JPS61258457A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS61258457A JPS61258457A JP60100818A JP10081885A JPS61258457A JP S61258457 A JPS61258457 A JP S61258457A JP 60100818 A JP60100818 A JP 60100818A JP 10081885 A JP10081885 A JP 10081885A JP S61258457 A JPS61258457 A JP S61258457A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- frame
- semiconductor chip
- sealing resin
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気絶縁基板に半導体ペレットを取付ける構
造の半道体娑首における封Ｉト部の構造に関する。
造の半道体娑首における封Ｉト部の構造に関する。
従来、電気絶縁基板を用いた樹脂封止型半導体装置にお
ける樹脂封止は熱硬化性樹脂をボッテエングして行なわ
れることが多い。その際使用する封止用樹脂はトランス
ファー成形用封止樹脂に比べて十分な耐湿性がなく、ま
た、ポンディングに用いる金属細線の断線を招かないよ
うな熱膨張係数をもっていなければならない。
ける樹脂封止は熱硬化性樹脂をボッテエングして行なわ
れることが多い。その際使用する封止用樹脂はトランス
ファー成形用封止樹脂に比べて十分な耐湿性がなく、ま
た、ポンディングに用いる金属細線の断線を招かないよ
うな熱膨張係数をもっていなければならない。
前記樹脂封止型半導体装置において、水分は封止樹脂の
中を通って浸入する他、電気絶縁基板と封止樹脂との間
からも浸入する。電気絶縁基板上には金属配線パターン
層がある。場合によりてはその上に電気絶縁膜がある。
中を通って浸入する他、電気絶縁基板と封止樹脂との間
からも浸入する。電気絶縁基板上には金属配線パターン
層がある。場合によりてはその上に電気絶縁膜がある。
したがって、電気絶縁基板側には凹凸がありポツティン
グした封止用樹脂の広がりは制約を受けることになる。
グした封止用樹脂の広がりは制約を受けることになる。
耐湿性を改善するためには封止用樹脂の耐湿性を改善す
ることは勿論電気絶縁基板と封止樹脂との界面の構造も
改善する必要がある。
ることは勿論電気絶縁基板と封止樹脂との界面の構造も
改善する必要がある。
一般に湿気による半導体装置の劣化は、半導体チップと
封止樹脂との間にできた隙間に水のフィルムが生成され
て、その水が半導体チップ上の配線や素子を構成する金
属を侵食するからであるといわれている。
封止樹脂との間にできた隙間に水のフィルムが生成され
て、その水が半導体チップ上の配線や素子を構成する金
属を侵食するからであるといわれている。
封止用樹脂と半導体ペレットとの界面にそれらの材料間
お熱膨張係数の相違から隙間ができたとしても、封止用
樹脂と電気絶縁基板との界面がしりかり固着していれば
半導体装置としての耐湿性に問題はない。電気絶縁基板
の表面に形成さえている金属配線による凹凸が避けらｎ
ないのであれば、封止用樹脂の流れが悪いため封止樹脂
によりて十分固着さｎず隙間を生じてしまうことも原因
のひとつである。生じた隙間は樹脂封止の封止距離を実
質的に短くしてしまうため、場合によっては、界面に生
じる隙間からの水分の浸入は封止樹脂からの水分の浸入
よりも著しい本のがあり、樹脂封止型半導体装置の耐湿
性を劣化させていた。
お熱膨張係数の相違から隙間ができたとしても、封止用
樹脂と電気絶縁基板との界面がしりかり固着していれば
半導体装置としての耐湿性に問題はない。電気絶縁基板
の表面に形成さえている金属配線による凹凸が避けらｎ
ないのであれば、封止用樹脂の流れが悪いため封止樹脂
によりて十分固着さｎず隙間を生じてしまうことも原因
のひとつである。生じた隙間は樹脂封止の封止距離を実
質的に短くしてしまうため、場合によっては、界面に生
じる隙間からの水分の浸入は封止樹脂からの水分の浸入
よりも著しい本のがあり、樹脂封止型半導体装置の耐湿
性を劣化させていた。
本発明は、上述の欠点を除去し、より耐湿性の良い半導
体装置を提供するものである。
体装置を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の構成は、電気絶縁基板に半導体ペレットを取付
ける構造の半導体装置において、半導体ペレットを囲む
ように略均等に金属パターンを設けたことにある。この
金属パターンはかならずしも半導体チップと電気的に結
線するパターンである必要はなく、いわゆるダミーパタ
ーンであってもよい。
ける構造の半導体装置において、半導体ペレットを囲む
ように略均等に金属パターンを設けたことにある。この
金属パターンはかならずしも半導体チップと電気的に結
線するパターンである必要はなく、いわゆるダミーパタ
ーンであってもよい。
金属パターンの上にさらに電気絶縁膜を設ける場合には
、封止用樹脂流れどめ枠の直下又はその内径寸法より狭
くなるように電気絶縁膜の開始位置を設定する。
、封止用樹脂流れどめ枠の直下又はその内径寸法より狭
くなるように電気絶縁膜の開始位置を設定する。
以下に本発明の実施例について詳細に説明する。
第１図は、本発明の第１の実施列を示す金属パターンで
ある。このパターンの使用法は次の通り。
ある。このパターンの使用法は次の通り。
電気絶縁基板１には、ガラス繊維を含有したエポキシ樹
脂基板をもちいる。エポキシ樹脂以外ノ樹脂、例えばフ
ェノール樹脂、ポリイミド樹脂等であってもよいのは勿
論、ガラス繊維は電気絶縁性の繊維状のものであればよ
い。半導体チップ（図示せず。）を熱硬化性樹脂を塗布
したマクント部２の上に搭載し加熱する。マウント部２
０表面がメタライズされていれば金属ロウ材を用いてマ
クントしてもよい。次に、半導体チップのパッドと樹脂
基板のＡｕメッキされた配線パターン３とをワイヤーボ
ンディングする。ワイヤー（図示せず。）としては、Ａ
ｕ、ＡＩのいずれでもよく、通常のボンディング法が利
用できる。次に、封止用樹脂流れどめ枠４（第１図に破
線にて図示する。
脂基板をもちいる。エポキシ樹脂以外ノ樹脂、例えばフ
ェノール樹脂、ポリイミド樹脂等であってもよいのは勿
論、ガラス繊維は電気絶縁性の繊維状のものであればよ
い。半導体チップ（図示せず。）を熱硬化性樹脂を塗布
したマクント部２の上に搭載し加熱する。マウント部２
０表面がメタライズされていれば金属ロウ材を用いてマ
クントしてもよい。次に、半導体チップのパッドと樹脂
基板のＡｕメッキされた配線パターン３とをワイヤーボ
ンディングする。ワイヤー（図示せず。）としては、Ａ
ｕ、ＡＩのいずれでもよく、通常のボンディング法が利
用できる。次に、封止用樹脂流れどめ枠４（第１図に破
線にて図示する。
以下、枠と略記する。）を接着用樹脂を用いて接着し、
その内側にできたキャビティに封止用樹脂を充填せしめ
る。枠は樹脂のほかにアルミナ等のセラミクスで作らｎ
たものでもよい。この枠は充填した樹脂が流れ出るのを
防止すると同時に樹脂封止の封止距離を確保する機能を
有する。したがりて、枠４と樹脂基板１との接着は十分
接着用樹脂６を充填して行なう必要がある。枠を用いる
方法には樹脂板側へ接着用樹脂を所望の場所に塗布して
おく方法があるが接着用樹脂の流ｎすぎに注意する必要
があるなど使用しにくい。枠にあらかじめ接着用樹脂を
付着させておく方法が簡便である。付着させる樹脂は、
接着用樹脂そのままでも半硬化させたものでもよい。こ
の枠は、取口扱いが容易で工数の削減に効果がある。い
ずれにして本枠４と樹脂基板ｌとの間の一定区間内にあ
る接着用樹脂６の量は略一定となってしまう傾向がある
。然るに樹脂基板側の凹凸の位置は枠を載置すべき場所
の全周にわたって均等でなく、％ＶＣマウント部コーナ
ー付近にはポンディングパッドない場合があり、この部
分では、接着用樹脂量が不足して隙間を生じやすい。そ
こでポンディングパッドとして３ａのほかにマクント部
コーナー付近には金属パターン３ｂのごとく半導体ペレ
ットを囲むように略均等に金属パターンを設けておけば
接着用樹脂は均等に流れ、隙間を生じることはない。
その内側にできたキャビティに封止用樹脂を充填せしめ
る。枠は樹脂のほかにアルミナ等のセラミクスで作らｎ
たものでもよい。この枠は充填した樹脂が流れ出るのを
防止すると同時に樹脂封止の封止距離を確保する機能を
有する。したがりて、枠４と樹脂基板１との接着は十分
接着用樹脂６を充填して行なう必要がある。枠を用いる
方法には樹脂板側へ接着用樹脂を所望の場所に塗布して
おく方法があるが接着用樹脂の流ｎすぎに注意する必要
があるなど使用しにくい。枠にあらかじめ接着用樹脂を
付着させておく方法が簡便である。付着させる樹脂は、
接着用樹脂そのままでも半硬化させたものでもよい。こ
の枠は、取口扱いが容易で工数の削減に効果がある。い
ずれにして本枠４と樹脂基板ｌとの間の一定区間内にあ
る接着用樹脂６の量は略一定となってしまう傾向がある
。然るに樹脂基板側の凹凸の位置は枠を載置すべき場所
の全周にわたって均等でなく、％ＶＣマウント部コーナ
ー付近にはポンディングパッドない場合があり、この部
分では、接着用樹脂量が不足して隙間を生じやすい。そ
こでポンディングパッドとして３ａのほかにマクント部
コーナー付近には金属パターン３ｂのごとく半導体ペレ
ットを囲むように略均等に金属パターンを設けておけば
接着用樹脂は均等に流れ、隙間を生じることはない。
この金属パターンは、一部パターンの中を抜いであるが
抜かなくてもよい。接着用樹脂量は不足して隙間をつく
るよし多少多めであるほうがよいからである。金属パタ
ーンがおおきな面積であれば樹脂基板表面からの水分の
浸入を抑える効果もある。また、電気的に機能しないい
わゆるダミーパターンであってもよい。金属パターンの
形状を工夫す几ば枠の位置合わせのマーク゛としても利
用することができる。充填された樹脂は加熱し硬化させ
る。
抜かなくてもよい。接着用樹脂量は不足して隙間をつく
るよし多少多めであるほうがよいからである。金属パタ
ーンがおおきな面積であれば樹脂基板表面からの水分の
浸入を抑える効果もある。また、電気的に機能しないい
わゆるダミーパターンであってもよい。金属パターンの
形状を工夫す几ば枠の位置合わせのマーク゛としても利
用することができる。充填された樹脂は加熱し硬化させ
る。
第２図は、本発明の実施例を示す縦断面図である。第２
図のように電気絶縁膜５に対して枠の取りつけ位置を設
定すれば、接着用樹脂の枠の幅方向の均等性が改善され
るので一層強固な固着状態を得ることができる。望まし
くは枠の直下全てに電気絶縁膜があるのがよいが、枠４
の外形寸法より狭い位置即ち、枠直下の境界までであれ
ば接着用樹脂の流１によって耐湿性の向上は期待できる
。
図のように電気絶縁膜５に対して枠の取りつけ位置を設
定すれば、接着用樹脂の枠の幅方向の均等性が改善され
るので一層強固な固着状態を得ることができる。望まし
くは枠の直下全てに電気絶縁膜があるのがよいが、枠４
の外形寸法より狭い位置即ち、枠直下の境界までであれ
ば接着用樹脂の流１によって耐湿性の向上は期待できる
。
電気絶縁膜としては、エポキシ樹脂が一般的に用いられ
ている。
ている。
以上、電気絶縁基板として樹脂基板を用いた場合につい
て説明したが樹脂基板に限らずアルミナ等のセラミクス
基板でありてもよいのは勿論である。
て説明したが樹脂基板に限らずアルミナ等のセラミクス
基板でありてもよいのは勿論である。
したがって、本発明を採用することによって得られる効
果は前述のごとく、半導体チップと封止樹脂との間にで
きた隙間に水のフィルムが生成されて、その水が半導体
チップ上の配線や素子を構成する金属を侵食することを
防止するばか抄でなく、電気絶縁基板と枠との密着性を
向上させて水の浸入経路を断つ効果を有する。
果は前述のごとく、半導体チップと封止樹脂との間にで
きた隙間に水のフィルムが生成されて、その水が半導体
チップ上の配線や素子を構成する金属を侵食することを
防止するばか抄でなく、電気絶縁基板と枠との密着性を
向上させて水の浸入経路を断つ効果を有する。
第１図は、本発明の第１の実施例を示す金属パターンで
ある。第２図は、本発明の実施例を示す縦断面図である
。 ここに、１・・・・・・電気絶縁基板、２−・・・・・
マクント部、３・・・・・・金属パターン、４・・・・
・・封止用樹脂流ｎどめ枠、５・・・・・・電気絶樟膜
、６・・・・・・接着用樹脂。 ８ ｆ 図
ある。第２図は、本発明の実施例を示す縦断面図である
。 ここに、１・・・・・・電気絶縁基板、２−・・・・・
マクント部、３・・・・・・金属パターン、４・・・・
・・封止用樹脂流ｎどめ枠、５・・・・・・電気絶樟膜
、６・・・・・・接着用樹脂。 ８ ｆ 図
Claims (2)
- （１）電気絶縁基板に半導体ペレットを取付ける構造の
半導体装置において、半導体ペレットを囲むように略均
等に金属パターンを設けたことを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - （２）金属パターン上に電気絶縁膜を設け、該電気絶縁
膜の開始位置が封止用樹脂流れどめ枠の直下又はその内
径寸法よりも狭くなるような位置であることを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の樹脂封止型半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60100818A JPS61258457A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60100818A JPS61258457A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258457A true JPS61258457A (ja) | 1986-11-15 |
| JPH047107B2 JPH047107B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=14283923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60100818A Granted JPS61258457A (ja) | 1985-05-13 | 1985-05-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61258457A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0278253A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 多層プラスチックチップキャリア |
| JPH0363948U (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-21 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53102375U (ja) * | 1977-01-21 | 1978-08-18 | ||
| JPS5549582U (ja) * | 1978-09-29 | 1980-03-31 | ||
| JPS5551344A (en) * | 1978-10-11 | 1980-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | Humidity detector |
| JPS5784748U (ja) * | 1980-11-14 | 1982-05-25 |
-
1985
- 1985-05-13 JP JP60100818A patent/JPS61258457A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53102375U (ja) * | 1977-01-21 | 1978-08-18 | ||
| JPS5549582U (ja) * | 1978-09-29 | 1980-03-31 | ||
| JPS5551344A (en) * | 1978-10-11 | 1980-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | Humidity detector |
| JPS5784748U (ja) * | 1980-11-14 | 1982-05-25 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0278253A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Matsushita Electric Works Ltd | 多層プラスチックチップキャリア |
| JPH0363948U (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-21 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047107B2 (ja) | 1992-02-07 |
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