JPH0241895B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0241895B2 JPH0241895B2 JP59171884A JP17188484A JPH0241895B2 JP H0241895 B2 JPH0241895 B2 JP H0241895B2 JP 59171884 A JP59171884 A JP 59171884A JP 17188484 A JP17188484 A JP 17188484A JP H0241895 B2 JPH0241895 B2 JP H0241895B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- nozzle
- dropping
- thin tube
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置製造工程のレジスト塗布
において発生する塗布むらによるレジスト膜厚変
化を防止するレジスト塗布装置に関するものであ
る。
において発生する塗布むらによるレジスト膜厚変
化を防止するレジスト塗布装置に関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点
半導体装置製造工程のレジスト塗布は、ウエハ
ー上にレジストを滴下し回転させる方法により行
われている。従来、レジストを滴下する細管（ノ
ズル）は、内径１〜1.5mmのものを用い、レジス
トを適量滴下させているが、レジスト滴下後ウエ
ハーを回転している間に、ノズル先端部のレジス
トの溶剤が蒸発して粘性等が変化し、次のウエハ
ー上へ順次レジストを滴下したとき、この粘性等
が変化したレジストも同時に滴下され、レジスト
塗布むらを発生させ、レジストの膜厚が変動する
問題があつた。特に、レジスト塗布に時間的間隔
があいた場合、レジスト塗布むらの発生頻度が多
い。
ー上にレジストを滴下し回転させる方法により行
われている。従来、レジストを滴下する細管（ノ
ズル）は、内径１〜1.5mmのものを用い、レジス
トを適量滴下させているが、レジスト滴下後ウエ
ハーを回転している間に、ノズル先端部のレジス
トの溶剤が蒸発して粘性等が変化し、次のウエハ
ー上へ順次レジストを滴下したとき、この粘性等
が変化したレジストも同時に滴下され、レジスト
塗布むらを発生させ、レジストの膜厚が変動する
問題があつた。特に、レジスト塗布に時間的間隔
があいた場合、レジスト塗布むらの発生頻度が多
い。
発明の目的
本発明は、上記の問題点の解決を図つたもので
あり、レジスト滴下ノズル先端の変質したレジス
トを除去し、レジスト塗布むらによるレジスト膜
厚のウエハー内ばらつきを低減するレジスト塗布
装置を提供するものである。
あり、レジスト滴下ノズル先端の変質したレジス
トを除去し、レジスト塗布むらによるレジスト膜
厚のウエハー内ばらつきを低減するレジスト塗布
装置を提供するものである。
発明の構成
本発明は、要約するに、レジスト滴下用ノズル
の外周を第２の細管で覆い、第２の細管を減圧に
保持したものであり、これにより、レジスト滴下
時にノズル先端に形成された変質物を吸引し、ウ
エハー上に滴下することを防止し、レジスト塗布
むらによるレジスト膜厚のウエハー内ばらつきを
低減することが可能である。
の外周を第２の細管で覆い、第２の細管を減圧に
保持したものであり、これにより、レジスト滴下
時にノズル先端に形成された変質物を吸引し、ウ
エハー上に滴下することを防止し、レジスト塗布
むらによるレジスト膜厚のウエハー内ばらつきを
低減することが可能である。
実施例の説明
本発明の詳細を実施例をもつて説明する。
使用したレジストは、ポジ型のホトレジストで
フエノールノボラツク系の樹脂をベースレジンに
し、感光基にキノンジアジド系を用い、その溶剤
として、エチルセロソルブアセテート（ECA）
を用いたものである。
フエノールノボラツク系の樹脂をベースレジンに
し、感光基にキノンジアジド系を用い、その溶剤
として、エチルセロソルブアセテート（ECA）
を用いたものである。
上記レジストの塗布装置のスピンナー部の概略
図を第１図に示す。図中、１はスピンナーカツ
プ、２は滴下ノズル、３は上部カツプ、４は排気
管、５はウエハー、６はスピンナーチヤツク部で
ある。レジスト滴下ノズル２からレジストがウエ
ハー５上に供給されるが、その供給は一般にベロ
ーズポンプの収縮を利用し、必要量滴下後はベロ
ーズポンプの伸びを利用するサツクバツク機構が
取り付けられている。レジスト滴下後、ウエハー
５が回転している時のレジスト滴下ノズル部のレ
ジストの詳細な様子を第２図に示す。サツクバツ
ク機構により滴下ノズル２内のレジストｂは同ノ
ズル先端より数cm程引き込まれた状態に有り、ノ
ズル先端にはノズル外周に回り込んだレジストが
付着している。第２図ａ部が大気に触れ溶媒が蒸
発し粘性等が変質したレジストである。この状態
で次のウエハーにレジストを滴下した場合、ａ部
のレジストが一部混入し、塗布むらを発生させる
原因となる。
図を第１図に示す。図中、１はスピンナーカツ
プ、２は滴下ノズル、３は上部カツプ、４は排気
管、５はウエハー、６はスピンナーチヤツク部で
ある。レジスト滴下ノズル２からレジストがウエ
ハー５上に供給されるが、その供給は一般にベロ
ーズポンプの収縮を利用し、必要量滴下後はベロ
ーズポンプの伸びを利用するサツクバツク機構が
取り付けられている。レジスト滴下後、ウエハー
５が回転している時のレジスト滴下ノズル部のレ
ジストの詳細な様子を第２図に示す。サツクバツ
ク機構により滴下ノズル２内のレジストｂは同ノ
ズル先端より数cm程引き込まれた状態に有り、ノ
ズル先端にはノズル外周に回り込んだレジストが
付着している。第２図ａ部が大気に触れ溶媒が蒸
発し粘性等が変質したレジストである。この状態
で次のウエハーにレジストを滴下した場合、ａ部
のレジストが一部混入し、塗布むらを発生させる
原因となる。
第３図に、本発明によるレジスト塗布装置のレ
ジスト滴下ノズルの概略図を示す。滴下ノズル２
の周囲を第２の細管７で覆い、第２の細管７の内
径と滴下ノズル２の外径との差は0.7mmであり、
実用上、1.0〜0.4mmが好適である。滴下ノズル２
の先端は、第２の細管７の先端より約１mm引き込
んであつて、内側の滴下ノズル２の先端を第２の
細管７で十分に覆うのがよい。第２の細管７は約
500mmHgの減圧に保持されている。第３図におい
て滴下ノズル内の変質したレジストａは次のウエ
ハーにレジストを滴下する時、最初にノズルから
滴下されるが、レジスト滴下の初期においてはベ
ローズポンプの収縮量が小さいために滴下圧力が
小さく、その大部分が、滴下ノズル２の先端部
で、周囲の第２の細管７に吸引され、ウエハー上
には滴下されない。したがつて、ウエハー上に
は、ベローズポンプの収縮量が大きくなり滴下圧
力が大きくなつた時に供給される新鮮なレジスト
のみが滴下される。又、滴下終了後の滴下ノズル
外周へ回り込んだレジストは、第２の細管により
直ちに吸引されるため、ノズルの汚れも非常に少
なくなる。
ジスト滴下ノズルの概略図を示す。滴下ノズル２
の周囲を第２の細管７で覆い、第２の細管７の内
径と滴下ノズル２の外径との差は0.7mmであり、
実用上、1.0〜0.4mmが好適である。滴下ノズル２
の先端は、第２の細管７の先端より約１mm引き込
んであつて、内側の滴下ノズル２の先端を第２の
細管７で十分に覆うのがよい。第２の細管７は約
500mmHgの減圧に保持されている。第３図におい
て滴下ノズル内の変質したレジストａは次のウエ
ハーにレジストを滴下する時、最初にノズルから
滴下されるが、レジスト滴下の初期においてはベ
ローズポンプの収縮量が小さいために滴下圧力が
小さく、その大部分が、滴下ノズル２の先端部
で、周囲の第２の細管７に吸引され、ウエハー上
には滴下されない。したがつて、ウエハー上に
は、ベローズポンプの収縮量が大きくなり滴下圧
力が大きくなつた時に供給される新鮮なレジスト
のみが滴下される。又、滴下終了後の滴下ノズル
外周へ回り込んだレジストは、第２の細管により
直ちに吸引されるため、ノズルの汚れも非常に少
なくなる。
本発明によると、ウエハー上には常に新鮮で均
質なレジストが滴下されるために、後に続く回転
塗布時に、塗布むらが発生せず、ウエハー上に形
成されたレジスト膜厚の均一性が飛躍的に向上
し、その後、形成されるレジストパターン精度の
向上が可能になる。
質なレジストが滴下されるために、後に続く回転
塗布時に、塗布むらが発生せず、ウエハー上に形
成されたレジスト膜厚の均一性が飛躍的に向上
し、その後、形成されるレジストパターン精度の
向上が可能になる。
以上、本発明を実施例をもとに詳細に説明した
が、使用するレジストはポジ型ホトレジスト以外
のレジストでも良く、又、レジストを塗布する材
料もウエハーだけでなく、マスク乾板に対しても
非常に有効である。
が、使用するレジストはポジ型ホトレジスト以外
のレジストでも良く、又、レジストを塗布する材
料もウエハーだけでなく、マスク乾板に対しても
非常に有効である。
発明の効果
以上、本発明によると、パターンの微細化が進
み高集積超LSIの製造工程におけるレジスト塗布
装置として特に好適であり、工業的価値が高い。
み高集積超LSIの製造工程におけるレジスト塗布
装置として特に好適であり、工業的価値が高い。
第１図は、レジスト塗布装置のスピンナー部の
概略断面図、第２図は、従来のレジスト滴下ノズ
ル部の様子を示す断面図、第３図は、本発明によ
るレジスト塗布装置のレジスト滴下ノズルの概略
断面図を示すものである。 １……スピンナーカツプ、２……レジスト滴下
ノズル、３……上部キヤツプ、４……排気及び排
液管、５……ウエハー、６……スピンナー（ウエ
ハーチヤツク）、７……第２の細管。
概略断面図、第２図は、従来のレジスト滴下ノズ
ル部の様子を示す断面図、第３図は、本発明によ
るレジスト塗布装置のレジスト滴下ノズルの概略
断面図を示すものである。 １……スピンナーカツプ、２……レジスト滴下
ノズル、３……上部キヤツプ、４……排気及び排
液管、５……ウエハー、６……スピンナー（ウエ
ハーチヤツク）、７……第２の細管。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レジスト滴下用細管の周囲を第２の細管で覆
つた二重構造のノズルと、前記第２の細管を大気
圧より減圧にする排気装置とを備えるとともに、
前記レジスト滴下用細管の周囲を覆う前記第２の
細管の先端が、前記レジスト滴下用細管の先端を
十分覆つていることを特徴とするレジスト塗布装
置。 ２ レジスト滴下用細管の外径と第２の細管の内
径との差が1.0mmであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載のレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171884A JPS6149422A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171884A JPS6149422A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | レジスト塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6149422A JPS6149422A (ja) | 1986-03-11 |
| JPH0241895B2 true JPH0241895B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=15931579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59171884A Granted JPS6149422A (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6149422A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2558490B2 (ja) * | 1988-03-07 | 1996-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置 |
| JP4586302B2 (ja) * | 2001-05-28 | 2010-11-24 | 三浦工業株式会社 | 溶存酸素濃度の測定方法 |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP59171884A patent/JPS6149422A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6149422A (ja) | 1986-03-11 |
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