JPS63164462A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63164462A JPS63164462A JP61312309A JP31230986A JPS63164462A JP S63164462 A JPS63164462 A JP S63164462A JP 61312309 A JP61312309 A JP 61312309A JP 31230986 A JP31230986 A JP 31230986A JP S63164462 A JPS63164462 A JP S63164462A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、半導体装置、詳しくは、高性能バイポーラ
トランジスタに関する。
トランジスタに関する。
従来の技術
バイポーラトランジスタは多方面で使用されているが、
機器の高性能化に伴い、バイポーラトランジスタにもま
すますの高性能化が要求されている。
機器の高性能化に伴い、バイポーラトランジスタにもま
すますの高性能化が要求されている。
例えば、ＣＲＴディスプレイのビデオアンプ用トランジ
スタにおいては、映像帯域の高周波化に伴い、高い遮断
周波数（ｆｒ）特性かつ高耐圧化が要求されている。こ
れを実現するために、−例として第２図のように、薄い
ベース層２１の周辺部に、高耐圧化のための深い拡散領
域２２を設けた構造を有するバイポーラトランジスタが
実用化されている。
スタにおいては、映像帯域の高周波化に伴い、高い遮断
周波数（ｆｒ）特性かつ高耐圧化が要求されている。こ
れを実現するために、−例として第２図のように、薄い
ベース層２１の周辺部に、高耐圧化のための深い拡散領
域２２を設けた構造を有するバイポーラトランジスタが
実用化されている。
発明が解決しようとする問題点
一般に、バイポーラトランジスタにおいて、高遮断周波
数化のためにはベース層を薄（することが必要であるが
、これは逆に耐圧を低下させる。
数化のためにはベース層を薄（することが必要であるが
、これは逆に耐圧を低下させる。
従来は耐圧を確保するために、ベース領域の周囲にベー
スと同導電型のリング状の拡散層を設けるか、もしくは
第２図のようなベースの周辺部に深い拡散領域を設けた
構造をとっていた。しかし、前者の方法ではチップサイ
ズの増加を沼き、後者の方法では、深い拡散層の底から
低抵抗基板までのエピタキシャル層の厚みは所望の耐圧
確保に必要な厚みとなり、ベース領域直下のエピタキシ
ャル層の厚みは、所望の耐圧確保に必要な厚みに深い拡
散層の拡散深さを加えた厚みとなり、これが、トランジ
スタのコレクタ抵抗の増加となるため、トランジスタの
特ザ低下を招（という欠点を有していた。
スと同導電型のリング状の拡散層を設けるか、もしくは
第２図のようなベースの周辺部に深い拡散領域を設けた
構造をとっていた。しかし、前者の方法ではチップサイ
ズの増加を沼き、後者の方法では、深い拡散層の底から
低抵抗基板までのエピタキシャル層の厚みは所望の耐圧
確保に必要な厚みとなり、ベース領域直下のエピタキシ
ャル層の厚みは、所望の耐圧確保に必要な厚みに深い拡
散層の拡散深さを加えた厚みとなり、これが、トランジ
スタのコレクタ抵抗の増加となるため、トランジスタの
特ザ低下を招（という欠点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、従来構造
のバイポーラトランジスタに比較して、同じ耐圧を有し
ながらも優れた高周波特性を有するバイポーラトランジ
スタを提供するものである。
のバイポーラトランジスタに比較して、同じ耐圧を有し
ながらも優れた高周波特性を有するバイポーラトランジ
スタを提供するものである。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のバイポーラトランジ
スタは、ベース領域周辺の深い拡散層の内側のベース領
域直下のエピタキシャル層中に低抵抗半導体基板に接し
て形成された、エピタキシャル層と同導電型で、かつエ
ピタキシャル層よりも高濃度の不純物領域を有した構造
となっている。
スタは、ベース領域周辺の深い拡散層の内側のベース領
域直下のエピタキシャル層中に低抵抗半導体基板に接し
て形成された、エピタキシャル層と同導電型で、かつエ
ピタキシャル層よりも高濃度の不純物領域を有した構造
となっている。
作用
この構成によって、耐圧確保のためにベース領域周辺に
深い拡散層を設けてもコレクタ抵抗を大きくしないので
、トランジスタの周波数特性を低下させない。
深い拡散層を設けてもコレクタ抵抗を大きくしないので
、トランジスタの周波数特性を低下させない。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図ａ−Ｃは本発明におけるバイポーラトランジスタ
の製造工程の１例を示すものである。第１図ａはヒ素（
Ａｓ）またはアンチモン（Ｓｂ）を不純物としたＮ型低
抵抗Ｓｉ基板１に第１エピタキシャル層２を成長し、さ
らに、ベース領域直下でベース周囲の深い拡散層の内側
となるべき部分にリン（Ｐ）を蒸着し、その深さが、第
１エピタキシャル層２の厚さ程度になるように拡散しＮ
型高濃度不純物領域３を形成したものである。第１図す
は第１エピタキシャル層２上に第２エピタキシャル層４
を成長し、その表面よりベース周囲の深い拡散層５およ
びベース領域６を窒化ホウ素からのホウ素（Ｂ）蒸着お
よび拡散によって、所望の深さに形成したものである。
の製造工程の１例を示すものである。第１図ａはヒ素（
Ａｓ）またはアンチモン（Ｓｂ）を不純物としたＮ型低
抵抗Ｓｉ基板１に第１エピタキシャル層２を成長し、さ
らに、ベース領域直下でベース周囲の深い拡散層の内側
となるべき部分にリン（Ｐ）を蒸着し、その深さが、第
１エピタキシャル層２の厚さ程度になるように拡散しＮ
型高濃度不純物領域３を形成したものである。第１図す
は第１エピタキシャル層２上に第２エピタキシャル層４
を成長し、その表面よりベース周囲の深い拡散層５およ
びベース領域６を窒化ホウ素からのホウ素（Ｂ）蒸着お
よび拡散によって、所望の深さに形成したものである。
第１図Ｃはエミッタ７をリン（Ｐ）の蒸着、拡散により
形成した後、ｌ電極８を形成したものである。
形成した後、ｌ電極８を形成したものである。
発明の効果
本発明によれば、ベース周囲の深い拡散層内側、ベース
領域直下のエピタキシャル層内に低抵抗半導体基板に接
して構成した高濃凌不純物領域を設けることにより、高
耐圧化によるジレクタ抵抗の増加をなくし、それにより
高耐圧化と同時に優れた高周波特性をも実現することが
できる。
領域直下のエピタキシャル層内に低抵抗半導体基板に接
して構成した高濃凌不純物領域を設けることにより、高
耐圧化によるジレクタ抵抗の増加をなくし、それにより
高耐圧化と同時に優れた高周波特性をも実現することが
できる。
第１図は本発明実施例を製造工程順に示す工程順断面図
、第２図は従来例断面図である。 １・・・・・・Ｎ型低抵抗Ｓｉ基板、２・・・・・・第
１エピタキシャル層、３・・・・・・Ｎ型高濃度不純物
領域、４・・・・・・第２エピタキシャル層、５・・・
・・・ベース周囲の深い拡散領域、６・・・・・・ベー
ス領域、７・・・・・・エミッタ領域、８・・・・・・
Ａｅ主電極 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名４− 第Ｚ
エビダ午シイ７Ｌ／層 ８−Ａｔ覧７ｉ第１図
、第２図は従来例断面図である。 １・・・・・・Ｎ型低抵抗Ｓｉ基板、２・・・・・・第
１エピタキシャル層、３・・・・・・Ｎ型高濃度不純物
領域、４・・・・・・第２エピタキシャル層、５・・・
・・・ベース周囲の深い拡散領域、６・・・・・・ベー
ス領域、７・・・・・・エミッタ領域、８・・・・・・
Ａｅ主電極 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名４− 第Ｚ
エビダ午シイ７Ｌ／層 ８−Ａｔ覧７ｉ第１図
Claims (1)
- 一導電型低抵抗半導体基板上の同導電型エピタキシャル
層内に形成されたバイポーラトランジスタにおいて、ベ
ース層直下に低抵抗半導体基板に接して形成された、低
抵抗半導体基板と同導電型でかつ高濃度の不純物領域を
有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312309A JPS63164462A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61312309A JPS63164462A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164462A true JPS63164462A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18027695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61312309A Pending JPS63164462A (ja) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164462A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023179A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-12 | ||
| JPS5094886A (ja) * | 1973-12-22 | 1975-07-28 | ||
| JPS5370677A (en) * | 1976-12-06 | 1978-06-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS6084872A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61312309A patent/JPS63164462A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023179A (ja) * | 1973-06-28 | 1975-03-12 | ||
| JPS5094886A (ja) * | 1973-12-22 | 1975-07-28 | ||
| JPS5370677A (en) * | 1976-12-06 | 1978-06-23 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS6084872A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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