JPS61226745A - 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 - Google Patents
半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物Info
- Publication number
- JPS61226745A JPS61226745A JP6498685A JP6498685A JPS61226745A JP S61226745 A JPS61226745 A JP S61226745A JP 6498685 A JP6498685 A JP 6498685A JP 6498685 A JP6498685 A JP 6498685A JP S61226745 A JPS61226745 A JP S61226745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- meth
- polymer
- resist
- radiation
- acrylate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 16
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 8
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 8
- 239000000178 monomer Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 3
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 abstract 3
- -1 benzoquinonediazide sulfonic acid ester Chemical class 0.000 description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical class [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 4
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxy-2-methylbenzaldehyde Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1C=O ZRYCRPNCXLQHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SESFRYSPDFLNCH-UHFFFAOYSA-N benzyl benzoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OCC1=CC=CC=C1 SESFRYSPDFLNCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- FHBXQJDYHHJCIF-UHFFFAOYSA-N (2,3-diaminophenyl)-phenylmethanone Chemical compound NC1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1N FHBXQJDYHHJCIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJMXUSNWBKGQEZ-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 PJMXUSNWBKGQEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTLXPCBPYBNQNR-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxyanthraquinone Natural products O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2O BTLXPCBPYBNQNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLPUXJIIRIWMSQ-QPJJXVBHSA-N 2-[(e)-3-phenylprop-2-enylidene]propanedioic acid Chemical compound OC(=O)C(C(O)=O)=C\C=C\C1=CC=CC=C1 BLPUXJIIRIWMSQ-QPJJXVBHSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical group OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSQOMIFJKCLCNL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-azidophenyl)-1-phenylprop-2-en-1-one Chemical class [N-]=[N+]=NC1=CC=CC=C1C=CC(=O)C1=CC=CC=C1 NSQOMIFJKCLCNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNDXPKDBFOOQFC-UHFFFAOYSA-N 4-[2-nitro-4-(trifluoromethyl)phenyl]morpholine Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(C(F)(F)F)=CC=C1N1CCOCC1 UNDXPKDBFOOQFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDOYVMSNJBLIM-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylphenol;formaldehyde Chemical compound O=C.CC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 LZDOYVMSNJBLIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N Di-Et ester-Fumaric acid Natural products CCOC(=O)C=CC(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N Diethyl maleate Chemical compound CCOC(=O)\C=C/C(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical group CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical class OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229920001800 Shellac Polymers 0.000 description 1
- 206010040925 Skin striae Diseases 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEEBETSNAGEFCY-UHFFFAOYSA-N [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].O=C1C=CC(=O)C=C1 Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].O=C1C=CC(=O)C=C1 LEEBETSNAGEFCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- SWTCCCJQNPGXLQ-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde di-n-butyl acetal Natural products CCCCOC(C)OCCCC SWTCCCJQNPGXLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- HRBFQSUTUDRTSV-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2,3-triol;propan-2-one Chemical compound CC(C)=O.OC1=CC=CC(O)=C1O HRBFQSUTUDRTSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 229960002903 benzyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- GCFAUZGWPDYAJN-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 3-phenylprop-2-enoate Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC(=O)OC1CCCCC1 GCFAUZGWPDYAJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- LDCRTTXIJACKKU-ARJAWSKDSA-N dimethyl maleate Chemical compound COC(=O)\C=C/C(=O)OC LDCRTTXIJACKKU-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- FHTQCUNSKSWOHF-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;silicon Chemical compound [Si].CCOC(N)=O FHTQCUNSKSWOHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1 SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 235000021190 leftovers Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- XZSZONUJSGDIFI-UHFFFAOYSA-N n-(4-hydroxyphenyl)-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CC(=C)C(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 XZSZONUJSGDIFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POVITWJTUUJBNK-UHFFFAOYSA-N n-(4-hydroxyphenyl)prop-2-enamide Chemical compound OC1=CC=C(NC(=O)C=C)C=C1 POVITWJTUUJBNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000025 natural resin Substances 0.000 description 1
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical class OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N shellac Chemical compound OCCCCCC(O)C(O)CCCCCCCC(O)=O.C1C23[C@H](C(O)=O)CCC2[C@](C)(CO)[C@@H]1C(C(O)=O)=C[C@@H]3O ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N 0.000 description 1
- 239000004208 shellac Substances 0.000 description 1
- 229940113147 shellac Drugs 0.000 description 1
- 235000013874 shellac Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6498685A JPS61226745A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6498685A JPS61226745A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61226745A true JPS61226745A (ja) | 1986-10-08 |
| JPH0558189B2 JPH0558189B2 (de) | 1993-08-25 |
Family
ID=13273883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6498685A Granted JPS61226745A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61226745A (de) |
Cited By (97)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136039A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
| JPS63218949A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| EP1522891A1 (de) | 2003-10-08 | 2005-04-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positiv arbeitende Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP1621931A1 (de) | 2004-07-08 | 2006-02-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Schutzfilm bildende Zusammensetzung für eine Immersionsbelichtung und Strukturausbildungsverfahren mit einer solchen Zusammensetzung |
| EP1628159A2 (de) | 2004-08-18 | 2006-02-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemisch verstärkte Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP1630610A1 (de) | 2004-08-11 | 2006-03-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Schutzfilm bildende Zusammensetzung für die Immersion-Lithographie und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP1635218A2 (de) | 2004-09-14 | 2006-03-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Lichtempfindliche Zusammensetzung, in dieser Zusammensetzung verwendete Verbindung, und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP1637927A1 (de) | 2004-09-02 | 2006-03-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positiv arbeitende Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP1662317A2 (de) | 2004-09-30 | 2006-05-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP1684119A2 (de) | 2005-01-24 | 2006-07-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive Resistzusammensetzung für Immersionsbelichtung und Strukturbildungsverfahren damit |
| EP1684116A2 (de) | 2005-01-24 | 2006-07-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Lichtempfindliche Zusammensetzung, Verbindung zur Verwendung für die lichtempfindliche Zusammensetzung und Strukturbildungsverfahren unter Verwendung der lichtempfindlichen Zusammensetzung |
| EP1688791A2 (de) | 2005-01-28 | 2006-08-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Lichtempfindliche Zusammensetzung, Verbindung zur Verwendung für die lichtempfindliche Zusammensetzung und Strukturbildungsverfahren unter Verwendung der lichtempfindlichen Zusammensetzung |
| EP1693704A2 (de) | 2005-02-02 | 2006-08-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1698937A2 (de) | 2005-03-04 | 2006-09-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positiv arbeitende Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP1701214A1 (de) | 2005-03-11 | 2006-09-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive lichtempfindliche Zusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1703322A2 (de) | 2005-03-17 | 2006-09-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| JP2006274200A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | インク組成物、並びに、これを用いた画像形成方法および記録物 |
| EP1720072A1 (de) | 2005-05-01 | 2006-11-08 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Zusammensetzungen und Verfahren für Immersionslithografie |
| EP1755000A2 (de) | 2005-08-16 | 2007-02-21 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1764647A2 (de) | 2005-08-19 | 2007-03-21 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung für Immersionsbelichtung und Strukturbildungsverfahren damit |
| EP1925979A1 (de) | 2006-11-21 | 2008-05-28 | FUJIFILM Corporation | Positive lichtempfindliche Zusammensetzung, für die positive lichtempfindliche Zusammensetzung verwendete Polymerverbindung, Herstellungsverfahren für die Polymerverbindung und Verfahren zur Musterbildung unter Verwendung der positiven lichtempfindlichen Zusammensetzung |
| EP1939691A2 (de) | 2006-12-25 | 2008-07-02 | FUJIFILM Corporation | Strukturformungsverfahren, in dem Strukturformungsverfahren verwendete Harzzusammensetzung zur mehrfachen Entwicklung, in dem Strukturformungsverfahren verwendeter Entwickler für negative Entwicklung und in dem Strukturformungsverfahren verwendete Spüllösung für negative Entwicklung |
| EP1959300A1 (de) | 2007-02-14 | 2008-08-20 | FUJIFILM Corporation | Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1962139A1 (de) | 2007-02-23 | 2008-08-27 | FUJIFILM Corporation | Negative Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1972641A2 (de) | 2007-03-23 | 2008-09-24 | FUJIFILM Corporation | Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1975716A2 (de) | 2007-03-28 | 2008-10-01 | Fujifilm Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung |
| EP1975714A1 (de) | 2007-03-28 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung |
| EP1975718A2 (de) | 2007-03-26 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Oberflächenbehandlungsmittel und Strukturbildung und Strukturbildungsverfahren mit dem Oberflächenbehandlungsmittel |
| EP1975713A2 (de) | 2007-03-27 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1975712A2 (de) | 2007-03-28 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1975715A2 (de) | 2007-03-30 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1975717A2 (de) | 2007-03-30 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1980911A2 (de) | 2007-04-13 | 2008-10-15 | FUJIFILM Corporation | Strukturformungsverfahren, in dem Strukturformungsverfahren zu verwendende Harzzusammensetzung, in dem Strukturformungsverfahren zu verwendende negative Entwicklungslösung und in dem Strukturformungsverfahren zu verwendende Spüllösung |
| WO2008129964A1 (ja) | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Fujifilm Corporation | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液 |
| EP2003504A2 (de) | 2007-06-12 | 2008-12-17 | FUJIFILM Corporation | Verfahren zur Strukturformung |
| EP2003509A2 (de) | 2007-06-15 | 2008-12-17 | FUJIFILM Corporation | Strukturbildungsverfahren |
| WO2008153155A1 (ja) | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Fujifilm Corporation | パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法 |
| EP2019334A2 (de) | 2005-07-26 | 2009-01-28 | Fujifilm Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP2020616A2 (de) | 2007-08-02 | 2009-02-04 | FUJIFILM Corporation | Resistzusammensetzung für einen Elektronen-, Röntgen- oder EUV-Strahl und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP2020615A1 (de) | 2007-07-30 | 2009-02-04 | FUJIFILM Corporation | Positiv-Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern |
| EP2020617A2 (de) | 2007-08-03 | 2009-02-04 | FUJIFILM Corporation | Resistzusammensetzung mit einer Sulfoniumverbindung, Strukturbildungsverfahren mit der Resistzusammensetzung und Sulfoniumverbindung |
| WO2009022561A1 (ja) | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Fujifilm Corporation | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| EP2034361A2 (de) | 2005-05-23 | 2009-03-11 | Fujifilm Corporation | Lichtempfindliche Zusammensetzung, Verbindung zur Verwendung in der lichtempfindlichen Zusammensetzung und Strukturbildungsverfahren unter Verwendung der lichtempfindlichen Zusammensetzung |
| EP2040122A2 (de) | 2005-09-13 | 2009-03-25 | Fujifilm Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| WO2009038148A1 (ja) | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Fujifilm Corporation | 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物 |
| EP2042925A2 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-01 | FUJIFILM Corporation | Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP2062950A2 (de) | 2007-11-14 | 2009-05-27 | FUJIFILM Corporation | Deckschichtzusammensetzung, Alkali-entwicklerlösliche Deckschichtfolie mit der Zusammensetzung und Musterbildungsverfahren mit Hilfe damit |
| EP2090932A1 (de) | 2008-02-13 | 2009-08-19 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung zur Verwendung mit Elektronen-, Röntgen- oder EUV-Strahlen und Verfahren zur Strukturformung, der diese Zusammensetzung verwendet |
| EP2105440A2 (de) | 2008-03-26 | 2009-09-30 | FUJIFILM Corporation | Gegen aktinische Strahlung empfindliche oder strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung, Strukturbildungsverfahren damit, polymerisierbare Verbindung und durch Polymerisierung der polymerisierbaren Verbindung erhaltene Polymerverbindung |
| EP2141183A1 (de) | 2008-06-30 | 2010-01-06 | Fujifilm Corporation | Gegen aktinische Strahlen empfindliche oder strahlungsempfindliche Zusammensetzung und Strukturbildungsverfahren damit |
| EP2141544A1 (de) | 2008-06-30 | 2010-01-06 | Fujifilm Corporation | Lichtempfindliche Zusammensetzung und Strukturbildungsverfahren, das diese Zusammensetzung einsetzt |
| EP2143711A1 (de) | 2008-07-09 | 2010-01-13 | Fujifilm Corporation | Gegenüber aktinischer Strahlung empfindliche bzw. strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung und Strukturbildungsverfahren damit |
| EP2145931A1 (de) | 2008-07-16 | 2010-01-20 | Fujifilm Corporation | Lichthärtbare Zusammensetzung, Tintenzusammensetzung und Tintenstrahlaufzeichnungsverfahren mit der Tintenzusammensetzung |
| WO2010035894A1 (en) | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition for immersion exposure and pattern forming method |
| WO2010067905A2 (en) | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same |
| WO2010067898A2 (en) | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the composition |
| WO2010114107A1 (en) | 2009-03-31 | 2010-10-07 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same |
| EP2278399A2 (de) | 2002-05-31 | 2011-01-26 | Fujifilm Corporation | Positiv arbeitende Resistzusammensetzung |
| EP2296040A1 (de) | 2001-07-05 | 2011-03-16 | Fujifilm Corporation | Positivphotoresistzusammensetzung |
| EP2375285A2 (de) | 2004-02-05 | 2011-10-12 | FUJIFILM Corporation | Lichtempfindliche Zusammensetzung und Strukturierungsverfahren mit der lichtempfindlichen Zusammensetzung |
| EP2447773A1 (de) | 2010-11-02 | 2012-05-02 | Fujifilm Corporation | Lichtempfindliche Harzzusammensetzung, Musterherstellungsverfahren, MEMS-Struktur, Verfahren zur Herstellung der Struktur, Verfahren zum Trockenätzen, Verfahren zum Nassätzen, MEMS-Blendenvorrichtung und Bildanzeigevorrichtung |
| EP2477073A1 (de) | 2002-02-13 | 2012-07-18 | Fujifilm Corporation | Resistzusammensetzung für einen Elektronen-, EUV- oder Röntgen-Strahlen |
| EP2498133A2 (de) | 2011-03-11 | 2012-09-12 | Fujifilm Corporation | Resiststruktur, Verfahren zur Herstellung des Strukturs, Verfahren zur Herstellung einer MEMS-Struktur, Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, und Verfahren zur Herstellung eines plattierten Strukturs |
| WO2013073583A1 (ja) | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法 |
| WO2013073582A1 (ja) | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法 |
| WO2014061710A1 (ja) | 2012-10-17 | 2014-04-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト組成物 |
| WO2014069245A1 (ja) | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
| WO2014123032A1 (ja) | 2013-02-08 | 2014-08-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法及びそれに用いるポリフェノール誘導体 |
| WO2014196425A1 (ja) | 2013-06-07 | 2014-12-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト組成物 |
| WO2015025949A1 (ja) | 2013-08-23 | 2015-02-26 | 富士フイルム株式会社 | 積層体 |
| WO2015064602A1 (ja) | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 富士フイルム株式会社 | 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物 |
| WO2015116657A1 (en) | 2014-01-31 | 2015-08-06 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Novel polyimide compositions |
| EP3051350A2 (de) | 2011-08-12 | 2016-08-03 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Alkoholische verbindung und verfahren zur herstellung einer alkoholischen verbindung |
| WO2016172089A1 (en) | 2015-04-21 | 2016-10-27 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Photosensitive polyimide compositions |
| WO2017023677A1 (en) | 2015-08-03 | 2017-02-09 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning composition |
| WO2018062408A1 (ja) | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 積層体および半導体素子の製造方法 |
| WO2018080870A1 (en) | 2016-10-25 | 2018-05-03 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polyimides |
| WO2018093827A1 (en) | 2016-11-17 | 2018-05-24 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Stripping process |
| WO2018155495A1 (ja) | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、パターン形成方法及び精製方法 |
| WO2018181882A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 学校法人関西大学 | レジスト組成物及びそれを用いるパターン形成方法、並びに、化合物及び樹脂 |
| WO2018181872A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 学校法人関西大学 | 化合物、化合物を含むレジスト組成物及びそれを用いるパターン形成方法 |
| WO2019004142A1 (ja) | 2017-06-28 | 2019-01-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、光学部品形成用材料、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、レジスト用永久膜、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法及び回路パターン形成方法 |
| WO2019050566A1 (en) | 2017-09-11 | 2019-03-14 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | DIELECTRIC FILMOGENEOUS COMPOSITION |
| WO2019066000A1 (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 学校法人関西大学 | リソグラフィー用組成物、パターン形成方法、及び化合物 |
| WO2019098338A1 (ja) | 2017-11-20 | 2019-05-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用膜、レジストパターン形成方法、及び回路パターン形成方法 |
| WO2019142897A1 (ja) | 2018-01-22 | 2019-07-25 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法 |
| WO2019151403A1 (ja) | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 組成物、並びに、レジストパターンの形成方法及び絶縁膜の形成方法 |
| WO2019151400A1 (ja) | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び樹脂の精製方法 |
| EP3537217A2 (de) | 2005-12-09 | 2019-09-11 | FUJIFILM Corporation | Positive resistzusammensetzung, für die positive resistzusammensetzung verwendetes harz, für die synthese des harzes verwendete verbindung und musterformungsverfahren mit verwendung positiven resistzusammensetzung |
| WO2020040162A1 (ja) | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、及びそれを含む組成物、並びに、レジストパターンの形成方法及び絶縁膜の形成方法 |
| WO2021065450A1 (ja) | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| WO2021146033A1 (en) | 2020-01-16 | 2021-07-22 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Dry film |
| WO2021200056A1 (ja) | 2020-03-30 | 2021-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、フォトマスク製造用感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びフォトマスクの製造方法 |
| WO2021200179A1 (ja) | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| WO2022045278A1 (ja) | 2020-08-27 | 2022-03-03 | 富士フイルム株式会社 | 加工された基材の製造方法、半導体素子の製造方法、及び、仮接着剤層形成用組成物 |
| WO2022050313A1 (ja) | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 富士フイルム株式会社 | 有機層パターンの製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
| US11721543B2 (en) | 2019-10-04 | 2023-08-08 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Planarizing process and composition |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54135004A (en) * | 1978-04-10 | 1979-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive flat printing plate |
| JPS5740249A (en) * | 1980-06-14 | 1982-03-05 | Hoechst Ag | Photographic copying material and method of coating photosensitive copying layer on support |
| JPS585734A (ja) * | 1981-06-01 | 1983-01-13 | Daikin Ind Ltd | 基板上にパタ−ンが形成されたレジスト被膜を製造する方法 |
| JPS58105143A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-22 | Kanto Kagaku Kk | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS59137943A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-08 | W R Gureesu:Kk | 感光性樹脂組成物 |
| JPS59155836A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性組成物 |
-
1985
- 1985-03-30 JP JP6498685A patent/JPS61226745A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54135004A (en) * | 1978-04-10 | 1979-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive flat printing plate |
| JPS5740249A (en) * | 1980-06-14 | 1982-03-05 | Hoechst Ag | Photographic copying material and method of coating photosensitive copying layer on support |
| JPS585734A (ja) * | 1981-06-01 | 1983-01-13 | Daikin Ind Ltd | 基板上にパタ−ンが形成されたレジスト被膜を製造する方法 |
| JPS58105143A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-22 | Kanto Kagaku Kk | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS59137943A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-08 | W R Gureesu:Kk | 感光性樹脂組成物 |
| JPS59155836A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性組成物 |
Cited By (108)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63136039A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
| JPS63218949A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| EP2296040A1 (de) | 2001-07-05 | 2011-03-16 | Fujifilm Corporation | Positivphotoresistzusammensetzung |
| EP2296039A1 (de) | 2001-07-05 | 2011-03-16 | Fujifilm Corporation | Positivphotoresistzusammensetzung |
| EP2477073A1 (de) | 2002-02-13 | 2012-07-18 | Fujifilm Corporation | Resistzusammensetzung für einen Elektronen-, EUV- oder Röntgen-Strahlen |
| EP2278399A2 (de) | 2002-05-31 | 2011-01-26 | Fujifilm Corporation | Positiv arbeitende Resistzusammensetzung |
| EP2278398A2 (de) | 2002-05-31 | 2011-01-26 | Fujifilm Corporation | Positiv arbeitende Resistzusammensetzung |
| EP1522891A1 (de) | 2003-10-08 | 2005-04-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positiv arbeitende Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP2375285A2 (de) | 2004-02-05 | 2011-10-12 | FUJIFILM Corporation | Lichtempfindliche Zusammensetzung und Strukturierungsverfahren mit der lichtempfindlichen Zusammensetzung |
| EP1621931A1 (de) | 2004-07-08 | 2006-02-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Schutzfilm bildende Zusammensetzung für eine Immersionsbelichtung und Strukturausbildungsverfahren mit einer solchen Zusammensetzung |
| EP1630610A1 (de) | 2004-08-11 | 2006-03-01 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Schutzfilm bildende Zusammensetzung für die Immersion-Lithographie und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP1628159A2 (de) | 2004-08-18 | 2006-02-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Chemisch verstärkte Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP2031445A2 (de) | 2004-08-18 | 2009-03-04 | FUJIFILM Corporation | Chemisch verstärkte Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1637927A1 (de) | 2004-09-02 | 2006-03-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positiv arbeitende Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP1635218A2 (de) | 2004-09-14 | 2006-03-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Lichtempfindliche Zusammensetzung, in dieser Zusammensetzung verwendete Verbindung, und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP1662317A2 (de) | 2004-09-30 | 2006-05-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP1684119A2 (de) | 2005-01-24 | 2006-07-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive Resistzusammensetzung für Immersionsbelichtung und Strukturbildungsverfahren damit |
| EP1684116A2 (de) | 2005-01-24 | 2006-07-26 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Lichtempfindliche Zusammensetzung, Verbindung zur Verwendung für die lichtempfindliche Zusammensetzung und Strukturbildungsverfahren unter Verwendung der lichtempfindlichen Zusammensetzung |
| EP1688791A2 (de) | 2005-01-28 | 2006-08-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Lichtempfindliche Zusammensetzung, Verbindung zur Verwendung für die lichtempfindliche Zusammensetzung und Strukturbildungsverfahren unter Verwendung der lichtempfindlichen Zusammensetzung |
| EP1693704A2 (de) | 2005-02-02 | 2006-08-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1698937A2 (de) | 2005-03-04 | 2006-09-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positiv arbeitende Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung |
| EP1701214A1 (de) | 2005-03-11 | 2006-09-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive lichtempfindliche Zusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1703322A2 (de) | 2005-03-17 | 2006-09-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| JP2006274200A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | インク組成物、並びに、これを用いた画像形成方法および記録物 |
| EP1720072A1 (de) | 2005-05-01 | 2006-11-08 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Zusammensetzungen und Verfahren für Immersionslithografie |
| EP2034361A2 (de) | 2005-05-23 | 2009-03-11 | Fujifilm Corporation | Lichtempfindliche Zusammensetzung, Verbindung zur Verwendung in der lichtempfindlichen Zusammensetzung und Strukturbildungsverfahren unter Verwendung der lichtempfindlichen Zusammensetzung |
| EP2020618A2 (de) | 2005-07-26 | 2009-02-04 | Fujifilm Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP2019334A2 (de) | 2005-07-26 | 2009-01-28 | Fujifilm Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1755000A2 (de) | 2005-08-16 | 2007-02-21 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1764647A2 (de) | 2005-08-19 | 2007-03-21 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung für Immersionsbelichtung und Strukturbildungsverfahren damit |
| EP2040122A2 (de) | 2005-09-13 | 2009-03-25 | Fujifilm Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP3537217A2 (de) | 2005-12-09 | 2019-09-11 | FUJIFILM Corporation | Positive resistzusammensetzung, für die positive resistzusammensetzung verwendetes harz, für die synthese des harzes verwendete verbindung und musterformungsverfahren mit verwendung positiven resistzusammensetzung |
| EP1925979A1 (de) | 2006-11-21 | 2008-05-28 | FUJIFILM Corporation | Positive lichtempfindliche Zusammensetzung, für die positive lichtempfindliche Zusammensetzung verwendete Polymerverbindung, Herstellungsverfahren für die Polymerverbindung und Verfahren zur Musterbildung unter Verwendung der positiven lichtempfindlichen Zusammensetzung |
| EP2413194A2 (de) | 2006-12-25 | 2012-02-01 | Fujifilm Corporation | Strukturbildungsverfahren |
| EP2535771A1 (de) | 2006-12-25 | 2012-12-19 | Fujifilm Corporation | Strukturbildungsverfahren |
| EP1939691A2 (de) | 2006-12-25 | 2008-07-02 | FUJIFILM Corporation | Strukturformungsverfahren, in dem Strukturformungsverfahren verwendete Harzzusammensetzung zur mehrfachen Entwicklung, in dem Strukturformungsverfahren verwendeter Entwickler für negative Entwicklung und in dem Strukturformungsverfahren verwendete Spüllösung für negative Entwicklung |
| EP2413195A2 (de) | 2006-12-25 | 2012-02-01 | Fujifilm Corporation | Strukturbildungsverfahren |
| EP1959300A1 (de) | 2007-02-14 | 2008-08-20 | FUJIFILM Corporation | Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1962139A1 (de) | 2007-02-23 | 2008-08-27 | FUJIFILM Corporation | Negative Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1972641A2 (de) | 2007-03-23 | 2008-09-24 | FUJIFILM Corporation | Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1975718A2 (de) | 2007-03-26 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Oberflächenbehandlungsmittel und Strukturbildung und Strukturbildungsverfahren mit dem Oberflächenbehandlungsmittel |
| EP1975713A2 (de) | 2007-03-27 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1975712A2 (de) | 2007-03-28 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1975716A2 (de) | 2007-03-28 | 2008-10-01 | Fujifilm Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung |
| EP1975714A1 (de) | 2007-03-28 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung |
| EP1975715A2 (de) | 2007-03-30 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1975717A2 (de) | 2007-03-30 | 2008-10-01 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP1980911A2 (de) | 2007-04-13 | 2008-10-15 | FUJIFILM Corporation | Strukturformungsverfahren, in dem Strukturformungsverfahren zu verwendende Harzzusammensetzung, in dem Strukturformungsverfahren zu verwendende negative Entwicklungslösung und in dem Strukturformungsverfahren zu verwendende Spüllösung |
| WO2008129964A1 (ja) | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Fujifilm Corporation | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液 |
| EP2579098A1 (de) | 2007-06-12 | 2013-04-10 | Fujifilm Corporation | Verfahren zur Strukturformung |
| EP2003504A2 (de) | 2007-06-12 | 2008-12-17 | FUJIFILM Corporation | Verfahren zur Strukturformung |
| EP2003509A2 (de) | 2007-06-15 | 2008-12-17 | FUJIFILM Corporation | Strukturbildungsverfahren |
| WO2008153155A1 (ja) | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Fujifilm Corporation | パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法 |
| EP2020615A1 (de) | 2007-07-30 | 2009-02-04 | FUJIFILM Corporation | Positiv-Resistzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung von Mustern |
| EP2020616A2 (de) | 2007-08-02 | 2009-02-04 | FUJIFILM Corporation | Resistzusammensetzung für einen Elektronen-, Röntgen- oder EUV-Strahl und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP2020617A2 (de) | 2007-08-03 | 2009-02-04 | FUJIFILM Corporation | Resistzusammensetzung mit einer Sulfoniumverbindung, Strukturbildungsverfahren mit der Resistzusammensetzung und Sulfoniumverbindung |
| WO2009022561A1 (ja) | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Fujifilm Corporation | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
| WO2009038148A1 (ja) | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Fujifilm Corporation | 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物 |
| EP2426154A1 (de) | 2007-09-21 | 2012-03-07 | Fujifilm Corporation | Lichtempfindliche Zusammensetzung, Strukturbildungsverfahren unter Verwendung der lichtempfindlichen Zusammensetzung und Verbindung zur Verwendung für die lichtempfindliche Zusammensetzung |
| EP2042925A2 (de) | 2007-09-28 | 2009-04-01 | FUJIFILM Corporation | Resistzusammensetzung und Verfahren zur Strukturformung damit |
| EP2062950A2 (de) | 2007-11-14 | 2009-05-27 | FUJIFILM Corporation | Deckschichtzusammensetzung, Alkali-entwicklerlösliche Deckschichtfolie mit der Zusammensetzung und Musterbildungsverfahren mit Hilfe damit |
| EP2090932A1 (de) | 2008-02-13 | 2009-08-19 | FUJIFILM Corporation | Positive Resistzusammensetzung zur Verwendung mit Elektronen-, Röntgen- oder EUV-Strahlen und Verfahren zur Strukturformung, der diese Zusammensetzung verwendet |
| EP2105440A2 (de) | 2008-03-26 | 2009-09-30 | FUJIFILM Corporation | Gegen aktinische Strahlung empfindliche oder strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung, Strukturbildungsverfahren damit, polymerisierbare Verbindung und durch Polymerisierung der polymerisierbaren Verbindung erhaltene Polymerverbindung |
| EP2468742A1 (de) | 2008-03-26 | 2012-06-27 | Fujifilm Corporation | Gegen aktinische Strahlung empfindliche oder strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung, Strukturbildungsverfahren damit, polymerisierbare Verbindung und durch Polymerisierung der polymerisierbaren Verbindung erhaltene Polymerverbindung |
| EP2141544A1 (de) | 2008-06-30 | 2010-01-06 | Fujifilm Corporation | Lichtempfindliche Zusammensetzung und Strukturbildungsverfahren, das diese Zusammensetzung einsetzt |
| EP2141183A1 (de) | 2008-06-30 | 2010-01-06 | Fujifilm Corporation | Gegen aktinische Strahlen empfindliche oder strahlungsempfindliche Zusammensetzung und Strukturbildungsverfahren damit |
| EP2143711A1 (de) | 2008-07-09 | 2010-01-13 | Fujifilm Corporation | Gegenüber aktinischer Strahlung empfindliche bzw. strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung und Strukturbildungsverfahren damit |
| EP2145931A1 (de) | 2008-07-16 | 2010-01-20 | Fujifilm Corporation | Lichthärtbare Zusammensetzung, Tintenzusammensetzung und Tintenstrahlaufzeichnungsverfahren mit der Tintenzusammensetzung |
| WO2010035894A1 (en) | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Fujifilm Corporation | Positive resist composition for immersion exposure and pattern forming method |
| WO2010067898A2 (en) | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the composition |
| WO2010067905A2 (en) | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same |
| WO2010114107A1 (en) | 2009-03-31 | 2010-10-07 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same |
| EP2447773A1 (de) | 2010-11-02 | 2012-05-02 | Fujifilm Corporation | Lichtempfindliche Harzzusammensetzung, Musterherstellungsverfahren, MEMS-Struktur, Verfahren zur Herstellung der Struktur, Verfahren zum Trockenätzen, Verfahren zum Nassätzen, MEMS-Blendenvorrichtung und Bildanzeigevorrichtung |
| EP2498133A2 (de) | 2011-03-11 | 2012-09-12 | Fujifilm Corporation | Resiststruktur, Verfahren zur Herstellung des Strukturs, Verfahren zur Herstellung einer MEMS-Struktur, Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, und Verfahren zur Herstellung eines plattierten Strukturs |
| EP3051350A2 (de) | 2011-08-12 | 2016-08-03 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Alkoholische verbindung und verfahren zur herstellung einer alkoholischen verbindung |
| EP3062151A1 (de) | 2011-08-12 | 2016-08-31 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resistzusammensetzung, verfahren zur herstellung einer resiststruktur, polyphenolische verbindung zur verwendung in dieser zusammensetzung und alkoholische verbindungen daraus |
| WO2013073583A1 (ja) | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法 |
| WO2013073582A1 (ja) | 2011-11-18 | 2013-05-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法 |
| WO2014061710A1 (ja) | 2012-10-17 | 2014-04-24 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト組成物 |
| WO2014069245A1 (ja) | 2012-10-31 | 2014-05-08 | 富士フイルム株式会社 | 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス |
| WO2014123032A1 (ja) | 2013-02-08 | 2014-08-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法及びそれに用いるポリフェノール誘導体 |
| WO2014196425A1 (ja) | 2013-06-07 | 2014-12-11 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト組成物 |
| WO2015025949A1 (ja) | 2013-08-23 | 2015-02-26 | 富士フイルム株式会社 | 積層体 |
| WO2015064602A1 (ja) | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 富士フイルム株式会社 | 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物 |
| WO2015116657A1 (en) | 2014-01-31 | 2015-08-06 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Novel polyimide compositions |
| WO2016172089A1 (en) | 2015-04-21 | 2016-10-27 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Photosensitive polyimide compositions |
| WO2017023677A1 (en) | 2015-08-03 | 2017-02-09 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Cleaning composition |
| WO2018062408A1 (ja) | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 富士フイルム株式会社 | 積層体および半導体素子の製造方法 |
| WO2018080870A1 (en) | 2016-10-25 | 2018-05-03 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Polyimides |
| WO2018093827A1 (en) | 2016-11-17 | 2018-05-24 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Stripping process |
| WO2018155495A1 (ja) | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、パターン形成方法及び精製方法 |
| WO2018181882A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 学校法人関西大学 | レジスト組成物及びそれを用いるパターン形成方法、並びに、化合物及び樹脂 |
| WO2018181872A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 学校法人関西大学 | 化合物、化合物を含むレジスト組成物及びそれを用いるパターン形成方法 |
| WO2019004142A1 (ja) | 2017-06-28 | 2019-01-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 膜形成材料、リソグラフィー用膜形成用組成物、光学部品形成用材料、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、レジスト用永久膜、感放射線性組成物、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜の製造方法及び回路パターン形成方法 |
| WO2019050566A1 (en) | 2017-09-11 | 2019-03-14 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | DIELECTRIC FILMOGENEOUS COMPOSITION |
| WO2019066000A1 (ja) | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 学校法人関西大学 | リソグラフィー用組成物、パターン形成方法、及び化合物 |
| WO2019098338A1 (ja) | 2017-11-20 | 2019-05-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | リソグラフィー用膜形成用組成物、リソグラフィー用膜、レジストパターン形成方法、及び回路パターン形成方法 |
| WO2019142897A1 (ja) | 2018-01-22 | 2019-07-25 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法 |
| WO2019151400A1 (ja) | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法及び樹脂の精製方法 |
| WO2019151403A1 (ja) | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 組成物、並びに、レジストパターンの形成方法及び絶縁膜の形成方法 |
| WO2020040162A1 (ja) | 2018-08-24 | 2020-02-27 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 化合物、及びそれを含む組成物、並びに、レジストパターンの形成方法及び絶縁膜の形成方法 |
| WO2021065450A1 (ja) | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| US11721543B2 (en) | 2019-10-04 | 2023-08-08 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Planarizing process and composition |
| WO2021146033A1 (en) | 2020-01-16 | 2021-07-22 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Dry film |
| WO2021200056A1 (ja) | 2020-03-30 | 2021-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、フォトマスク製造用感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びフォトマスクの製造方法 |
| WO2021200179A1 (ja) | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| WO2022045278A1 (ja) | 2020-08-27 | 2022-03-03 | 富士フイルム株式会社 | 加工された基材の製造方法、半導体素子の製造方法、及び、仮接着剤層形成用組成物 |
| WO2022050313A1 (ja) | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 富士フイルム株式会社 | 有機層パターンの製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558189B2 (de) | 1993-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61226746A (ja) | 半導体集積回路製造用のスピンコート用レジスト組成物 | |
| JPH0558189B2 (de) | ||
| US4725523A (en) | Positive photosensitive compositions with 1,2-naphthoquinone diazide and novolak resin prepared from α-naphthol and p-cresol | |
| JP3112229B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| US4550069A (en) | Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate | |
| EP0126266B1 (de) | Positive Photolackzusammensetzung mit geringer Streifenbildung | |
| JPH095988A (ja) | 感放射線性塗布組成物 | |
| KR101605451B1 (ko) | 노볼락 수지 블렌드를 포함하는 포토레지스트 | |
| JPS6334540A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JPS6236657A (ja) | 半導体微細加工用レジスト組成物 | |
| US5612164A (en) | Positive photoresist composition comprising a mixed ester of trishydroxyphenyl ethane and a mixed ester of trihydroxybenzophenone | |
| US20060008728A1 (en) | Photoresist composition | |
| JP2005507509A (ja) | 液晶表示装置回路用ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP3376222B2 (ja) | 放射線感応性組成物 | |
| KR100754232B1 (ko) | 롤 피복용 감광성 수지 조성물 및 롤 피복 방법 | |
| JPS59155836A (ja) | 感光性組成物 | |
| JP3640290B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト塗布液及びそれを用いた表示素子用基材 | |
| KR102614832B1 (ko) | 감광성 조성물 | |
| JP2000292919A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP2015215449A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、この樹脂組成物を用いた撥インク性バンク膜の形成方法、バンク膜を備える有機el用表示装置 | |
| JPH06116329A (ja) | 化学的に改質されたヒドロキシスチレンポリマー樹脂及び光活性レジスト組成物中でのそれらの使用 | |
| KR100636568B1 (ko) | 토출노즐식 도포법용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및레지스트 패턴의 형성방법 | |
| KR20070108715A (ko) | 포토레지스트 조성물 | |
| US6447975B1 (en) | Composition for positive type photoresist | |
| JP3640638B2 (ja) | 液晶表示素子製造用レジストパターンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |