JPS6134654B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6134654B2 JPS6134654B2 JP54140082A JP14008279A JPS6134654B2 JP S6134654 B2 JPS6134654 B2 JP S6134654B2 JP 54140082 A JP54140082 A JP 54140082A JP 14008279 A JP14008279 A JP 14008279A JP S6134654 B2 JPS6134654 B2 JP S6134654B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- resolution
- sensitivity
- diallyl
- ortho
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子線、Ｘ線、γ線、イオンビーム等
の高エネルギー放射線に高感光性を有するネガタ
イプの高分子材料を用いて、半導体、集積回路等
の微細なパターンを形成する方法に関する。
の高エネルギー放射線に高感光性を有するネガタ
イプの高分子材料を用いて、半導体、集積回路等
の微細なパターンを形成する方法に関する。
周知のように近年半導体工業に於いては高速
化、高密度化を図るために、微細なパターンを形
成する方法に関する研究が鋭意行なわれている。
とりわけ電子線露光は微細なパターンの形成が可
能なこととあわせて、計算機制御によりマスクな
しで直接ウエハーに露光できるため最も多く検討
されている。
化、高密度化を図るために、微細なパターンを形
成する方法に関する研究が鋭意行なわれている。
とりわけ電子線露光は微細なパターンの形成が可
能なこととあわせて、計算機制御によりマスクな
しで直接ウエハーに露光できるため最も多く検討
されている。
しかしながらレジスト材料に高感度、高解像
性、耐ドライエツチング性等のシビアな性能が要
求され、実用にはさらに検討が必要とされてい
る。ネガタイプのレジストに関しては感度は一応
満足なものも得られているが、高解像性、耐ドラ
イエツチ性も備えているものは得られていない。
性、耐ドライエツチング性等のシビアな性能が要
求され、実用にはさらに検討が必要とされてい
る。ネガタイプのレジストに関しては感度は一応
満足なものも得られているが、高解像性、耐ドラ
イエツチ性も備えているものは得られていない。
現在用いられているネガレジストとしては
COP（グリシジルメタクリレート／エチルアク
リレート共重合体）、PGMA（グリシジルメタク
リレート重合体）などがあり市販されている。こ
れらは１×10-6C/cm2程度の高感度を示すが、例
えば高速露光を実現するために大電流（10-6〜
10-7A程度）のビームを用い、かつ露光領域も広
くとろうとするとビームのボケがさけられずレジ
ストの解像性としてはさらに高解像性のものが要
求される。
COP（グリシジルメタクリレート／エチルアク
リレート共重合体）、PGMA（グリシジルメタク
リレート重合体）などがあり市販されている。こ
れらは１×10-6C/cm2程度の高感度を示すが、例
えば高速露光を実現するために大電流（10-6〜
10-7A程度）のビームを用い、かつ露光領域も広
くとろうとするとビームのボケがさけられずレジ
ストの解像性としてはさらに高解像性のものが要
求される。
また、耐ドライエツチング性も充分ではないた
め、ドライエツチングにある程度耐えるようにす
るためには、１〜２μ程度のレジスト厚が必要で
ありこの場合も電子の散乱の影響によつて充分な
解像性は得られなくなる。
め、ドライエツチングにある程度耐えるようにす
るためには、１〜２μ程度のレジスト厚が必要で
ありこの場合も電子の散乱の影響によつて充分な
解像性は得られなくなる。
このように既存のレジストを用いてウエハー上
に直接露光して、集積回路を作成しようとするの
はかなり困難なことである。そこでここではこれ
らの点に鑑み、高感度、高解像性、耐ドライエツ
チング性を有する新規ネガレジスト材料を提供
し、微細加工を可能とするものである。
に直接露光して、集積回路を作成しようとするの
はかなり困難なことである。そこでここではこれ
らの点に鑑み、高感度、高解像性、耐ドライエツ
チング性を有する新規ネガレジスト材料を提供
し、微細加工を可能とするものである。
すなわち、本発明によるレジスト材料は次のよ
うな構造を有するエポキシ化ジアリル−オルト−
フタル酸ポリマー であり、かつ重量平均分子量（Mw）、数平均分
子量（Mn）が共に２万以下であるものである。
うな構造を有するエポキシ化ジアリル−オルト−
フタル酸ポリマー であり、かつ重量平均分子量（Mw）、数平均分
子量（Mn）が共に２万以下であるものである。
このものはおそらく側鎖のベンゼン環の影響と
思われるが、COP、PGMA等に比して２倍程度
耐ドライエツチ性がよくまた、分子量を２万以下
に押さえていることによつて解像性が飛躍的に向
上している。以下にその実施例を示す。
思われるが、COP、PGMA等に比して２倍程度
耐ドライエツチ性がよくまた、分子量を２万以下
に押さえていることによつて解像性が飛躍的に向
上している。以下にその実施例を示す。
実施例 １
エポキシ化ジアリル−オルト−フタル酸ポリマ
ーの合成 ジアリル−オルト−フタル酸（下図） を２・2′−アゾビスイソブチロニトリルを重合開
始剤として用い重合しポリマーを得た。Mn＝
0.92×104、Mw＝4.8×104であつた。これをトル
エンに溶解し、フインドレー（Findley）の方法
に習つてエポキシ化反応を行ないエポキシ化ジア
リル−オルト−フタル酸ポリマーを得た。分子量
はエポキシ化反応の前後で不変であつた。フイン
ドレーの方法はジヤーナル・オブ・アメリカン・
ケミカル・ソサエテイ（Jour.of American
Chemical Soc.）67、412（1945）に示されてい
る。
ーの合成 ジアリル−オルト−フタル酸（下図） を２・2′−アゾビスイソブチロニトリルを重合開
始剤として用い重合しポリマーを得た。Mn＝
0.92×104、Mw＝4.8×104であつた。これをトル
エンに溶解し、フインドレー（Findley）の方法
に習つてエポキシ化反応を行ないエポキシ化ジア
リル−オルト−フタル酸ポリマーを得た。分子量
はエポキシ化反応の前後で不変であつた。フイン
ドレーの方法はジヤーナル・オブ・アメリカン・
ケミカル・ソサエテイ（Jour.of American
Chemical Soc.）67、412（1945）に示されてい
る。
実施例 ２
実施例１で得たエポキシ化ジアリル−オルト−
フタル酸ポリマーをMEKを溶媒としエチルアル
コールEtoHを沈殿剤として分別を行ない、Mw＝
1.4×104、Mn＝1.02×104の分子量領域のポリマ
ーを得た。
フタル酸ポリマーをMEKを溶媒としエチルアル
コールEtoHを沈殿剤として分別を行ない、Mw＝
1.4×104、Mn＝1.02×104の分子量領域のポリマ
ーを得た。
次にこれをメチルセルソルブアセテート
（MCA）に溶解しSiウエハーにスピンコーテイン
グし、60℃で20分間ベーキングした。これを日本
電子製電子ビーム露光装置JBX−5Aにより露光
した。加速電圧20KeV、試料電流１×10-9Aであ
つた。現像はMEX／EtoH＝２／１、室温於て90
秒浸漬することにより行なつた。面感度で20×
106C/cm2（gel化率60％）又解像度としては、初期
膜厚1.5μゲル化率80％で２μライン−１μスペ
ースを解像することができた。
（MCA）に溶解しSiウエハーにスピンコーテイン
グし、60℃で20分間ベーキングした。これを日本
電子製電子ビーム露光装置JBX−5Aにより露光
した。加速電圧20KeV、試料電流１×10-9Aであ
つた。現像はMEX／EtoH＝２／１、室温於て90
秒浸漬することにより行なつた。面感度で20×
106C/cm2（gel化率60％）又解像度としては、初期
膜厚1.5μゲル化率80％で２μライン−１μスペ
ースを解像することができた。
比較例 １
実施例１で得たポリマーを分別せずにそのまま
MCA溶液とし、実施例２と同様に露光現像を行
なつた。面感度は1.5×10-6C/cm2であつたが解像
性は２μライン−４μスペースを解像するのみで
あつた。
MCA溶液とし、実施例２と同様に露光現像を行
なつた。面感度は1.5×10-6C/cm2であつたが解像
性は２μライン−４μスペースを解像するのみで
あつた。
比較例 ２
実施例１で得たポリマーを実施例２と同様に分
別し沈でん剤の量を変えて、Mw＝3.8×104、Mn
＝2.2×104のポリマーを得た。実施例２と同様の
方法で感度及び解像度を測定したところ感度は
1.0×10-6C/cm2であつたが解像性は２μライン−
３μスペースを解線するのみであつた。又１μ以
下のラインを描画すると蛇行が見られた。これは
実施例２では見られなかつた。
別し沈でん剤の量を変えて、Mw＝3.8×104、Mn
＝2.2×104のポリマーを得た。実施例２と同様の
方法で感度及び解像度を測定したところ感度は
1.0×10-6C/cm2であつたが解像性は２μライン−
３μスペースを解線するのみであつた。又１μ以
下のラインを描画すると蛇行が見られた。これは
実施例２では見られなかつた。
実施例 ３
シリコン（Si）ウエハーにAl−Cu（Cu濃度３
％）を蒸着によりコーテイングする。膜厚は6000
Åであつた。これにPGMA（東京応化製）及び実
施例２で得たポリマーをそれぞれコーテイング
し、ベーキング後JBX−5Aで露光（加速電圧
20KeV、試料電流１×10-6A）現像する。膜厚が
それぞれ10μのレジストパターンを得る。これを
対向電極型のプラズマエツチヤーで同時にエツチ
ングを行なつた。使用ガスはCCl4であつた。Al
−Cuのエツチングが終了した時点でエツチング
した。
％）を蒸着によりコーテイングする。膜厚は6000
Åであつた。これにPGMA（東京応化製）及び実
施例２で得たポリマーをそれぞれコーテイング
し、ベーキング後JBX−5Aで露光（加速電圧
20KeV、試料電流１×10-6A）現像する。膜厚が
それぞれ10μのレジストパターンを得る。これを
対向電極型のプラズマエツチヤーで同時にエツチ
ングを行なつた。使用ガスはCCl4であつた。Al
−Cuのエツチングが終了した時点でエツチング
した。
このとき実施例２で得たポリマーはまだ4000Å
残つており下地のAl−Cuにも影響はなかつたが
PGMAはほとんどなくなつており、下地のAl−
Cuも表面がかなり荒れていた。
残つており下地のAl−Cuにも影響はなかつたが
PGMAはほとんどなくなつており、下地のAl−
Cuも表面がかなり荒れていた。
以上のように本発明における感光性樹脂を用い
ることにより電子線等の放射線を用いてパターニ
ングを行ない、ドライエツチによつて加工する微
細なパターンを有する高密度半導体の露光方法は
飛躍的に容易になつたと言える。
ることにより電子線等の放射線を用いてパターニ
ングを行ない、ドライエツチによつて加工する微
細なパターンを有する高密度半導体の露光方法は
飛躍的に容易になつたと言える。
Claims (1)
- １ エポキシ化ジアリル−オルト−フタル酸ポリ
マーを用いて、電子線、Ｘ線、γ線、イオンビー
ム等の高エネルギー放射線を用いて、微細なパタ
ーンを形成することを特徴とする微細パターンの
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14008279A JPS5664336A (en) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | Minute pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14008279A JPS5664336A (en) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | Minute pattern forming method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5664336A JPS5664336A (en) | 1981-06-01 |
| JPS6134654B2 true JPS6134654B2 (ja) | 1986-08-08 |
Family
ID=15260532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14008279A Granted JPS5664336A (en) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | Minute pattern forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5664336A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2163435B (en) * | 1984-07-11 | 1987-07-22 | Asahi Chemical Ind | Image-forming materials sensitive to high-energy beam |
| JP6147534B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-06-14 | 本田技研工業株式会社 | 鞍乗型車両 |
| JP6965969B2 (ja) * | 2015-12-03 | 2021-11-10 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド |
-
1979
- 1979-10-30 JP JP14008279A patent/JPS5664336A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5664336A (en) | 1981-06-01 |
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