ、のエ
ミッタとQ2のベースとの接続点は抵抗R4を介して、
トランジスタQ、のベースとQ、のエミッタは抵抗R6
を介してトランジスタQ、のエミッタに接続されトラン
ジスタQ、のベースはtLLP01定電流源■1との接
続点に接続されそのコレクタは共通端子Eに接続される
第1図の回路において VIE (Q2) +I+R*=hRt+ VIE(Q
s)よりI3についても同様となりトランジスタQ、は
定電流源として作用し、且つ、抵抗Ra、Rsはトラン
ジスタQz  、Qxのベース間の短絡を防ぐためのも
のである。したがってこれらの抵抗は小抵抗でよい。
以上のごとく第1図の回路はトランジスタが1個、小抵
抗が3個で済むので集積化に適する。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明は従来技術に比ベトラ
ンジスタが1個で済むので集積化に適し、且つ一定数の
抵抗およびトランジスタをマスタースライス法にて回路
を形成する場合等においてト□′    ランジスタ、
抵抗の数が制限されている場合に適用してその効果は頗
る大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にか・る集積回路の回路図、第2図およ
び第3図は従来の集積回路の回路を示す。 第1図においてQ+、Qz、Q3.Q4.QSはトラン
ジスタ、R1+R2,R3,Ra、Rsは抵抗、■、は
定電流源をそれぞれ示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ベースが第1または第2の入力端子に接続され、コレク
    タが電源に接続される第1および第2のトランジスタと
    、ベースが前記第1または第2のトランジスタのエミッ
    タに接続されコレクタに第1および第2の出力端子が接
    続される第3および第4のトランジスタとを含んでなる
    ダーリントン構成の差動回路の集積回路において、前記
    第3および第4のトランジスタのエミッタを接続し第3
    の抵抗および定電流源を介して共通端子に接続し、前記
    第1のトランジスタのエミッタと前記第3のトランジス
    タのベースとの接続点および前記第2のトランジスタの
    エミッタと前記第4のトランジスタのベーとの接続点を
    それぞれ第4および第5の抵抗を介して前記第1〜第4
    と異極性のトランジスタのエミッタに接続し、前記第5
    のトランジスタのベースを前記第3の抵抗と前記電源と
    の接続点に接続し、前記第5のトランジスタのコレクタ
    を共通端子に接続したことを特徴とする集積回路。
JP23935384A 1984-11-15 1984-11-15 Shusekikairo Expired - Lifetime JPH0244407B2 (ja)

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JPS61120509A true JPS61120509A (ja) 1986-06-07
JPH0244407B2 JPH0244407B2 (ja) 1990-10-03

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