JPS61255988A - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPS61255988A JPS61255988A JP60096728A JP9672885A JPS61255988A JP S61255988 A JPS61255988 A JP S61255988A JP 60096728 A JP60096728 A JP 60096728A JP 9672885 A JP9672885 A JP 9672885A JP S61255988 A JPS61255988 A JP S61255988A
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- crystal composition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
E産業上の利用分野]
本発明は、液晶表示素子に利用される液晶組成物に関し
、更に詳しくはダイナミック駆動用液晶表示素子に適し
た液晶組成物に関するものである。
、更に詳しくはダイナミック駆動用液晶表示素子に適し
た液晶組成物に関するものである。
[従来の技術]
従来、時計電卓等の表示部に用いられているツイストネ
マチック(TN)型液晶表示素子には、Sにつなツイス
ト配向を達成するために誘電異方性が正のネマティック
液晶に少量の光学活性な化合物が添加された組成物が用
いられてきた。
マチック(TN)型液晶表示素子には、Sにつなツイス
ト配向を達成するために誘電異方性が正のネマティック
液晶に少量の光学活性な化合物が添加された組成物が用
いられてきた。
また、これら光学活性物質としては、光学活性アミール
基を有するカイラルネマティック化合物もしくはコレス
テリン環を有する化合物が知られ、これらの化合物はい
ずれもネマティック液晶に添加した場合にそのヘリカル
ピッチが高温になる程大きく、低温になる程小さくなる
性質を示すものであった。
基を有するカイラルネマティック化合物もしくはコレス
テリン環を有する化合物が知られ、これらの化合物はい
ずれもネマティック液晶に添加した場合にそのヘリカル
ピッチが高温になる程大きく、低温になる程小さくなる
性質を示すものであった。
[発明の解決しようとする問題点]
一般にTN素子をダイナミック駆動した場合に選択波形
によって点灯可能な電圧(VON)と、半選択波形によ
って消去可能な限界電圧(VOF F )は温度の上昇
に伴なって、共に低下する。
によって点灯可能な電圧(VON)と、半選択波形によ
って消去可能な限界電圧(VOF F )は温度の上昇
に伴なって、共に低下する。
TN素子のしきい電圧は、下式(F、 J、 Kahn
and R,A、 Burmeigter J
r、 239. NanemigsivaElec
trooptic Displays )によって与
えられる。
and R,A、 Burmeigter J
r、 239. NanemigsivaElec
trooptic Displays )によって与
えられる。
Vth= g
トに!1++(K33−2 K22) + 2 K22
(÷)ここで、に目はFrankの弾性係数、Δεは
誘電率の異方性、7Lは液晶層の厚み、Pはピッチであ
る。
(÷)ここで、に目はFrankの弾性係数、Δεは
誘電率の異方性、7Lは液晶層の厚み、Pはピッチであ
る。
従って、温度の上昇に伴ってコレステリックピッチが大
きくなる光学活性物質を用いた場合には、高温でKが小
さくなるので、VONとvorrの温度勾配が大きくな
る。この素子の点灯と消去状態を得ることができる駆動
電圧は、VONとV OFFの間の電圧であるから、一
定の駆動電圧を用いた場合には、表示可能な温度範囲が
狭くなる欠点があった。一方、サーミスター等の温度検
出素子を用いて、駆動電圧(Vo )を温度と共に変化
させて、 VOW< Vo < VOFFが保たれるよ
うに1回路側から工夫し、広い温度範囲にわたって駆動
可能とする方法もあるが、回路が複雑化し、回路コスト
が増大する欠点や、サーミスターの温度特性に液晶の温
度特性を合せる自由度に欠ける等の欠点が従ズの液晶組
成物にはあった。
きくなる光学活性物質を用いた場合には、高温でKが小
さくなるので、VONとvorrの温度勾配が大きくな
る。この素子の点灯と消去状態を得ることができる駆動
電圧は、VONとV OFFの間の電圧であるから、一
定の駆動電圧を用いた場合には、表示可能な温度範囲が
狭くなる欠点があった。一方、サーミスター等の温度検
出素子を用いて、駆動電圧(Vo )を温度と共に変化
させて、 VOW< Vo < VOFFが保たれるよ
うに1回路側から工夫し、広い温度範囲にわたって駆動
可能とする方法もあるが、回路が複雑化し、回路コスト
が増大する欠点や、サーミスターの温度特性に液晶の温
度特性を合せる自由度に欠ける等の欠点が従ズの液晶組
成物にはあった。
[問題を解決するための手段]
本発明は前述の問題点を解決するためになされたもので
あり、一般式 (式中Rは炭素数2〜12のアルキル基をあられし、木
は光学活性中心をあられし、又は単結合、−C00−、
−CH2CH2−、−CIh0−又は−0CR2−をあ
られし、nは1又は2をあられし、YとZは独立に単結
合、1.4−ジ置換フェニレン又はトランス−1,4−
ジ置換シクロヘキシレンをあられし、R′は炭素数1〜
12のアルキル基又はアルコキシ基をあられす)′r!
示される化合物を1種類以上含有したことを特徴とする
液晶組成物である。
あり、一般式 (式中Rは炭素数2〜12のアルキル基をあられし、木
は光学活性中心をあられし、又は単結合、−C00−、
−CH2CH2−、−CIh0−又は−0CR2−をあ
られし、nは1又は2をあられし、YとZは独立に単結
合、1.4−ジ置換フェニレン又はトランス−1,4−
ジ置換シクロヘキシレンをあられし、R′は炭素数1〜
12のアルキル基又はアルコキシ基をあられす)′r!
示される化合物を1種類以上含有したことを特徴とする
液晶組成物である。
本発明において、一般式CI)中のRで示される直鎖状
のアルキル基の炭素数は、少ない場合には融点が高く、
多すぎる場合には粘度が高いので2〜12であるが、好
ましくは2〜8が良い。
のアルキル基の炭素数は、少ない場合には融点が高く、
多すぎる場合には粘度が高いので2〜12であるが、好
ましくは2〜8が良い。
R′はアルキル基又はアルコキシ基であり、その炭素数
は少ない場合には融点が高く、多過る場合にはその粘度
が高いので、1〜12であるが、好ましくは2〜8が良
い、又、このR′は直鎖状でも分岐状でも良いが、一般
に直鎖状のものの方が好ましい。
は少ない場合には融点が高く、多過る場合にはその粘度
が高いので、1〜12であるが、好ましくは2〜8が良
い、又、このR′は直鎖状でも分岐状でも良いが、一般
に直鎖状のものの方が好ましい。
一般式(I)の化合物において、1.4−ジ置換フェニ
レンの数とトランス−1,4−ジ置換シクロヘキシレン
の数の合計は最大4個、最小1個であるが、1個の場合
には他の液晶性を示す化合物と混合した場合にその透明
点が低くなる傾向にあり、又、4個の場合には粘度が高
過る傾向にあるので、環の合計数は2〜3が好ましい。
レンの数とトランス−1,4−ジ置換シクロヘキシレン
の数の合計は最大4個、最小1個であるが、1個の場合
には他の液晶性を示す化合物と混合した場合にその透明
点が低くなる傾向にあり、又、4個の場合には粘度が高
過る傾向にあるので、環の合計数は2〜3が好ましい。
このため、一般式(I)において、R′が直鎖状のアル
キル基又はアルコキシ基であり、nが1であり、Yが1
.4−ジ置換フェニレンであるところの化合物を用いる
ことが好ましい。
キル基又はアルコキシ基であり、nが1であり、Yが1
.4−ジ置換フェニレンであるところの化合物を用いる
ことが好ましい。
また、一般式(I)の化合物において、Rが1l−C6
HI3の化合物を用いることが、ピッチの温度変化が大
きく、高温側におけるしきい電圧の降下を少なくできる
効果が大きく、特に好ましい。
HI3の化合物を用いることが、ピッチの温度変化が大
きく、高温側におけるしきい電圧の降下を少なくできる
効果が大きく、特に好ましい。
ピッチの温度変化の程度は、光学活性物質を添加される
液晶の種類にも依存するので、電圧の温度変化を調節す
る必要がある場合には、同様な性質を示す化合物、ある
いは従来の化合物との組合せによることも有用である。
液晶の種類にも依存するので、電圧の温度変化を調節す
る必要がある場合には、同様な性質を示す化合物、ある
いは従来の化合物との組合せによることも有用である。
本発明の液晶組成物は、一般式(I)の化合物を誘電異
方性が正のネマティシク液晶組成物中に添加して用いら
れる。
方性が正のネマティシク液晶組成物中に添加して用いら
れる。
本発明においては、一般式(1)の化合物は液晶組成物
中に0.1〜10wt%程度添加されればよい。
中に0.1〜10wt%程度添加されればよい。
本発明の一般式CI)の化合物と混合して、液晶組成物
として使用される相手の化合物としては、公知の種々の
液晶又は非液晶の液晶添加物が使用でき、例えば、以下
のようなものがある。
として使用される相手の化合物としては、公知の種々の
液晶又は非液晶の液晶添加物が使用でき、例えば、以下
のようなものがある。
以下の例でRは本発明のRとは関係がなく、直鎖状また
は分岐したアルキル基又はアルコキシ基を示し、一つの
化合物に同一のRが示されていてもそれらは同一の基と
は限らない。
は分岐したアルキル基又はアルコキシ基を示し、一つの
化合物に同一のRが示されていてもそれらは同一の基と
は限らない。
及びこれらのベンゼン環、シクロヘキサン環等の水素原
子の一部をハロゲン、シアノ基、メチル基等に置換した
化合物。
子の一部をハロゲン、シアノ基、メチル基等に置換した
化合物。
またこれらの他、二色性染料を併用してもよく、例えば
、トリスアゾ系、アントラキノン系など、いわゆるゲス
トホスト型液晶表示素子に使用される染料が挙げられる
。
、トリスアゾ系、アントラキノン系など、いわゆるゲス
トホスト型液晶表示素子に使用される染料が挙げられる
。
液晶表示素子は1本発明液晶組成物による液晶層を挟持
するように配置し、少なくとも一枚が透明である複数の
全面又は一部に電極を有する基板と、前記液晶層を囲む
ように前記電極基板間に形成したシール部材とから成る
。該液晶表示素子において前記基板間の厚みは1通常5
〜20#Lmとされればよい、また、通常は前記基板に
は、必要に応じてポリイミド、ポリアミ・ド等の樹脂も
しくは5i02. TiO2等の無機物質によるオーバ
ーコートをし、通常各々に水平配向制御処理がなされて
いるものであり、前記基板の両面に一対の偏光膜を配置
することによりツイストネマティ7り型の液晶表示素子
が形成される。
するように配置し、少なくとも一枚が透明である複数の
全面又は一部に電極を有する基板と、前記液晶層を囲む
ように前記電極基板間に形成したシール部材とから成る
。該液晶表示素子において前記基板間の厚みは1通常5
〜20#Lmとされればよい、また、通常は前記基板に
は、必要に応じてポリイミド、ポリアミ・ド等の樹脂も
しくは5i02. TiO2等の無機物質によるオーバ
ーコートをし、通常各々に水平配向制御処理がなされて
いるものであり、前記基板の両面に一対の偏光膜を配置
することによりツイストネマティ7り型の液晶表示素子
が形成される。
該電極基板は少なくとも2枚必要であるが。
さらに多数枚を積み重ねて使用しても良い。
本発明の液晶組成物に添加される一般式(I)化合物は
例えば以下に示す経路により合成することができる。
例えば以下に示す経路により合成することができる。
R4I4I(m)
帆
第1段階 番 0b()四C1(IV)(文型Rは炭
素数2〜12の直鎖状アルキル基をあられし、本は光学
活性中心をあられし、Xは単結合一 −COO−* −
CH2CH2−、−CH20−又は−0C1h−をあら
れし、nは1または2をあられし、Yと2は独立に単結
合、1.4−ジ置換フェニレン又はトランス−1,4−
ジ置換シクロヘキシレンをあられし、R′は炭素数1〜
12のアルキル基又はアルコキシ基をあられす) すなわち2光学活性な2級アルコール(m)をp−トル
エンスルホン酸クロライド(■)と。
素数2〜12の直鎖状アルキル基をあられし、本は光学
活性中心をあられし、Xは単結合一 −COO−* −
CH2CH2−、−CH20−又は−0C1h−をあら
れし、nは1または2をあられし、Yと2は独立に単結
合、1.4−ジ置換フェニレン又はトランス−1,4−
ジ置換シクロヘキシレンをあられし、R′は炭素数1〜
12のアルキル基又はアルコキシ基をあられす) すなわち2光学活性な2級アルコール(m)をp−トル
エンスルホン酸クロライド(■)と。
ピリジン等の塩基性化合物の存在下に反応させて、p−
)ルエンスルホン酸エステルCV)とし、これをフェノ
ール誘導体(Vl)と炭酸カリウム等の塩基性化合物の
存在下でエーテル化し、次いで抽出、再結晶、カラムク
ロマトグラフィー等一連の精製処理を施すことより、純
粋なCI)を合成することができる。
)ルエンスルホン酸エステルCV)とし、これをフェノ
ール誘導体(Vl)と炭酸カリウム等の塩基性化合物の
存在下でエーテル化し、次いで抽出、再結晶、カラムク
ロマトグラフィー等一連の精製処理を施すことより、純
粋なCI)を合成することができる。
一般式(I)の化合物でXが一〇〇〇−の化合物は、前
記方法の第1段階を共通とした次のような方法でも合成
できる。
記方法の第1段階を共通とした次のような方法でも合成
できる。
Uカ
第3一段階 ↓ Na0H
1句
第4段階 ↓ !1iDCIz
Uカ
第5段階 ↓ [)−Y−Z−R’ (2)U
カ (式中R,R’、n、X%Y、Zおよび本は前記意味を
もつ) p−)ルエンスルホン酸エステル(V)とp−ヒドロキ
シ安息香酸メチル又は4′−ヒドロキシビフェニル−4
−カルボン酸メチル(■)とを炭酸カリウム等の塩基性
化合物の存在下でエーテル化し、p−フルコキシ安島香
酸メチル又は4゛−アルコキシビフェニル−4−カルボ
ン酸メチル(■)とし1次いでこれを水酸化ナトリウム
等で加水分解してカルボン酸1)とし、さらに塩化チオ
ニル等で酸塩化物(X)とし、これをフェノール誘導体
(X[)とピリジン等の塩基性化合物の存在下に反応さ
せてエステル化し1次いで抽出、再結晶、カラムクロマ
トグラフィー等一連の精製処理を施すことより、純粋な
(XI[)を合成することができる。
カ (式中R,R’、n、X%Y、Zおよび本は前記意味を
もつ) p−)ルエンスルホン酸エステル(V)とp−ヒドロキ
シ安息香酸メチル又は4′−ヒドロキシビフェニル−4
−カルボン酸メチル(■)とを炭酸カリウム等の塩基性
化合物の存在下でエーテル化し、p−フルコキシ安島香
酸メチル又は4゛−アルコキシビフェニル−4−カルボ
ン酸メチル(■)とし1次いでこれを水酸化ナトリウム
等で加水分解してカルボン酸1)とし、さらに塩化チオ
ニル等で酸塩化物(X)とし、これをフェノール誘導体
(X[)とピリジン等の塩基性化合物の存在下に反応さ
せてエステル化し1次いで抽出、再結晶、カラムクロマ
トグラフィー等一連の精製処理を施すことより、純粋な
(XI[)を合成することができる。
[実施例]
次に本発明を実施例により具体的に説明する。
化合物合成例1
D−(リー2−オクタツールから、常法によって合成さ
れたD−(リーク−オクチル−p−)ルエンスルホン酸
エステルL8g(0,024モル)とp−ヒドロキシ安
息香酸メチル3.1g(0,020モル)を、アセトン
20m9 、キシレン20m9に溶解し、炭酸カリウム
7.0gを加えて、還流下で一晩加熱した。希塩酸を加
えて炭酸カリウムを溶解した後、有機層を水で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。エバポレーターで
溶媒を留去した後、減圧蒸留してp−(2−オクチルオ
キシ)安息香酸メチル4.8gを得た。これを、常法に
よって加水分解してp−(2−オクチルオキシ)安息香
酸2Jgを得た。このp−(2オクチルオキシ)安息香
酸0.5g(2,0ミリモル)と塩化チオニル1.Og
(8,4ミルモル)四塩化炭素5■Qの混合物を還流下
8時間加熱した後、溶媒と過剰の塩化チオニルを留去し
て、酸塩化物を得た。この酸塩化物をトルエンに溶かし
た溶液に4′−n−へキシルオキシ−4−ヒドロキシビ
フェニルOJg(2,2ミリモル)とピリジン0.5g
を加え、−晩攪拌した後、析出したピリジン塩酸塩を炉
別し、炉液を、希塩酸* NaOH水溶液、水の順で洗
浄する。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後
、溶媒を留去して粗精製物を得た。これを、トルエン−
活性アルミナカラムクロマトにかけ、さらにエタノール
から再結晶して、式 Uカ 収量 0.55g ホットステージ付偏光顕微鏡の観察により、この化合物
は88.0℃で結晶相から、カイラルスメクチックC相
に、88.1”Oでコレステリック相に、 125.3
℃で等方性液体相に転移した。
れたD−(リーク−オクチル−p−)ルエンスルホン酸
エステルL8g(0,024モル)とp−ヒドロキシ安
息香酸メチル3.1g(0,020モル)を、アセトン
20m9 、キシレン20m9に溶解し、炭酸カリウム
7.0gを加えて、還流下で一晩加熱した。希塩酸を加
えて炭酸カリウムを溶解した後、有機層を水で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。エバポレーターで
溶媒を留去した後、減圧蒸留してp−(2−オクチルオ
キシ)安息香酸メチル4.8gを得た。これを、常法に
よって加水分解してp−(2−オクチルオキシ)安息香
酸2Jgを得た。このp−(2オクチルオキシ)安息香
酸0.5g(2,0ミリモル)と塩化チオニル1.Og
(8,4ミルモル)四塩化炭素5■Qの混合物を還流下
8時間加熱した後、溶媒と過剰の塩化チオニルを留去し
て、酸塩化物を得た。この酸塩化物をトルエンに溶かし
た溶液に4′−n−へキシルオキシ−4−ヒドロキシビ
フェニルOJg(2,2ミリモル)とピリジン0.5g
を加え、−晩攪拌した後、析出したピリジン塩酸塩を炉
別し、炉液を、希塩酸* NaOH水溶液、水の順で洗
浄する。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後
、溶媒を留去して粗精製物を得た。これを、トルエン−
活性アルミナカラムクロマトにかけ、さらにエタノール
から再結晶して、式 Uカ 収量 0.55g ホットステージ付偏光顕微鏡の観察により、この化合物
は88.0℃で結晶相から、カイラルスメクチックC相
に、88.1”Oでコレステリック相に、 125.3
℃で等方性液体相に転移した。
化合物合成例2
4’−n−へキシルオキシ−4−ヒドロキシビフェニル
に代えて、4′−n−へキシル−4−ヒドロキシビフェ
ニルを用いて化合物合成例1と同様にして式 で示される化合物を得た。ホットステージ付偏光顕微鏡
の観察により、この化合物は、昇温時には61.0℃で
液晶相からコレステリック相に、87.5℃でコレステ
リック相からの等方性液体相に転移し、降温時には、5
0.1℃で、コレステリック相からスメクチック相に転
移した。
に代えて、4′−n−へキシル−4−ヒドロキシビフェ
ニルを用いて化合物合成例1と同様にして式 で示される化合物を得た。ホットステージ付偏光顕微鏡
の観察により、この化合物は、昇温時には61.0℃で
液晶相からコレステリック相に、87.5℃でコレステ
リック相からの等方性液体相に転移し、降温時には、5
0.1℃で、コレステリック相からスメクチック相に転
移した。
化合物合成例3
4′−n−へキシルオキシ−4−ヒドロキシビフェニル
に代えてp−n−オクチルオキシフェノールを用いて、
化合物合成例1と同様にして式で示される化合物を得た
。
に代えてp−n−オクチルオキシフェノールを用いて、
化合物合成例1と同様にして式で示される化合物を得た
。
この化合物は、室温で、無色な液体であった。
化合物合成例4
光学活性なり−(+)−2−オクタツールより、常法に
よって合成されたD−(+)−2−オクチル−p−)ル
エンスルホン酸エステル0.51g(1,8ミリモル)
と、4″−n−へキシル−4−ヒドロキシビフェニル0
.40. (1,57ミリモル)をアセトン1■Q、キ
シレン1層Qに溶解し、炭酸カリウム0.57gを加え
て、還流下に1晩加熱した。水を加えて炭酸カリウムを
溶解した後、 NaOH水溶液、水の順で洗?eL、無
水硫酸寸グネシウムで乾燥した。溶媒を留去した後、ト
ルエン−活性アルミナカラムクロマトにかけ、さらに減
圧蒸留して、室温で無色の液体であるL−(−)−4−
(2″−オクチルオキシ)−4′−へキシルビフェニル
を得た。
よって合成されたD−(+)−2−オクチル−p−)ル
エンスルホン酸エステル0.51g(1,8ミリモル)
と、4″−n−へキシル−4−ヒドロキシビフェニル0
.40. (1,57ミリモル)をアセトン1■Q、キ
シレン1層Qに溶解し、炭酸カリウム0.57gを加え
て、還流下に1晩加熱した。水を加えて炭酸カリウムを
溶解した後、 NaOH水溶液、水の順で洗?eL、無
水硫酸寸グネシウムで乾燥した。溶媒を留去した後、ト
ルエン−活性アルミナカラムクロマトにかけ、さらに減
圧蒸留して、室温で無色の液体であるL−(−)−4−
(2″−オクチルオキシ)−4′−へキシルビフェニル
を得た。
収lO,3g 収率52.2$実施例1
前記化合物合成例1〜4および類似の合成法によって得
た下記化合物をネマチック液晶LIX−9183−10
(チッ素社製)に1lllt%添加した場合のピッチの
温度変化の測定値を表−1に示した。いずれの化合物も
温度の上昇と供にピッチが減少し、かつ、その変化幅が
大きい事が分る。
た下記化合物をネマチック液晶LIX−9183−10
(チッ素社製)に1lllt%添加した場合のピッチの
温度変化の測定値を表−1に示した。いずれの化合物も
温度の上昇と供にピッチが減少し、かつ、その変化幅が
大きい事が分る。
化合物
J13
U幻
表−1
実施例2
実施例1に用いた崩、4の液晶組成物と、光学活性物質
を添加しない液晶組成物を8μm厚のTNセルに封入し
て、坏バイアス、極デユーティのダイナミック波形で駆
動した場合のVONとVOFFの値を第1図に示した。
を添加しない液晶組成物を8μm厚のTNセルに封入し
て、坏バイアス、極デユーティのダイナミック波形で駆
動した場合のVONとVOFFの値を第1図に示した。
第1図において実線は、実施例1の陥、4の液晶組成物
を示し、破線は、光学活性物質を含んでいない液晶組成
物(比較例)を示す、ここで、VONは視角方向に素子
の垂線より10’傾けた方向から受光し、透過率変化を
70%とした場合の電圧であり、V OFFは40’傾
け、透過率が10%変化する場合の電圧である。
を示し、破線は、光学活性物質を含んでいない液晶組成
物(比較例)を示す、ここで、VONは視角方向に素子
の垂線より10’傾けた方向から受光し、透過率変化を
70%とした場合の電圧であり、V OFFは40’傾
け、透過率が10%変化する場合の電圧である。
本発明による組成物を用いた場合の方が、一定電圧で駆
動した場合に、より広い温度範囲で動作が可能である事
が分る。
動した場合に、より広い温度範囲で動作が可能である事
が分る。
[発明の効果]
以上の如く1本発明は温度の上昇に伴って、ピッチが減
少する光学活性物質を少なくとも1種類以上添加した液
晶組成物であるので、TN素子として用いた場合に、一
定電圧で駆動した場合に、動作温度範囲が広くとれる優
れた効果をもたらすものである。
少する光学活性物質を少なくとも1種類以上添加した液
晶組成物であるので、TN素子として用いた場合に、一
定電圧で駆動した場合に、動作温度範囲が広くとれる優
れた効果をもたらすものである。
また蔓らに、光学活性物質の添加濃度を変化させる事に
よって、ピッチの値を変える事ができるので、VONお
よびVOFFの温度変化を比較的自由に選択する事がで
きる。さらにこの効果は、同様のピッチの温度変化をも
ち、かつその変化率が異るもの、あるいは逆の温度変化
を持つ、従来知られていた光学活性物質と組み合せる事
によって、更に広い範囲でのVON I VOFFの温
度調節が可能であり、多様な要求に対応する事ができる
優れたものである。
よって、ピッチの値を変える事ができるので、VONお
よびVOFFの温度変化を比較的自由に選択する事がで
きる。さらにこの効果は、同様のピッチの温度変化をも
ち、かつその変化率が異るもの、あるいは逆の温度変化
を持つ、従来知られていた光学活性物質と組み合せる事
によって、更に広い範囲でのVON I VOFFの温
度調節が可能であり、多様な要求に対応する事ができる
優れたものである。
以上の説明では、全て、TN液晶素子に応用する場合に
ついて述べてきたが、コレステリック−ネマチック相転
移素子、あるいは二色性色素を含有したゲスト−ホスト
素子等への応用も有利である事は明らかである。
ついて述べてきたが、コレステリック−ネマチック相転
移素子、あるいは二色性色素を含有したゲスト−ホスト
素子等への応用も有利である事は明らかである。
第1図は、本発明の実施例2及び比較例のVON、VO
FFの温度依存性を示す図である。
FFの温度依存性を示す図である。
Claims (3)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中Rは炭素数2〜12のアルキル基をあらわし、*
は光学活性中心をあらわし、Xは単結合、−COO−、
−CH_2CH_2−、−CH_2O−又は−OCH_
2−をあらわし、nは1又は2をあらわし、YとZは独
立に単結合、1,4−ジ置換フェニレン又はトランス−
1,4−ジ置換シクロヘキシレンをあらわし、R′は炭
素数1〜12のアルキル基又はアルコキシ基をあらわす
)で示される化合物を1種類以上含有したことを特徴と
する液晶組成物。 - (2)一般式( I )において、R′が直鎖状であり、
nが1であり、Yが1,4−ジ置換フェニレンであると
ころの特許請求の範囲第1項記載の液晶組成物。 - (3)一般式( I )において、Rがn−C_6H_1
_3であるところの特許請求の範囲第1項記載の液晶組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096728A JPH0717905B2 (ja) | 1985-05-09 | 1985-05-09 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60096728A JPH0717905B2 (ja) | 1985-05-09 | 1985-05-09 | 液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61255988A true JPS61255988A (ja) | 1986-11-13 |
| JPH0717905B2 JPH0717905B2 (ja) | 1995-03-01 |
Family
ID=14172789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60096728A Expired - Fee Related JPH0717905B2 (ja) | 1985-05-09 | 1985-05-09 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717905B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348239A (ja) * | 1986-08-13 | 1988-02-29 | Dainippon Ink & Chem Inc | 新規光学活性化合物 |
| US4729847A (en) * | 1985-07-26 | 1988-03-08 | Chisso Corporation | Optically active liquid crystal compound having methyleneoxy group and composition containing same |
| JPS63277295A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-11-15 | Asahi Glass Co Ltd | 強誘電性液晶組成物 |
| US4801756A (en) * | 1986-02-13 | 1989-01-31 | Alps Electric Co., Ltd. | Liquid crystal compound |
| JPH07258641A (ja) * | 1995-02-09 | 1995-10-09 | Chisso Corp | 液晶組成物 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6051147A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-03-22 | Chisso Corp | 液晶物質及び液晶組成物 |
| JPS6143A (ja) * | 1984-06-11 | 1986-01-06 | Chisso Corp | 強誘電性液晶化合物及び液晶組成物 |
| JPS61231082A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-15 | Chisso Corp | 強誘電性カイラルスメクチツク液晶組成物 |
-
1985
- 1985-05-09 JP JP60096728A patent/JPH0717905B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
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| JPH07258641A (ja) * | 1995-02-09 | 1995-10-09 | Chisso Corp | 液晶組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0717905B2 (ja) | 1995-03-01 |
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