JPS61268652A - アセチレニルフエニルエステル誘導体 - Google Patents
アセチレニルフエニルエステル誘導体Info
- Publication number
- JPS61268652A JPS61268652A JP60111866A JP11186685A JPS61268652A JP S61268652 A JPS61268652 A JP S61268652A JP 60111866 A JP60111866 A JP 60111866A JP 11186685 A JP11186685 A JP 11186685A JP S61268652 A JPS61268652 A JP S61268652A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- formula
- liquid crystal
- nematic liquid
- chain alkyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気光学的表示材料として有用なアセチレニル
フェニルエステル誘導体の新規ネマチック液晶化合物に
関する。
フェニルエステル誘導体の新規ネマチック液晶化合物に
関する。
液晶表示セルの代表的なものにエム・シャット(M、5
chadt )等[APPLIED P)ffsIcs
LETTER8181275128(1971))に
よって提案された電界効果型セル(フィールド・エフェ
クト・モード・セル)又はジー・エイチ・バイルマイヤ
ー(G−HHailmsier )等CPROCEED
ING OF THE 1.E、E、E。
chadt )等[APPLIED P)ffsIcs
LETTER8181275128(1971))に
よって提案された電界効果型セル(フィールド・エフェ
クト・モード・セル)又はジー・エイチ・バイルマイヤ
ー(G−HHailmsier )等CPROCEED
ING OF THE 1.E、E、E。
561162〜1171(1968))によりて提案さ
れた動的光散乱型セル(ダイミック・スキャツタリング
・モードφセル)又はジー・エイチ・バイルマイヤー(
G−HHellmeisr )等C−APPLIEDP
HYSIC8LETTER813,91(1968)
]あるいはディー・エル・ホワイト(DL Whit@
)等[: JOURNALOF APPLIED PH
Y百IC845,4718(1974))によって提案
されたダスト・ホスト型セルなどがある。
れた動的光散乱型セル(ダイミック・スキャツタリング
・モードφセル)又はジー・エイチ・バイルマイヤー(
G−HHellmeisr )等C−APPLIEDP
HYSIC8LETTER813,91(1968)
]あるいはディー・エル・ホワイト(DL Whit@
)等[: JOURNALOF APPLIED PH
Y百IC845,4718(1974))によって提案
されたダスト・ホスト型セルなどがある。
これらの液晶表示セルに用いられる液晶材料には種々の
特性が要求されるが、室温を含む広い温度範囲でネマチ
ック相を有することは各種表示セルに共通して要求され
ている重要な特性である。
特性が要求されるが、室温を含む広い温度範囲でネマチ
ック相を有することは各種表示セルに共通して要求され
ている重要な特性である。
このような特性を有する実用可能な材料の多くは、通常
、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温よシ高
い温度領域にネマチック相を有する化合物から成る数種
又はそれ以上の成分を混合することによって調輿される
。現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多くは
、少なくとも一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘って
ネマチック相を有することが要求されている。かかる要
求を満すために、室温よシ高い温度領域にネマチック相
を有する化合物として、4,4′−置換ターフェニル。
、室温付近にネマチック相を有する化合物と室温よシ高
い温度領域にネマチック相を有する化合物から成る数種
又はそれ以上の成分を混合することによって調輿される
。現在実用的に使用される上記の如き混合液晶の多くは
、少なくとも一30℃〜+65℃の全温度範囲に亘って
ネマチック相を有することが要求されている。かかる要
求を満すために、室温よシ高い温度領域にネマチック相
を有する化合物として、4,4′−置換ターフェニル。
4.4’ −[換ピフェニルシクロヘキサン、4,4ニ
ー置換ヘンソイルオキシ安息香識フエニルエステルの如
き、約100℃の結晶相−ネマチック相転移温度(C−
N点)を有すると共に約200℃のネマチック相−等方
性液体相転移温度(N−I点)を有する化合物が使用さ
れる場合が多い。
ー置換ヘンソイルオキシ安息香識フエニルエステルの如
き、約100℃の結晶相−ネマチック相転移温度(C−
N点)を有すると共に約200℃のネマチック相−等方
性液体相転移温度(N−I点)を有する化合物が使用さ
れる場合が多い。
近年、液晶表示セルが屋内外で多目的に使用されるにつ
れてネマチック温度範囲の高温領域が+65℃よりさら
に高いものが必要とされてきている。このためには従来
の化合物よシさらに高いネマチック相−等方性液体相転
移温度(N−I点)を有する化合物が要求されている。
れてネマチック温度範囲の高温領域が+65℃よりさら
に高いものが必要とされてきている。このためには従来
の化合物よシさらに高いネマチック相−等方性液体相転
移温度(N−I点)を有する化合物が要求されている。
本発明の目的はN−I点の高い化合物の提供にある。
本発明は、
一般式
で表わされる化合物を提供することによシ前記問題点を
解決した。
解決した。
本発明に係る式(1)の化合物は次の製造方法に従って
製造することができる。
製造することができる。
R唖X缶coct (II)R<口Σ<E
)−Coo(QΣC=CCΣR’ (I)式(I
O)化合物ニエーテル、ベンゼン、トルエンの如き不活
性有機溶媒中で、♂リジンの如き塩基性化合物を触媒と
して式[相]の化合物を反応させ本発明に係る式(r)
の化合物を製造する。
)−Coo(QΣC=CCΣR’ (I)式(I
O)化合物ニエーテル、ベンゼン、トルエンの如き不活
性有機溶媒中で、♂リジンの如き塩基性化合物を触媒と
して式[相]の化合物を反応させ本発明に係る式(r)
の化合物を製造する。
斯くして製造された式(I)の代表的な化合物の転移温
度を第1表に掲げる。
度を第1表に掲げる。
表中、Cは結晶相、Sはスにクチツク相、Nはネマチッ
ク相、工は等方性液体相を夫々表わす。
ク相、工は等方性液体相を夫々表わす。
本発明に係る式(I)の化合物は弱い負の誘電率異方性
を有するネマチック液晶化合物であり、従って例えば、
負又は弱い正の誘電率異方性を有する他のネマチック液
晶化合物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材
料として使用することができ、また強い正の誘電率異方
性を有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態
で電界効果型表示セルの材料として使用することができ
る。
を有するネマチック液晶化合物であり、従って例えば、
負又は弱い正の誘電率異方性を有する他のネマチック液
晶化合物との混合物の状態で動的光散乱型表示セルの材
料として使用することができ、また強い正の誘電率異方
性を有する他のネマチック液晶化合物との混合物の状態
で電界効果型表示セルの材料として使用することができ
る。
このように、式(I)の化合物と混合して使用すること
のできる好ましい代表例としては、例えば4.4′−置
換安息香酸フェニルエステル、4.4’−11換シクロ
ヘキサンカルぎン酸フェニルエステル、4.4′−置換
シクロヘキサンカル?ン酸ピフェニルエステル、4(4
−置換シクロヘキサンカル〆エルオキシ)安息香酸4′
−置換フェニルエステル、4(4−置換シクロヘキシル
)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4C4−R換
シクロヘキシル)安息香酸4′−置換シクロヘキシルエ
ステル、4.4′−置換ビフェニル、4.4′−[11
tフエニルシクロヘキサン、4,4′−置換ターフェニ
ル、4.4′−ビフェニルシクロヘキサン、2(4’−
11換フエニル)5−置換ビリミジンなどを挙げること
ができる。
のできる好ましい代表例としては、例えば4.4′−置
換安息香酸フェニルエステル、4.4’−11換シクロ
ヘキサンカルぎン酸フェニルエステル、4.4′−置換
シクロヘキサンカル?ン酸ピフェニルエステル、4(4
−置換シクロヘキサンカル〆エルオキシ)安息香酸4′
−置換フェニルエステル、4(4−置換シクロヘキシル
)安息香酸4′−置換フェニルエステル、4C4−R換
シクロヘキシル)安息香酸4′−置換シクロヘキシルエ
ステル、4.4′−置換ビフェニル、4.4′−[11
tフエニルシクロヘキサン、4,4′−置換ターフェニ
ル、4.4′−ビフェニルシクロヘキサン、2(4’−
11換フエニル)5−置換ビリミジンなどを挙げること
ができる。
第2表は時分割駆動特性の優れたネマチック液晶材料と
して現在汎用されている母体液晶(4)の90重量%と
第1表に示した式(I)の化合物産1の10重tチとか
ら成る各混合液晶について測定されたN−I点を掲示し
、比較のために母体液晶(4)自体について測定された
N−I点を掲示したものである。尚、母体液晶囚は 200重量% 16重量%の 16重tqbの 8重量%の 8重ll係の 8重量%の 8重tチの 8重量%の 及び 8重量%の 第2表 N−I点(6) (2) 54.0 (ト)+ム1 80.6 第2表に掲示したデータから1式(1)の化合物は。
して現在汎用されている母体液晶(4)の90重量%と
第1表に示した式(I)の化合物産1の10重tチとか
ら成る各混合液晶について測定されたN−I点を掲示し
、比較のために母体液晶(4)自体について測定された
N−I点を掲示したものである。尚、母体液晶囚は 200重量% 16重量%の 16重tqbの 8重量%の 8重ll係の 8重量%の 8重tチの 8重量%の 及び 8重量%の 第2表 N−I点(6) (2) 54.0 (ト)+ム1 80.6 第2表に掲示したデータから1式(1)の化合物は。
10重量%の添加によって混合液晶に)のN−I点を2
0℃以上上昇せしめ得ることが理解できる。
0℃以上上昇せしめ得ることが理解できる。
このように夕景の添加によって動作温度範囲の上限を上
昇し得るところに式(I)の化合物の実用上の高い価値
がある。
昇し得るところに式(I)の化合物の実用上の高い価値
がある。
本発明の効果は下記の比較実験によっても明らかKされ
る。混合液晶のN−I点を高める目的で使用されている
式 の公知化合物を前記の母体液晶(A)K種々の割合で混
合した。同様に本発明に係る化合物の1つ、即ち式 の化合物を母体液晶■に種々の割合で混合した。
る。混合液晶のN−I点を高める目的で使用されている
式 の公知化合物を前記の母体液晶(A)K種々の割合で混
合した。同様に本発明に係る化合物の1つ、即ち式 の化合物を母体液晶■に種々の割合で混合した。
斯くして得られた2種類の混合液晶について、夫々のN
−I点を測定した。これらの測定結果に基いて、添付図
面の第1図に:N−I点と添加量の関係を示した。
−I点を測定した。これらの測定結果に基いて、添付図
面の第1図に:N−I点と添加量の関係を示した。
これらの事実から、本発明に係る式(1)の化合物は代
表的な公知の類似化合物に比べて添加量に対するN−I
点の上昇が遥かに大きいことが理解できるであろう。
表的な公知の類似化合物に比べて添加量に対するN−I
点の上昇が遥かに大きいことが理解できるであろう。
実施例1
式H÷CミCべ)Qn−C,sH2の化合物23.6.
9(0,100mol ) 、式n −CsH7+C0
Ctの化合物(0,100mol ) をトルエン2
0011:溶解させ、室温で撹拌しながらこの中にピリ
ジン15.8JI(0,200mol )を滴下した。
9(0,100mol ) 、式n −CsH7+C0
Ctの化合物(0,100mol ) をトルエン2
0011:溶解させ、室温で撹拌しながらこの中にピリ
ジン15.8JI(0,200mol )を滴下した。
滴下終了後との混合物t−2時間加熱還流した。
反応終了後反応生成物をトルエンで抽出した。
抽出液を水洗、乾燥後この溶液からトルエンを減圧留去
し、得られ九反応生成物をエタノールで再結晶精製して
下記化合物32.81 (0,070mol )を得た
。
し、得られ九反応生成物をエタノールで再結晶精製して
下記化合物32.81 (0,070mol )を得た
。
収率 70% 転移温度 188℃(C−+S )
199℃(SヰN) 300℃以上 (Nコり 〔発明の効果〕 本発明に係る式(1)の化合物は、N−I転移温度の高
い液晶化合物であシ、既知の液晶混合物に少量混合する
ことによってネマチック相−等方性液体相転移温度(N
−1点)を大幅に引き上げることができる。更に、式(
I)の化合物は、本出願人が特開昭54−83694号
公報の中で時分割駆動特性の優れたネマチック液晶材料
として報告した4、4ニー 置換シクロヘキシルカル?
ン酸フェニルエステルと極めて良好な相溶性を有するか
ら、これらの化合物と混合することによって更に優れた
混合液晶を得ることができる。
199℃(SヰN) 300℃以上 (Nコり 〔発明の効果〕 本発明に係る式(1)の化合物は、N−I転移温度の高
い液晶化合物であシ、既知の液晶混合物に少量混合する
ことによってネマチック相−等方性液体相転移温度(N
−1点)を大幅に引き上げることができる。更に、式(
I)の化合物は、本出願人が特開昭54−83694号
公報の中で時分割駆動特性の優れたネマチック液晶材料
として報告した4、4ニー 置換シクロヘキシルカル?
ン酸フェニルエステルと極めて良好な相溶性を有するか
ら、これらの化合物と混合することによって更に優れた
混合液晶を得ることができる。
第1図は、本発明に係る化合物の1つである(IILl
)の化合物及びこれと類似構造をもつ公知化合物(1
)の夫々を現在汎用されている母体液晶(4)に添加し
て得られる混合液晶のN−I点と(、)又は(憲1)の
添加量の関係を示す図表である。
)の化合物及びこれと類似構造をもつ公知化合物(1
)の夫々を現在汎用されている母体液晶(4)に添加し
て得られる混合液晶のN−I点と(、)又は(憲1)の
添加量の関係を示す図表である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Rは炭素原子数1〜9の直鎖状ア ルキル基を表わし、R′は炭素原子数1〜 9の直鎖状アルキル基、アルコキシ基、 ハロゲン原子又はシアノ基を表わす。 ▲数式、化学式、表等があります▼はベンゼンまたはシ
クロヘキサン 環を表わし、シクロヘキサン環はトラン ス(エカトリアル−エカトリアル)配置 である。 で表わされる化合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60111866A JPS61268652A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | アセチレニルフエニルエステル誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60111866A JPS61268652A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | アセチレニルフエニルエステル誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61268652A true JPS61268652A (ja) | 1986-11-28 |
| JPH0333144B2 JPH0333144B2 (ja) | 1991-05-16 |
Family
ID=14572127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60111866A Granted JPS61268652A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | アセチレニルフエニルエステル誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61268652A (ja) |
-
1985
- 1985-05-24 JP JP60111866A patent/JPS61268652A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0333144B2 (ja) | 1991-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63287736A (ja) | 新規フッ素系ネマチック液晶化合物 | |
| JPS62106061A (ja) | 光学活性な安息香酸エステル誘導体 | |
| KR920009973B1 (ko) | 4-치환된 페닐 크로틸 에테르 유도체의 제조방법 | |
| JPS6351359A (ja) | 光学活性なビフエニルエステル誘導体 | |
| JPS5921649A (ja) | 新規ネマチツク液晶化合物 | |
| JPS6124382B2 (ja) | ||
| JPH0247971B2 (ja) | ||
| JPS60222458A (ja) | p−置換フエニルイソチオシアネ−ト類 | |
| JPS6254783B2 (ja) | ||
| JPH03232868A (ja) | 新規光学活性化合物及び液晶組成物 | |
| JPS63238041A (ja) | 新規ネマチツク液晶化合物 | |
| JPS6152141B2 (ja) | ||
| JPS62286943A (ja) | 4′−置換ビフエニルクロチルエ−テル誘導体 | |
| JPS61291536A (ja) | クロチルオキシベンゼン誘導体 | |
| JPS5933566B2 (ja) | 1,4−ジ−(シクロヘキシルエチル)ビフエニル誘導体 | |
| JPS61238738A (ja) | シクロヘキシルシクロヘキセン誘導体を含有する液晶組成物 | |
| JPS6261940A (ja) | 4―置換フェニルクロチルエーテル誘導体を含有する液晶組成物 | |
| JPS6287556A (ja) | エステル化合物 | |
| JPH0229063B2 (ja) | Shinkinemachitsukuekishokagobutsu | |
| JP2508166B2 (ja) | 新規シクロヘキセニルシクロヘキサン誘導体 | |
| JPS59193850A (ja) | 新規ネマチツク液晶化合物 | |
| JPS5910554A (ja) | 新規ネマチツク液晶化合物 | |
| JPS61197533A (ja) | ハロトラン誘導体 | |
| JPS6277353A (ja) | クロチルオキシフエニルエステル誘導体 | |
| JPS6178782A (ja) | 3−フルオロ−4−シアノフエノ−ル誘導体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |