JPS6119166A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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Publication number
JPS6119166A
JPS6119166A JP59139924A JP13992484A JPS6119166A JP S6119166 A JPS6119166 A JP S6119166A JP 59139924 A JP59139924 A JP 59139924A JP 13992484 A JP13992484 A JP 13992484A JP S6119166 A JPS6119166 A JP S6119166A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
state imaging
solid
imaging device
photoelectric conversion
conversion element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59139924A
Other languages
English (en)
Inventor
Sumio Terakawa
澄雄 寺川
Toshiyuki Kozono
利幸 小園
Masahiro Susa
匡裕 須佐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP59139924A priority Critical patent/JPS6119166A/ja
Publication of JPS6119166A publication Critical patent/JPS6119166A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors

Landscapes

  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は固体撮像装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点 第１図はＰ−８ｉ基板１上に形成されたＭＯＳ。
ＣＣＤ　、ＣＰＤ等の固体撮像装置のホトダイオード２
を示している。通常高濃度の炉を罪いた帥接合がホトダ
イオードとして利用されている。しかし、固体撮像装置
が小型化、高密度化されるに従って、上述したホトダイ
オードではその分光感度、量子効率において限界があシ
、小形高密度撮像装置でのホトダイオードとして充分な
感度を得る事ができなくなシ、実用上問題であった。
発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、小形高密度固体撮像装置に適
用できる高密度で暗電流の少い固体撮像装置の提供を目
的としている。
発明の構成 本発明はｍ行ｎ列の行列状に配列された光電変換素子部
を備え、前記光電変換素子部が基板と反対導電型の濃度
の異なる２種類以上の不純物層で形成されている事を特
徴とする固体撮像装置である。
実施例の説明 以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。第２図は本発明の一実施例を示すフォトダイオー
ドの構造模式図である。フォトダイオードは２種類の不
純物層１１および１２で形成されている。不純物層１２
はフォトダイオードに印加される所定の電圧において空
乏化されるような低い濃度で形成されている。一方、不
純物層１１は上述の印加電圧においては空乏化されない
高い濃度の不純物層で形成される。不純物層１２の拡散
長は必要な所定の拡散長を得るために大きくする。これ
は不純物層１２の領域での光電変換効率を可能な限シ大
きくするためである。またこの領域は不純物層が空乏化
されているため量子効率の増大が可能となる。高濃度不
純物層１１はなるべく拡散長を短くして入射光に対する
青感度を増大させ、また不純物層１２の空乏層が表面ま
で達して暗電流を増大するのを防ぐ役目も担っている。
尚、第２図で１３はｐ形基板である。
以上述べたように本発明のフォトダイオード構造は従来
構造に比べて、入射光に対する青感度を初めとして各波
長の感度を極めて大きくし、また暗電流の発生を極力少
さくすることができる。
発明の効果 以上の様に本発明は小形高密度化した固体撮像装置にお
いて、光感度を大きくできかつ暗電流を小さくできるこ
とになり、その実用的効果は大なるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の固体撮像装置の光電変換部を示す模式図
、第２図は本発明の一実施例を示す構造模式図である。 １１・・・・・・高濃度不純物層、１２・・・・・・低
濃度不純物層、１３・・・・・−ｐ形基板。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ｍ行ｎ列の行列状に配列された光電変換素子部を
    備えるとともに、前記光電変換素子部が基板と反対導電
    型の濃度の異なる２種類以上の不純物層で形成されてい
    ることを特徴とする固体撮像装置
  2. （２）濃度の異なる２種類以上の不純物層の少くとも一
    種類の不純物層が所定の印加電圧において空乏化するよ
    うな不純物濃度で形成されていることを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載の固体撮像装置
JP59139924A 1984-07-05 1984-07-05 固体撮像装置 Pending JPS6119166A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62222667A (ja) * 1986-03-25 1987-09-30 Sony Corp 固体撮像装置
US8282098B2 (en) 2006-09-06 2012-10-09 Canon Kabushiki Kaisha Sheet stacking apparatus and image forming apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5819080A (ja) * 1981-07-27 1983-02-03 Sony Corp 固体撮像素子

Patent Citations (1)

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