JPS6148253B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6148253B2 JPS6148253B2 JP7319476A JP7319476A JPS6148253B2 JP S6148253 B2 JPS6148253 B2 JP S6148253B2 JP 7319476 A JP7319476 A JP 7319476A JP 7319476 A JP7319476 A JP 7319476A JP S6148253 B2 JPS6148253 B2 JP S6148253B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- pattern
- photomask
- target
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置等の製作に使用するフオ
トマスクに関する。
トマスクに関する。
IC LSI等の半導体装置は、その製作にあたつ
てスターテイングマテリアルとして60〜100mmφ
程度の半導体ウエーハを用い、これに種々のウエ
ーハ処理を行なつて１枚のウエーハから数多くの
素子ペレツト（0.3〜30.0mm口程度）を得てい
る。
てスターテイングマテリアルとして60〜100mmφ
程度の半導体ウエーハを用い、これに種々のウエ
ーハ処理を行なつて１枚のウエーハから数多くの
素子ペレツト（0.3〜30.0mm口程度）を得てい
る。
しかしながら、ウエーハ処理を終えたシリコン
ウエーハを数多くのペレツトにするための分割の
際に、ウエーハ上のアライメント専用ターゲツト
領域において有害なスクライブクラツクがウエー
ハに発生し、製品歩留まりを低減する問題があ
る。
ウエーハを数多くのペレツトにするための分割の
際に、ウエーハ上のアライメント専用ターゲツト
領域において有害なスクライブクラツクがウエー
ハに発生し、製品歩留まりを低減する問題があ
る。
これは、シリコンウエーハをフオトエツチング
する際に、フオトマスクとウエーハのアライメン
ト操作をオートアライメント装置を用いて行なつ
ているが、この装置においては、ウエーハ上に設
けた特殊なマークすなわちアライメント専用ター
ゲツトに対し、フオトマスク上のアライメント専
用ターゲツトを合わせるように自動制御するもの
である。しかしながら、この種のアライメント専
用ターゲツト１は、第１図に略示するようにシリ
コンウエーハ２上にフオトエツチング工程による
マスクのアライメント時の検出電圧向上（作業
性、生産性、精度等の向上）とピツチズレ防止の
ために１対の離間した個所に設けられ、フオトエ
ツチング工程数に見合う数のアライメント専用タ
ーゲツト領域３をそれぞれの個所に設けているも
のである。そのため、フオトマスクにおけるスク
ライブ領域がターゲツトユニツト間にないため、
この一群のアライメント専用ターゲツト間にはス
クライブ領域（同図において、二点鎖線で図示す
る領域）が形成されず、このターゲツト１の全部
の個数（すなわち半導体装置を製作するためのフ
オトエツチング工程数より最初のフオトエツチン
グ工程を差し引いた工程数に対応する数で、バイ
ポーラICにおいては十数個のアライメント専用
ターゲツトとなる）の専有面積から求められる寸
法より小さなペレツト２ａ寸法を有するシリコン
ウエーハ２のスクライブ時においては、一群のタ
ーゲツト１が２個以上のペレツト２ａにまたがる
ことになり、スクライブによりウエーハ２上に十
分な線状溝（スクライブライン）ができず、クラ
ツキング時においてこの部分でペレツト２ａ割れ
が生ずる欠点があると共にスクライブ用ダイヤモ
ンドカツタの摩滅が激しくなる。
する際に、フオトマスクとウエーハのアライメン
ト操作をオートアライメント装置を用いて行なつ
ているが、この装置においては、ウエーハ上に設
けた特殊なマークすなわちアライメント専用ター
ゲツトに対し、フオトマスク上のアライメント専
用ターゲツトを合わせるように自動制御するもの
である。しかしながら、この種のアライメント専
用ターゲツト１は、第１図に略示するようにシリ
コンウエーハ２上にフオトエツチング工程による
マスクのアライメント時の検出電圧向上（作業
性、生産性、精度等の向上）とピツチズレ防止の
ために１対の離間した個所に設けられ、フオトエ
ツチング工程数に見合う数のアライメント専用タ
ーゲツト領域３をそれぞれの個所に設けているも
のである。そのため、フオトマスクにおけるスク
ライブ領域がターゲツトユニツト間にないため、
この一群のアライメント専用ターゲツト間にはス
クライブ領域（同図において、二点鎖線で図示す
る領域）が形成されず、このターゲツト１の全部
の個数（すなわち半導体装置を製作するためのフ
オトエツチング工程数より最初のフオトエツチン
グ工程を差し引いた工程数に対応する数で、バイ
ポーラICにおいては十数個のアライメント専用
ターゲツトとなる）の専有面積から求められる寸
法より小さなペレツト２ａ寸法を有するシリコン
ウエーハ２のスクライブ時においては、一群のタ
ーゲツト１が２個以上のペレツト２ａにまたがる
ことになり、スクライブによりウエーハ２上に十
分な線状溝（スクライブライン）ができず、クラ
ツキング時においてこの部分でペレツト２ａ割れ
が生ずる欠点があると共にスクライブ用ダイヤモ
ンドカツタの摩滅が激しくなる。
本発明は、上述した諸問題を解決し、もつてウ
エーハの分割時にペレツト割れを防止するために
用いられるフオトマスクを提供することにある。
エーハの分割時にペレツト割れを防止するために
用いられるフオトマスクを提供することにある。
このような目的を達成するための本発明の要旨
は、格子状の分割用パターンと、この分割用パタ
ーンによつて囲まれる複数の領域と、前記複数の
領域の内隣接する２つの領域内に形成されるアラ
イメント用ターゲツトパターンとを有し、前記ア
ライメント用ターゲツトパターンは前記隣接する
２つの領域の片方の領域に素子領域パターンが存
在しない状態で前記隣接する２つの領域内に形成
されていることを特徴とするフオトマスクにあ
る。一実施例であるネガフオトレジスト用フオト
マスクを図面を用いて詳述する。
は、格子状の分割用パターンと、この分割用パタ
ーンによつて囲まれる複数の領域と、前記複数の
領域の内隣接する２つの領域内に形成されるアラ
イメント用ターゲツトパターンとを有し、前記ア
ライメント用ターゲツトパターンは前記隣接する
２つの領域の片方の領域に素子領域パターンが存
在しない状態で前記隣接する２つの領域内に形成
されていることを特徴とするフオトマスクにあ
る。一実施例であるネガフオトレジスト用フオト
マスクを図面を用いて詳述する。
第２図は、本発明にかかるネガフオトレジスト
用フオトマスクを示す平面図である。同図におい
て、４は、ネガフオトレジスト用フオトマスクを
示し、太線５は、被フオトエツチング体であるシ
リコンウエーハのスクライブ用焼き付けパターン
を示すもので、透明なガラス基板上に設けたクロ
ム薄膜等の光に対して不透明な薄膜からなるもの
である。６は、フオトマスク４のアライメント専
用ターゲツト並びにこのターゲツトユニツト領域
を示すもので、スクライブ用焼き付けパターン５
内のガラス基板表面に設けたものである。
用フオトマスクを示す平面図である。同図におい
て、４は、ネガフオトレジスト用フオトマスクを
示し、太線５は、被フオトエツチング体であるシ
リコンウエーハのスクライブ用焼き付けパターン
を示すもので、透明なガラス基板上に設けたクロ
ム薄膜等の光に対して不透明な薄膜からなるもの
である。６は、フオトマスク４のアライメント専
用ターゲツト並びにこのターゲツトユニツト領域
を示すもので、スクライブ用焼き付けパターン５
内のガラス基板表面に設けたものである。
このアライメント専用ターゲツト領域は、被フ
オトエツチング体のシリコンウエーハに施すフオ
トエツチング工程数に見合う数すなわち一連のフ
オトエツチング工程の数から１（最初のフオトエ
ツチング工程）を差し引いた数だけフオトマスク
４上に設けられている。すなわち、一群のアライ
メント専用ターゲツト領域を分割してターゲツト
ユニツト６に細分化し、このターゲツトユニツト
をすつぽりと格子状のスクライブ用焼き付けパタ
ーン線内に組み込んだものである。なお、同図に
おいて、一点鎖線で示すものは、この一群のター
ゲツト領域の専有領域を示すものである。また、
図示していないが、格子状のスクライブ用焼き付
けパターン内には、被フオトエツチング体である
シリコンウエーハに所定の形状のフオトエツチン
グを行なうための形状のパターンが設けてある。
オトエツチング体のシリコンウエーハに施すフオ
トエツチング工程数に見合う数すなわち一連のフ
オトエツチング工程の数から１（最初のフオトエ
ツチング工程）を差し引いた数だけフオトマスク
４上に設けられている。すなわち、一群のアライ
メント専用ターゲツト領域を分割してターゲツト
ユニツト６に細分化し、このターゲツトユニツト
をすつぽりと格子状のスクライブ用焼き付けパタ
ーン線内に組み込んだものである。なお、同図に
おいて、一点鎖線で示すものは、この一群のター
ゲツト領域の専有領域を示すものである。また、
図示していないが、格子状のスクライブ用焼き付
けパターン内には、被フオトエツチング体である
シリコンウエーハに所定の形状のフオトエツチン
グを行なうための形状のパターンが設けてある。
そして、フオトマスクのスクライブ用焼き付け
パターンは、ネガタイプのフオトレジストをフオ
トエツチング用遮蔽膜として使用する場合は、黒
抜きパターンすなわちクロム薄膜等により形成さ
れ、ポジタイプのフオトレジストをフオトエツチ
ング用遮蔽膜として使用する場合は、白抜きパタ
ーンすなわちこの領域周縁にクロム薄膜等の不透
明薄膜を形成してなるものである。
パターンは、ネガタイプのフオトレジストをフオ
トエツチング用遮蔽膜として使用する場合は、黒
抜きパターンすなわちクロム薄膜等により形成さ
れ、ポジタイプのフオトレジストをフオトエツチ
ング用遮蔽膜として使用する場合は、白抜きパタ
ーンすなわちこの領域周縁にクロム薄膜等の不透
明薄膜を形成してなるものである。
このようなフオトマスク４を用いて、被フオト
エツチング体であるシリコンウエーハに所定の焼
き付けパターンを設けるマスクアライメント操作
をオートアライメント装置を用いて行ない、所定
のパターンをシリコンウエーハにフオトエツチン
グにより形成すると第３図に略示するように、シ
リコンウエーハ７表面のスクライブ領域における
酸化シリコン酸、リンシリケートガラス膜等のパ
シベーシヨン膜およびアルミニウム膜や多結晶シ
リコン膜等の配線膜が取り除くことができる。特
に、シリコンウエーハ７表面のアライメント専用
ターゲツトユニツト８が一群として存在する領域
９（図において、１点鎖線で示す）内にも、その
ターゲツトユニツト８間にスクライブ領域１０
（図において、２点鎖線で示す）を形成し、その
領域において硬い材質でかつスクライブ用ダイヤ
モンドカツタによりスクライブラインを引きにく
い上記パシベーシヨン膜または配線膜がないため
に、この個所においてもスムーズにペレツト割れ
を防止しながらスクライビングを行なえる。すな
わち、本発明にかかるフオトマスクを使用するこ
とにより、被フオトエツチング体であるシリコン
ウエーハ７をペレツトに分割する際には、ペレツ
ト寸法が一群のアライメント専用ターゲツトから
なるターゲツト専有面積寸法よりも小さなもので
あつても、この一群のアライメント専用ターゲツ
ト領域内にスクライブ領域を設けることができる
ために、スモライブ時にペレツト割れが発生せ
ず、また、スクライブ用ダイヤモンドカツタが必
要以上に摩滅することはない。
エツチング体であるシリコンウエーハに所定の焼
き付けパターンを設けるマスクアライメント操作
をオートアライメント装置を用いて行ない、所定
のパターンをシリコンウエーハにフオトエツチン
グにより形成すると第３図に略示するように、シ
リコンウエーハ７表面のスクライブ領域における
酸化シリコン酸、リンシリケートガラス膜等のパ
シベーシヨン膜およびアルミニウム膜や多結晶シ
リコン膜等の配線膜が取り除くことができる。特
に、シリコンウエーハ７表面のアライメント専用
ターゲツトユニツト８が一群として存在する領域
９（図において、１点鎖線で示す）内にも、その
ターゲツトユニツト８間にスクライブ領域１０
（図において、２点鎖線で示す）を形成し、その
領域において硬い材質でかつスクライブ用ダイヤ
モンドカツタによりスクライブラインを引きにく
い上記パシベーシヨン膜または配線膜がないため
に、この個所においてもスムーズにペレツト割れ
を防止しながらスクライビングを行なえる。すな
わち、本発明にかかるフオトマスクを使用するこ
とにより、被フオトエツチング体であるシリコン
ウエーハ７をペレツトに分割する際には、ペレツ
ト寸法が一群のアライメント専用ターゲツトから
なるターゲツト専有面積寸法よりも小さなもので
あつても、この一群のアライメント専用ターゲツ
ト領域内にスクライブ領域を設けることができる
ために、スモライブ時にペレツト割れが発生せ
ず、また、スクライブ用ダイヤモンドカツタが必
要以上に摩滅することはない。
本発明は、種々の態様のマスクアライメント装
置におけるアライメント専用ターゲツトを有する
フオトマスクに適用でき、しかもIC LSIダイオ
ード、トランジスタ等の種々の電子部品等の製作
にあたつてのフオトエツチングに使用できるもの
である。
置におけるアライメント専用ターゲツトを有する
フオトマスクに適用でき、しかもIC LSIダイオ
ード、トランジスタ等の種々の電子部品等の製作
にあたつてのフオトエツチングに使用できるもの
である。
第１図は、従来のフオトエツチング工程を終え
て得られたシリコンウエーハを示す平面図、第２
図は、本発明の一実施例であるネガフオトレジス
ト用フオトマスクを示す平面図、第３図は、本発
明にかかフオトマスクを使用し、フオトエツチン
グを行なつて得たシリコンウエーハを示す平面図
である。 １，８……シリコンウエーハ上のアライメント
専用ターゲツト、２，７……シリコンウエーハ、
３，９……一群のターゲツト領域、４……フオト
マスク、５……フオトマスク上における被エツチ
ング体のスクライブ用焼き付けパターン、６……
フオトマスク上のアライメント専用ターゲツト、
１０……シリコンウエーハ表面のスクライブ領
域。
て得られたシリコンウエーハを示す平面図、第２
図は、本発明の一実施例であるネガフオトレジス
ト用フオトマスクを示す平面図、第３図は、本発
明にかかフオトマスクを使用し、フオトエツチン
グを行なつて得たシリコンウエーハを示す平面図
である。 １，８……シリコンウエーハ上のアライメント
専用ターゲツト、２，７……シリコンウエーハ、
３，９……一群のターゲツト領域、４……フオト
マスク、５……フオトマスク上における被エツチ
ング体のスクライブ用焼き付けパターン、６……
フオトマスク上のアライメント専用ターゲツト、
１０……シリコンウエーハ表面のスクライブ領
域。
Claims (1)
- １ 格子状の分割用パターンと、この分割用パタ
ーンによつて囲まれる複数の領域と、前記複数の
領域の内隣接する２つの領域内に形成されるアラ
イメント用ターゲツトパターンとを有し、前記ア
ライメント用ターゲツトパターンは前記隣接する
２つの領域の片方の領域に素子領域パターンが存
在しない状態で前記隣接する２つの領域内に形成
されていることを特徴とするフオトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7319476A JPS52156568A (en) | 1976-06-23 | 1976-06-23 | Photo mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7319476A JPS52156568A (en) | 1976-06-23 | 1976-06-23 | Photo mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52156568A JPS52156568A (en) | 1977-12-27 |
| JPS6148253B2 true JPS6148253B2 (ja) | 1986-10-23 |
Family
ID=13511077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7319476A Granted JPS52156568A (en) | 1976-06-23 | 1976-06-23 | Photo mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS52156568A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07117744B2 (ja) * | 1988-04-12 | 1995-12-18 | 富士通株式会社 | ダイシングラインの形成方法 |
-
1976
- 1976-06-23 JP JP7319476A patent/JPS52156568A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52156568A (en) | 1977-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01276737A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3304594A (en) | Method of making integrated circuit by controlled process | |
| JPS6148253B2 (ja) | ||
| US20210398910A1 (en) | Integrated circuit with scribe lane patterns for defect reduction | |
| US6342426B1 (en) | Method for protecting stepper alignment marks | |
| JPH07117744B2 (ja) | ダイシングラインの形成方法 | |
| JPS5947474B2 (ja) | ハンドウタイソウチ | |
| JPH056176B2 (ja) | ||
| JPH05341499A (ja) | 縮小投影露光装置用レチクル | |
| JP2586144B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4410580A (en) | Semiconductor wafer | |
| JP2715462B2 (ja) | レチクル及びこれを用いる半導体装置の製造方法 | |
| JPH0619120A (ja) | レチクルとそのレチクルを用いた半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001035776A (ja) | 半導体装置の製造方法及びレチクル | |
| JPS5931852B2 (ja) | フォトレジスト露光用マスク | |
| CN119400687A (zh) | 一种晶片上沟槽图形的生成方法及其应用 | |
| JPS61263227A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS623944B2 (ja) | ||
| JPS59144125A (ja) | レチクル | |
| JPH0748105B2 (ja) | フォトマスク | |
| JPH0245909A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63117428A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09293761A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JPS61187343A (ja) | 半導体基板 | |
| JPH03266843A (ja) | アルミニゥム配線露光用マスク |