JPS6125254B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6125254B2 JPS6125254B2 JP2896579A JP2896579A JPS6125254B2 JP S6125254 B2 JPS6125254 B2 JP S6125254B2 JP 2896579 A JP2896579 A JP 2896579A JP 2896579 A JP2896579 A JP 2896579A JP S6125254 B2 JPS6125254 B2 JP S6125254B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- transistor
- impedance
- circuit
- diode
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/46—One-port networks
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は端子電位に応じて該端子からみてイン
ピーダンスが変化するインピーダンス可変回路に
関し、その目的とするところは、上記端子が所定
電位になつた際に極小インピーダンスが得られる
ようにすることにより、周波数選択回路などの各
種機能回路が構成できるインピーダンス可変回路
を提供しようとするものである。
ピーダンスが変化するインピーダンス可変回路に
関し、その目的とするところは、上記端子が所定
電位になつた際に極小インピーダンスが得られる
ようにすることにより、周波数選択回路などの各
種機能回路が構成できるインピーダンス可変回路
を提供しようとするものである。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明す
る。第１図において１は供給電圧が可変の電圧源
であり、この電圧源１は保護抵抗R1（この抵抗
P1と電圧源１が第１の電位供給部である）を介し
て端子２に接続される。この端子２は入力カツプ
リングコンデンサC1を介して入力端子３に接続
されると共に、出力カツプリングコンデンサC2
を介して出力端子４に接続される。また端子２
は、ダイオード接続されたNPN型トランジスタ
Q1（以後ダイオードという）を順方向に介して
NPN型トランジスタQ2のコレクタに接続され
る。このトランジスタQ2のエミツタは接地され
（この接地が第２の電位供給部である）、ベースは
トランジスタQ2のバイアス用定電流源５を介し
て接地され、またダイオード接続されたNPNト
ランジスタQ3を介して接地される。このトラン
ジスタQ3とトランジスタQ2は、例えば同一の形
状で同一特性を有する。
る。第１図において１は供給電圧が可変の電圧源
であり、この電圧源１は保護抵抗R1（この抵抗
P1と電圧源１が第１の電位供給部である）を介し
て端子２に接続される。この端子２は入力カツプ
リングコンデンサC1を介して入力端子３に接続
されると共に、出力カツプリングコンデンサC2
を介して出力端子４に接続される。また端子２
は、ダイオード接続されたNPN型トランジスタ
Q1（以後ダイオードという）を順方向に介して
NPN型トランジスタQ2のコレクタに接続され
る。このトランジスタQ2のエミツタは接地され
（この接地が第２の電位供給部である）、ベースは
トランジスタQ2のバイアス用定電流源５を介し
て接地され、またダイオード接続されたNPNト
ランジスタQ3を介して接地される。このトラン
ジスタQ3とトランジスタQ2は、例えば同一の形
状で同一特性を有する。
上記第１図の回路は、ダイオードQ1の順方向
電圧ＶFに対するインピーダンスΔＶF／ΔI1（I1
は端子２を通る動作電流）と、トランジスタQ2
のコレクタ、エミツタ間電圧ＶcEに対するインピ
ーダンスΔＶCE／ΔI1とを加算し、その値が端子
２の電位V1を変えることにより、第５図に示さ
れるようにV1′の点で極小になるようにしたもの
である。即ち第１図のダイオードQ1，Q3をシリ
コンダイオード、トランジスタQ2をシリコント
ランジスタとした時、V1＞１〔Ｖ〕に選ぶと、
第１図の回路は交流等価的に第２図に示されるよ
うに、ダイオードQ1の順方向インピーダンスＺF
＝26〔mV〕／I0（低周波の場合の等価値）と、
定電流I0と、抵抗R1とで構成されたものに等しく
なる。従つてV1＞１〔Ｖ〕の時、端子３，４か
ら見込んだインピーダンスは第２図よりR1とな
る。
電圧ＶFに対するインピーダンスΔＶF／ΔI1（I1
は端子２を通る動作電流）と、トランジスタQ2
のコレクタ、エミツタ間電圧ＶcEに対するインピ
ーダンスΔＶCE／ΔI1とを加算し、その値が端子
２の電位V1を変えることにより、第５図に示さ
れるようにV1′の点で極小になるようにしたもの
である。即ち第１図のダイオードQ1，Q3をシリ
コンダイオード、トランジスタQ2をシリコント
ランジスタとした時、V1＞１〔Ｖ〕に選ぶと、
第１図の回路は交流等価的に第２図に示されるよ
うに、ダイオードQ1の順方向インピーダンスＺF
＝26〔mV〕／I0（低周波の場合の等価値）と、
定電流I0と、抵抗R1とで構成されたものに等しく
なる。従つてV1＞１〔Ｖ〕の時、端子３，４か
ら見込んだインピーダンスは第２図よりR1とな
る。
またV1が0.6〔Ｖ〕＜V1＜１〔Ｖ〕の場合は、第
１図の回路は交流等価的に、第３図の如くダイオ
ードQ1の順方向インピーダンスＺFと、トランジ
スタQ2の飽和領域内におけるインピーダンスＺQ
２＝ΔＶCE／ΔI1と、抵抗R1とで構成されたもの
になる。この時端子３，４から見込んだインピー
ダンスは、“ＺF＋ＺQ2”及び“R1”よりなる並列
インピーダンスの合成値となる。
１図の回路は交流等価的に、第３図の如くダイオ
ードQ1の順方向インピーダンスＺFと、トランジ
スタQ2の飽和領域内におけるインピーダンスＺQ
２＝ΔＶCE／ΔI1と、抵抗R1とで構成されたもの
になる。この時端子３，４から見込んだインピー
ダンスは、“ＺF＋ＺQ2”及び“R1”よりなる並列
インピーダンスの合成値となる。
またV1が0.6〔Ｖ〕＞V1の場合は、ダイオード
Q1がカツトオフ領域内であるため、該Q1はオー
プン状態となり、等価的に第４図の如くなる。即
ちV1＜0.6〔Ｖ〕の場合、端子３，４側からみた
インピーダンスは、R1となるものである。
Q1がカツトオフ領域内であるため、該Q1はオー
プン状態となり、等価的に第４図の如くなる。即
ちV1＜0.6〔Ｖ〕の場合、端子３，４側からみた
インピーダンスは、R1となるものである。
以上の結果を、V1の変化と動作電流I1及び端子
３，４から見込んだインピーダンスの変化につい
てまとめたものが第５図である。これからV1＝
V1′の点でインピーダンスが極小となることが分
る。
３，４から見込んだインピーダンスの変化につい
てまとめたものが第５図である。これからV1＝
V1′の点でインピーダンスが極小となることが分
る。
前記第１図の回路の応用例としては周波数選択
回路等があり、その一例を第６図に示す。ここで
はトランジスタQ6をエミツタ接地形として動作
させる増幅回路であり、Q6のベースは抵抗R2，
R3，R4及びダイオードQ3，Q4で構成されるバイ
アス電圧が印加される。Q6のエミツタと接地と
の間にはトランジスタQ5とエミツタ抵抗R5で構
成される定電流回路と並列に本発明による可変イ
ンピーダンス回路（ダイオードQ1，トランジス
タQ2）がバイパスコンデンサーC3を介して接続さ
れる。Q6のコレクタと定電圧電源６との間に負
荷抵抗R6が接続され、又Q6のコレクタと出力端
子４との間にカツプリングコンデンサーC2が接
続される。
回路等があり、その一例を第６図に示す。ここで
はトランジスタQ6をエミツタ接地形として動作
させる増幅回路であり、Q6のベースは抵抗R2，
R3，R4及びダイオードQ3，Q4で構成されるバイ
アス電圧が印加される。Q6のエミツタと接地と
の間にはトランジスタQ5とエミツタ抵抗R5で構
成される定電流回路と並列に本発明による可変イ
ンピーダンス回路（ダイオードQ1，トランジス
タQ2）がバイパスコンデンサーC3を介して接続さ
れる。Q6のコレクタと定電圧電源６との間に負
荷抵抗R6が接続され、又Q6のコレクタと出力端
子４との間にカツプリングコンデンサーC2が接
続される。
一方入力端子３はカツプリングコンデンサー
C1を介してQ6のベースに接続されると共に―
Ｖ変換器Ａの入力端子に接続され、その出力端子
は調整抵抗R7と保護抵抗R1を介して可変インピ
ーダンスのダイオードのアノード側に接続され
る。
C1を介してQ6のベースに接続されると共に―
Ｖ変換器Ａの入力端子に接続され、その出力端子
は調整抵抗R7と保護抵抗R1を介して可変インピ
ーダンスのダイオードのアノード側に接続され
る。
この第６図の回路は―Ｖ変換器Ａの出力電圧
に応じて端子２と接地間インピーダンスが前記実
施例のように変化するから、Q6による電圧増幅
率Ｇv＝V0／V1＝R6／（ＺF＋ＺQ2）も変化す
る。ＺF＋ＺQ2が最小になる点でＧvは最大とな
る。（第７図参照）又調整抵抗を変化させると
1′の点を自由に変えることができる。
に応じて端子２と接地間インピーダンスが前記実
施例のように変化するから、Q6による電圧増幅
率Ｇv＝V0／V1＝R6／（ＺF＋ＺQ2）も変化す
る。ＺF＋ＺQ2が最小になる点でＧvは最大とな
る。（第７図参照）又調整抵抗を変化させると
1′の点を自由に変えることができる。
なお本発明は実施例のものに限定されるもので
はなく、例えば使用トランジスタにPNP型のもの
を用い、ダイオードの接続等を逆にする構成とし
てもよい。また本発明の応用は周波数選択回路の
みでなく、インピーダンス変化が要求される他の
機能回路にも適用できる等、種々の応用が可能で
ある。
はなく、例えば使用トランジスタにPNP型のもの
を用い、ダイオードの接続等を逆にする構成とし
てもよい。また本発明の応用は周波数選択回路の
みでなく、インピーダンス変化が要求される他の
機能回路にも適用できる等、種々の応用が可能で
ある。
以上説明したように本発明は、端子（例えば第
１図の２）への供給電位を可変とした第１の電位
供給部（例えば１，R1）と、エミツタが第２の電
位供給部（例えば接地）に接続されると共にベー
スにバイアス電流が供給されるトランジスタ（例
えばQ2）と、このトランジスタのコレクタと前記
端子との間に順方向接続されるダイオード（例え
ばQ1）と、前記端子に第１のカツプリングコンデ
ンサ（例えばC1）を介して接続される入力端子
（例えば３）と、前記端子に第２のカツプリング
コンデンサ（例えばC2）を介して接続される出力
端子（例えば４）とを具備したことを特徴とす
る。
１図の２）への供給電位を可変とした第１の電位
供給部（例えば１，R1）と、エミツタが第２の電
位供給部（例えば接地）に接続されると共にベー
スにバイアス電流が供給されるトランジスタ（例
えばQ2）と、このトランジスタのコレクタと前記
端子との間に順方向接続されるダイオード（例え
ばQ1）と、前記端子に第１のカツプリングコンデ
ンサ（例えばC1）を介して接続される入力端子
（例えば３）と、前記端子に第２のカツプリング
コンデンサ（例えばC2）を介して接続される出力
端子（例えば４）とを具備したことを特徴とす
る。
従つて本発明によれば、電位供給部から供給さ
れる電位が所定電位になつた時、ダイオード及び
トランジスタ直列回路のインピーダンスが変化す
るものであるから、比較的簡単な構成でありなが
ら、周波数選択などの各種機能回路が実現できる
インピーダンス可変回路が提供できるものであ
る。
れる電位が所定電位になつた時、ダイオード及び
トランジスタ直列回路のインピーダンスが変化す
るものであるから、比較的簡単な構成でありなが
ら、周波数選択などの各種機能回路が実現できる
インピーダンス可変回路が提供できるものであ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２
図ないし第４図は同回路の動作を示す等価回路
図、第５図は同回路の動作を示す特性図、第６図
は本発明の応用例を示す回路図、第７図はＧv―
V1，Ｇv―特性図である。 １…可変電圧源、２…可変電圧供給端、３…入
力端子、４…出力端子、５…バイアス用定電流
源、６…定電圧電源、Q1，Q3，Q4…ダイオー
ド、Q2，QE，QF…トランジスタ、R1…保護抵
抗、R2，R3，R4…バイアス抵抗、R5…エミツタ
抵抗、R6…負荷抵抗、R7…調整抵抗、C1，C2…
カツプリングコンデンサ、C3…バイパスコンデ
ンサー、Ａ…周波数―電圧Ｖ変換器、V1…入
力電圧、V0…出力電圧、Ｇv…電圧利得、…周
波数。
図ないし第４図は同回路の動作を示す等価回路
図、第５図は同回路の動作を示す特性図、第６図
は本発明の応用例を示す回路図、第７図はＧv―
V1，Ｇv―特性図である。 １…可変電圧源、２…可変電圧供給端、３…入
力端子、４…出力端子、５…バイアス用定電流
源、６…定電圧電源、Q1，Q3，Q4…ダイオー
ド、Q2，QE，QF…トランジスタ、R1…保護抵
抗、R2，R3，R4…バイアス抵抗、R5…エミツタ
抵抗、R6…負荷抵抗、R7…調整抵抗、C1，C2…
カツプリングコンデンサ、C3…バイパスコンデ
ンサー、Ａ…周波数―電圧Ｖ変換器、V1…入
力電圧、V0…出力電圧、Ｇv…電圧利得、…周
波数。
Claims (1)
- １ 端子への供給電位を可変とした第１の電位供
給部と、エミツタが第２の電位供給部に接続され
ると共にベースにバイアス電流が供給されるトラ
ンジスタと、このトランジスタのコレクタと前記
端子との間に順方向接続されるダイオードと、前
記端子に第１のカツプリングコンデンサを介して
接続される入力端子と、前記端子に第２のカツプ
リングコンデンサを介して接続される出力端子と
を具備したことを特徴とする可変インピーダンス
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2896579A JPS55121734A (en) | 1979-03-13 | 1979-03-13 | Variable impedance circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2896579A JPS55121734A (en) | 1979-03-13 | 1979-03-13 | Variable impedance circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55121734A JPS55121734A (en) | 1980-09-19 |
| JPS6125254B2 true JPS6125254B2 (ja) | 1986-06-14 |
Family
ID=12263119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2896579A Granted JPS55121734A (en) | 1979-03-13 | 1979-03-13 | Variable impedance circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55121734A (ja) |
-
1979
- 1979-03-13 JP JP2896579A patent/JPS55121734A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55121734A (en) | 1980-09-19 |
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