JPS61190939A - パタ−ン形成法 - Google Patents
パタ−ン形成法Info
- Publication number
- JPS61190939A JPS61190939A JP60031255A JP3125585A JPS61190939A JP S61190939 A JPS61190939 A JP S61190939A JP 60031255 A JP60031255 A JP 60031255A JP 3125585 A JP3125585 A JP 3125585A JP S61190939 A JPS61190939 A JP S61190939A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scale
- substrate
- mask
- processing
- photoresist layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｌｌ上上皿１ユ
ニ発明は、基板上に所望のパターンを有する層を形成し
たり、基板に所望のパターンの加工を施したりする場合
に適用されるパターン形成法に関し、特に、半導体集積
回路装置を製造する場合に適用して好適なものである。
たり、基板に所望のパターンの加工を施したりする場合
に適用されるパターン形成法に関し、特に、半導体集積
回路装置を製造する場合に適用して好適なものである。
従来の技術
従来、第１図〜第６図を伴なって次に述べるパターン形
成法が提案されている。
成法が提案されている。
すなわち、基板１を予め用意する（第１図）。
しかして、その基板１上に、その全域に亘ってフォトレ
ジストＭ２を形成する（第２図）。
ジストＭ２を形成する（第２図）。
次に、フォトレジスト層２に対する露光マスク（図示せ
ず）を用いた露光処理を行い、続いで、現像処理を行っ
て、フォトレジスト層２から、幅Ｗａの矩形パターンを
有する複数例えば５本の目盛用窓Ａ−２、Ａ−１、Ａｏ
、Ａ１、Ａ２がそれらの幅方向に順次ピッチｐａで配列
されでいる目盛用窓列４を有するエツチング用マスク５
を形成する（第３図）。
ず）を用いた露光処理を行い、続いで、現像処理を行っ
て、フォトレジスト層２から、幅Ｗａの矩形パターンを
有する複数例えば５本の目盛用窓Ａ−２、Ａ−１、Ａｏ
、Ａ１、Ａ２がそれらの幅方向に順次ピッチｐａで配列
されでいる目盛用窓列４を有するエツチング用マスク５
を形成する（第３図）。
この場合、エツチング用マスク５が有する目盛用窓列４
は、それを構成している目盛用窓Ａ−２、−１、Ａｏ、
Ａ１、Ａ２の一側面がそれらに共通の配列線Ｌ−Ｌと一
致するように形成されている。
は、それを構成している目盛用窓Ａ−２、−１、Ａｏ、
Ａ１、Ａ２の一側面がそれらに共通の配列線Ｌ−Ｌと一
致するように形成されている。
次に、基板１に対するエツチング用マスク５を用いたエ
ツチング処理によって、基板１の表面に、目盛用窓列４
に対応しているパターンを有する、目盛用溝条Ｂ−２、
Ｂ−１、Ｂｏ、Ｂ、、Ｂ２が配列されている目盛用溝条
列６でなる目盛尺７を形成する（第４図）。この目盛尺
７としての目盛用溝条列６は、それを構成している複数
の目盛用溝条Ｂ−２、Ｂ−１、Ｂｏ、Ｂ１、Ｂ２の一側
面がそれらの共通の配列線Ｌ−Ｌと一致するように形成
される。
ツチング処理によって、基板１の表面に、目盛用窓列４
に対応しているパターンを有する、目盛用溝条Ｂ−２、
Ｂ−１、Ｂｏ、Ｂ、、Ｂ２が配列されている目盛用溝条
列６でなる目盛尺７を形成する（第４図）。この目盛尺
７としての目盛用溝条列６は、それを構成している複数
の目盛用溝条Ｂ−２、Ｂ−１、Ｂｏ、Ｂ１、Ｂ２の一側
面がそれらの共通の配列線Ｌ−Ｌと一致するように形成
される。
次に、基板１上に、エツチング用マスク５を除去して後
、他のフォトレジス１一層８を形成する（第５図）。
、他のフォトレジス１一層８を形成する（第５図）。
次に、フォトレジスト層８に対する他の露光マスク（図
示せず）を用いた露光処理を行い、続いて現像処理を行
って、フォトレジスト層８から、所望のパターンを有す
る加工用窓９が、目盛尺７と共働する他の目盛尺１１と
しての目盛用溝条列１０とともに形成されている加工用
マスク１２を形成する。
示せず）を用いた露光処理を行い、続いて現像処理を行
って、フォトレジスト層８から、所望のパターンを有す
る加工用窓９が、目盛尺７と共働する他の目盛尺１１と
しての目盛用溝条列１０とともに形成されている加工用
マスク１２を形成する。
この場合、目盛尺１１としての目盛用溝条列１０は、例
えば、目盛尺７としての目盛用溝条列６の各目盛用溝条
ｅｒｒ ＜＋＝−２、−１，０，１，２）の幅Ｗａと同
じ幅ＷＣの矩形パターンを有する例えば５本の目盛用溝
条Ｃ−２、Ｃ−１、ｃｏ、Ｃ、Ｃ２が、それらの幅方向
に順次ピッチＰａとは異なるピッチｐａに比し小さなピ
ッチＰａで配列されている。また、複数の目盛用溝条Ｃ
−２、Ｃ−１、ｃｏ、Ｃ１、Ｃ２の一側面が、配列線Ｌ
−Ｌと一致するように形成されている。
えば、目盛尺７としての目盛用溝条列６の各目盛用溝条
ｅｒｒ ＜＋＝−２、−１，０，１，２）の幅Ｗａと同
じ幅ＷＣの矩形パターンを有する例えば５本の目盛用溝
条Ｃ−２、Ｃ−１、ｃｏ、Ｃ、Ｃ２が、それらの幅方向
に順次ピッチＰａとは異なるピッチｐａに比し小さなピ
ッチＰａで配列されている。また、複数の目盛用溝条Ｃ
−２、Ｃ−１、ｃｏ、Ｃ１、Ｃ２の一側面が、配列線Ｌ
−Ｌと一致するように形成されている。
以上が、従来提案されているパターン形成法である。
このようなパターン形成法によれば、基板１上に、加工
用マスク１２を用いて、その加工用窓９のパターンを以
て基板１に接している層を形成したり、基板１を、加工
用窓９のパターンに加工（イオン打込加工、エツチング
加工など）することができる。
用マスク１２を用いて、その加工用窓９のパターンを以
て基板１に接している層を形成したり、基板１を、加工
用窓９のパターンに加工（イオン打込加工、エツチング
加工など）することができる。
また、上述したパターン形成法によれば、目盛尺７及び
１１を用い、目盛尺７としての目盛用溝条列６のどの目
盛用溝条と、目盛尺１１としての目盛用溝条列１０のど
の目盛用溝条とが一致しているか否かによって、加工用
窓９が基板１上の基準位置に対して位置ずれなく形成さ
れているか、または位置ずれを有して形成されていると
して、その位置ずれが許容値内にあるか否かを判知する
ことができる。
１１を用い、目盛尺７としての目盛用溝条列６のどの目
盛用溝条と、目盛尺１１としての目盛用溝条列１０のど
の目盛用溝条とが一致しているか否かによって、加工用
窓９が基板１上の基準位置に対して位置ずれなく形成さ
れているか、または位置ずれを有して形成されていると
して、その位置ずれが許容値内にあるか否かを判知する
ことができる。
発明が解決しようとする口頭
しかしながら、上述したパターン形成法の場合、加工用
マスク１２を、加工用窓９が基板１に達する深さに形成
されるとどもに、目盛尺１１としての目盛用溝条列１０
の目盛用溝条Ｃ１も、基板１に達する深さに形成される
ように、形成していた。
マスク１２を、加工用窓９が基板１に達する深さに形成
されるとどもに、目盛尺１１としての目盛用溝条列１０
の目盛用溝条Ｃ１も、基板１に達する深さに形成される
ように、形成していた。
このため、上述したように、加工用マスク１２の加工用
窓９を用いて、基板１に接する層を形成したり、基板１
に加工を施したりする場合、これと同時に、基板１の目
盛尺１１が形成されている領域において、目盛用溝条列
１１のパターンできば１に接している層が形成されたり
、基板゛１が目盛用溝条列１１のパターンに加工された
りし、よって、加工用マスク１２を用いた上述した処理
を行って後、それを除去し、再度上述した加工用マスク
１２と同様の加工用マスクを形成せんとする場合、その
加工用マスクの上述した目盛用溝条列１０と同様の目盛
用溝条列を、上述した目盛用溝条列１０が形成されてい
る領域以外の領域に形成するとともに、上述した目盛尺
７も、新たに形成された目盛用溝条列の形成されている
領域に形成するを要する。
窓９を用いて、基板１に接する層を形成したり、基板１
に加工を施したりする場合、これと同時に、基板１の目
盛尺１１が形成されている領域において、目盛用溝条列
１１のパターンできば１に接している層が形成されたり
、基板゛１が目盛用溝条列１１のパターンに加工された
りし、よって、加工用マスク１２を用いた上述した処理
を行って後、それを除去し、再度上述した加工用マスク
１２と同様の加工用マスクを形成せんとする場合、その
加工用マスクの上述した目盛用溝条列１０と同様の目盛
用溝条列を、上述した目盛用溝条列１０が形成されてい
る領域以外の領域に形成するとともに、上述した目盛尺
７も、新たに形成された目盛用溝条列の形成されている
領域に形成するを要する。
従って、全体としての目盛尺が、基板１に大なる面積を
占め、従って、基板１の利用率が悪いという欠点を有し
ていた。
占め、従って、基板１の利用率が悪いという欠点を有し
ていた。
問題を解決するための手
よって、本発明は上述した欠点のない、新規なパターン
形成法を提案せんとするものである。
形成法を提案せんとするものである。
本発明によるパターン形成法は、次に述べる順次の工程
をとる。
をとる。
すなわち、第１図〜第６図で上述したと同様に、基板上
に第１のフォトレジスト層を形成する。
に第１のフォトレジスト層を形成する。
次に、第１のフォトレジスト層に対する第１の露光マス
クを用いた露光処理、及びそれに続く現像処理によって
、上記第１のフォトレジスト層から、矩形パターンを有
する複数の第１の目盛用窓がそれらの幅方向に順次第１
のピッチで配列されている第１の目盛用窓列を有するエ
ツチング用マスクを形成する。
クを用いた露光処理、及びそれに続く現像処理によって
、上記第１のフォトレジスト層から、矩形パターンを有
する複数の第１の目盛用窓がそれらの幅方向に順次第１
のピッチで配列されている第１の目盛用窓列を有するエ
ツチング用マスクを形成する。
次に、上記基板に対する上記第１のエツチング用マスク
を用いたエツチング処理によって、上記基板の表面に、
上記第１の目盛用窓列に対応しているパターンを有する
第１の目盛用溝条列でなる第１の目盛尺を形成する。
を用いたエツチング処理によって、上記基板の表面に、
上記第１の目盛用窓列に対応しているパターンを有する
第１の目盛用溝条列でなる第１の目盛尺を形成する。
次に、上記基板上に、上記第１のエツチング用マスクを
除去して後、上記第２のフォト−ジス１一層を形成する
。
除去して後、上記第２のフォト−ジス１一層を形成する
。
次に、上記第２のフォトレジスト層に対する第２の露光
マスクを用いた第２の露光処理、及びそれに続く現像処
理によって、上記第２のフォトレジスト層から、所望の
パターンを有する加工用窓が、上記第１の目盛尺と共働
する第２の目盛尺としての、矩形パターンを有する複数
の第２の目盛用溝条がそれらの幅方向に順次上記第１の
ピッチとは異なる第２のピッチで配列されている第２の
目盛用溝条列とともに形成されている加工用マスクを形
成する。
マスクを用いた第２の露光処理、及びそれに続く現像処
理によって、上記第２のフォトレジスト層から、所望の
パターンを有する加工用窓が、上記第１の目盛尺と共働
する第２の目盛尺としての、矩形パターンを有する複数
の第２の目盛用溝条がそれらの幅方向に順次上記第１の
ピッチとは異なる第２のピッチで配列されている第２の
目盛用溝条列とともに形成されている加工用マスクを形
成する。
しかしながら、本発明によるパターン形成法は、上記第
２の目盛尺を、それを構成している上記第２の目盛用溝
条列の各溝条が、上記基板に達しない深さになるように
形成する。
２の目盛尺を、それを構成している上記第２の目盛用溝
条列の各溝条が、上記基板に達しない深さになるように
形成する。
効 果
このような本発明によれば、上述した従来の欠点を有し
ない。
ない。
実施例
次に、本発明によるパターン形成法の実施例を述べよう
。
。
本発明によるパターン形成法は、第１図／第６図で上述
した従来のパターン形成法において、その第６図で上述
した加工用マスク１２を形成する工程において、その加
工用マスク１２に形成している目盛尺１１としての目盛
用溝条列１０の目盛用溝条列ＣＣ −２’ −１・ＣＯ，Ｃ，・Ｃ ２が、第７図に示すように、基板１に達しない深さで形
成されるように、加工用マスク１２を形成することを除
いて、第１図〜第６図で上述したパターン形成法の場合
と同様である。なお、このためには、フォトレジスト層
８に対する露光処理時に用いる露光マスクの矩形パター
ンの幅を従来の場合に比し狭くすればよいものである。
した従来のパターン形成法において、その第６図で上述
した加工用マスク１２を形成する工程において、その加
工用マスク１２に形成している目盛尺１１としての目盛
用溝条列１０の目盛用溝条列ＣＣ −２’ −１・ＣＯ，Ｃ，・Ｃ ２が、第７図に示すように、基板１に達しない深さで形
成されるように、加工用マスク１２を形成することを除
いて、第１図〜第６図で上述したパターン形成法の場合
と同様である。なお、このためには、フォトレジスト層
８に対する露光処理時に用いる露光マスクの矩形パター
ンの幅を従来の場合に比し狭くすればよいものである。
このような本発明によるパターン形成法によれば、目盛
尺１１としての目盛用溝条列１０の目盛用溝条Ｃ１が、
基板１に達しなくても、目盛尺１１としての作用が航述
した場合と同様に得ることができるとともに、前述した
ように加工用マスク１２と同様の加工用マスクを再度形
成するとき、その場合の目盛尺を、目盛尺１１の県税さ
れている領域に目盛尺７の共働する目盛尺として形成す
ることができる。従って、目盛尺が基板１に占める面積
が大にならない。
尺１１としての目盛用溝条列１０の目盛用溝条Ｃ１が、
基板１に達しなくても、目盛尺１１としての作用が航述
した場合と同様に得ることができるとともに、前述した
ように加工用マスク１２と同様の加工用マスクを再度形
成するとき、その場合の目盛尺を、目盛尺１１の県税さ
れている領域に目盛尺７の共働する目盛尺として形成す
ることができる。従って、目盛尺が基板１に占める面積
が大にならない。
第１図、第２図、第３図Ｂ、第４図、第５図、第６図Ｂ
は、従来のパターン形成法を示す順次の高低における路
線的断面図、第３図Ａ及び第６図へは、第３図Ｂ及び第
６図Ｂの平面図である。 第７図Ａ及びＢは、本発明によるパターン形成法の実施
例を示す路線的平面図及びその断面図である。
は、従来のパターン形成法を示す順次の高低における路
線的断面図、第３図Ａ及び第６図へは、第３図Ｂ及び第
６図Ｂの平面図である。 第７図Ａ及びＢは、本発明によるパターン形成法の実施
例を示す路線的平面図及びその断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に第１のフォトレジスト層を形成する工程と、 上記第１のフォトレジスト層に対する第１の露光マスク
を用いた露光処理、及びそれに続く現像処理によつて、
上記第１のフォトレジスト層から、矩形パターンを有す
る複数の第１の目盛用窓がそれらの幅方向に順次第１の
ピッチで配列されている第１の目盛用窓列を有するエッ
チング用マスクを形成する工程と、 上記基板に対する上記第１のエッチング用マスクを用い
たエッチング処理によって、上記基板の表面に、上記第
１の目盛用窓列に対応しているパターンを有する第１の
目盛用溝条列でなる第１の目盛尺を形成する工程と、 上記基板上に、上記第１のエッチング用マスクを除去し
て後、上記第２のフォトレジスト層を形成する工程と、 上記第２のフォトレジスト層に対する第２の露光マスク
を用いた第２の露光処理、及びそれに続く現像処理によ
つて、上記第２のフォトレジスト層から、所望のパター
ンを有する加工用窓が、上記第１の目盛尺と共働する第
２の目盛尺としての、矩形パターンを有する複数の第２
の目盛用溝条がそれらの幅方向に順次上記第１のピッチ
とは異なる第２のピッチで配列されている第２の目盛用
溝条列とともに形成されている加工用マスクを形成する
工程とを有するパターン形成法において、 上記第２の目盛尺を、それを構成している上記第２の目
盛用溝条列の各溝条が、上記基板に達しない深さになる
ように形成することを特徴とするパターン形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60031255A JPH0612750B2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60031255A JPH0612750B2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | パタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190939A true JPS61190939A (ja) | 1986-08-25 |
| JPH0612750B2 JPH0612750B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=12326245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60031255A Expired - Lifetime JPH0612750B2 (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612750B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0917714A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Nec Corp | アライメント方法およびアライメント誤差検査方法 |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP60031255A patent/JPH0612750B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0917714A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Nec Corp | アライメント方法およびアライメント誤差検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0612750B2 (ja) | 1994-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002528895A (ja) | 表面に格子と少なくとも部分的に凹部形状のオキサイドパターンとを備えているシリコン基体に半導体装置を製造する方法 | |
| US4603473A (en) | Method of fabricating integrated semiconductor circuit | |
| JPH02260441A (ja) | 半導体素子 | |
| JPS61190939A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JP2722563B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS61190940A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPH03209711A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6359540B2 (ja) | ||
| JPS6215854B2 (ja) | ||
| JPH01186624A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS622764Y2 (ja) | ||
| JPS6148708B2 (ja) | ||
| JPH04348034A (ja) | 配線パターンの形成方法 | |
| JPS5914550B2 (ja) | 微細加工方法 | |
| JPH05283393A (ja) | 回折格子パタ―ン溝列形成法 | |
| JP2853471B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS6350039A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005223272A (ja) | 薄膜型チップ抵抗器の製造方法 | |
| JPH08124826A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2811724B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JPS6310889B2 (ja) | ||
| JPS6310890B2 (ja) | ||
| KR0172826B1 (ko) | 반도체소자의 활성영역 형성방법 | |
| JPH03239331A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6341020A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |