JPS61238065A

JPS61238065A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS61238065A
Application number: JP60078443A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Shirai; 茂白井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-04-15
Filing date: 1985-04-15
Publication date: 1986-10-23
Anticipated expiration: 2011-09-18
Also published as: JP2536732B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、光（ここでは広義の光であって、紫外線、可
視光線、赤外縁、Ｘ線、ｒ線等ン意味する。）のような
電磁波に対して感受性のある光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原桶読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ）　］が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性に適合した吸収スペクトル特性ン有すること、
光応答性が速く、所望の暗抵抗値ン有すること、使用時
において人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理する
ことができること吟の特性が要求される。殊に、事務機
としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込まれ
る電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時にお
ける無公害性はｙＩＬ要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光受容部材に
アモルファスシリコン（以後ｒａ−８ｉＪと表記する。

）があり、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、
同第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材と
しての使用、また、独国公開第２９３３４１１号公報に
は光電変換読取装置への応用が記載されている。

しかしながら、従来のａ−８１で構成され良光受容層乞
有する光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の
電気的、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の点
、更には経時的安定性及び耐久性の点において、各々、
個々には特性の向上が計られているが、総合的な特性向
上ン計る上で更に改良される余地が多々存在するのが実
情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に針ろうとすると、従来法で
はその使用時において残留電位が残る場合が度々観測さ
れ、この種の光受容部材は長時間繰返し使用し続けると
、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生ずる
所謂コ゛−スト現象を発する様になる等の不都合な点が
少なくなかった。

又、ａ−８ｉ材料で光受容層を構成する場合には、その
電気的、光導電的特性の改良ン計るために、水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気伝
導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその他
の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として光
受容層中に含有されるが、これ等の構成皿子の含有の仕
方如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や電気的耐圧性に問題が生ずる場合がめった。

即ち、例えば、形成した光受容層中に光照射にＬって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや、暗部における支持体側よりの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
に「臼ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる画像欠陥や、クリーニングにブレードを用い
るとその摺擦にＬると思われる、俗に「日スソ」と云わ
れ七いる画像欠陥が生じたりしていた。又、多湿雰囲気
中で使用したり、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した
直後に使用すると俗に云う画像のざケが生ずる場合が少
なくなかった。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象ン引起しがちになる。この現象は、殊に
支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されているド
ラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に
於いて解決されるべき問題がいくつがある。

促ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光受容部拐を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、ａ−８１で構成された光受容層を有する光受
容部材について上述の諸問題Ｚ解決することン目的とす
るものである。

すなわち、本発明の王たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全くか又は殆んど観測されない、ａ−８１で構成
された光受容ＪｉＹｍする光受容部材を提供することに
ある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
８ｉで構成された光受容層乞有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、電子写真用像形成部材として
適用させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電
荷保持能力が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効
に適用され得る優れた電子写真特性乞有する、ａ−８ｉ
で構成された光受容層、χ有する光受容部材を提供する
ことにある。

本発明の別の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥や画
像のＭヶが全くなく、濃度が高く、−〜−７トーンが鮮
明に出て且つ解像度の高い、高品質画像ケ得ることが容
易にできる電子写真用のａ−８１で構成された光受容層
を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性乞有する、ａ−８ｉで構成された光受
容層χ有する光受容部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明は、上述の目的Ｘ達成するものであって、電子写
真用像形成部材や固体像像装置、読取装置等に使用され
る光受容部材としてのａ−８１の鯛品成立性、適用性、
応用性等の事項を含めて総括的に鋭意研究を続けた結果
、シリコンを母体とする非晶質材料、特にシリコン原子
を母体とし、水素原子（１１）又は−・ロゲン原子（Ｘ
）の少なくともいずれか一方を含有するアモルファス材
料、いわゆる水素化アモルファスシリコン、ハロゲン化
アモルファスシリコン、するいはハロゲン含有水素化ア
モルファスシリコン〔以下、ｌ　ａ−８ｉ（）１．Ｘ）
　Ｊと表記する。〕で光受容層ン構成し、かつ以下に記
載するような特定の構成成分を含有せしめた二層構造の
ものとした光受容部材が、実用上著しく優れた特性ン示
すばかりでなく、従来の光受容部材と比較してもあらゆ
る点において優れており、特に電子写真用の光受容部材
として著しく優れた特性を有しているという事実ン見い
出したことに基づいて、充放せしめたものである。即ち
、本発明の光受容部材は、支持体と、シリコン原子を母
体とする非晶質材料で構成され、伝導性乞制御する物質
を含有することもある光導電性χ有する第一の層と、シ
リコン原子を母体とし炭素原子及び伝導性乞制御する物
質χ含有する非晶質材料で構成される第二の層とｔ積層
してなる光受容層とからなり、少くとも前記第一の層と
前記第二の層のいずれか一方が、全層領域もしくは一部
の層領域に窒素原子を均一に分布した状態で含有してい
ること？特徴としており、さらに必要に応じて、少くと
も前記第一の層および前記第二の層のいずれか一方が、
全層領域もしくは一部の層領域に酸素原子を均一に分布
した状態で含有していることを特徴とするものである。

前記第一の層を構成するシリコン原子ン母体とする非晶
質材料としては、％にシリコン原子（８１）Ｙ母体とし
、水素原子（Ｈ）又はノ・ロゲン原子（Ｘ）の少なくと
もいずれか一方ン含有するアモルファス材料、即ちａ−
８ｉ　（Ｈ、Ｘ）が用いられる。前記第二の層χ構成す
るシリコン原子χ母体とし炭素原子及び伝導性を制御す
る物質馨含石する非晶質材料としては、特に、シリコン
原子（Ｓｉ）Ｙ母体とし、炭素原子（りと、伝導性Ｙ制
御する物’Ｊ［（Ｍ）と、水素原子（Ｅ）又は・−ロゲ
ン原子（Ｘ）の少なくともいずれか一方と７含有するア
モルファス材料〔以下、ｒ　ａ−８ｉＣＭ（Ｈ，Ｘ）Ｊ
（但し、Ｍは伝導性を制御する物質を表わす。）と表記
する。〕が用いられる。

前記伝導性ン制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、ｎ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律表
第■族に属する原子（以下単に「第Ｖ族原子」と称す）
ｙ！−用いる。具体的には、第■族原子としてはＢ（硼
素）、Ａｔ（アルミニウム）、Ｇａ　（ガリウム）、Ｉ
ｎ　（インジウム）、Ｔｔ（タリウム）等が挙げられる
が、特に好ましいものは、ＢＸ　Ｇａである。

また、第Ｖ族原子トシテｒｒｓ、Ｐ　（＊）、Ａｓ　（
砒素）、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等が
挙げられるが、特に好ましいものは、Ｐ、Ａｓである。

第一の層に含有せしめる伝導性を制御する物質と、第二
の層に含有せしめる伝導性を制御する物質とは、同じで
あっても、或いは、異なっていてもよい。これらの伝導
性を制御する物ＪＸは、第一の層についてはその全層領
域中又は一部の層領域中に均一な分布状態で含有せしめ
、第二の層についてはその全層領域中に均一な分布状態
で含有せしめる。ところで、前記第二の層を構成するア
モルファス材料に炭素原子を構造的に導入せしめる目的
は、耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用
環境特性、および耐久性等を向上せしめることにある。

また、前記第一の層の全層領域、第一の膚の一部の層領
域、第二の層の全層領域、りいずれかに窒素原子を含有
せしめる目的は、高光感度化と高暗抵抗化、更には、支
持体と第一の層の間の、または第一の層と第二の層の間
の、密着性の改善等をはかることにあり、第一の層に含
有せしめるについては第一の層の全層領域に均一な分布
状態で含有せしめてもよいし、或いを工、第一の層の一
部の層領域のみに均一な分布状態で含有せしめても工い
。

さらに、窒素原子ン含有せしめる場合と同一の目的で、
あるいは窒素原子乞含有せしめることによって得られる
効果ケ助長させる目的で、酸素原子ン第一の層および第
二の層の少なくともいずれか一方に含有せしめることも
できる。

そして第一の層に酸素原子を含有せしめるについては、
第一の層の全層領域に均一な分布状態で含有せしめても
工いし、或いは第一の層の一部の層領域のみに均一な分
布状態で含有せしめてもよい。そして、いずれの場合も
第一の層のｆＲ素原子を含有せしめる層領域と、前述の
第一の層の窒素原子χ含有せしめる層領域とは同じであ
っても、異なっていても、あるいは互いに一部が重なり
合うようになってもよい。

以下、図面により本発明の光受容部材についてより詳し
く説明する。第１〜４図は、本発明の光受容部材の層構
成を説明するための模式図であり、各図において１００
は光受容部材、１０１は支持体、１０２は第一の肩、１
０３は第二の層、１０４は自由表面、１０５〜１０９は
層領域を示す。

支持体本発明に用いる支持体１０１は、導電性のものであって
も、また電゛気絶縁性のものであってもよい。導電性支
持体としては、例えば、ＮｌＣｒ。

ステンレス、Ａｌ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ　
、　Ｔａ、　Ｖ。

Ｔｉ、Ｐｔ、　Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙けら
れる。電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリ
エチレン、ポリカーざネート、セルロースアセテート、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又
はシート、カラス、セラミック、紙等が挙けられる。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受
容層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれは、その表面に、ＮｉＣｒ　。

ＡＡ、　ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔ
ａ、　Ｖ、Ｔ１、ｐｔ。

Ｐｄ　、　　Ｉｎ２Ｏ５，８ｎ０２）ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ
５＋Ｂｎ０２　）等から成る薄膜を設けることに二って
２ｈ電性を付与し、或いはポリエステルフィルム等の合
成樹脂フィルムであれは、ＮｉＣｒ、　ｋｌ、　Ａｇ、
　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ、Ａｕ、　ＣｒｌＭｏ、Ｉｒ、
　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　　Ｔｉ、ｐｔ等の金属の薄膜
を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スノンツタリング等でそ
の表面に設け、又は前記金属でその表面ｔラミネート処
理して、その表面に導電性Ｚ付与する。支持体の形状は
、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状であることがで
きるが、用途、所望にＬりその形状は適宜に決めること
のできるものである０例えば、電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば、連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚
さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜決定
するが、光受容部材として可撓性が要求される場合には
、支持体としての機能が光分発揮される範囲内で可能な
限り薄くすることができる。しかしながら、支持体の製
造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、１
０μ以上とする。

第一の層支持体１０１上のａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第一
の層１０２は、その全層領域又は一部の層領域がＸ窒素
原子及び／又は酸素原子ン含有し、さらに伝導性χ制御
する物質、即ち、第■族原子又は第Ｖ族鳳子χ含有した
ものであることができる。このところの具体的内容は、
図に模式的に示されている。即ち、第１図は第一の層の
全層領域に均一な分布状態で含有せしめる例乞、第２図
は第一の膚の支持体に接した一部の層領域１０５に均一
な分布状態で含有せしめる例ｔ１そして第６図は第一の
肩の第二の層に接した一部の層領域１０６に均一な分布
状態で含有せしめる例ン模式的に示している。これらは
いずれも代表的な具体例であってこれらに限定されるも
のではない。

第一の層中に窒素原子を含有せしめるについては、高光
感度化及び高暗抵抗化を王たる目的にする場合には、第
１図のごとく全層領域に含有ぜしめ、また支持体と第一
の層との間の密着性の向上ケ目的にする場合には、第２
図に示すような一部の層領域１０５に含有せしめ、更に
、第一の層と第二の層の密着性の向上を目的にする場合
には第３図に示すような一部の層領域１０６に含有せし
める。

窒素原子の含有量は高光感度化と高暗抵抗化を目的にす
る場合には比較的少なくて工く、密着性の向上を目的に
する場合には比較的多くすることが望ましい、また、窒
素原子の含有量は、窒素原子を含有する層と隣接する他
の層の特性や、窒素原子を含有する層と他の層との界面
の特性等との関係も考慮して決定する必要もある。

こうしたことから一般的には、ｌＸ１０　〜５０ａｔｏ
ｍｉｃ　％とするが、好ましくは２ｘ１０〜４０ａｔｏ
ｍｉｃ　％、最適には３　Ｘ　１０−’　〜５０　ａｔ
ｏｍｉｃ％とする。さらに、窒素原子χ含有する層領域
の第一の層において占める割合が高い場合、あるい（工
鼠素原子を第一の層の全層領域に含有せしめる場合には
、窒素原子の含有量の上限は前述の値工り充分に少なく
することが望ましい。即ち、例えば、窒素原子を含有す
る層領域の層厚が、第一の層の層厚の２７５以上となる
場合には、上限の値は通常は５０　ａｔｏｍｉＣ％とし
、好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には１０　
ａｔｏｍｉｃ　％とする。

本発明においては、第一の層中に窒素原子乞含有せしめ
ることに工って得られる効果ン更に助長させる目的で、
前述の窒素原子に加えて、更に酸素原子を第一の層に含
有せしめることができる。酸素原子Ｚ含有せしめるにつ
いては、七の分布状態及びその量は窒素原子の場合と同
様である。即ち、高光感度化及び高暗抵抗化を主たる目
的にする場合には、第一の層の全層領域中に均一な分布
状態で含有され、七の含有量は比較的少なくて工く、支
持体と第一の層の間の密着性あるいは第一の層と第二の
層の間の密着性の向上を王たる目的にする場合には、第
２図又は第６図に示す工うに含有せしめ、その含有量は
比較的多くすることが望ましい。

ｔた、窒素原子ン含有せしめる層領域と酸素−原子を含
有せしめる層領域とは同じでろっても、異なっていても
、あるいは互いに一部が重なりあっていても工く、これ
らの状態は目的に応じて適宜選択できる。例えば、光感
度化と暗抵抗の同上と、支持体と第一の層との警着性の
向上の、双方の目的の達成？計る場合には、第一の層の
全層領域に窒素原子（又は酸素原子）ン比較的低濃度で
含有せしめ、第一の層の支持体と接する一部の層領域１
０５に酸素原子（又は窒素原子）ｙ３１′比較的高鏝度
で含有せしめれば工い。

また、支持体と第一の膚の１＃溜性および第一の層と第
二の層の＠着性の同上？目的とする場合には、一部の層
領域１０５に窒素原子（又は酸素原子）ン含有せしめ、
一部のＩ−領域１０６に酸素原子（又は室Ｘ原子）ン含
有せしめれば工い。

第一の層に伝導性ン制御する物質、即ち、第■族原子又
を工第■族似子？含有せしめるについても、全層領域に
均一な分布状態で含有せしめる場合と、一部の層領域に
のみ均一な分布状態で含Ｍせしめる場合とがおる。

第一の層の伝導型又は／及び伝導率ケ制御すること？主
たる目的にする場合には、第１図のとと〈全層領域中に
含有せしめられ、この場合、第■族原子又は第Ｖ族原子
の含有量は比較的わずかで工く、通常はＩ　Ｘ　Ｉ　Ｑ
−５〜１Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃｐｐｍでおるが、好ま
しくは５ｘ１０〜５Ｘ１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、
最適には１×１０−１〜２×１０２１０２ａｔｏ　ｐｐ
ｍである。更にこの場合、第一の層に含有せしめる伝導
性ン制御する物質の伝導型は、第二の層に含有せしめる
ものと同じであっても、あるいは異なっていてもよい。

また、第２図に示すごとく、支持体と接する一部の層領
域１０５に第■族原子又は第ｖｔＳ原子ン均一な分布状
態で含有せしめる場合には、層領域１０５は電荷注入阻
止層としての効果を有するものである。そして、この場
合の含有量を工比較的多量であり、通常は６０〜５Ｘ１
０４ａ切ｍｉｃｐｐｍであるが、好ましくは５０〜Ｉ　
Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ１最適にはＩ　Ｘ　１
０２〜５　Ｘ　１０６ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍである。さ
らに、該効果χ効率的に奏するためには、層領域１０５
０層厚ｙｔとし、第一の層の層領域１０５以外の層厚Ｙ
　ｔｏとした場合、１／１＋１ｏ≦ｃＬ４の関係式が成
立することが望ましく、Ｘり好ましくは該関係式の値が
０．６５以下、最適には０．３以下となる工うにするの
が望ましい。層領域１０５０層厚は、通常は３Ｘ１０”
〜１０μであって、好ましくは４ｘ１０〜８μ、最適に
は５×１０〜５μである。

さらに、上述の場合とは逆に、第３図に示すごとく、第
二の層と接する一部の層領域１０６に伝導性ン制御する
物質、即ち第■族Ｊ子又は第Ｖ族鳳子を均一な分布状態
で含有せしめる場合、第一の層と第二の層に含有せしめ
る伝導性を制御する物質の伝導型が同じであれば、主た
る目的は第一の層と第二の層の間のエネルギーレベル的
整合性ン向上せしめ、両層間での電荷の移送ン高めるこ
とにある。そして第二の層の層厚が厚く、暗抵抗が高い
場合には、第■族原子又は第ｖｉａ子ン含有せしめるこ
とに工って奏される効果は工り顕著なものとなる。

また、第６図のごとき層領域１０６に第■族原子又゛は
第■族鳳子を含有せしめる場合において、その伝導型が
第二の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の伝
導型と異なるものである場合、該層領域１０６は積極的
に第一の層と第二の層の接合部となり、帯電処理時にお
ける見掛は上の暗抵抗の増大？図ることが王たる目的に
なる。

第３図のごとく、第二の層と接する一部の層領域１０６
に第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合、その
含有量は比較的少量で工く、通常はＩ　Ｘ　１０’−３
〜Ｉ　Ｘ　１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍであるが、好ま
しくは５ｘ１０−２〜５ｘ１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
、最適ニ６１Ｑ、１〜２Ｘ　１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍである。

以上は本発明の光受容部材の光受答層の第一の層につい
て、窒素原子と酸素原子、あるいは第■族原子または第
Ｖ族原子ン各々、その全膚領域或いは一部の層領域に含
有せしめる場合ン中心にした実施の一例ン説明したもの
であるが、他に目的に応じてこれらの原子の含有状態χ
自由に組み合わせて糧々の目的を同時に達成するように
することは勿論可能である。第４図は、そうした場合の
一例を示すものであるが、本発明はこれに限定されるも
のでなく、この他に数多くの組合せが可能である。

第４図は、支持体１０１°上に第一の層１０２と第二の
層１０５とがこの順序で設けられ、さらに第一の島は支
持体側工り第一の層領域１０７、第二の層領域１０８、
および第三の層領域１０９とで構成される場合の例示で
ある。第一の層領域１０７は、第■族原子又は第Ｖ族原
子と窒素原子の双方ン含有し、第二の層領域１０８は窒
素原子ン含有するが、第■族原子又は第Ｖ族原子は含有
していない。そして第三の層領域１０９には、第■族原
子又は第Ｖ族原子および窒素原子のいずれも含有してい
ない。第４図に示す例では、第一の層領域１０７と第二
の層領域１０８に窒素原子を含有せしめることにより、
光感度お工び暗抵抗ン向上させ、かつ、支持体と第一の
層との密着性を同上δせることかできる。また、第一の
層領域１０７に第■族原子又は第■族鳳子を含有せしめ
ることにより、第二の層１０３の自由表１１ｉｎ１０４
側工つ帯電処理ン施した際の電荷の注入ン阻止すること
ができる。

また、第４図に示す例の別法として、第二の層領域１０
８ン、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有するが、窒素原
子乞含有しない層領域とすることは勿崗可能である。

第二の層第二の層１０３は、耐湿性、連続繰返し使用特性、電気
的耐圧性、使用環境特性、および耐久性等を向上させる
目的で、第一の層１０２上に設けられる。そしてこの目
的は、第二の層ゼ構成するアモルファス材料に炭素原子
を構造的に導入せしめることにＬり達成できる。第二の
層に炭素原子を構造的に導入する場合、炭素原子の量の
増加に伴って、前述の特性は向上するが、炭素原子の量
が多すぎると層品質が低下し、電気的および機械的特性
も低下する。こうしたことから、炭素原子の含有量は通
常は、ｌＸ１０−３〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％であるが
、好ましくは１〜９０ａｔｏｍｉｃ　％　、最適には１
０〜８０　ａｔｏｍｉｃ　％でおる。

さらに、連続繰返し使用特性および耐久性の向上のため
には、第二の層の層厚乞厚くすることが好ましいが、層
厚があまりに厚くなると残留電位の発生原因となる。し
かし、そうした残留電位の発生は、第二の層に伝導Ｓ、
を制御する物質、即ち、第ｍ族原子又は第■族鳳子を含
有せしめるここにＬり防止するかあるいは実質的な影響
がない程度に抑止することができる。また、通常の場合
、この種の第二の層は機械的耐久性には優れているが、
失地が鋭角なもので該層の表面ン摺擦したり、おるいは
押圧したりすると、表面にいわゆる傷として残らないに
しても、帯電処理時には静電荷的痕跡傷となって現われ
、トナー転写画像の画像品質の低下″ｆｔきたしてしま
う場合が多々ある。こうしｔこ場合にも、第二の層に前
述の伝導性を制御する物質χ含Ｍせしめることにより、
そうした問題の発生？未然に防止できる。したがって、
第二の層に伝導性Ｙ制御する物質であるところの第■族
原子又は第Ｖ族鳳子を含有せしめることは、本発明の目
的を達成し得る所望の特ａＹ有する第二〇層乞形成する
について重要である。そして、第二の層に含有せしめる
第■族鳳子又は第Ｖ族原子の量は、通常は１．０〜１０
’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするが１好ましくは１０〜
５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適にを工１
０２＝５　Ｘ　１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするのが
望ましい。

第二の層１０６は、所望通りの特性が得られるように、
注意深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、炭
素ぶ子、水素原子及び／又はハロゲン原子、おＬび第■
族原子又は第Ｖ族原子ン構成原子とする物質は各構成原
子の含有量やその他の作成条件によって、形態は結晶状
態から非晶質状態までンとつ、電気的物性は導電性から
半導体性、絶縁性までン、さらに光電的性質は光導電的
性質から非光導電的性質まで７各々示すので、目的に応
じた所望の特性ン有する第二の層を形成しうる工うに、
各構成原子の含有量等の作成条件乞選択することがＸ要
である。

例えば第二の層を電気的耐圧性の向上ン王たる目的とし
て設ける場合には、第二の層を構成する非晶質材料は、
使用条件下において電気絶縁的挙動の顕著なものとして
形成する。又、第二の層を連ａ繰返し使用や便用環境％
性の同上χ主たる目的として設ける場合には、第二の層
ン構成する非晶質材料は、前述の電気的絶縁性の産金は
ある程度緩和するが、照射する光に対しである程度の感
度を肩するものとして形成する。

さらに第二の層１０６には、高元感に化と高暗抵抗化、
更には第一の層と第二の層の蜜看注の向上を目的として
、窒素原子（又は酸系原子）を含有せしめることもでき
、特に第一の層１０２が少くとも鼠木原子ン、そしてま
ｙ、−［索腺子ンも富有しない場合には、第二の盾に少
くとも窒素原子ｔ１くして、必要にエムじて＃＆累原子
を含Ｔｉせしめる。

第一〇膚ｈ″工び第二〇Ｊ−の層厚は、不発明の目的を
効率的に達成するための重要な要因の１つであり、所望
の目的に応じて適宜決定するものである。また、各層に
含有せしめる窒素原子、酸素原子、第ｍ族原子、第Ｖ族
原子、炭素原子、ハロゲン原子、水素原子の量、あるい
は各層相互の層厚等との関係において、要求される特性
に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要も
ある。更に、生産性や量産性乞も加味した経済性の点に
おいても考慮する必要がある。

こうしたことから、第一の層の層厚は通常は１〜１００
μ、好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５０μであり
、第二の層の層厚は通常は３×１０〜３０μ、好ましく
は４×１０〜２０μ、最適には５Ｘ１０〜１０μである
。

本発明の光受容部材は前述のような層構成とすることに
工り、アモルファスシリコンで構成された光受容層を有
する従来の光受容部材の諸問題の総てを解決し、極めて
優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的副圧性及
び使用環境特性χ示す。特に、電子写真用像形成部材と
して適用した場合には、画像形成への残留電位の影響が
全くなく、その電気的特性が安定しており高感度で、高
ＳＮ比を有するものであって、耐光疲労、繰返し使用特
性に優れ、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且
つ解像度の高い、高品質の画像？安定して繰返し得るこ
とができる。

又、本発明の光受容部材は支持体上に形成される光受容
層が、層目体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることが出来る。

次に、本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層は、ａ−Ｅｌｉ（Ｈ，Ｘ）に窒素原子
、酸素原子、第ｍ族原子又は第■族原子、あるいは炭素
原子を含有せしめた非晶質材料で構成された層または層
領域７組み合わせ、前述のごとき特定の層構造とするも
のであるが、これらの層または層領域は、いずれも、グ
ロー放電法、スパッタリング法、あるいをエイオンブレ
ーティング法等の放電現象を利用する真空堆積法に工っ
て形成できる。これらの方法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、製造される光受容部材に要求
される特性等の要因によって、適宜選釈して用いるが、
所望の特性を有する光受容部材乞製造するに当っての条
件の制御が比較的容易であり、シリコン原子とともに炭
素原子及び水素原子及び／又はノ〜ロゲン原子の導入χ
容易に行い得る等のことからして、グロー放電法、或い
はスフ９ツタリング法が好適である。そして、グロー放
電法とスフ９ツタリング法とｌ同一装置系内で併用して
形成することもできる。例えば、グロー放電法によって
、ａ−８１（Ｈ＋Ｘ）で構成される層χ形成するには、
基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）’ｔ’供給し得るＳ１
供給用の原料ガスと共に、水素原子（Ｈ）導入用の又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスン、内部が
減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー
放電ン生起させ、予め所定位置に設置した所定の支持体
表面上にａ−８１（Ｈ，Ｘ）から成る層？形成する。

必要に応じて層中に含有せしめるー・ログン鳳子（Ｘ）
としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙
げられ、殊にフッ素、塩素が好ましい。

前記Ｓ１供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ４，５１２
Ｈ６，８ｉｓＨａ、５ｉ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又はガ
ス化し得る水素化硅素（シラン類）が挙げられ、特に、
層形成作業のし易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点で、Ｅ
３ｉＨ４，５ｉ２ｅｓが好ましい。

また、前記ノーロゲン原子導入用の原料ガスとシテハ、
多くの・〜ロゲン化合物が挙げられ、例えばノ〜ロゲン
ｊス、−・ロゲン化物、−・ロゲン間化合物、−ロゲン
で置換されたシラン誘導体等のガス状態の又をエガス化
しうるノ・ロゲン化合物が好ましい。具体的にはフッ素
、塩素、臭素、ヨウ素の／％　ログンがス、ＢｒＦ　、
　ＣｔＦ　５ＣｔＦ５、ＢｒＦ５、ＢｒＦ３、ＩＦ７、
ＩＣＬ、　ＩＢｒ等のノ１０ゲン間化合物、お工びＳｉ
Ｆ、ｌ、５Ｌ２Ｆ６．３１（４４、ＳｉＢｒ４等のハロ
ゲン化硼素等が挙げられる。上述のごときハロゲン化硅
素のガス状態の又はガス化しうるものｔ用いる場合には
、Ｓｉ供給用の原料ガスχ別途使用することなくして、
・・ログン原子ン含有するａ−８１で構成された層が形
成できるので、特に有効である。

また、前配水累原子供給用の原料ガスとしては、水素ガ
ス、ＨＦ１ＨＣＬＳＨｎｚ、　ＨＩ等のハロゲン化物、
ＳｉＨ４、−８１２Ｈｓ、５ｔａｎｓ、５ｉ４Ｈ１ｕ等
の水素化硅素、あるい＆Ｚ　ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨ２Ｉ
２．８ｉＨ２Ｃｊ２）ＢｌＨＣＬｓ　、８１Ｈ２Ｂｒ２
．８ｉＨＢｒｓ等のハロゲン置換水素化硅素等のガス状
態の又はガス化しうるものｔ用いることができ、これら
の原料ガス乞用いた場合には、電気的あるいは光電的特
性の制御という点で極めて有効であるところの水素原子
（ト））の含有量の制御を容易に行うことができるため
、有効である。そして、前記ハロゲン化水素又は前記ハ
ロゲン置換水素化硅素を用いた場合にはハロゲン原子の
導入と同時に水素原子（Ｈ）も導入されるので、特に有
効である。

ハロゲン原子ＬＸ）の量又は水素原子の量又はハロゲン
原子と水素原子の量の和（Ｘ＋Ｈ）は、通常は［Ｌ　０
１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、好ましくはｃＬ０５〜３
　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には１１〜２５　ａｔｏ
ｍｉｃ　％とするのが望ましい。層中に含有せしめる水
素原子（Ｈ）又は／及び−ログン原子（Ｘ）の量の制御
は、例えば支持体温度、水素原子ＬＨ）又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）　’に導入するために用いる出発物質の
堆積室内へ導入する量、放電電力等を制御することによ
って行われる。

反応スパッタリング法或いはイオングレーティング法に
依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成するには、
例えばスパッタリング法の場合には、Ｓｌかち成るター
ゲットを使用して、これｔ所定のガスプラズマ雰囲気中
でスパッタリングし、イオンデレーティング法の場合に
は、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として
蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加熱法
、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等に工って加
熱蒸発させ飛翔蒸発物ン所足のガスプラズマ雰囲気中１
通過ちせる事で行うことができる。

その際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合でも形成される層中にノ〜ロゲン原子を導入
するについては、前記のハロゲン化合物又は前記のノ〜
ロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入し
て該ガスのプラズマ雰囲気χ形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２或いは前記したシラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。

例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓ１ターゲ
ツト？使用し、−ロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガス
Ｚ８要に応じてＨｅＸＡｒ等の不活性ガスも含めて堆積
室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓ１ター
ゲツトｔスパツタリングすることによって、支持体上に
ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層χ形成する。

グロー放電法、スフ９ツタリング法、めるいはイオンブ
レーティング法ン用いて、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）にさらに
第■族原子又は第Ｖ族原子、窒素原子、酸素原子あるい
は炭素原子を含有せしめた非晶質材料で構成された層を
形成するには、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）の層の形成の際に、
第■族原子又は第ｖｙｃ原子導入用の出発物質、窒素原
子導入用の出発物質、酸素原子導入用の出発物質、ある
いは炭素原子導入用の出発物質χ、前述したａ−８ｉ（
Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質と共に使用して、形成する層
中へのそれらの量を制御しながら含有せしめてやること
によって行なう。

例えば、第二の層は第■族原子又は第■族原子を含有す
るａ−８１０（Ｈ，Ｘ）　Ｃ以下、ａ−８ｉＣＭ（Ｈ，
Ｘ）（但し、Ｍは第■族原子又は第■族原子を表わす。

）と表記する。〕で構成されるものであるが、グロー放
電法によって第二の層暑形成する［は、ａ−８ＬＣＭ（
Ｅ、Ｘ）形成用の原料ガスヲ、必要に応じてＡｒ、Ｈｅ
等の稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、支持体１０
１の設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入さ
れたガスングロー放電ケ生起させることでガスプラズマ
化して前記支持体上に既に形成されである第一の層上に
ａ−８ｉＣＭ（Ｈ，Ｘ）　’Ｉｇ）堆積させれば：い。

ａ−８１ＣＭ（Ｈ，Ｘ）形成用の原料ｇスとしては、Ｓ
ｉ、Ｃ，、Ｈ及び／又は−・ログン原子、及び第■族原
子又は第Ｖ族原子の中の少なくとも一つを構Ｍ、原子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質ｔガス化したも
のであれば、いずれのものであってもよい。

Ｓｌ、Ｃ，Ｈ及び／又は−・ロゲン原子、第■族原子又
は第■族原子の中の１つとして８１”ｋ構成原子とする
原料ガスを使用する場合は、例えば８１を構成原子とす
る原料ガスと、Ｃン構成原子とする原料ガスと、Ｈ及び
／又はハロゲン原子乞構成原子とする原料ガスと第■族
原子又は第■族鳳子ン構成原子とする原料ガスン所望の
混合比で混合して使用するか、又は、５ｉｙｚ構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＨ及び／又はハロゲン原子を
構成原子とする原料ガスと、第■族鳳子又は第Ｖ族鳳子
ｙ！−栴成原子とする原料ガスとχ、これも又所望の混
合比で混合するか、或いは、阻χ構成原子とする原料ガ
スと、Ｓｌ、Ｃ及びＨ及び／又はハロゲン原子の３つｔ
構成原子とする原料ガスと第■族原子又は第Ｖ族原子を
構成原子とする原料ガスとン混合して使用することがで
きる。

又、別には、ＳｉとＨ及び／又はハロゲン原子と１構成
原子とする原料ガスにＣＹ構成原子とする原料ガスと第
■族原子又は第■族原子を構Ｈ，原子とする原料ガスと
奢混合して使用しても工い。

ａ　−８１Ｃ（Ｈ、Ｘ）でＳ成される層形成用の原料ガ
スとして有効に使用されるのは、阻と）１．！：、’ｔ
’構成原子とする８１Ｈ４，５ｔ２Ｂ６．８１！５）１
８．８１４Ｈ１ｏ等のシラン（Ｂｉｌａｎｅ）類等の水
素化硅素ガス、ＣとＨとｔ構成原子とする、例えば炭素
数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭
化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水Ｘ尋が挙げ
られる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタｙ　（Ｃ２Ｈ４）　、プロパン（ｃ５ａ６）、ｎ
−ブタン（ｎ−０４ＨＩ　Ｑ）　、ペンタン（Ｃ５Ｈ１
２）　、エチレン系炭化水素としては、エチレン（０２
Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（０４Ｈ
ａ）、ブテン−２（０４Ｈ８）　、イソゾテＶ　ン（０
４ＢＢ）、ペンテン（Ｃｓｆｌｌｕ）、アセチレン系炭
化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチ秘＊ア
セチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げら
れる。

８ｉとＣとＨとｔ構成原子とする原料ガスとしては、８
ｉ（ＣＨａ）４．５ｉ（Ｃ２Ｈｓ）４等（１）　’Ｉイ
化７　Ａ／　キ／ｌ／を挙げることができる。これ尋の
原料ガスの他、Ｅ４人用の原料ガスと１−ては勿ｋＨ２
も使用できる。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂｒ）１１ｏ　、　Ｂ５Ｈ
９、Ｂ５Ｈ１１、Ｂ６Ｈ１ｏ％Ｂ６Ｈ１２）Ｂ、６）１
１４　　等の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣＬｓ、ＢＢｒｓ
等のハＣｌグン化硼素等が挙けられる。この他、！’−
１−ＣＩ−３、ＣａＣＺ３、Ｑａ（ＣＨａ）２）ＩｎＣ
２３、ＴＥ２１等も挙けることができる。

第■族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨｓ　、Ｐ２Ｈ６等の水素比隣、ＰＨ
４Ｉ、ＰＦ３、ＰＦｓ　、ＰＣＡ３、Ｊ−ＩＣ２５、Ｐ
Ｂｒ　３、ＰＢｒｓ、Ｐ工３等のハロゲン比隣が挙けら
れる。この他、Ａ８Ｈ３、ＡｓＦ５　、ＡｓＣｔ３、Ａ
ｌ３Ｂｒ３、ＡｓＦ５．８ｂＨ３、！３ｂＦｓ　、８ｂ
Ｆｓ、Ｅ３ｂＣＬｓ　、８ｂＣ２ｓ　、ＢｉＨ３、ＢＩ
ＣＬｓ　、Ｂ１Ｂｒ５等も第Ｖ族原子導入用の出発物質
の有効なものとして挙げることができる。

窒素原子ｗｔ有する膚または層領域χ形成するのにグロ
ー放電性ン用いる場合には、前記した光受容層形成用の
出発物質の中から所望に従って選択されたものに窒素原
子導入用の出発物質ン加える。その様な窒素原子導入用
の出発物質としては、少なくとも窒素原子を構成原子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質であればほとん
どのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）’ａ’構成原子とする原料
ガスと、窒素原子（Ｎ）　Ｙ構成原子とする原料ガスと
、必要に応じて水素原子（Ｈ）又（工／及びハロゲン原
子（Ｘ）ン構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で
混合して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ　）　
’ａ’構成原子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び
水素原子（Ｈ）χ構成原子とする原料ガスとχ、これも
又所望の混合比で混合するかして使用することができる
。

又、別には、シリコン原子（ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）？構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

窒素原子を含有する層または層領域を形成する際に使用
する窒素原子（Ｎ）導入用の原料ガスとして有効に使用
される出発物質は、ＮＹＸ構成原子するか或いはＮとＨ
とＸ構成原子とする例えば窒素（”２）、アンモニア（
Ｎ）１５）、ヒドラノン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アノ化水素
（ＮＨ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎｇ）等のガ
ス状の又はがス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物等の
窒素化合物を挙げることができる。この他に、窒素原子
（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行
えるという点から、三弗化窒素（Ｆ３Ｎ）　、四弗化窒
素ＣＦ４Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げること
ができる。

スパッタリング法によって、窒素原子ｙｒ金含有る層ま
たは層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウ
エーハー又は５ｉ５Ｎ４ウエーハス又は８１と８１３Ｎ
４が混合されて含有されているウェー　バーＹターゲッ
トとして、これ等χ撞々のガス雰囲気中でスパッタリン
グすることによって行えば工い。

例えば、８１ウエーハーｔターゲツトとして使用すれば
、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスン、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスグ２ズマを形成して前記８１ウェーハーｔ
スノ９ツタ−リングすればよい。

又、別には、阻と阻３Ｎ４とは別々のターゲットとして
、又はＳｌとＳｉ３Ｎ４の混合した一枚のターゲラトン
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）　’に構成原子として含有す
るガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成
できる。

窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

酸素原子を含有する層または層領域な形成するには、前
記の光受容層形成用の出発物質の中から所望に従って選
択されたものに、識素原子導入用の出発物質Ｚ加え、形
成する層中に、酸素原子の量音制御しながら含有せしめ
れば良い。

酸素原子を含有する層又は層領域ン形成するのにグロー
放電法ン用いる場合には、前記した光受容層形成用の出
発物質の中から所望に従って選択されたものにＩｌ！累
原子導入用の出発物質が加えられる。その様なｒＲ素原
子導入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質であれ
はほとんどのものが使用できる。

例えばシリコン原子（Ｓｉ）’＆構成原子とする原料ガ
スと、酸素原子（０）　’に構成原子とする原料ガスと
、必要に応じて水素原子（Ｈ）又＆Ｖ及びハロゲン原子
（ｘ）Ｙ：構成原子とする原料ガスとｔ′Ｐｆｒ望の混
合比で混合して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ
）ン構成原子・とする原料ガスと、酸素原子（０）及び
水素原子（Ｈ）ン構成原子とする原料ガスとｔｌこれも
又所望の混合比で混合するか、或いは、シリコン原子（
Ｓｉ）７ａ？構成原子とする原料ガスと、シリコン原子
（ｓｌ）、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）の６つＸ
構成原子とする原料ガスとｔ混合して使用することがで
きる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）ン構成原子
とする原料ガス乞混合して使用しても工い。

具体的には、例えば酸素（Ｏ２）、オゾン（０５χ−酸
化窒素（Ｎｏ　）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（”２０５）、四三酸化窒
素（Ｎ２０４）　、三二酸化窒素（Ｎ２０５）　、三酸
化窒素（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（
０）と水素原子（Ｈ）とＸ構成原子とする、例えば、ソ
シロキサン（ｎ３ｓｉｏｓｔｎ３）　、）リシロキサン
（Ｈ３Ｂ１．０８ｉＨ２０８ｉＨｓ）等の低級シロキサ
ン等ン挙げることができる。

スフ９ツタリング法によって、酸素原子を含有する層ま
たは層領域を形成するには、単結晶又は多結晶の８１ウ
エーノ・−文はＳｉＯ２ウエーノ・−１又はＳｌと８１
０２が混合されて含有されているウェーハーをターゲッ
トとして、これ等を種々のガス雰囲気中でソノ９ツタリ
ングすることによって行えばよい。

例えば、Ｓｉウェー−・−ｔターゲットとして使用すれ
ば、酸素原子と必要に応じて水素原子又はノ及び−・ロ
ゲン原子ン導入する為の原料ガスｔ１必要に厄じて稀釈
ガスで稀釈して、スパッター用の堆積意中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記８１ウエーノ
〜−をソノ９ツタリングすればよい。

又、別には、Ｓｌと８１０２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｌと８１０２の混合した一枚のターゲットを
使用することに工って、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は
／及び−ロゲン原子（Ｘ）　Ｙ構成原子として含有する
ガス雰囲気中でスパッタリングすることに工って形成で
きる。

酸素原子導入用の夏料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、ソノ９ツタリングの場合にも有効なガスとして使
用できる。

グロー放電法、スパッタリング法、あるいはイオングレ
ーティング法に工り本発明の第一の層および第二の層を
形成する場合、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）に導入する炭素原子
、第■族原子又は第Ｖ族厘子あるいは酸素原子の含有量
は、堆積室中に流入される出発物質のガス流量、ガス流
量′比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力等ｌ
制御することによって任意に制御できる。

支持体温度は通常の場合、５０〜３５０℃、好適には１
００〜２５０℃とするのが望ましいものである。放電パ
ワー条件は、それぞれの層の機能に考慮ンはらって、適
宜選択され、具体的には、０．００５〜５０Ｗ／ｃＩＩ
Ｌ２　　の範囲にするのが通常である。

しかし好ましくは、０．０１〜５０Ｗ／ｃＷＬ２）特に
好ましくは０．０１〜２０Ｗ／ｃＩｎ２の範囲である。

支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これらの層作成ファクタ
ーは、通常は独立的に別々に決められるものではなく、
所望特性のアモルファス層を形成すべく相互的且つ有機
的関連性に基いて、各層作成ファクターの最適値を決め
るのが望ましい。

本発明に２いては、第一の層の全層領域又は一部の層領
域、あるいは第二の層に含有する炭素原子、酸素原子あ
るいは第■族原子又は第■族原子は、該層の全層領域又
は一部の層領域中に均一に分布させることが必要である
が、このことは、各層の全層領域又は一部の層領域を形
成する際に、上述の諸条件ン一定に保つことによって達
成烙れる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至２４に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、第一の層および第二の層をグロー
族を法を用いて形成した。第５図はグロー放電法による
本発明の光受容部材の製造装置である。

図中の２［］２．２０り、２０４，２０５，２０６のガ
スボンベには、本発明の夫々のｆ＠ン形成する１こめの
み料ガスが密封されており、その１例として、たとえば
、２０２はＨｅで稀釈された５ｉ）１４ガス（純度９９
．９９９％、以下Ｂ１Ｈ４／Ｈｅと略す）ボンベ、２０
３はｌｉｅで稀釈されたＰＨ５ガス（純度９９．９９９
％、以下ＰＨ−〇と略ス）タンペ、２０４はＨｅで稀釈
されたＢ２Ｈ４ガス（純［９９，９９１、以下８２Ｈ４
／Ｈｅと略す）ボンベ、２０５はＣ２Ｈ４ガス（純度９
９．９９９％）ボンベ、２０６はＮＨ３ガスボンベであ
る。

形成される層中にノ・ロゲン鳳子ン導入する場合には１
．５ｉＨ４ガスに代えて、例えば、３ｉＦ４ガスを用い
る様にボンベヶ代えればよい。

これらのガスを反応基２０１に流入させるにはガスボン
ベ２０２〜２０６のノ々ルプ２２２〜２２６、リークパ
ルプ２５５が閉じられていることを確認し又、流入パル
プ２１２〜２１６、流出パルプ２１７〜２２１、補助パ
ルプ２３２，２３５が開かれていること！確認して、先
ずメインパルプ２３４χ開いて反応室２０１、ガス配管
内を排気する。

次に真空計２３６の耽みが約５Ｘ１０　　ｔｏｒｒＫな
った時点で、補助パルプ２３２，２５５、流出パルプ２
１７〜２２１Ｙ閉じる。

基体シリンダー２６７上に第一の層１０２Ｙ形成する場
合の１例Ｙ：あげる。ガスＩンベ２０２より８１Ｈ４／
１（ｅがス、ガスメンバ２０３工りＰＨ５７Ｂｅガスｔ
パルプ２２２，２２３”ｋ開いて出口圧ゲーゾ２２７．
２２８の圧’ｔ’　Ｉ　Ｋ９／ｃｍ２に調整し、流入パ
ルプ２１２．２１３Ｙ徐々に開けて、マスフロコントロ
ー″、ｙ　２０７，２０８内に流入させる。引き続いて
流出パルプ２１７，２１８、補助パルプ２３２′ｔｌ−
除徐に開いてガスを反応室２０１内に流入させる。

このときの８１Ｈ４／）ｌｅガガス量とＰＨ３７’Ｈｅ
ガス流量の比が所望の値になるように流出パルプ２１７
，２１８Ｙｉｌ１ｍ整し、又、反り室２０１内の圧力が
所望の値になるように真空計２３６の読みン見ながらメ
インパルプ２３４の開口Ｖ＊整する。そして基体シリン
ダー２３７の温度が加熱ヒーター２６８により５０〜４
００℃の範囲の温度に設定されていることを確認された
後、電源２４０ン所望の電力に設定して、反応室２０１
内にグロー放電を生起し、基体シリンダー２３７上に、
先ず、燐原子を含有する層領域を形成する。

次に所定の時間経過後、ＰＨＩ／Ｂｅガスを反応室２０
１内へ導入するガス導入管のパルプ２１８ン閉じて遮断
することに工って、燐譚子を含有する層領域の層厚を所
望の厚さに任意に制御できる。流出パルプ２１８Ｙ：閉
じた後、引き続きグロー放電を所定時間続けることにエ
リ、前述の燐原子ン含有する層領域の上に、燐原子を含
有しない層領域を形成し、第一の層の形成ン終了する。

第一の層中にハロゲン原子を含有させる場合には上記の
ガスにたとえば３１Ｆ　４／Ｂ＋３　’（１’　ｓ更に
付加して反ＥＮ内に送り込む。

上記の様な操作によって、基体シリンダー２３７上に形
成された第一の層上に第二の層を形成するには、第一の
層の形成の際とＩＷ１様なパルプ操作によって、例えば
、５ｉ）１４ガス、ｃ２Ｈ４ガス、Ｂ２Ｈ６がスの夫々
ｔ１必要に厄じてＨｅ等の稀釈ガスで稀釈して、所望の
流量比で反応室２０１中に流し、所望の条件に従って、
グロー放電を生起させることに二って成される。

夫々の層層形成する際に必要ながスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層χ形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２０１内、流出パルプ２１７〜２２１から反応室２０１
内に至るガス配管内に残留することン避けるために、必
要に応じて流出パルプ２１７〜２２１を閉じ補助ノ４ル
プ２３２，２３３Ｙ開いてメインパルプ２３４χ全開し
て系内ンー亘高真空に排気する操作ン行う。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化７図るため
基体シリンダー２６７は、モータ２６９によって所望さ
れる速度で一定に回転させる。

実施例　１第５図に示した製造装置にエリ、ドラム状アルミニウム
基板上に、表１に記載の条件で層形成ン行った。

こうして得た感光ドラム（電子写真用像形成部材）を複
写装置に設置し、ｅ５ＫＶで［１２ｓｅｃ間コロナ帯電
を行い、光像を照射した。光源はタングステンランプン
用い、光量は１．　ＯＬｕｘ−ｓｅｃとした。潜像は■
荷電性の現像剤（トナーとキャリャン含む）によって現
像し、通常の紙に転写したが、転写画像は、極めて良好
なものでちった。転写しないで感光ドラム上に残ったト
ナーは、ゴムプレー、ドによってクリーニングし、次の
複写工程に移る。このような工程を繰り返し１５万回以
上行っても、得られる画像は何らの劣化もなく優れたも
のであった。

実施例　２〜２４第５図に示した製造装置ン使用し、シリンダー状アルミ
ニウム基板上に、実施例２乃至２４の表示番号と符号す
る符号表示の表２乃至２４に記載の条件で、その他の条
件、操作は実施例１と同様にし、層形成を行った。

得られた感光ρラムについて、帯電極性と現像極性とｔ
実施例２，１７乃至１９．２１及び２２の場合ｅ１■と
し、実施例３乃至１６　、２０　、２！ｉ及び２４の場
合■、ｅとした以外は実施例１と同様の画像形成プロセ
スを適用して評価を行ったところ、実施例１の場合と同
様良好な結果が得られた。

〔発明の効果の概略〕

本発明では、ａ−８ｉで構成された光受容層Ｚ有する光
受容部材χ前述のような層構成とすることにより、ａ−
８１で構成された光受容層を有する従来の光受容部材の
諸問題の全てｔ解決し、極めて優れた電気的、光学的、
光導電的特性、電気的耐圧性および使用環境特性を示す
。特に、電子写真用像形成部材として適用させた場合に
は、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比ン有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が扁
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高
品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

また、本発明の光受容部材は支持体上に形成される光受
容層の、層自体が強靭であって、かつ支持体との密着性
に著しく優れているため、高速で長時間連続的に繰返し
使用することができる。

【図面の簡単な説明】

第１〜４図は本発明の光受容部材の層構造を模式的に示
した図であり、第５図は本発明の光受容部材ヶ製造する
ための装置の１例で、グロー放電法による製造装置の模
式的説明図である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体と、シリコン原子を母体とする非晶質材料
で構成され、伝導性を制御する物質を含有することもあ
る光導電性を有する第一の層と、シリコン原子を母体と
し、炭素原子及び伝導性を制御する物質を含有する非晶
質材料で構成される第二の層とを積層してなる光受容層
とからなり、少くとも前記第一の層と前記第二の層のい
ずれか一方が、全層領域もしくは一部の層領域に窒素原
子を均一に分布した状態で含有していることを特徴とす
る光受容部材。
（２）特許請求の範囲第（１）項目記載の光受容部材に
おいて、第一の層および第二の層の少くともいずれか一
方が、全層領域もしくは一部の層領域に、さらに酸素原
子を均一に分布した状態で含有していることを特徴とす
る光受容部材。