JPS61168952A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路装ｆｌｌＫ関し、特に、半導
体集積回路装置中で使用される抵抗体の構造に関するも
のである。

〔従来の技術〕

従来、半導体集積回路装置は能動素子であるトランジス
タ、ダイオード等と、受動素子である抵抗体、容量等と
で構成されている。このうち、抵抗体の代表的な平面形
状を第６図体）に、断面図を第６図Φ）に示す。例えば
、ｎ型シリコン基板６１中Ｋｐ型領域６２ｔ−形成し、
表面保護膜の酸化膜６３に開孔部６６ａ、６６ｂを設は
金属配置１Ｆｉｉ６４ａ＠６４ｂによシ他と接続されて
いる。この構造とが理論上も実験上でも確認されている
。ここで（′＋２はｐ型領域の層抵抗値、Ｗ２は幅、Ｌ
２は開孔部間の距離、Ｒｃ２は金属配線取り出し用開孔
部等の条件で決まるコンタクト抵抗値である。このよう
に１個の矩形状の場合には上記式によシ設計値と実測値
とは非常によ〈一致する。　　　′〔発明が解決しよう
とする問題点〕 しかしながら、高密度化が必要な場合には自由に抵抗体
を配置することができない為、第７図。

第８図に示すような角を有する曲った平面構造の抵抗体
が使用される。すなわち第７図では開孔部７６ａ、７６
ｂの間が角を有する曲った平面構造の抵抗体７２で第８
図ではより抵抗値を高くするためジグザグ構造の抵抗体
８２ｔ−示している。そして、このような角を有する曲
った平面構造の抵抗体の抵抗値については角の部分の見
積）についての設計式というものは無く、実際に製作し
てみる以外に精度を上げる手段が無かった。即ち、製造
条件、パターン幅１曲がシの角度、等によシ変ってくる
からである。それ故実際に適用する場合には一度製作し
、そのデータを個々の形状について解析し、それに従っ
て形状修正、製造条件修正をしなければならなかりた。

その為に製品開発期間が延びるという欠点を有していた
。

本発明は、上記従来の欠点を取シ除く新規なる構造を提
供することにめる。即ち、正確な抵抗値の設計ができる
と従来から良く知られている理論式を適用できる抵抗値
の構造を提供し、設計精度を向上し、製品の開発期間を
短縮することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の半導体集積回路装置は、抵抗値を有する半導体
集積回路装置において、前記抵抗体の少なくとも一つが
一個の矩形構造ではなく、角を有する曲つた平面構造を
もち、かつ少なくとも前記角の領域の不純物はその周辺
と比較して高濃度の不純物で構成するととくニジなって
いる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例にりいて図面を参照して説明する
。第１図（ａ）、　（ｂ＞は本発明の第１の実施例の平
面図および第１図（ａ）におけるＡ−Ｂ＠の断面図であ
る。第１図（ａ）、Φ）に示すように本実施例の抵抗体
はＬ字型に曲った平面構造を有している。

この抵抗体の抵抗値Ｉ（１１は基本的には矩形部２本と
角の部分との直列抵抗となり、次式で現わされここでＲ
ｗが角の部分の抵抗値ｓ　ＲＣＩは前記したように金属
配線数シ出し用開孔部１６ａ、１６ｂ等の条件で決まる
コンタクト抵抗値である。角の部分１５の不純物濃度を
他の部分１２ａ、１２ｂに比較して高濃度にしておけば
全体の抵抗値ＢＩＫ対し充分小さい値ＫｔＤｆｈ　とし
ての精度があがる。又従来から角の条件が一定であれば
、その値を使用することも可能である。

第２図は本発明の第２の実施例の平面図で％第８図の従
来例に対応するものでおる。本実施例では開孔部２６Ｊ
１．２６ｂＫ接続する金属配線は省略しである。本実施
例でも角の部分２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄ、２５
ｅ、２５　ｆＫは他の部分２２ａ、２２ｂ＊　２２ＣＩ
　２２ｄ、２２６゜２２ｆ、２２ｇに比較して高濃度領
域にしてあシ、そして抵抗値としての大部分は低濃度部
分がその役割を担っている。

第３図、第４図、第５図はそれぞれ本発明の第３、第４
．第５の実施例の平面図で６Ｄ、本実施例でも開孔部３
６ａ、３６ｂ、４６１，４６ｂ。

５６ａ、５６ｂＫ接続する金属配線は省略しである。

第３図のｔＩＸ３の実施例では、角の高濃度部分３５が
角から抵抗パターンに沿て少し伸びた構造になっている
のが特徴である。抵抗体の低濃度部分３２ａ、３２ｂの
長さが正確になシ、抵抗値の再現性が増加する。又コン
タクト抵抗値を低くするために開孔部３６ａ、３６ｂ近
辺にも高濃度部分３７ａ、３７ｂを設けている。

第４図の第４の実施例では角の高１１度部分４５が幅広
になシ、抵抗体の低濃度部分４２８．４２ｂが再現よく
、完全に高濃度領域に挾まれて抵抗値の再現性がさらに
上がる構造である。又、コンタクト抵抗値を低くするた
めに高濃度部分４７ａ。

４７ｂも設けられている。

第５図の第５の実施例では角が２ケある場合の特別な構
造であシ、抵抗体の低濃度部分５２ａ。

５２ｂは平行して設置され、高濃度部分５５はこれらを
直列に接続するような形で設けられている。

又コンタクト抵抗値を低くするために高濃度部分５７８
．５７ｂも設けられている。

以上実施例で説明したように本発明は角な有する曲った
平面構造をもつ抵抗体の角の部分に高濃度不純物部を設
け、この抵抗体の精度を向上することにある。それ故、
抵抗体を構成する不純物はｐ型埋外にもｎ型不純物でも
可能である。又単結晶半導体基板以外にも多結晶半導体
膜、アモルファス膜による抵抗体にも適用可能である。

〔発明の効果〕

以上説明したとおシ、正確な抵抗値の設計が出来ると従
来よシ知られている理論成金適用することが出来、設計
精度を向上することが可能となシ、製品の開発期間を短
縮することが出来るなどの効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面
図及びそのＡ−Ｂ線の断面図、第２図、第３図、第４図
、第５図はそれぞれ本発明の第２．第３．第４、第５の
実施例の平面図、第６図（ａ）、Φ）は従来の集積回路
装置の抵抗体の平面図及びその断面図、第７図及び第８
図はそれぞれ従来の角を有する抵抗体の平面図である。 １１　、　６１　・−・−シリコン基板％　　１２ａ、
１２ｂ。 ２２ａ、　　２２ｂ、　　２２Ｃ，２２ｄ、　　２２ｅ
、　　２２ｆ、　　２２ｇ、　　３２ａ、　　ａ２ｂ、
４２ａ、　　４２ｂ。 ５２ａ、５２ｂ、６２．７２．８２−−・・・−低濃度
Ｐ型部分、１３．６３・・・・・・表面保護膜、１４ａ
。 １４　ｂ、　　６４　ａ、　　６４　ｂ・・−、、・金
楓配［，１５゜２５ａ、　　２５ｂ、　　２５Ｃ，２５
ｄ、　　２５ｅ、　　２５ｆ、３５，４５．６５・・・
・・・高濃度Ｐ型部分、１６ａ、　　１６ｂ、　　２６
ａ、　　２６ｂ、　　３６ａ、　　３６ｂ。 ４６ａ、　　４６ｂ、　　５６ａ、　　５６ｂ、　　６
６ａ、　　６６ｂ、７６ａ、７６ｂ、８６ａ、Ｂ６ｂ・
−・・−開孔部、３７ｍ、　　３７ｂ、　　４７Ｊｌ、
　　４７ｂ、　　５７ａ、　　５７ｂ・・・・・・コン
タクト部の高濃度部分。 Ｙ１ヅ 峯’ｚ′１２Ｉ 茅３剖 峯４旧 竿丈２

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 抵抗体を有する半導体集積回路装置において、前記抵抗
   体の少なくとも一つが一個の矩形構造ではなく、角を有
   する曲った平面構造をもち、かつ少なくとも前記角の領
   域の不純物はその周辺と比較して高濃度の不純物で構成
   されていることを特徴とする半導体集積回路装置。