JPS6129487A - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

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Publication number
JPS6129487A
JPS6129487A JP15084584A JP15084584A JPS6129487A JP S6129487 A JPS6129487 A JP S6129487A JP 15084584 A JP15084584 A JP 15084584A JP 15084584 A JP15084584 A JP 15084584A JP S6129487 A JPS6129487 A JP S6129487A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
address input
action
address
internal
Prior art date
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Pending
Application number
JP15084584A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunio Katsuno
勝野 邦夫
Masuo Tsuji
辻 満寿夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS6129487A publication Critical patent/JPS6129487A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、半導体集積回路における記憶装置に関する。
〔従来技術〕
@1図に従来の回路例をブロック図で示す。1〜4はア
ドレス入力端子であり、5はアドレス入力回路である。
6はアドレス入力回路(5)のコア ) CI −ル信
号作成回路であり、該コントロール信号によりアドレス
入力回路がON状態となったときのみアドレス入力信号
が入力される。第1図に示した回路の動作は、アドレス
入力回路(5)がON状態において、アドレス信号が入
力され、内部回路が動作し、センスアンプ、出力回路を
経て、メモリの状態が外部に出力される。第2−6図、
第2−h図に入力回路の例を示す。従来の回路では、ア
ドレス入力端子が直接アドレス入力回路に接続されてお
り、アドレス入力信号レベルとアドレス入力回路のロジ
ックレベルとを比較し、アドレス入力信号レベルを判定
する方法であるため、次に示した現象等により、アドレ
ス入力回路のロジックレベルが変化した場合にも、アド
レス入力信号レベルが変化したと同様の判断を行なって
しまうという問題点があった。
アドレス入力回路のロジックレベルが変化し、アドレス
入力信号レベルを誤判断する可能性がある現象は、次の
様に考えられる。第3図に、ICチップに寄生する抵抗
、インダクタンスの状態を示す。センスアンプ動作時、
出力回路動作時などにV D D −V S 8間に一
時的に大電流が流れると、第4図に示した如く、vDD
レベルは下降し、vSεレベルは上昇する。しかし、V
DD111]とVSS側に寄生する抵抗、インダクタン
スの量が異なるため、各々の電位の変化量が異なり、そ
の結果ロジックレベルが変化してしまう。
〔′目的〕
本発明は、このような問題点を解決するもので、その目
的とするところは、内部回路に大電流が流れるタイミン
グにおいて、アドレス入力端子とアドレス入力回路を切
シ離すことによって、アドレス信号レベル判断膜りによ
る誤動作を防止することにある。
〔概要〕
本発明の半導体記憶装置は、アドレス入力端子とアドレ
ス入力回路の間に、スイッチ動作する素子もしくは回路
を挿入し、内部回路に大電流が流れるタイミングにおい
て、該スイッチ動作する素子もしくは回路をOFF状態
にすることを特徴とする。
〔実施°例〕
以下本発明について、実施例に基づいて詳細に説明する
。
第5図に、本発明による実施例のブロック図を示す。1
〜4はアドレス入力端子であり、5はアドレス入力回路
である。6はアドレス入力回路(5)のコントロール信
号作成回路である。7はスイッチ動作する素子もしくは
回路であり、8は該スイッチ動作する素子もしくは回路
のコントロール信号作成回路である。
本回路の動作は、まず、アドレス入力回路がON状態に
おいて、アドレス入力端子よりアドレス入力が内部回路
へ入力され、センスアンプ、出力回路が動作し、メモリ
の状態が外部に出力される。上記動作において、センス
アンプ動作時、及び出力回路動作時に大電流が流れる場
合が多く、本発明では、前記回路の動作タイミング信号
を8の回路へ入力することにより、該回路から、7のス
イッチ動作する回路をOFF状態にする命令信号が出力
され、前記スイッチ回路は0FIFする。
そのため、アドレス入力回路のロジックレベルが一時的
に変化しても、アドレス入力回路の出力レベルは変化せ
ず、所定のアドレス入力に対応した出力が正常に得られ
る。
第6−α図、第6−h図に、第5図に示したスイッチ動
作する回路(7)の例を示す。第6−α図Jは、トラン
スミッションゲートであり、第6−6図は、クロックド
ゲートトランジスタである。
また、第7−α図、第7−6図に、スイッチ回路(7ン
とアドレス入力回路(6)を合成した場合の例であり、
電源電圧変化によるロジックレでルの変化に起因するア
ドレス信号レベルの判断膜りによる誤動作防止に対して
同様の効果を有する。
〔効果〕
以上のように、本発明は、工C内部に大電流が流れ電源
電圧が変化するタイミングにおいて、アドレス入力端子
とアドレス入力回路を切シ離す方式であるため、アドレ
ス信号レベルが決まり、内部回路が°正常に動作した後
の誤動作が防止できる
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2−α図、第2−6図は従来例を示す図で
あり、第1図は、半導体記憶装置の回路ブロック例、第
2−α図、第2−6図はアドレス入力回路の例である。 第3図は、ICチップに寄生する抵抗及びインダクタン
スの状態を示す図である。第4図は、内部回路に大電流
が流れた場合に生ずる電源電圧降下の例を示す図である
。第5図から第7−6図までは本発明の実施例を示す図
であり、第5図は、本発明の回路ブロックであり、第6
−α図、第6−6図は、スイッチ動作する回路の例で、
第7−α図、第7−6図はスイッチ回路とアドレス入力
回路を合成した場合の回路例である。 5・・・・・・アドレス入力回路 7・・・・・・スイッチ回路 8・・・・・・スイッチ回路コントロール信号作成回路
以  上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ロジックレベルを有するアドレス入力回路及び内部回
    路動作開始タイミング作成回路及び、出力回路及び、セ
    ンスアンプを有する回路において、アドレス入力回路と
    アドレス入力端子の間に、スイッチ動作する素子もしく
    は回路を設け、かつ、該素子もしくは回路を内部回路が
    動作状態において制御することを特徴とする半導体記憶
    装置。
JP15084584A 1984-07-20 1984-07-20 半導体記憶装置 Pending JPS6129487A (ja)

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JP15084584A JPS6129487A (ja) 1984-07-20 1984-07-20 半導体記憶装置

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JPS6129487A true JPS6129487A (ja) 1986-02-10

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5690483A (en) * 1979-12-19 1981-07-22 Fujitsu Ltd Address buffer circuit
JPS58108091A (ja) * 1981-12-21 1983-06-28 Nec Corp メモリ回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5690483A (en) * 1979-12-19 1981-07-22 Fujitsu Ltd Address buffer circuit
JPS58108091A (ja) * 1981-12-21 1983-06-28 Nec Corp メモリ回路

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