JPH0558889B2 - - Google Patents
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- JPH0558889B2 JPH0558889B2 JP2031788A JP3178890A JPH0558889B2 JP H0558889 B2 JPH0558889 B2 JP H0558889B2 JP 2031788 A JP2031788 A JP 2031788A JP 3178890 A JP3178890 A JP 3178890A JP H0558889 B2 JPH0558889 B2 JP H0558889B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- upper mold
- semiconductor wafer
- lower mold
- mold
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/37—Mould cavity walls, i.e. the inner surface forming the mould cavity, e.g. linings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体ウエーハの周縁部に絶縁レジン
を成形するためのレジン成形装置に関する。
を成形するためのレジン成形装置に関する。
（従来の技術）
半導体ウエーハの周縁部に絶縁レジンを成形す
るためのレジン成形装置として、上型と、この上
型との間で半導体ウエーハを押圧保持する下型と
を備えたものが知られている。そして、半導体ウ
エーハの周縁部に、上型と下型との間で絶縁レジ
ン充てん用のレジン空間が形成されている。
るためのレジン成形装置として、上型と、この上
型との間で半導体ウエーハを押圧保持する下型と
を備えたものが知られている。そして、半導体ウ
エーハの周縁部に、上型と下型との間で絶縁レジ
ン充てん用のレジン空間が形成されている。
なお、上述した上型および下型は、ステンレス
等の金属材料、または３フツ化樹脂、４フツ化樹
脂等の樹脂材料から形成されている。
等の金属材料、または３フツ化樹脂、４フツ化樹
脂等の樹脂材料から形成されている。
絶縁レジンを成形する際は、半導体ウエーハを
上型と下型との間で押圧して型締め、レジン空間
内の絶縁レジンを充てんし、予め加熱されている
上型と下型の熱により、レジンは硬化される。
上型と下型との間で押圧して型締め、レジン空間
内の絶縁レジンを充てんし、予め加熱されている
上型と下型の熱により、レジンは硬化される。
（発明が解決しようとする課題）
上述のように、上型および下型はステンレス等
の金属材料、または３フツ化樹脂、４フツ化樹脂
等の樹脂材料により形成されている。
の金属材料、または３フツ化樹脂、４フツ化樹脂
等の樹脂材料により形成されている。
しかしながら、上型および下型を金属材料によ
つて形成した場合は、絶縁レジンが上型および下
型に接着して離型性が悪化し、絶縁レジンの成形
作業に支障が生ずる。
つて形成した場合は、絶縁レジンが上型および下
型に接着して離型性が悪化し、絶縁レジンの成形
作業に支障が生ずる。
また、上型および下型を３フツ化樹脂および４
フツ化樹脂等により形成した場合は、上型と下型
との型締め回数が増えるにつれて上型と下型が変
形してしまうことがあり、量産に適さないという
問題がある。また上型と下型が変形した場合は、
これらを交換する必要があり、その分費用がかか
つてしまうという問題がある。さらに、３フツ化
樹脂等の樹脂材料は熱伝導が悪いので、上型およ
び下型を加熱するための加熱電力を多量に必要と
するという問題がある。
フツ化樹脂等により形成した場合は、上型と下型
との型締め回数が増えるにつれて上型と下型が変
形してしまうことがあり、量産に適さないという
問題がある。また上型と下型が変形した場合は、
これらを交換する必要があり、その分費用がかか
つてしまうという問題がある。さらに、３フツ化
樹脂等の樹脂材料は熱伝導が悪いので、上型およ
び下型を加熱するための加熱電力を多量に必要と
するという問題がある。
本発明はこのような点を考慮してなされたもの
であり、上型および下型の変形を防止でき、かつ
離型性の向上を図ることができるレジン成形装置
を提供することを目的とする。
であり、上型および下型の変形を防止でき、かつ
離型性の向上を図ることができるレジン成形装置
を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上金型と、この上金型との間で半導
体ウエーハを押圧保持するとともに、半導体ウエ
ーハの周縁部に前記上金型との間で絶縁レジン充
てん用のレジン空間を形成する下金型とを備え、
前記上金型と前記下金型のうち、前記半導体ウエ
ーハとの当接面および前記レジン空間の内面は絶
縁レジンと接着しない弾性材料で被覆され、前記
レジン空間を注入口を介して大気と連通させると
ともに、前記注入口に、前記上金型と前記下金型
とによつて半導体ウエーハを押圧する際、前記注
入口を部分的に密閉するレジンストツパを設けた
ことを特徴とするレジン成形装置である。
体ウエーハを押圧保持するとともに、半導体ウエ
ーハの周縁部に前記上金型との間で絶縁レジン充
てん用のレジン空間を形成する下金型とを備え、
前記上金型と前記下金型のうち、前記半導体ウエ
ーハとの当接面および前記レジン空間の内面は絶
縁レジンと接着しない弾性材料で被覆され、前記
レジン空間を注入口を介して大気と連通させると
ともに、前記注入口に、前記上金型と前記下金型
とによつて半導体ウエーハを押圧する際、前記注
入口を部分的に密閉するレジンストツパを設けた
ことを特徴とするレジン成形装置である。
（作用）
本発明によれば、レジン空間が注入口を介して
大気と連通し、注入口にこの注入口を部分的に密
閉するレジンストツパを設けたので、注入口から
レジン空間内に絶縁レジンを充てんする場合、充
てん終了時に絶縁レジンをレジンストツパで容易
に切ることができる。
大気と連通し、注入口にこの注入口を部分的に密
閉するレジンストツパを設けたので、注入口から
レジン空間内に絶縁レジンを充てんする場合、充
てん終了時に絶縁レジンをレジンストツパで容易
に切ることができる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例について
説明する。
説明する。
第１図乃至第４図は本発明によるレジン成形装
置の一実施例を示す図である。
置の一実施例を示す図である。
第１図に示すように、レジン成形装置は上金型
７と、この上金型７との間で半導体ウエーハ１０
を押圧保持する下金型８とを備えている。上金型
７および下金型８は、いずれも金属製となつてい
る。また、下金型８は下金型用ヒータブロツク４
上に下金型用ホルダ６を介して取付けられてお
り、一方上金型７は上下方向に移動自在の上金型
用ヒータブロツク３に上金型用ホルダ５を介して
取付けられている。
７と、この上金型７との間で半導体ウエーハ１０
を押圧保持する下金型８とを備えている。上金型
７および下金型８は、いずれも金属製となつてい
る。また、下金型８は下金型用ヒータブロツク４
上に下金型用ホルダ６を介して取付けられてお
り、一方上金型７は上下方向に移動自在の上金型
用ヒータブロツク３に上金型用ホルダ５を介して
取付けられている。
また、上金型７と下金型８との間であつて、半
導体ウエーハ１０の周縁部に対応する部分に、例
えばシリコン樹脂等の絶縁レジン２を充てんする
ためのレジン空間２０が環状に形成されている。
導体ウエーハ１０の周縁部に対応する部分に、例
えばシリコン樹脂等の絶縁レジン２を充てんする
ためのレジン空間２０が環状に形成されている。
また、下金型用ホルダ６には、外部からレジン
空間２０内に絶縁レジン２を注入する注入口１２
が形成され、一方、上金型用ホルダ５にはこの注
入口１２を密閉するためのレンジストツパ９が設
けられている。このうち、注入口１２は大気と連
通し、またレジンストツパ９は上金型７と下金型
８とによつて半導体ウエーハ１０を押圧する際、
注入口１２を部分的に密閉するようになつてい
る。このため、注入口１２からレジン空間２０内
に絶縁レジン２を充てんする場合、充てん終了時
に絶縁レジン２を容易に切ることができ、絶縁レ
ジンのタレを防止することができる。
空間２０内に絶縁レジン２を注入する注入口１２
が形成され、一方、上金型用ホルダ５にはこの注
入口１２を密閉するためのレンジストツパ９が設
けられている。このうち、注入口１２は大気と連
通し、またレジンストツパ９は上金型７と下金型
８とによつて半導体ウエーハ１０を押圧する際、
注入口１２を部分的に密閉するようになつてい
る。このため、注入口１２からレジン空間２０内
に絶縁レジン２を充てんする場合、充てん終了時
に絶縁レジン２を容易に切ることができ、絶縁レ
ジンのタレを防止することができる。
さらに下金型８には、半導体ウエーハ１０を真
空引きして下金型８に密着させるための真空孔１
１が形成され、この真空孔１１は真空・高圧ライ
ン１５に接続されている。この真空・高圧ライン
１５は真空孔１１を真空状態または高圧状態とす
るものである。
空引きして下金型８に密着させるための真空孔１
１が形成され、この真空孔１１は真空・高圧ライ
ン１５に接続されている。この真空・高圧ライン
１５は真空孔１１を真空状態または高圧状態とす
るものである。
また、第２図に示すように、上金型７のうち半
導体ウエーハ１０と当接する当接面７ａ、および
下金型８のうち半導体ウエーハ１０と当接する当
接面８ａには、絶縁レジンと接着しない弾性材
料、例えば３フツ化樹脂または４フツ化樹脂が被
覆されている。さらに上金型７よび下金型８のう
ち、レジン空間２０の内面を形成する部分７ｂお
よび８ｂにも、上述した弾性材料が被覆され、ま
たレジン空間２０の注入口１２の内面にも同様に
弾性材料が被覆されている。
導体ウエーハ１０と当接する当接面７ａ、および
下金型８のうち半導体ウエーハ１０と当接する当
接面８ａには、絶縁レジンと接着しない弾性材
料、例えば３フツ化樹脂または４フツ化樹脂が被
覆されている。さらに上金型７よび下金型８のう
ち、レジン空間２０の内面を形成する部分７ｂお
よび８ｂにも、上述した弾性材料が被覆され、ま
たレジン空間２０の注入口１２の内面にも同様に
弾性材料が被覆されている。
この弾性材料は、上述のようにシリコン樹脂等
からなる絶縁レジンと接着しないようになつてお
り、また半導体ウエーハ１０と弾性的に当接する
ようになつている。
からなる絶縁レジンと接着しないようになつてお
り、また半導体ウエーハ１０と弾性的に当接する
ようになつている。
次にこのような構成からなる本実施例の作用に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、上金型用ヒータブロツク３を駆動部（図
示せず）により上昇させ、上金型用ホルダ５を上
昇位置１４まで持つてくる（第１図および第３図
２点鎖線の位置）。この状態で下金型８上に半導
体ウエーハ１０を載置し、真空孔１１を真空状態
として半導体ウエーハ１０を下金型８上に密着さ
せる。続いて上金型用ヒータブロツク３を降下さ
せ、半導体ウエーハ１０を上金型７と下金型８と
の間で押圧して型締める。この場合、第２図に示
すように、上金型用ホルダが下金型用ホルダ６内
に入り込み、この下金型用ホルダ６がレジン空間
２０の外面を形成する。
示せず）により上昇させ、上金型用ホルダ５を上
昇位置１４まで持つてくる（第１図および第３図
２点鎖線の位置）。この状態で下金型８上に半導
体ウエーハ１０を載置し、真空孔１１を真空状態
として半導体ウエーハ１０を下金型８上に密着さ
せる。続いて上金型用ヒータブロツク３を降下さ
せ、半導体ウエーハ１０を上金型７と下金型８と
の間で押圧して型締める。この場合、第２図に示
すように、上金型用ホルダが下金型用ホルダ６内
に入り込み、この下金型用ホルダ６がレジン空間
２０の外面を形成する。
続いて、注入口１２からレジン空間２０内に絶
縁レジン２を充てんする。この場合、上金型７と
下金型８はそれぞれ上金型用ヒータブロツク３と
下金型用ヒータブロツク４により、予め加熱され
ている。そしてこの上金型７と下金型８とによ
り、レジン空間２０内の絶縁レジン２を加熱硬化
させ、半導体ウエーハ１０の周縁部に絶縁レジン
２を成形する。
縁レジン２を充てんする。この場合、上金型７と
下金型８はそれぞれ上金型用ヒータブロツク３と
下金型用ヒータブロツク４により、予め加熱され
ている。そしてこの上金型７と下金型８とによ
り、レジン空間２０内の絶縁レジン２を加熱硬化
させ、半導体ウエーハ１０の周縁部に絶縁レジン
２を成形する。
その後、再び上金型用ヒータブロツク３を上昇
させ、下金型８から上金型５を引離す。続いて真
空孔１１内に高圧エアを吹込みながら、下金型８
上から半導体ウエーハ１０を取外す。
させ、下金型８から上金型５を引離す。続いて真
空孔１１内に高圧エアを吹込みながら、下金型８
上から半導体ウエーハ１０を取外す。
このようにして、第４図に示すような周縁部に
絶縁レジン２が成形された半導体ウエーハ１０が
得られる。
絶縁レジン２が成形された半導体ウエーハ１０が
得られる。
以上説明したように、本実施例によれば、上金
型７と下金型８のうち、半導体ウエーハ１０に当
接する当接面７ａおよび８ａを弾性材で被覆した
ので、半導体ウエーハ１０を押圧する場合、片当
りせず弾性保持することができる。このため、半
導体ウエーハ１０の割れを確実に防止することが
できる。また、上金型７および下金型８のうち、
レジン空間内面を形成する部分７ｂおよび８ｂを
絶縁レジン２と接着しない弾性材で被覆したの
で、離型性の向上を図ることができるとともに、
上金型７および下金型８と絶縁レジン２が付着す
ることを防止することができる。また注入口１２
にも弾性材が被覆されているので、注入口１２内
面への絶縁レジン２の付着を防止できる。さら
に、上金型７と下金型８の被覆内部は丈夫な金属
製となつているので、樹脂型に比較して熱伝導性
が良く加熱用電力を少なく押えることができると
ともに、上金型７と下金型８の変形を防止するこ
とができる。
型７と下金型８のうち、半導体ウエーハ１０に当
接する当接面７ａおよび８ａを弾性材で被覆した
ので、半導体ウエーハ１０を押圧する場合、片当
りせず弾性保持することができる。このため、半
導体ウエーハ１０の割れを確実に防止することが
できる。また、上金型７および下金型８のうち、
レジン空間内面を形成する部分７ｂおよび８ｂを
絶縁レジン２と接着しない弾性材で被覆したの
で、離型性の向上を図ることができるとともに、
上金型７および下金型８と絶縁レジン２が付着す
ることを防止することができる。また注入口１２
にも弾性材が被覆されているので、注入口１２内
面への絶縁レジン２の付着を防止できる。さら
に、上金型７と下金型８の被覆内部は丈夫な金属
製となつているので、樹脂型に比較して熱伝導性
が良く加熱用電力を少なく押えることができると
ともに、上金型７と下金型８の変形を防止するこ
とができる。
以上説明したように、本発明によれば、注入口
からレジン空間に絶縁レジンを充てんする場合、
充てん終了時に絶縁レジンをレジンストツパで容
易に切ることができる。このため充てん終了時に
おいて絶縁レジンのタレを防止できる。
からレジン空間に絶縁レジンを充てんする場合、
充てん終了時に絶縁レジンをレジンストツパで容
易に切ることができる。このため充てん終了時に
おいて絶縁レジンのタレを防止できる。
第１図は本発明によるレジン成形装置の一実施
例を示す側断面図であり、第２図はレジン空間部
分を示す部分拡大図であり、第３図は第１図線
方向矢視図であり、第４図は周縁部に絶縁レジン
が成形された半導体ウエーハを示す図である。 ２…絶縁レジン、７…上金型、７ａ…半導体ウ
エーハ当接面、７ｂ…レジン空間内面、８…下金
型、８ａ…半導体ウエーハ当接面、８ｂ…レジン
空間内面、１０…半導体ウエーハ、２０…レジン
空間。
例を示す側断面図であり、第２図はレジン空間部
分を示す部分拡大図であり、第３図は第１図線
方向矢視図であり、第４図は周縁部に絶縁レジン
が成形された半導体ウエーハを示す図である。 ２…絶縁レジン、７…上金型、７ａ…半導体ウ
エーハ当接面、７ｂ…レジン空間内面、８…下金
型、８ａ…半導体ウエーハ当接面、８ｂ…レジン
空間内面、１０…半導体ウエーハ、２０…レジン
空間。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 上金型と、この上金型との間で半導体ウエー
ハを押圧保持するとともに、半導体ウエーハの周
縁部に前記上金型との間で絶縁レジン充てん用の
レジン空間を形成する下金型とを備え、前記上金
型と前記下金型のうち、前記半導体ウエーハとの
当接面および前記レジン空間の内面は絶縁レジン
と接着しない弾性材料で被覆され、前記レジン空
間を注入口を介して大気と連通させるとともに、
前記注入口に、前記上金型と前記下金型とによつ
て半導体ウエーハを押圧する際、前記注入口を部
分的に密閉するレジンストツパを設けたことを特
徴とするレジン成形装置。 ２ 弾性材料は３フツ化樹脂または４フツ化樹脂
からなることを特徴とする請求項１記載のレジン
成形装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2031788A JPH03234605A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | レジン成形装置 |
| US07/634,447 US5151276A (en) | 1990-02-13 | 1990-12-27 | Resin molding apparatus |
| EP90125822A EP0442152A1 (en) | 1990-02-13 | 1990-12-31 | Resin molding apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2031788A JPH03234605A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | レジン成形装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03234605A JPH03234605A (ja) | 1991-10-18 |
| JPH0558889B2 true JPH0558889B2 (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=12340804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2031788A Granted JPH03234605A (ja) | 1990-02-13 | 1990-02-13 | レジン成形装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5151276A (ja) |
| EP (1) | EP0442152A1 (ja) |
| JP (1) | JPH03234605A (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970002295B1 (ko) * | 1993-02-23 | 1997-02-27 | 미쯔비시 덴끼 가부시끼가이샤 | 성형방법 |
| NL9400119A (nl) * | 1994-01-27 | 1995-09-01 | 3P Licensing Bv | Werkwijze voor het met een hardende kunststof omhullen van een electronische component, electronische componenten met kunststofomhulling verkregen door middel van deze werkwijze en matrijs voor het uitvoeren der werkwijze. |
| US5597523A (en) * | 1994-02-22 | 1997-01-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Molding apparatus and method in which a mold cavity gasket is deformed by separately applied pressure |
| US5656550A (en) * | 1994-08-24 | 1997-08-12 | Fujitsu Limited | Method of producing a semicondutor device having a lead portion with outer connecting terminal |
| EP0730937B1 (en) * | 1994-11-21 | 1998-02-18 | Apic Yamada Corporation | A resin molding machine with release film |
| MY114536A (en) * | 1994-11-24 | 2002-11-30 | Apic Yamada Corp | A resin molding machine and a method of resin molding |
| US5846477A (en) * | 1994-12-08 | 1998-12-08 | Nitto Denko Corporation | Production method for encapsulating a semiconductor device |
| JPH10511323A (ja) * | 1994-12-23 | 1998-11-04 | アモコ・コーポレイション | 半導体をカプセル封入するのに有用なプレフォームをつくるための改良方法 |
| JP3246848B2 (ja) * | 1995-02-22 | 2002-01-15 | アピックヤマダ株式会社 | 汎用ゲート位置樹脂モールド装置および樹脂モールド方法 |
| EP0742586A3 (en) * | 1995-05-02 | 1998-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to integrated circuits |
| US5800747A (en) * | 1996-07-02 | 1998-09-01 | Motorola, Inc. | Method for molding using an ion implanted mold |
| SE508968C2 (sv) * | 1996-12-19 | 1998-11-23 | Ericsson Telefon Ab L M | Förfarande för att göra elastiska kulor |
| TW345709B (en) * | 1997-09-18 | 1998-11-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Method for encapsulating substrate-based electronic device |
| US6096250A (en) * | 1998-03-06 | 2000-08-01 | Caesar International, Inc. | Process for releasing a runner from an electronic device package on a laminate plate |
| US6523803B1 (en) | 1998-09-03 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Mold apparatus used during semiconductor device fabrication |
| US7026710B2 (en) | 2000-01-21 | 2006-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Molded package for micromechanical devices and method of fabrication |
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