JPS6145884B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6145884B2 JPS6145884B2 JP53116017A JP11601778A JPS6145884B2 JP S6145884 B2 JPS6145884 B2 JP S6145884B2 JP 53116017 A JP53116017 A JP 53116017A JP 11601778 A JP11601778 A JP 11601778A JP S6145884 B2 JPS6145884 B2 JP S6145884B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- transistors
- emitter
- bases
- common
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
- H03C1/52—Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed
- H03C1/54—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
- H03C1/542—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
- H03C1/545—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C2200/00—Indexing scheme relating to details of modulators or modulation methods covered by H03C
- H03C2200/0004—Circuit elements of modulators
- H03C2200/0012—Emitter or source coupled transistor pairs or long tail pairs
Landscapes
- Amplitude Modulation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイナミツクレンジが広く、キヤリヤ
リークの少ない変調方式に関するもので、特に低
電圧電源用に好適な変調方式に関するものであ
る。
リークの少ない変調方式に関するもので、特に低
電圧電源用に好適な変調方式に関するものであ
る。
従来の変調方式の一例を第１図に示し説明する
と、図において、IN1は搬送液信号が印加される
入力端子、IN2は変調波信号が印加される入力端
子、OUTは変調された出力信号が得られる出力
端子である。Q1，Q2およびQ3，Q4はそれぞれ互
にエミツタを接続したトランジスタ、Q5および
Q6はそれぞれトランジスタQ1，Q2およびQ3，Q4
を駆動する駆動用のトランジスタ、Q7およびQ8
はトランジスタQ5およびQ6の定電流源を構成す
るトランジスタである。
と、図において、IN1は搬送液信号が印加される
入力端子、IN2は変調波信号が印加される入力端
子、OUTは変調された出力信号が得られる出力
端子である。Q1，Q2およびQ3，Q4はそれぞれ互
にエミツタを接続したトランジスタ、Q5および
Q6はそれぞれトランジスタQ1，Q2およびQ3，Q4
を駆動する駆動用のトランジスタ、Q7およびQ8
はトランジスタQ5およびQ6の定電流源を構成す
るトランジスタである。
そして、トランジスタQ1のコレクタは抵抗R1
を介して電源ＶCCに接続され、ベースは入力端子
ON1に接続され、また、トランジスタQ2のコレク
タは出力端子OUTに接続され、ベースはトラン
ジスタQ3のベースに接続され、そのベース共通
接続点はバイアス電圧源E1に接続されている。
一方、トランジスタQ3のコレクタはトランジス
タQ1のコレクタに接続され、トランジスタQ4の
コレクタは出力端子OUTに接続されると共に、
抵抗R2を介して電源ＶCCに接続され、ベースは
入力端子IN1に接続されている。そして、トラン
ジスタQ5のコレクタはトランジスタQ1，Q2の共
通エミツタに接続され、トランジスタQ5のエミ
ツタはトランジスタQ7のコレクタに接続される
と共に、共通エミツタ抵抗R3を介してトランジ
スタQ3のエミツタに接続され、トランジスタQ5
のベースは入力端子IN2に接続されている。ま
た、トランジスタQ6のコレクタはトランジスタ
Q3，Q4の共通エミツタに接続され、トランジス
タQ6のエミツタはトランジスタQ8のコレクタに
接続され、トランジスタQ6のベースはバイアス
電圧源E2に接続されている。また、トランジス
タQ7，Q8のエミツタはそれぞれ抵抗R4，R5を介
して接地され、ベースは共通接続されてバイアス
電圧源E3に接続されている。
を介して電源ＶCCに接続され、ベースは入力端子
ON1に接続され、また、トランジスタQ2のコレク
タは出力端子OUTに接続され、ベースはトラン
ジスタQ3のベースに接続され、そのベース共通
接続点はバイアス電圧源E1に接続されている。
一方、トランジスタQ3のコレクタはトランジス
タQ1のコレクタに接続され、トランジスタQ4の
コレクタは出力端子OUTに接続されると共に、
抵抗R2を介して電源ＶCCに接続され、ベースは
入力端子IN1に接続されている。そして、トラン
ジスタQ5のコレクタはトランジスタQ1，Q2の共
通エミツタに接続され、トランジスタQ5のエミ
ツタはトランジスタQ7のコレクタに接続される
と共に、共通エミツタ抵抗R3を介してトランジ
スタQ3のエミツタに接続され、トランジスタQ5
のベースは入力端子IN2に接続されている。ま
た、トランジスタQ6のコレクタはトランジスタ
Q3，Q4の共通エミツタに接続され、トランジス
タQ6のエミツタはトランジスタQ8のコレクタに
接続され、トランジスタQ6のベースはバイアス
電圧源E2に接続されている。また、トランジス
タQ7，Q8のエミツタはそれぞれ抵抗R4，R5を介
して接地され、ベースは共通接続されてバイアス
電圧源E3に接続されている。
第２図は第１図の動作を説明するための波形図
を示し、ａは入力端子IN2に印加される変調波信
号の波形を示したものであり、ｂは入力端子IN1
に印加される搬送波信号の波形ｃ，ｄは変調出力
波形を示したものである。なお、ｃは抵抗R1に
得られる出力波形、ｄは抵抗R2に得られる出力
波形を示し、ｃに示す波形とｄに示す波形の極性
位相は互に反転している。
を示し、ａは入力端子IN2に印加される変調波信
号の波形を示したものであり、ｂは入力端子IN1
に印加される搬送波信号の波形ｃ，ｄは変調出力
波形を示したものである。なお、ｃは抵抗R1に
得られる出力波形、ｄは抵抗R2に得られる出力
波形を示し、ｃに示す波形とｄに示す波形の極性
位相は互に反転している。
つぎに第１図に示す回路の動作を第２図を参照
して説明する。まず、入力端子IN2に印加された
第２図ａに示すような波形の変調波信号はトラン
ジスタQ5のベースに印加し、これを駆動する。
そして、駆動されたトランジスタQ5は、エミ
ツタ接地回路として動作する場合と、エミツタ
ホロワとして動作する場合があり、前者のエミ
ツタ接地回路として動作する場合のコレクタ出力
は、共通エミツタトランジスタQ1，Q2のエミツ
タに接続され駆動する。この場合、トランジスタ
Q5にカスケード接続されたトランジスタQ1，Q2
はベース接地として動作する。また、後者のト
ランジスタQ5がエミツタホロワとして動作した
場合には、エミツタ出力信号は抵抗R3を介し
て、トランジスタQ6に伝達される。そして、ト
ランジスタQ6はベース接地として動作するた
め、抵抗R3を経て伝達された変調波信号はトラ
ンジスタQ6のコレクタ出力となり、エミツタ共
通のトランジスタQ3，Q4を駆動する。この場合
のトランジスタQ3，Q4はベース接地として動作
する。
して説明する。まず、入力端子IN2に印加された
第２図ａに示すような波形の変調波信号はトラン
ジスタQ5のベースに印加し、これを駆動する。
そして、駆動されたトランジスタQ5は、エミ
ツタ接地回路として動作する場合と、エミツタ
ホロワとして動作する場合があり、前者のエミ
ツタ接地回路として動作する場合のコレクタ出力
は、共通エミツタトランジスタQ1，Q2のエミツ
タに接続され駆動する。この場合、トランジスタ
Q5にカスケード接続されたトランジスタQ1，Q2
はベース接地として動作する。また、後者のト
ランジスタQ5がエミツタホロワとして動作した
場合には、エミツタ出力信号は抵抗R3を介し
て、トランジスタQ6に伝達される。そして、ト
ランジスタQ6はベース接地として動作するた
め、抵抗R3を経て伝達された変調波信号はトラ
ンジスタQ6のコレクタ出力となり、エミツタ共
通のトランジスタQ3，Q4を駆動する。この場合
のトランジスタQ3，Q4はベース接地として動作
する。
一方、入力端子IN1に印加された第２図ｂに示
すような波形の搬送波信号はトランジスタQ1，
Q4を駆動するが、このトランジスタQ1，Q4は図
示するようにそれぞれトランジスタQ2およびQ3
とエミツタ結合されており、差動増幅器として動
作する。そして、この差動増幅器は、駆動する信
号（この場合は変調波信号）によつて相互コンダ
クタンスgmが変化し、ある入力レベル以上にな
ると、スイツチング特性を有する。このため、第
２図ｂに示す搬送波信号が正の半サイクルにてト
ランジスタQ1およびQ4が導通（ON）状態に移行
し、トランジスタQ2およびQ3が非導通（OFF）
となる。同様に、第２図ｂに示す搬送波信号が負
の半サイクルにてはトランジスタQ1，Q4がOFF
となり、トランジスタQ2，Q3はONとなる。
すような波形の搬送波信号はトランジスタQ1，
Q4を駆動するが、このトランジスタQ1，Q4は図
示するようにそれぞれトランジスタQ2およびQ3
とエミツタ結合されており、差動増幅器として動
作する。そして、この差動増幅器は、駆動する信
号（この場合は変調波信号）によつて相互コンダ
クタンスgmが変化し、ある入力レベル以上にな
ると、スイツチング特性を有する。このため、第
２図ｂに示す搬送波信号が正の半サイクルにてト
ランジスタQ1およびQ4が導通（ON）状態に移行
し、トランジスタQ2およびQ3が非導通（OFF）
となる。同様に、第２図ｂに示す搬送波信号が負
の半サイクルにてはトランジスタQ1，Q4がOFF
となり、トランジスタQ2，Q3はONとなる。
このことは、抵抗R1およびR2に得られる出力
波形は、抵抗R1の場合トランジスタQ1またはト
ランジスタQ3が交互にON時に得られる出力であ
り、抵抗R2の場合トランジスタQ2またはトラン
ジスタQ4が交互にON時に得られる出力である。
そして、この出力波形は第２図ｃおよびｄに示す
如く、トランジスタQ1，Q2がON時に得られる出
力信号はトランジスタQ5がエミツタ接地として
動作するため、搬送波信号の極性は反転してい
る。また、トランジスタQ3，Q4がON時に得られ
る出力信号は、トランジスタQ5はエミツタホロ
ワとして動作し、トランジスタQ6はベース接地
として動作するため搬送波信号の極性は同極性で
ある。
波形は、抵抗R1の場合トランジスタQ1またはト
ランジスタQ3が交互にON時に得られる出力であ
り、抵抗R2の場合トランジスタQ2またはトラン
ジスタQ4が交互にON時に得られる出力である。
そして、この出力波形は第２図ｃおよびｄに示す
如く、トランジスタQ1，Q2がON時に得られる出
力信号はトランジスタQ5がエミツタ接地として
動作するため、搬送波信号の極性は反転してい
る。また、トランジスタQ3，Q4がON時に得られ
る出力信号は、トランジスタQ5はエミツタホロ
ワとして動作し、トランジスタQ6はベース接地
として動作するため搬送波信号の極性は同極性で
ある。
以上の動作を繰り返し出力端子OUTには変調
出力信号が得られる。
出力信号が得られる。
しかしながら、このような変調方式において
は、電源電圧と接地間にトランジスタ回路３段積
および抵抗２個が直列に接続されているため、供
給する電源電圧が低い場合には、入力変調波レベ
ルを低レベルにするなど、ダイナミツクレベルは
低く、ひいては入力変調波に対する変調出力の信
号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が改善されないという問題
がある。
は、電源電圧と接地間にトランジスタ回路３段積
および抵抗２個が直列に接続されているため、供
給する電源電圧が低い場合には、入力変調波レベ
ルを低レベルにするなど、ダイナミツクレベルは
低く、ひいては入力変調波に対する変調出力の信
号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が改善されないという問題
がある。
本発明は以上の点に鑑み、このような問題を解
決すべくなされたもので、その目的は、電源電圧
の低いシステムでも大きなダイナミツクレンジを
得る変調方式を提供することにある。以下、図示
する実施例によつてその構成等を詳細に説明す
る。
決すべくなされたもので、その目的は、電源電圧
の低いシステムでも大きなダイナミツクレンジを
得る変調方式を提供することにある。以下、図示
する実施例によつてその構成等を詳細に説明す
る。
第３図は本発明による変調方式の一実施例を示
す回路図である。図において、IN11は変調波入力
信号が印加される入力端子、IN12は入力端子IN11
に印加される変調波入力信号とは互に極性が反転
した変調波入力信号が印加される入力端子、IN13
は搬送波入力信号が印加される入力端子、IN14は
バイアス電圧源Ｅから所要のバイアス電圧が供給
される端子、OUTは変調された信号出力が得ら
れる出力端子である。
す回路図である。図において、IN11は変調波入力
信号が印加される入力端子、IN12は入力端子IN11
に印加される変調波入力信号とは互に極性が反転
した変調波入力信号が印加される入力端子、IN13
は搬送波入力信号が印加される入力端子、IN14は
バイアス電圧源Ｅから所要のバイアス電圧が供給
される端子、OUTは変調された信号出力が得ら
れる出力端子である。
Q11，Q12は互にエミツタおよびコレクタを結
合したNPNトランジスタで、これらはエミツタ
ホロワのNPN形トランジスタ組ＱAを構成してい
る。Q13，Q14は互にエミツタおよびコレクタを
結合したエミツタホロワのPNPトランジスタで、
これらはエミツタホロワのPNP形トランジスタ組
ＱBを構成している。Q15，Q16は互にエミツタお
よびコレクタを結合したNPNトランジスタで、
これらはエミツタホロワのNPN形トランジスタ
組ＱCを構成している。Q17，Q18は互にエミツタ
を結合したNPNトランジスタで、これらは差動
増幅器COMPを構成している。
合したNPNトランジスタで、これらはエミツタ
ホロワのNPN形トランジスタ組ＱAを構成してい
る。Q13，Q14は互にエミツタおよびコレクタを
結合したエミツタホロワのPNPトランジスタで、
これらはエミツタホロワのPNP形トランジスタ組
ＱBを構成している。Q15，Q16は互にエミツタお
よびコレクタを結合したNPNトランジスタで、
これらはエミツタホロワのNPN形トランジスタ
組ＱCを構成している。Q17，Q18は互にエミツタ
を結合したNPNトランジスタで、これらは差動
増幅器COMPを構成している。
そして、エミツタホロワのNPN形トランジス
タ組ＱAのトランジスタQ11およびQ12の共通コレ
クタは電源ＶCCに接続され、共通エミツタは抵抗
R11を介して接地され、トランジスタQ11のベース
は入力端子IN11に接続され、トランジスタQ12の
ベースはトランジスタQ17のコレクタに接続され
ている。また、エミツタホロワのPNP形トランジ
スタ組ＱBの共通エミツタは出力端子OUTに接続
されると共に、抵抗R12を介して電源ＶCCに接続
され、共通コレクタは接地され、トランジスタ
Q13のベースはトランジスタQ11，Q12の共通エミ
ツタに接続され、トランジスタQ14のベースはト
ランジスタQ15，Q16の共通エミツタに接続され
ている。また、エミツタホロワのNPN形トラン
ジスタ組ＱCのトランジスタQ15およびQ16の共通
コレクタは電源ＶCCに接続され、共通エミツタは
抵抗R13を介して接地され、トランジスタQ15のベ
ースは入力端子IN12に接続され、トランジスタ
Q16のベースはトランジスタQ18のコレクタに接
続されている。そして、差動増幅器COMPを構成
するトランジスタQ17，Q18のコレクタは抵抗R14
と抵抗R15を直列に介して電源ＶCCに接続され、
トランジスタQ17およびQ18の共通エミツタは抵
抗R18を介して接地され、トランジスタQ17のベー
スは端子IN14に接続されている。また、トランジ
スタQ18のベースは抵抗R16を介して電源ＶCCに接
続され、かつ、コンデンサＣを介して入力端子
IN13に接続されると共に、抵抗R17を介して接地
されている。
タ組ＱAのトランジスタQ11およびQ12の共通コレ
クタは電源ＶCCに接続され、共通エミツタは抵抗
R11を介して接地され、トランジスタQ11のベース
は入力端子IN11に接続され、トランジスタQ12の
ベースはトランジスタQ17のコレクタに接続され
ている。また、エミツタホロワのPNP形トランジ
スタ組ＱBの共通エミツタは出力端子OUTに接続
されると共に、抵抗R12を介して電源ＶCCに接続
され、共通コレクタは接地され、トランジスタ
Q13のベースはトランジスタQ11，Q12の共通エミ
ツタに接続され、トランジスタQ14のベースはト
ランジスタQ15，Q16の共通エミツタに接続され
ている。また、エミツタホロワのNPN形トラン
ジスタ組ＱCのトランジスタQ15およびQ16の共通
コレクタは電源ＶCCに接続され、共通エミツタは
抵抗R13を介して接地され、トランジスタQ15のベ
ースは入力端子IN12に接続され、トランジスタ
Q16のベースはトランジスタQ18のコレクタに接
続されている。そして、差動増幅器COMPを構成
するトランジスタQ17，Q18のコレクタは抵抗R14
と抵抗R15を直列に介して電源ＶCCに接続され、
トランジスタQ17およびQ18の共通エミツタは抵
抗R18を介して接地され、トランジスタQ17のベー
スは端子IN14に接続されている。また、トランジ
スタQ18のベースは抵抗R16を介して電源ＶCCに接
続され、かつ、コンデンサＣを介して入力端子
IN13に接続されると共に、抵抗R17を介して接地
されている。
そして、エミツタホロワのNPN形トランジス
タ組ＱAおよびＱCのトランジスタQ11およびQ15
の各ベースに互に位相が反転しかつ図上省略した
各個別のクランプ回路により所定電圧へ基準電位
が固定された変調波信号を供給し、また、このエ
ミツタホロワのNPN形トランジスタ組ＱAおよび
ＱCのトランジスタQ12およびQ16の各ベースへ互
に位相が反転しかつバイアス電圧源Ｅにより基準
電位の定められた変調波信号を供給し、これら各
エミツタホロワのNPN形トランジスタ組ＱAおよ
びＱCの共通エミツタにそれぞれエミツタホロワ
のPNP形トランジスタ組ＱBのトランジスタQ13お
よびQ14の各ベースを接続し、このPNP形トラン
ジスタ組ＱBの共通エミツタより変調信号を取り
出すように構成されている。
タ組ＱAおよびＱCのトランジスタQ11およびQ15
の各ベースに互に位相が反転しかつ図上省略した
各個別のクランプ回路により所定電圧へ基準電位
が固定された変調波信号を供給し、また、このエ
ミツタホロワのNPN形トランジスタ組ＱAおよび
ＱCのトランジスタQ12およびQ16の各ベースへ互
に位相が反転しかつバイアス電圧源Ｅにより基準
電位の定められた変調波信号を供給し、これら各
エミツタホロワのNPN形トランジスタ組ＱAおよ
びＱCの共通エミツタにそれぞれエミツタホロワ
のPNP形トランジスタ組ＱBのトランジスタQ13お
よびQ14の各ベースを接続し、このPNP形トラン
ジスタ組ＱBの共通エミツタより変調信号を取り
出すように構成されている。
したがつて、各トランジスタ組ＱA〜ＱCは、ト
ランジスタQ11とQ12，Q13とQ14，Q15とQ16との
各ベースへ供給された信号を非相加的に混合し、
各々の共通エミツタより混合出力を送出するもの
となつている。
ランジスタQ11とQ12，Q13とQ14，Q15とQ16との
各ベースへ供給された信号を非相加的に混合し、
各々の共通エミツタより混合出力を送出するもの
となつている。
第４図は第３図の各部の波形を示す動作説明図
で、ａは入力端子IN11に印加される変調波信号の
波形を示したものであり、ｂは入力端子IN12に印
加される変調波入力信号の波形を示したものであ
る。ここで、ａとｂに示す変調波入力信号の波形
は互に極性が反転していると共に、一般的に本来
直流電圧分を有するものとなつている。ｃ，ｄは
それぞれエミツタホロワのNPN形トランジスタ
組ＱAおよびＱCのトランジスタQ11，Q16のベー
スに供給される搬送波信号の波形を示し、この
ｃ，ｄに示す搬送波信号の波形は互に位相極性が
反転している。ｅはエミツタホロワのNPN形ト
ランジスタ組ＱAのトランジスタQ11，Q12のエミ
ツタ波形、ｆはエミツタホロワのNPN形トラン
ジスタ組ＱCのトランジスタQ15，Q16のエミツタ
波形、ｇはエミツタホロワのPNP形トランジスタ
組ＱBのトランジスタQ13，Q14のエミツタ波形で
ある。
で、ａは入力端子IN11に印加される変調波信号の
波形を示したものであり、ｂは入力端子IN12に印
加される変調波入力信号の波形を示したものであ
る。ここで、ａとｂに示す変調波入力信号の波形
は互に極性が反転していると共に、一般的に本来
直流電圧分を有するものとなつている。ｃ，ｄは
それぞれエミツタホロワのNPN形トランジスタ
組ＱAおよびＱCのトランジスタQ11，Q16のベー
スに供給される搬送波信号の波形を示し、この
ｃ，ｄに示す搬送波信号の波形は互に位相極性が
反転している。ｅはエミツタホロワのNPN形ト
ランジスタ組ＱAのトランジスタQ11，Q12のエミ
ツタ波形、ｆはエミツタホロワのNPN形トラン
ジスタ組ＱCのトランジスタQ15，Q16のエミツタ
波形、ｇはエミツタホロワのPNP形トランジスタ
組ＱBのトランジスタQ13，Q14のエミツタ波形で
ある。
つぎに第３図に示す実施例の動作を第４図を参
照して説明する。まず、入力端子IN11，IN12にそ
れぞれ印加された第４図ａ，ｂに示すような変調
波入力信号はトランジスタQ11およびQ15のベー
スにそれぞれ加えられ、このトランジスタQ11，
Q15はエミツタホロワとして動作する。一方、入
力端子IN13に印加された被変調波入力信号は差動
増幅器COMPを構成するトランジスタQ17のベー
スにはバイアス電圧源Ｅによつて適当な直流バイ
アス電圧が与えられ、トランジスタQ18のベース
に供給される搬送波入力信号はトランジスタQ18
によりスイツチングされ、トランジスタQ17，
Q18のコレクタにはそれぞれ第４図ｃ，ｄに示す
ような波形の互に位相極性が反転した搬送波信号
が得られ、この被変調波信号はそれぞれトランジ
スタQ12，Q16のエミツタホロワを経てトランジ
スタQ13，Q14のベースにそれぞれ伝達される。
ここで、トランジスタQ11，Q12およびQ15，Q16
の動作は非相加的混合を行なうOR回路の動作を
する。すなわち、この回路の動作は、互のベース
電圧より高い電圧が共通エミツタに伝達され、そ
れぞれのエミツタには第４図ｅ，ｆに示すような
波形の信号が得られる。そして同様に非相加的な
混合を行なうトランジスタQ13，Q14の共通エミ
ツタには第４図ｇに示すような混合された形の波
形が得られ、この共通エミツタより変調された信
号出力を取り出すことができる。
照して説明する。まず、入力端子IN11，IN12にそ
れぞれ印加された第４図ａ，ｂに示すような変調
波入力信号はトランジスタQ11およびQ15のベー
スにそれぞれ加えられ、このトランジスタQ11，
Q15はエミツタホロワとして動作する。一方、入
力端子IN13に印加された被変調波入力信号は差動
増幅器COMPを構成するトランジスタQ17のベー
スにはバイアス電圧源Ｅによつて適当な直流バイ
アス電圧が与えられ、トランジスタQ18のベース
に供給される搬送波入力信号はトランジスタQ18
によりスイツチングされ、トランジスタQ17，
Q18のコレクタにはそれぞれ第４図ｃ，ｄに示す
ような波形の互に位相極性が反転した搬送波信号
が得られ、この被変調波信号はそれぞれトランジ
スタQ12，Q16のエミツタホロワを経てトランジ
スタQ13，Q14のベースにそれぞれ伝達される。
ここで、トランジスタQ11，Q12およびQ15，Q16
の動作は非相加的混合を行なうOR回路の動作を
する。すなわち、この回路の動作は、互のベース
電圧より高い電圧が共通エミツタに伝達され、そ
れぞれのエミツタには第４図ｅ，ｆに示すような
波形の信号が得られる。そして同様に非相加的な
混合を行なうトランジスタQ13，Q14の共通エミ
ツタには第４図ｇに示すような混合された形の波
形が得られ、この共通エミツタより変調された信
号出力を取り出すことができる。
このように、入力端子IN11，IN12に印加される
変調波入力信号は、エミツタホロワ回路を形成す
るトランジスタQ11，Q15およびトランジスタ
Q13，Q14を経て変調信号を得るように構成され
ているので、周波数特性の劣化が全くないと共
に、直線性は非常によく、ダイナミツクレンジと
しては搬送波信号ｃ，ｄのレベルによつて決定さ
れる。また、この第３図に示す実施例の変調回路
に供給する電圧は、第４図ａ，ｂに示す入力変調
信号のレベル電圧よりも高く、かつ変調増幅回路
を形成するトランジスタQ17，Q18の差動増幅器
COMPの動作範囲であればよい。
変調波入力信号は、エミツタホロワ回路を形成す
るトランジスタQ11，Q15およびトランジスタ
Q13，Q14を経て変調信号を得るように構成され
ているので、周波数特性の劣化が全くないと共
に、直線性は非常によく、ダイナミツクレンジと
しては搬送波信号ｃ，ｄのレベルによつて決定さ
れる。また、この第３図に示す実施例の変調回路
に供給する電圧は、第４図ａ，ｂに示す入力変調
信号のレベル電圧よりも高く、かつ変調増幅回路
を形成するトランジスタQ17，Q18の差動増幅器
COMPの動作範囲であればよい。
以上、本発明を変調波位相反転増幅器を使用し
た場合を例にとつて説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば、入力部と出力
部にトランジスタを使つた論理回路であるTTL
（Transistor Transistor Logic）の位相反転回路
を経た搬送波信号を、互にエミツタを結合したエ
ミツタホロワのNPN形トランジスタ組ＱA，ＱC
のトランジスタQ12，Q16のベースに供給するよ
うに構成してもよい。この場合はその変調回路に
供給する電圧がTTL回路供給の低電圧にても十
分ダイナミツクレンジがとれることは明白であ
る。また、上記実施例においては、互にエミツタ
を結合したエミツタホロワのNPN形トランジス
タ組ＱA，ＱCと、互にエミツタを結合したエミツ
タホロワのPNP形トランジスタ組ＱBを用いた場
合を例にとつて説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、NPN形トランジスタ組と
PNP形トランジスタ組とを入換えることもでき
る。すなわち、互にエミツタを結合したエミツタ
ホロワのNPN形トランジスタ組ＱA，ＱCをそれ
ぞれPNP形トランジスタ組とし、また、互にエミ
ツタを結合したエミツタホロワのPNP形トランジ
スタ組ＱBをNPN形トランジスタ組にしてもその
作用効果に差異はなく、同様に用いることができ
る。なお、この場合は電源の極性を逆にすればよ
い。
た場合を例にとつて説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば、入力部と出力
部にトランジスタを使つた論理回路であるTTL
（Transistor Transistor Logic）の位相反転回路
を経た搬送波信号を、互にエミツタを結合したエ
ミツタホロワのNPN形トランジスタ組ＱA，ＱC
のトランジスタQ12，Q16のベースに供給するよ
うに構成してもよい。この場合はその変調回路に
供給する電圧がTTL回路供給の低電圧にても十
分ダイナミツクレンジがとれることは明白であ
る。また、上記実施例においては、互にエミツタ
を結合したエミツタホロワのNPN形トランジス
タ組ＱA，ＱCと、互にエミツタを結合したエミツ
タホロワのPNP形トランジスタ組ＱBを用いた場
合を例にとつて説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、NPN形トランジスタ組と
PNP形トランジスタ組とを入換えることもでき
る。すなわち、互にエミツタを結合したエミツタ
ホロワのNPN形トランジスタ組ＱA，ＱCをそれ
ぞれPNP形トランジスタ組とし、また、互にエミ
ツタを結合したエミツタホロワのPNP形トランジ
スタ組ＱBをNPN形トランジスタ組にしてもその
作用効果に差異はなく、同様に用いることができ
る。なお、この場合は電源の極性を逆にすればよ
い。
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば、複雑な手段を用いることなく簡単な回路構成
によつて、低電圧にてもダイナミツクレンジが十
分大きくとれる周波数特性の良好な変調方式を実
現することができるので、例えば、低電圧で駆動
するバツテリータイプのポータブルカラーカメラ
の変調回路等に適応し、この種の分野に用いて顕
著な効果を発揮する。また、キヤリヤリークが少
ないという点においても極めて有効である。
ば、複雑な手段を用いることなく簡単な回路構成
によつて、低電圧にてもダイナミツクレンジが十
分大きくとれる周波数特性の良好な変調方式を実
現することができるので、例えば、低電圧で駆動
するバツテリータイプのポータブルカラーカメラ
の変調回路等に適応し、この種の分野に用いて顕
著な効果を発揮する。また、キヤリヤリークが少
ないという点においても極めて有効である。
第１図は従来の変調方式の一例を示す回路図、
第２図は第１図の動作を説明するための波形図、
第３図は本発明による変調方式の一実施例を示す
回路図、第４図は第３図の実施例における各部の
波形を示す動作説明図である。 IN11，IN12……変調波信号入力端子、IN13……
搬送波信号入力端子、OUT……出力端子、Q11，
Q12……NPNトランジスタ、Q13，Q14……PNPト
ランジスタ、Q15〜Q18……NPNトランジスタ、
ＱA，ＱC……NPN形トランジスタ組、ＱB……
PNP形トランジスタ組。
第２図は第１図の動作を説明するための波形図、
第３図は本発明による変調方式の一実施例を示す
回路図、第４図は第３図の実施例における各部の
波形を示す動作説明図である。 IN11，IN12……変調波信号入力端子、IN13……
搬送波信号入力端子、OUT……出力端子、Q11，
Q12……NPNトランジスタ、Q13，Q14……PNPト
ランジスタ、Q15〜Q18……NPNトランジスタ、
ＱA，ＱC……NPN形トランジスタ組、ＱB……
PNP形トランジスタ組。
Claims (1)
- １ 互にエミツタを結合した各々が第１および第
２トランジスタからなりこの第１および第２トラ
ンジスタの各ベースへ供給された信号を非相加的
に混合するエミツタホロワの第１および第２のト
ランジスタ組と、互にエミツタを結合しかつ共通
のエミツタ抵抗を介して電源の印加された第１お
よび第２トランジスタからなりこの第１および第
２トランジスタの各ベースへ供給された信号を非
相加的に混合するエミツタホロワの第３のトラン
ジスタ組と、前記第１および第２のトランジスタ
組の各第１トランジスタのベースにそれぞれ互に
位相が反転しかつバイアス電圧源により基準電位
の定められた搬送波信号を供給する１対のトラン
ジスタからなる差動増幅器とを備え、前記第１お
よび第２のトランジスタ組の各第２トランジスタ
のベースにそれぞれ互に位相が反転した変調波信
号を供給し、かつ前記第１および第２のトランジ
スタ組の各共通エミツタに前記第３のトランジス
タ組の第１および第２トランジスタの各ベースを
それぞれ接続し、前記第３のトランジスタ組の共
通エミツタより変調された信号出力を得るように
構成したことを特徴とする変調方式。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11601778A JPS5544222A (en) | 1978-09-22 | 1978-09-22 | Modulation system |
| US06/076,241 US4310810A (en) | 1978-09-22 | 1979-09-18 | Modulator systems |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11601778A JPS5544222A (en) | 1978-09-22 | 1978-09-22 | Modulation system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5544222A JPS5544222A (en) | 1980-03-28 |
| JPS6145884B2 true JPS6145884B2 (ja) | 1986-10-11 |
Family
ID=14676732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11601778A Granted JPS5544222A (en) | 1978-09-22 | 1978-09-22 | Modulation system |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4310810A (ja) |
| JP (1) | JPS5544222A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58171105A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-07 | Toshiba Corp | 振幅変調器 |
| JPS5945702A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-14 | Alps Electric Co Ltd | 映像信号変調回路 |
| JPH0290717A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-30 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| GB8920335D0 (en) * | 1989-09-08 | 1989-10-25 | Lsi Logic Limited | Frequency mixers |
| JP2885553B2 (ja) * | 1991-09-19 | 1999-04-26 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 位相同期検出回路 |
| DE4206164C2 (de) * | 1992-02-28 | 1994-12-08 | Telefunken Microelectron | HF-Mischstufe in Basisschaltung |
| DE4320457C2 (de) * | 1993-06-21 | 1996-02-15 | Telefunken Microelectron | HF-Mischstufe in Basisschaltung |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1160603A (en) * | 1967-07-19 | 1969-08-06 | Marconi Co Ltd | Improvements in or relating to Transistorised Modulatable Oscillation Generators, Demodulators, Phase Detectors and Frequency Shifters |
| JPS5532043B2 (ja) * | 1972-08-11 | 1980-08-22 | ||
| JPS5537121B2 (ja) * | 1974-05-30 | 1980-09-26 | ||
| JPS5942487B2 (ja) * | 1975-08-06 | 1984-10-15 | 日本電気株式会社 | 能動形二重平衡変調・復調器 |
-
1978
- 1978-09-22 JP JP11601778A patent/JPS5544222A/ja active Granted
-
1979
- 1979-09-18 US US06/076,241 patent/US4310810A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5544222A (en) | 1980-03-28 |
| US4310810A (en) | 1982-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0123009B2 (ja) | ||
| KR920015740A (ko) | 주파수 2배 및 믹싱 회로 | |
| US4791383A (en) | High speed current amplifier buffer circuit | |
| JPH0629748A (ja) | シングルエンド差動電圧電流変換回路を有する平衡能動ミキサ | |
| JPS6145884B2 (ja) | ||
| US3562673A (en) | Pulse width modulation to amplitude modulation conversion circuit which minimizes the effects of aging and temperature drift | |
| JPS60817B2 (ja) | 相補型エミツタ・フオロワ回路 | |
| JPS6047787B2 (ja) | 集積回路化同期再生回路 | |
| US3938003A (en) | Dual trace display device | |
| JPH0479171B2 (ja) | ||
| US4978924A (en) | Linear switch with high off-state isolation | |
| US5650743A (en) | Common mode controlled signal multiplier | |
| US4278954A (en) | Suppressed carrier modulator using differential amplifier | |
| US4132907A (en) | Full wave rectifier circuit | |
| US3426284A (en) | Transistorized demodulator circuit for time modulated signals | |
| JPH0527282B2 (ja) | ||
| JPH0212735Y2 (ja) | ||
| JPS6123852Y2 (ja) | ||
| SU1465995A2 (ru) | Переключающее устройство | |
| JP2821606B2 (ja) | バッファ回路 | |
| JP2854774B2 (ja) | 映像信号の直流電圧制御回路 | |
| KR890001799B1 (ko) | 모니터의 모드절환 및 수직동기신호 극성절환회로 | |
| JPH01141407A (ja) | 演算増幅器 | |
| JP2900337B2 (ja) | 差動型クランプ回路 | |
| SU1115037A1 (ru) | Формирователь двухпол рного образцового напр жени |