JPS61246990A - スピンコ−ト方法およびその装置 - Google Patents
スピンコ−ト方法およびその装置Info
- Publication number
- JPS61246990A JPS61246990A JP60087706A JP8770685A JPS61246990A JP S61246990 A JPS61246990 A JP S61246990A JP 60087706 A JP60087706 A JP 60087706A JP 8770685 A JP8770685 A JP 8770685A JP S61246990 A JPS61246990 A JP S61246990A
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- JP
- Japan
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- substrate
- spin coating
- revolution
- rotation
- disk
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
基板の表面に塗布液をスピンコートする方法およびその
装置において、該基板を自転させると共に公転させなが
らスピンコートすることにより、均一な塗布膜を得るも
のである。
装置において、該基板を自転させると共に公転させなが
らスピンコートすることにより、均一な塗布膜を得るも
のである。
本発明はスピンコート方法およびその装置の改良に関す
る。
る。
一軸磁気異方性を有するガーネット等の磁性薄膜（ＬＰ
Ｅ）面に、適当な大きさの垂直バイアス磁界を印加する
と、円筒状の磁区（磁気バブル）が発生する。
Ｅ）面に、適当な大きさの垂直バイアス磁界を印加する
と、円筒状の磁区（磁気バブル）が発生する。
かかる磁気バブルを利用し、不揮発性であること、全固
体素子であること、大容量化が可能であること、比較的
高速度であること等の利点を有する磁気バブルメモリ装
置は、磁気バブルメモリ素子をセラミック等にてなる基
板に搭載し、該基板が磁気バブルに水平な回転磁界を印
加する駆動コイルと、素子の垂直方向にバイアス磁界を
印加し水平方向にホールド磁界を印加する永久磁石等と
共に、パッケージ内に収容し構成され、前記素子は前記
駆動コイルの中心部に位置するようになっている。
体素子であること、大容量化が可能であること、比較的
高速度であること等の利点を有する磁気バブルメモリ装
置は、磁気バブルメモリ素子をセラミック等にてなる基
板に搭載し、該基板が磁気バブルに水平な回転磁界を印
加する駆動コイルと、素子の垂直方向にバイアス磁界を
印加し水平方向にホールド磁界を印加する永久磁石等と
共に、パッケージ内に収容し構成され、前記素子は前記
駆動コイルの中心部に位置するようになっている。
そこで、前記素子のジヱネレー夕、スワップ。
ブロックリプリケータ等は導体パターン、バブル転送路
、ディテクタ等は磁性体（パーマロイ）パターンであり
、該導体パターンと磁性体パターンとは絶縁層を介し積
層形成されるが、導体パターンの形成による凹凸を平準
化する役割りをも有する該絶縁層、特にテフロン系の樹
脂にてなる絶縁層は、スピンコート手段で被着している
。
、ディテクタ等は磁性体（パーマロイ）パターンであり
、該導体パターンと磁性体パターンとは絶縁層を介し積
層形成されるが、導体パターンの形成による凹凸を平準
化する役割りをも有する該絶縁層、特にテフロン系の樹
脂にてなる絶縁層は、スピンコート手段で被着している
。
第４図は前記磁気バブルメモリ素子を破断した一部の拡
大した模式断面図である。
大した模式断面図である。
第４図において、１１はガーネット基板の上面に形成し
た磁性ガーネット層（ＬＥＰ） 、１２はＬＥｐＨの上
に被着した絶縁層（ＳｉＯ□層）、１３は絶縁層１２の
上に形成した導体パターン、１４は絶縁層、１５は絶縁
層（ＳｉＯ□層）、１６は絶縁層１４の上に形成した磁
性体パターン、１７はそれらの上に被着した絶縁保護層
である。
た磁性ガーネット層（ＬＥＰ） 、１２はＬＥｐＨの上
に被着した絶縁層（ＳｉＯ□層）、１３は絶縁層１２の
上に形成した導体パターン、１４は絶縁層、１５は絶縁
層（ＳｉＯ□層）、１６は絶縁層１４の上に形成した磁
性体パターン、１７はそれらの上に被着した絶縁保護層
である。
そして、導体パターン１３は厚さ３０００人〜４０００
人程度であり、導体パターン１３による凹凸を平準化す
る役割をも有するｋｆｉｉ層１４層側４ばポリラダーオ
ルガノシロキサン系樹脂（テフロン系樹脂）にてなる絶
縁層１４の厚さは、メモリ素子の特性に係わり例えば厚
さが２５００人程度７あり、スピンコート手段で塗布し
ている。
人程度であり、導体パターン１３による凹凸を平準化す
る役割をも有するｋｆｉｉ層１４層側４ばポリラダーオ
ルガノシロキサン系樹脂（テフロン系樹脂）にてなる絶
縁層１４の厚さは、メモリ素子の特性に係わり例えば厚
さが２５００人程度７あり、スピンコート手段で塗布し
ている。
第５図は従来のスピンコート方法およびその装置を説明
するための側面図であり、複数個の磁気バブルメモリ素
子を切出し可能なガーネットのウェーハ１を、回転軸１
８に支持されて水平なディスク２の上面に固定する。そ
こで、ウェーハ１の上面に適量の樹脂液を滴下し、回転
軸１８を適宜の速度で回転させると、該樹脂液はウェー
ハ１の上面に沿って、該回転の遠心力によりほぼ均一厚
さの塗布膜（未硬化の絶縁層１４）を形成する。
するための側面図であり、複数個の磁気バブルメモリ素
子を切出し可能なガーネットのウェーハ１を、回転軸１
８に支持されて水平なディスク２の上面に固定する。そ
こで、ウェーハ１の上面に適量の樹脂液を滴下し、回転
軸１８を適宜の速度で回転させると、該樹脂液はウェー
ハ１の上面に沿って、該回転の遠心力によりほぼ均一厚
さの塗布膜（未硬化の絶縁層１４）を形成する。
上記塗布膜の形成に際し、従来のスピンコート方法およ
びその装置は、ウェーハ１の中心と回転軸重８の中心と
がほぼ一致するようにしていた。そのため、第６図に示
す如く塗布膜１９は、導体パターン１３の上部で他部よ
りも薄くなる。と共に、スピンコートの遠心力は中心か
ら放射状になり、遠心力が働く方向を矢印Ｃとしたとき
、導体パターン１３の手前にやや多く蓄積し、その骨導
体パターン１３の先方で塗布液が不足して薄くなっる。
びその装置は、ウェーハ１の中心と回転軸重８の中心と
がほぼ一致するようにしていた。そのため、第６図に示
す如く塗布膜１９は、導体パターン１３の上部で他部よ
りも薄くなる。と共に、スピンコートの遠心力は中心か
ら放射状になり、遠心力が働く方向を矢印Ｃとしたとき
、導体パターン１３の手前にやや多く蓄積し、その骨導
体パターン１３の先方で塗布液が不足して薄くなっる。
その結果、ホト・リソグラフィツク技術による磁性体パ
ターン１６の形成精度が低下し、そのことが磁気バブル
メモリ素子の高密度化指向の妨げとなっていた。と共に
、スピンコートの適正条件の許容域が狭められるという
問題点があった。
ターン１６の形成精度が低下し、そのことが磁気バブル
メモリ素子の高密度化指向の妨げとなっていた。と共に
、スピンコートの適正条件の許容域が狭められるという
問題点があった。
第１図は本発明の一実施例になる装置の要部の一部を破
断した側面図、第２図は第１図の平面図である。
断した側面図、第２図は第１図の平面図である。
上記問題点は第１図、第２図によれば、基板１の表面に
塗布液をスピンコートするに際し、該塗布液を滴下した
基板１が自転すると共に公転することを特徴とし、 さらには、前記公転の中心２が基板ｌの半径方向の外側
にあること、 または、前記自転の回転速度が前記公転の回転速度より
遅いことを特徴とする、スピンコート方法、 並びに回転自在な回転軸４、 回転軸４に装着しその半径方向に突出する腕部材５、 腕部材５の突出端近傍に軸首部が回動自在に嵌合するデ
ィスク６、 適宜に支持された第１の回転車７、 該軸首に装着し第１の回転車７に従動する第２の回転車
８を具え、 回転軸４．腕部材５．該軸首部を貫通しディスク６の基
板接触面開口する吸気孔９を設けてなることを特徴とし さらには、第２の回転車８の直径が第１の回転車７の直
径より大きいことを特徴とする、スピンコート装置によ
り解決される。
塗布液をスピンコートするに際し、該塗布液を滴下した
基板１が自転すると共に公転することを特徴とし、 さらには、前記公転の中心２が基板ｌの半径方向の外側
にあること、 または、前記自転の回転速度が前記公転の回転速度より
遅いことを特徴とする、スピンコート方法、 並びに回転自在な回転軸４、 回転軸４に装着しその半径方向に突出する腕部材５、 腕部材５の突出端近傍に軸首部が回動自在に嵌合するデ
ィスク６、 適宜に支持された第１の回転車７、 該軸首に装着し第１の回転車７に従動する第２の回転車
８を具え、 回転軸４．腕部材５．該軸首部を貫通しディスク６の基
板接触面開口する吸気孔９を設けてなることを特徴とし さらには、第２の回転車８の直径が第１の回転車７の直
径より大きいことを特徴とする、スピンコート装置によ
り解決される。
上記手段によれば、塗布膜の形成される基板１が自転お
よび公転するため、塗布膜形成時の遠心力は正弦波的に
大きさと方向が変化し、均一を厚さの塗布膜が形成さる
ようになる。
よび公転するため、塗布膜形成時の遠心力は正弦波的に
大きさと方向が変化し、均一を厚さの塗布膜が形成さる
ようになる。
以下に、第１図と第２図およびディスク支持軸の要部を
示す第３図を用いて、本発明の一実施例を説明する。
示す第３図を用いて、本発明の一実施例を説明する。
第１図と第２図において、１は塗布膜を形成する基板（
ウェーハ）、２は基板１の公転中心、３は基板１の自転
中心、４は回転自在に支持された回転軸、５は回転軸４
の上端部に中央部が支持された回転腕部材、６は腕部材
５の先端部近傍に設けた貫通孔と回転自在に軸首が嵌合
するディスク、７は回転軸４に装着された回転車、８は
前記軸首の下端部に装着され回転車７に従動する回転車
、９は回転軸４と腕部材５を貫通しディスク６の上部中
心に開口する吸気孔である。
ウェーハ）、２は基板１の公転中心、３は基板１の自転
中心、４は回転自在に支持された回転軸、５は回転軸４
の上端部に中央部が支持された回転腕部材、６は腕部材
５の先端部近傍に設けた貫通孔と回転自在に軸首が嵌合
するディスク、７は回転軸４に装着された回転車、８は
前記軸首の下端部に装着され回転車７に従動する回転車
、９は回転軸４と腕部材５を貫通しディスク６の上部中
心に開口する吸気孔である。
かかる構成の装置において、図示しない駆動源の駆動に
より、回転軸４を右回転させると、腕部材５が回転軸４
と一緒に回転する。従って、一対のディスク６も矢印Ａ
方向へ右回転すると共に、回転車７も回転軸４と一緒に
回転するため、歯の噛み合いや摩擦力等で回転車７に従
動する回転車８は矢印Ｂ方向へ回転し、Ａ方向への回転
（公転）に対するＢ方向への回転（自転）速度は、回転
車７と８の回転角速度比により決まる。
より、回転軸４を右回転させると、腕部材５が回転軸４
と一緒に回転する。従って、一対のディスク６も矢印Ａ
方向へ右回転すると共に、回転車７も回転軸４と一緒に
回転するため、歯の噛み合いや摩擦力等で回転車７に従
動する回転車８は矢印Ｂ方向へ回転し、Ａ方向への回転
（公転）に対するＢ方向への回転（自転）速度は、回転
車７と８の回転角速度比により決まる。
そこで、各ディスク６の上面に基板１を載置し、図示し
ない真空ポンプを駆動し吸気孔９を介し吸気すると、各
基板１はディスク６に吸着される。
ない真空ポンプを駆動し吸気孔９を介し吸気すると、各
基板１はディスク６に吸着される。
次いで、基板１の上面に適量の塗布液を滴下し回転軸４
を回転させると、基板１は回転軸４の軸中心２を回転中
心として公転すると共に、ディスク６の軸中心３を回転
中心として自転しその遠心力、即ち自転と公転に伴に伴
って正弦波状に大きさと方向が変化する遠心力が、基板
１の上面に塗布液の膜を形成させる。
を回転させると、基板１は回転軸４の軸中心２を回転中
心として公転すると共に、ディスク６の軸中心３を回転
中心として自転しその遠心力、即ち自転と公転に伴に伴
って正弦波状に大きさと方向が変化する遠心力が、基板
１の上面に塗布液の膜を形成させる。
第１図と第３図を用いて吸気孔９の詳細を説明する。
第１図と第３図において、９ａは回転軸４を貫通する吸
気孔、９ｂは腕部材５に設けその中央部に吸気孔９ａが
連通ずる吸気孔、９ｃはディスク６の軸首部６ａの中間
に設は吸気孔９ｂの端部が連通ずる鉢巻状の溝、９ｄは
ディスク６の上面に開口し吸気孔９ｃの側方に至る吸気
孔、９ｅは溝９Ｃと吸気孔９ｄとを連通ずる吸気孔であ
る。
気孔、９ｂは腕部材５に設けその中央部に吸気孔９ａが
連通ずる吸気孔、９ｃはディスク６の軸首部６ａの中間
に設は吸気孔９ｂの端部が連通ずる鉢巻状の溝、９ｄは
ディスク６の上面に開口し吸気孔９ｃの側方に至る吸気
孔、９ｅは溝９Ｃと吸気孔９ｄとを連通ずる吸気孔であ
る。
従って、吸気孔９は軸首部６ａの回転に係わらず、常時
真空ポンプとディスク６上面の開口とが連通し吸気する
ようになる。
真空ポンプとディスク６上面の開口とが連通し吸気する
ようになる。
なお本発明の実施に際し、同時に複数枚の基板１を対象
としない方法および装置では、形成された塗布膜の均一
性だけを考慮し、自転、公転の回転速度および自転中心
と公転中心との関係を設定すればよい。
としない方法および装置では、形成された塗布膜の均一
性だけを考慮し、自転、公転の回転速度および自転中心
と公転中心との関係を設定すればよい。
しかし、上記実施例の如く２枚または２枚以上の基板１
を同時に対象とする方法および装置では、基板１間で干
渉しないこと、および他の基板１から塗布液が飛散する
ことを配慮し、公転の中心を基板１の外方に位置するこ
と、公転の角速度より自転の角速度が太き（（実験的に
は２倍程度）設定すること、さらに理想的には公転と自
転の駆動源を別々にし公転に先立って５００〜１１００
０ｒｐ程度の比較的低速度で自転させることが望ましい
。
を同時に対象とする方法および装置では、基板１間で干
渉しないこと、および他の基板１から塗布液が飛散する
ことを配慮し、公転の中心を基板１の外方に位置するこ
と、公転の角速度より自転の角速度が太き（（実験的に
は２倍程度）設定すること、さらに理想的には公転と自
転の駆動源を別々にし公転に先立って５００〜１１００
０ｒｐ程度の比較的低速度で自転させることが望ましい
。
以上説明した如く本発明によれば、自転および公転する
基板に塗布膜を形成させることにより、下地に凹凸を有
するも該凹凸の段差を吸収し、平滑な上面の塗布膜が形
成可能となった。その結果、磁気バブルメモリ素子や半
導体装置等の製造に際し、所要の絶縁層やレジスト膜の
被着に本発明を適用し、微細パターンの精度が向上し、
高密度化に貢献した効果は大きい。
基板に塗布膜を形成させることにより、下地に凹凸を有
するも該凹凸の段差を吸収し、平滑な上面の塗布膜が形
成可能となった。その結果、磁気バブルメモリ素子や半
導体装置等の製造に際し、所要の絶縁層やレジスト膜の
被着に本発明を適用し、微細パターンの精度が向上し、
高密度化に貢献した効果は大きい。
第１図は本発明の一実施例になる装置の要部の一部を破
断した側面図、 第２図は第１図の平面図、 第３図は第１図と第２図に示すディスクの要部を示す側
面図、 第４図は前記磁気バブルメモリ素子を破断した一部の拡
大した模式断面図、 第５図は従来のスピンコート方法およびその装置を説明
するための要部側面図、 第６図は従来のスピンコート方法およびその装置による
問題点を説明するための側断面図、 である。 図中において、 １は基板、 ２は公転中心、 ３は自転中心、 ４は回転軸、 ５は腕部材、 ６はディスク、 ６ａは軸着部、 ７．８は回転車、 ９は吸気孔、 を示す。 本発明ｎγ施例１；δ聚ｌ 易 １ 図 第を図の平面図 あ ２ 図 第 ３ 馴 第４図 ！ 第５図 １−漏己、来方３ラヒ１．コう・よひ−＊−１ｔ−を二
、Ｙ、５バパ、ダ］ζ、ｉ梨）第６２
断した側面図、 第２図は第１図の平面図、 第３図は第１図と第２図に示すディスクの要部を示す側
面図、 第４図は前記磁気バブルメモリ素子を破断した一部の拡
大した模式断面図、 第５図は従来のスピンコート方法およびその装置を説明
するための要部側面図、 第６図は従来のスピンコート方法およびその装置による
問題点を説明するための側断面図、 である。 図中において、 １は基板、 ２は公転中心、 ３は自転中心、 ４は回転軸、 ５は腕部材、 ６はディスク、 ６ａは軸着部、 ７．８は回転車、 ９は吸気孔、 を示す。 本発明ｎγ施例１；δ聚ｌ 易 １ 図 第を図の平面図 あ ２ 図 第 ３ 馴 第４図 ！ 第５図 １−漏己、来方３ラヒ１．コう・よひ−＊−１ｔ−を二
、Ｙ、５バパ、ダ］ζ、ｉ梨）第６２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板（１）の表面に塗布液をスピンコートするに際
し、該塗布液を滴下した該基板（１）が自転すると共に
公転することを特徴とするスピンコート方法。 ２）前記公転の中心（２）が前記基板（１）の半径方向
の外側にあることを特徴とする前記特許請求の範囲第１
項記載のスピンコート方法。 ３）前記自転の回転速度が前記公転の回転速度より遅い
ことを特徴とする前記特許請求の範囲第１項記載のスピ
ンコート方法。 ４）動力源の駆動により回転する回転軸（４）、該回転
軸（４）に装着しその半径方向に突出する腕部材（５）
、該腕部材（５）の突出端近傍に軸首部が回動自在に嵌
合するディスク（６）、適宜に支持された第１の回転車
（７）、該軸首に装着し該第１の回転車（７）に従動す
る第２の回転車（８）を具え、該回転軸（４）、腕部材
（５）、軸首部を貫通し該ディスク（６）の基板接触面
開口する吸気孔（９）を設けてなることを特徴とするス
ピンコート装置。 （５）前記第２の回転車（８）の直径が該第１の回転車
（７）の直径より大きいことを特徴とする前記特許請求
の範囲第４項記載のスピンコート装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60087706A JPS61246990A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | スピンコ−ト方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60087706A JPS61246990A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | スピンコ−ト方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61246990A true JPS61246990A (ja) | 1986-11-04 |
Family
ID=13922356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60087706A Pending JPS61246990A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | スピンコ−ト方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61246990A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02270415A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-05 | Tdk Corp | 圧電振動子の共振周波数調整方法 |
| US5095848A (en) * | 1989-05-02 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating apparatus using a tilting chuck |
| US5264246A (en) * | 1989-05-02 | 1993-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating method |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP60087706A patent/JPS61246990A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02270415A (ja) * | 1989-04-12 | 1990-11-05 | Tdk Corp | 圧電振動子の共振周波数調整方法 |
| US5095848A (en) * | 1989-05-02 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating apparatus using a tilting chuck |
| US5264246A (en) * | 1989-05-02 | 1993-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating method |
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