JPS61161761A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61161761A JPS61161761A JP60002375A JP237585A JPS61161761A JP S61161761 A JPS61161761 A JP S61161761A JP 60002375 A JP60002375 A JP 60002375A JP 237585 A JP237585 A JP 237585A JP S61161761 A JPS61161761 A JP S61161761A
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- JP
- Japan
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- collector
- region
- emitter
- base
- impurity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/137—Collector regions of BJTs
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に係り、特に高いコレクタ・エミッ
タ間耐圧（ＬＶＣＩＯ）％高い電流増幅率（ｈＦｌ）、
低いコレクタ・エミッタ間飽和電圧（Ｖｃｍ（ｓａｔ）
）を得る事のできるノ（イボ−２トランジスタに関す
る。
タ間耐圧（ＬＶＣＩＯ）％高い電流増幅率（ｈＦｌ）、
低いコレクタ・エミッタ間飽和電圧（Ｖｃｍ（ｓａｔ）
）を得る事のできるノ（イボ−２トランジスタに関す
る。
第３図は従来のトランジスタの断面図、第４図は第３図
の八−Ａ′線に沿って切断したところの不純物分布図で
ある。これら図において、ベース不純物す、エミッタ不
純物ａはエピタキシャル成長させたコレクタ基板（領域
１）あるいはベース不純物す、エミッタ不純物ａを拡散
する面とは反対の面からコレクタ不純物Ｃ′ｌｉ−拡散
済であるコレクタ基板に拡散させられる。この製造方法
において、高ＬＶＣＩＩＯ，高ｈＦｌのトランジスタを
得るためには、ベース領域３の不純物すの濃度を高くし
、かつベースｇＷａを狭くする必要があシ、ベース領域
３の不純物として拡散係数が非常く小さいものを用いな
ければならず、その製造は非常に困難であった。
の八−Ａ′線に沿って切断したところの不純物分布図で
ある。これら図において、ベース不純物す、エミッタ不
純物ａはエピタキシャル成長させたコレクタ基板（領域
１）あるいはベース不純物す、エミッタ不純物ａを拡散
する面とは反対の面からコレクタ不純物Ｃ′ｌｉ−拡散
済であるコレクタ基板に拡散させられる。この製造方法
において、高ＬＶＣＩＩＯ，高ｈＦｌのトランジスタを
得るためには、ベース領域３の不純物すの濃度を高くし
、かつベースｇＷａを狭くする必要があシ、ベース領域
３の不純物として拡散係数が非常く小さいものを用いな
ければならず、その製造は非常に困難であった。
本発明の目的は、かかる不都合をなくシ、べ−ス不純物
拡散制御用の高ｍ度コレクタ埋込み層を導入した半導体
装置を提供することにある。
拡散制御用の高ｍ度コレクタ埋込み層を導入した半導体
装置を提供することにある。
本発明の構成は、第１４亀形のコレクタ領域と、この領
域に接触する第２導電形のベース領域と、このベース領
域に接触する第１導電形のエミッタ領域とを備えた半導
体装置において、前記ベース領域と前記コレクタ領域と
の接合形成部にベースΦコレクタ接合の深さを制御する
ための第１導電形であって、かつ前記コレクタ領域の濃
度よりは高ａ度な不純物を有する埋込み層を設けたこと
を特徴とする。
域に接触する第２導電形のベース領域と、このベース領
域に接触する第１導電形のエミッタ領域とを備えた半導
体装置において、前記ベース領域と前記コレクタ領域と
の接合形成部にベースΦコレクタ接合の深さを制御する
ための第１導電形であって、かつ前記コレクタ領域の濃
度よりは高ａ度な不純物を有する埋込み層を設けたこと
を特徴とする。
第１図は本発明の実施例のトランジスタの断面図、第２
に第１図のＢ−Ｂ’線に沿ったところの不純物分布図で
ある。これら図において、たとえば、抵抗率１．４Ωｍ
のｎ形シリコンエピタキシャル層成長工程の途中で約５
０ＫｅＶ、約２ Ｘ Ｉ Ｏ’個／ ｃｍ２のアンチモ
ンイオンを注入した後、約５μｍの前記エピタ争シャル
層を追加成長させ、その後ベース・エミッタ不純物を所
望の特性が得られる様に拡散した。ベース不純物すの拡
散に先豆りて導入された高濃度埋込み層２のために、ベ
ース不純物すとして拡散係数が比較的大きなものを用い
ても、前記高＠度埋込み層２の部分でベース不純物すの
拡散が遅くなり、かつ前記高濃度埋込み層２により浅い
ベース曇コレクタ接合ができ、その後のエミッタ不純物
ａの拡散により、エミッタ領域４とコレクタ領域りに挾
まれた高濃度不純物Ｃ′の狭いベース領域３が形成され
る（ベース幅Ｗ ａ ’ ）。また、本実施例の製造方
法によれば、ベースに接するコレクタ部の濃度が高いた
めに、ベース領域３からコレクタ領域ｌへの逆注入が減
少シ、低いＶｃｉ（ｓａｔ）のトランジスタができる。
に第１図のＢ−Ｂ’線に沿ったところの不純物分布図で
ある。これら図において、たとえば、抵抗率１．４Ωｍ
のｎ形シリコンエピタキシャル層成長工程の途中で約５
０ＫｅＶ、約２ Ｘ Ｉ Ｏ’個／ ｃｍ２のアンチモ
ンイオンを注入した後、約５μｍの前記エピタ争シャル
層を追加成長させ、その後ベース・エミッタ不純物を所
望の特性が得られる様に拡散した。ベース不純物すの拡
散に先豆りて導入された高濃度埋込み層２のために、ベ
ース不純物すとして拡散係数が比較的大きなものを用い
ても、前記高＠度埋込み層２の部分でベース不純物すの
拡散が遅くなり、かつ前記高濃度埋込み層２により浅い
ベース曇コレクタ接合ができ、その後のエミッタ不純物
ａの拡散により、エミッタ領域４とコレクタ領域りに挾
まれた高濃度不純物Ｃ′の狭いベース領域３が形成され
る（ベース幅Ｗ ａ ’ ）。また、本実施例の製造方
法によれば、ベースに接するコレクタ部の濃度が高いた
めに、ベース領域３からコレクタ領域ｌへの逆注入が減
少シ、低いＶｃｉ（ｓａｔ）のトランジスタができる。
以上説明したように１本発明によれば、コレクタ・エミ
ッタ間耐圧が高く、１！流増幅率が高く。
ッタ間耐圧が高く、１！流増幅率が高く。
コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い半導体装置が得ら
れる。
れる。
第１図は本発明の実施例のトランジスタの断面図、第２
図は第１図のＢ−Ｂ’線に沿ったところの不純物分布図
、第３図は従来のトランジスタの断面図、第４図は第３
図のＡ−Ａ’線に沿って切断したところの不純物分布図
である。 面図において、ｌ・・・・・・コレクタ領域、２・・・
・・・コレクタ高濃度埋込み層、３・・・・・・ベース
領域、４・・・・・・エミッタ領域、ａ・・・・・・エ
ミッタ不純物、ｂ・・・・・・ベース不純物、Ｃ・・・
・・・コレクタ不純物 Ｃ／・・・・・・コレクタ高濃
度埋込み層不純物分布。
図は第１図のＢ−Ｂ’線に沿ったところの不純物分布図
、第３図は従来のトランジスタの断面図、第４図は第３
図のＡ−Ａ’線に沿って切断したところの不純物分布図
である。 面図において、ｌ・・・・・・コレクタ領域、２・・・
・・・コレクタ高濃度埋込み層、３・・・・・・ベース
領域、４・・・・・・エミッタ領域、ａ・・・・・・エ
ミッタ不純物、ｂ・・・・・・ベース不純物、Ｃ・・・
・・・コレクタ不純物 Ｃ／・・・・・・コレクタ高濃
度埋込み層不純物分布。
Claims (1)
- 第１導電形のコレクタ領域と、このコレクタ領域に接触
する第２導電形のベース領域と、このベース領域に接触
する第１導電形のエミッタ領域とを備えた半導体装置に
於て、前記ベース領域と前記コレクタ領域との接合形成
部にベース・コレクタ接合の深さを制御するための第１
導電形であって、かつ前記コレクタ領域の濃度よりは高
濃度な不純物を有する埋込み層を設けたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60002375A JPS61161761A (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60002375A JPS61161761A (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61161761A true JPS61161761A (ja) | 1986-07-22 |
Family
ID=11527500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60002375A Pending JPS61161761A (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61161761A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289859A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH01198069A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Toshiba Corp | バイポーラトランジスタの製造方法 |
| JPH02110936A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 高周波半導体装置とその製造方法 |
| JP2004502300A (ja) * | 2000-06-26 | 2004-01-22 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン | アンチモニ注入による高周波トランジスタ装置及び製造方法 |
-
1985
- 1985-01-10 JP JP60002375A patent/JPS61161761A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289859A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH01198069A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Toshiba Corp | バイポーラトランジスタの製造方法 |
| JPH02110936A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 高周波半導体装置とその製造方法 |
| JP2004502300A (ja) * | 2000-06-26 | 2004-01-22 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン | アンチモニ注入による高周波トランジスタ装置及び製造方法 |
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