JPS6136940A - 半導体樹脂封止装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は半導体ＩＣチップ樹脂封止装置に係る。

〈従来の技術〉 ＩＣチップをリードフレームに配線したものを樹脂で一
体に封止したプラスチックパッケージＩＣは、第４図に
示すような半導体樹脂封止装置によって製造されている
。第４図に示す従来の装置によれば、上下プレス１．２
に上下のヒートプラテン３，４が装着さｎていて、上下
ブレス１，２がヒートプラテン３，４を介して、上下金
型５，６を加圧加熱する。金型５，６の間にはくぼみ７
が形成されていて、このくほみ７にＩＣチップとこれに
配線されたリードフレームが収容配置されている。止金
型５には樹脂導入口８、上ヒートプラテン３には樹脂導
入口８に連通するプランジャー受け９が設けられている
。ヒートプラテン３，４を予め加熱し、プランジヤ−受
け９に矢印Ａの如くタブレット状モールド樹脂１１をつ
める。つめこまれたモ−ルド樹脂１１はプランジャー受
け９の温度で溶融し、プランジャー１０は溶融したモー
ルド樹脂を樹脂導入口８を介して金型のくぼみ７の中へ
圧入する。金型５．６の中に圧入されたモールド樹脂１
１は硬化反応を起してＩＣチップとリードフレームを一
体に封止する。

以上の工程において、プランジャー１０はプランジャー
受け９に圧入される前は外気にさらされているため、低
い温度に保たれている。一方今型５，６はヒートプラテ
ン３，４によってほぼ１７５℃前後に熱せられている。

プランジヤ−１０をプランジヤ−受け９に圧入すると、
投入されたモールド樹脂１１は温度の低いプランジヤ−
１０に接する部分の温度は上昇せず、モールド樹脂１１
は均一に加熱されないことになり、硬化反応が均一に起
らない。半導体樹脂封止装置がノ・ンドモールドタイプ
であると、型開きの際、カル（モールド樹余乗分）の未
反応部分が、上金型５と上ヒートプラテン３の間に膠着
し、上金型がヒートプラテンを持ち上げるとき共に持ち
上げられ、その後落下するということが起り、金型は損
傷し、はなはだ危険であった。また、成型後金型に注入
されるモールド樹脂１１の硬化反応がプランジャー１０
のモールド樹脂接触面近くでは硬化反応が不充分のため
、モールド樹脂のかすが接触面に耐着してプランジヤ−
１０の掃除が困難であるといった欠点が認められた。

〈発明が解決しようとする問題点〉 本発明はかかる従来技術の欠陥に鑑みてなされたもので
、モールド樹脂封止作業において、モールド樹脂が一様
に熱硬化されることによって、作業性が著しく改善され
た半導体樹脂封止装置を提供することを目的としている
。

く問題点を解決するだめの手段〉 かかる目的を達成した本発明による半導体樹脂封止装置
の構成は、上下金型と、該金型の間に設けられたくぼみ
に収容配置され、リードフレームと配線されたＩＣチッ
プと、上記金型に圧接されて上記金型を加熱する上下ヒ
ートグラテンと、該ヒートプラテンをそれぞれ装着した
上下プレスと、上記金型のくぼみに封止用樹脂を注入す
る上記上金型に設けられた樹脂導入口に連通ずる上記上
ヒートプラテンに設けられたプランジャー受けに挿入さ
れ、封止用樹脂を上記金型のくぼみに圧入するプランジ
ヤ−からなる半導体樹脂封止装置において、上記プラン
ジヤ−内に、あるいは上記上ヒートプラテンの上部構造
に設けたプランジャー収納用孔の周囲、あるいは上記の
双方に加熱装置を備えることを特徴とするものである。

〈実施例〉 本発明による半導体樹脂封止装置の実施例を図面に従っ
て説明する。第１図は本発明による半導体樹脂封止装置
の側面図であり、第２図は第１図に示す装置に用いられ
ているプランジャー〇一実施例の概念的構成図である。

先の第４図に示される従来装置ではプランジャー１０は
外気にさらされていたが、本実施例では第２図に示すよ
うに、ヒータ１３を仕込んだプランジヤ−１０′が、第
１図に示す半導体樹脂封止装置のプランジャーとして装
備されたもので、その他の構成は第４図に示したものと
同一である。

第１図に示す本発明による半導体樹脂封止装置によれば
、上下プレス１，２にそれぞれ上下ヒートプラテン３，
４が装着されていて、上下金を５．６の間に形成された
くはみ７にリードフレームとこれに配線されたＩＣチッ
プが収容され、上下プレス１，２は加熱したヒートプラ
テン３゜４を金型５，６に圧接して加熱する。上金型５
にはくほみ７に通ずる樹脂導入口８が設けである。また
、上ヒートプラテン３には、樹脂導入口８に連通ずるシ
リンダー状のグランジャ受け９が設けられている。始め
に、上下ヒートプラテン３，４及び上下金型５，６を予
じめ加熱し、プランジャー受け９にタブレット状モール
ド樹脂１１を投入する。次いで、ヒータ１３でヒートプ
ラテンとほぼ同温度に加熱したプランジヤ−１０′をプ
シンジャー受け９に挿入し、溶融したモールド樹脂を、
プランジャー受け９から上側金型５の樹脂導入口８を経
て金型のくぼみ７へ圧入し、くぼみ７に設けられたリー
ドフレームに配線したＩＣチップをモールド樹脂で一体
に封止する。

次いで、モールド樹脂１１は反応硬化し成形される。本
実施例による半導体樹脂封止装置においては、プランジ
ャー１０′が内部ヒータ１３によってヒートプラテンの
温度に近く加熱されているため、プシンジャー１０′を
プランジャー受け９に圧入して、モールド樹脂１１を金
型５゜６のくほみ７へ圧入するときも、モールド樹脂１
１は、金型５，６のくほみ７の中及び、ヒートプラテン
のプランジャー受けの周辺及びプランジヤ−１０’の樹
脂接触面でも硬化反応が一様に進行し、従来のものの如
く硬化反応が部分的に不均一になるということはなくな
った。

第３図は、本発明による半導体樹脂封止装置のプランジ
ャ一部分の他の実施例の概念的側面図を示す。第３図に
おいて、プシンジャー１０′は、プランジャー受け９に
挿入される前は、ヒートプラテン３の上部構造３ａの一
部に設けられた、周囲にヒータ１５を取り付けた孔１４
に収容されていて、ヒートプラテン３の温度近くに保た
れている。次いで、使用に際して、プランジヤ−受け９
の中に矢印Ａの如くタブレット状モールド樹脂１１をつ
め込み、ヒートプラテン上部構造３ａの穴１４の中に納
めであるプシンジャー１０′をヒートプラテン３のプラ
ンジヤ−受け９へ圧入する。これによって溶融したモー
ルド樹脂１１は金型のくぼみ７へ圧入され、リードフレ
ームとＩＣチップとを一体に封止しついで反応硬化して
成形される。

更に、プシンジャー１０′内及び上ヒートプラテン３の
孔１４の周囲の双方にヒータを設けても良い。

〈発明の効果〉 本発明による半導体樹脂封止装置ではプランジャー１０
′がヒートプラテンの温度に近く加熱されているため、
プランジヤ−１０′をグランツヤ−受け９へ挿入し、モ
ールド樹脂１１を金型のくほみ７へ圧入するとき、モー
ルド樹脂に接触するヒートプラテンのプランジャー受け
９、プランジャー１０’の接触面、金型５の樹脂導入口
８、金形のくぼみ７等どの部分もほぼ均一温度に保たれ
ているため、硬化反応が十分に、しかも均一に行なわれ
る。このためプランジヤ−１０′にモールド樹脂の未反
応のかすが付着するといったことがなく、成形後、プラ
ンジャー１０’の接触面の付着樹脂の除去の掃除も容易
になった。また、モールド樹脂注入時にモールド樹脂が
部分的に硬化するといったことがなく、特にハンドモー
ルドの装置の場合に、型開きの際、カルか＋ｊ金型とヒ
ートプラテンの間及びプシンジャーに付着して、上金型
がヒートプラテンとともに持ち上がり、途中で金型が落
下するといった事故も発生しなくなった。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明による半導体樹脂封止装置の側面図、第
２図は第１図のプランジャーの概念的構成図、第３図は
第１図に示されるプランジャ一部の他の実施例の概念的
側面図、第４図は従来の半導体樹脂封止装置である。 図面中、 １．２はプレス、 ３．４は上下ヒートプラテン、 ３ａは上部構造、 ５．６は上下金型、 ７はくぼみ、 ８は樹脂導入口、 ９はプランジヤ−受け、 １０′はプランジャー、 １１はモールド樹脂、 １３はヒータ、 １４は孔、 １５はヒータである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 上下金型と、該金型の間に設けられたくぼみに収容配置
   され、リードフレームと配線されたＩＣチップと、上記
   金型に圧接して上記金型を加熱する上下ヒートプラテン
   と、該ヒートプラテンをそれぞれ装着した上下プレスと
   、上記金型のくぼみに封止用樹脂を注入する上記金型に
   設けられた樹脂導入口に連通する上記上ヒートプラテン
   に設けられたプランジャー受けに挿入され、封止用樹脂
   を上記金型のくぼみ内に圧入するプランジヤーからなる
   半導体樹脂封止装置において、上記プランジャーの内に
   、あるいは上記上ヒートプラテンの上部構造に設けたプ
   ランジヤ収納用孔の周囲、あるいは上記の双方に設置し
   た加熱装置を備えることを特徴とする半導体樹脂封止装
   置。