JPS6160823B2 - - Google Patents
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Description
本発明は新規な9−(4−N,N−ジベンジル
アミノベンジリデン)フルオレン化合物及びその
製造法に関する。 従来、電子写真方式において使用される感光体
の有機光導電性素材としてポリ−N−ビニルカル
バゾールをはじめ数多くの材料が提案されてい
る。 ここにいう「電子写真方式」とは一般に光導電
性の感光体をまず、暗所で例えばコロナ放電など
により帯電せしめ、ついで露光部のみの電荷を選
択的に放電させる事により静電潜像を得て、この
潜像部をトナーなどを用いた現像手段で可視化し
て画像を形成するようにした画像形成法の一つで
ある。このような電子写真方式における感光体に
要求される基本的な特性としては、1)暗所にお
いて適当な電位に帯電されること、2)暗所にお
ける電荷の放電が少ないこと、3)光照射により
速やかに電荷を放電すること、などが挙げられ
る。しかし従来の光導電性有機材料はこれらの要
求をかならずしも充分に満足していないのが実情
である。 一方、セレンや酸化亜鉛は光導電性無機材料と
して知られており、中でもセレンは広く実用に供
されていることは事実である。しかし最近電子写
真のプロセスの点から、感光体に対する種々の要
求、即ち一例として前述の基本的特性に加えて、
例えばその形状についても可撓性のあるベルト状
の感光体などが要求されるようになつて来てい
る。しかしセレンの場合は一般にこのような形状
のものに作成することは困難である。 本発明の目的は上記のような感光体における光
導電性素材の持つ欠点を除去した、殊に光導電性
素材として有用な新規な9−(4−N,N−ジベ
ンジルアミノベンジリデン)フルオレン化合物及
びその製造方法を提供することにある。 即ち、本発明の一つは、一般式() (式中Rは水素、炭素数1〜4の低級アルキル
基、ハロゲン原子、又はニトロ基を表わす。)で
表わされる新規な9−(4−N,N−ジベンジル
アミノベンジリデン)フルオレン化合物である。
一般式()で表わされる9−(4−N,N−ジ
ベンジルアミノベンジリデン)フルオレン化合物
は下記〔A法〕および〔B法〕に示すように、一
般式()の化合物と一般式()または式
()の化合物との反応によつて得られる。 (上記式中Rは水素、炭素数1〜4の低級アル
キル基、ハロゲン原子又はニトロ基をR′は炭素
数1〜4の低級アルキル基を表わす。) 上記〔A法〕では、一般式()の4−N,N
−ジベンジルアミノベンズアルデヒド類と一般式
()の9−フルオレニルホスホン酸ジアルキル
とを、有機溶媒中、強塩基性アルカリ化合物の存
在下で10℃〜180℃の温度において15分から3時
間かきまぜを行なうことによつて高純度かつ高収
率で得られる。一般式()の9−フルオレニル
ホスホン酸ジアルキルはB.E.Smithらの方法(J.
Am.Chem.Soc、75 5892(1955))によつて合成
することができ、R′としては炭素数4以下のア
ルキル基、特にメチル基、エチル基などが好まし
い。 反応溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、タロルベンゼン等の炭化水素類、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ブタノー
ル、2−メトキシエタノール、ビス(2−メトキ
シエチル)エーテル、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン等のアルコール及びエーテル類、その他、
ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、
N−メチルピロリドン等が挙げられる。中でも極
性溶媒、例えばジメチルホルムアミド及びジメチ
ルスルホキシドが特に適している。 反応温度は1)使用する溶媒の反応成分、特に
強塩基性アルカリ化合物に対する安定性、2)縮
合成分(一般式及びの化合物)の反応性、
3)前記アルカリ化合物の溶媒中における縮合剤
としての反応性によつて広範囲に選択することが
できる。例えば極性溶媒を用いる時は実際には10
〜100℃、好ましくは20〜60℃である。しかし反
応時間の短縮又は活性の低い縮合剤を使用する時
は更に高い温度(最大180℃)でもよい。従つて
極性溶媒の場合、反応温度は基本的には10〜180
℃の範囲である。 強塩基性アルカリ化合物としてはアルカリ金属
の水酸化物、アミド又はアルコラート(好ましく
は1〜4個の炭素原子を含むアルコールのアルコ
ラート)があるが、経済的な理由からリチウム、
ナトリウム及びカリウムの水酸化物、アミド又は
アルコラートが好ましい。 一般式の9−フルオレニルホスホン酸ジアル
キル及び一般式のアルデヒドの使用量は通常、
化学量論量である。また強塩基性アルカリ化合物
の使用量は前記2)及び3)項によつて変化する
が、一般式の9−フルオレニルホスホン酸ジア
ルキル1モルに対し通常は1〜5倍モル量、好ま
しくは1〜3倍モル量である。 上記〔B法〕では一般式()の4−N,N−
ジベンジルアミノベンズアルデヒド類と式()
のトリ−n−ブチルホスホニウムフルオレニリド
とを、有機溶媒中10〜180℃の温度において15分
〜3時間反応せしめることにより高純度かつ高収
率で得られる。式()の9−トリ−n−ブチル
ホスホニウムフルオレニリドはA.W.Johnsonら
の方法(Tetrahedron 9 130(1960))によつ
て合成することができる。反応溶媒としてはベン
ゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼンなど
の炭化水素類、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、ブタノール、2−メトキシエタノー
ル、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン等のアルコール及び
エーテル類、その他ジメチルスルホキシド、ジメ
チルホルムアミド、N−メチルピロリドンが挙げ
られる。 反応温度は縮合成分(一般式()及び式
()の化合物)の反応性により広範囲に選択す
ることができる。通常は10〜100℃で好ましくは
20〜80℃である。しかし反応時間の短縮又は活性
の低い縮合成分を用いる時は更に高い温度(最大
180℃)でもよい。USP.3331687、特願昭53−
17445にベンジリデンフルオレン化合物の記載が
あるが、本発明に係る一般式()で表わされる
9−(4−N,N−ベンジルアミノベンジリデ
ン)フルオレン化合物は伸長されたπ電子骨格を
有するにも拘らず高い溶解性を示し電子写真用感
光体に於ける光導電性素材として極めて有用であ
り、染料やルイス酸などの増感剤によつて光学的
にあるいは化学的に増感される。 上記増感剤として例えばメチルバイオレツト、
クリスタルバイオレツト等のトリアリルメタン染
料、ローズベンガル、エリスロシン、ローダミン
B等のキサンテン染料、メチレンブルー等のチア
ジン染料、2,4,7−トリニトロ−9−フルオ
レノン、2,4−ジニトロ−9−フルオレノン等
が挙げられる。 また有機顔料例えばシーアイピグメントブル−
25(CINo.21180)、シーアイピグメントレツド41
(CINo.21200)、シーアイベーシツクレツド3(CI
No.45210)等のアゾ系顔料、シーアイピグメント
ブルー16(CINo.74100)等のフタロシアニン系顔
料、シーアイバツトブラウン5(CINo.73410)、
シーアイバツトダイ(CINo.73030)等のインジゴ
系顔料、アルゴスカーレツトB、インダンスレン
スカーレツトR等のペリレン系顔料とともに併用
することができ、またこれによりさらに好ましい
結果が得られる。場合によりセレン、セレン−テ
ルル、硫化カドミウム等の無機顔料とも併用でき
る。 次に本発明の9−(4−N,N−ジベンジルア
ミノベンジリデン)フルオレン化合物による効果
を感光体の用途例で説明する。文中部はすべて重
量部である。 シーアイピグメントブルー25(CINo.21180)2
部にテトラヒドロフラン98部を加え、これをボー
ルミル中で粉砕混合して顔料分散液を得る。これ
をアルミ蒸着したポリエステルフイルム上にドク
ターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して厚さ
1μの顔料層を形成せしめる。次いで本発明に係
る9−(4−N,N−ジベンジルアミノベンジリ
デン)フルオレン2部、ポリカーボネート(帝人
製パンライトL)3部及びテトラヒドロフラン45
部を混合して得た溶液を上記の顔料層上にドクタ
ーブレードを用いて塗布し、100℃で10分間乾燥
して厚さ9μの層を設けた。次にこうして得られ
た感光体について静電複写紙試験装置により−
6KVのコロナ放電を20秒間行なつて負に帯電せし
めた後、20秒間暗所に放置し、その時の表面電位
Vpo(ボルト)を測定し、ついでタングステンラ
ンプによつてその表面照度が20ルツクスになるよ
うにして光を照射し、その表面電位がVpoの1/2
になる迄の時間(秒)を求めて半減露光量E1/2
(ルツクス・秒)を得た。その結果は、 Vpo=−980ボルト E1/2=1.4ルツクス・秒 と極めて感度の高い値を示した。 以下実施例により本発明の詳細を示す。 実施例 1 (〔A法〕による9−(4−N,N−ジベンジル
アミノベンジリデン)フルオレンの製造) 4−N,N−ジベンジルアミノベンズアルデヒ
ド11.2gと9−フルオレニルホスホン酸ジエチル
10.2gをエタノール60ml中に溶解し、これに金属
ナトリウム1.2gをエタノール30mlに溶解した溶
液を5分で滴下した後、1時間加熱還流した。室
温迄放冷し析出した結晶をろ取、水洗、乾燥し
た。収量14.3g(収率94.1%)、融点124.0〜126.0
℃であつた。 ベンゼン−n−ヘキサンの混合溶媒から再結晶
して黄色プリズム状晶の9−(4−N,N−ジベ
ンジルアミノベンジリデン)フルオレンの純品を
得た。融点127.0〜127.5℃、 元素分析値 C% H% N% C34H27Nとしての計算値 90.82 6.70 3.12 実測値 90.81 6.04 3.12 IRスペクトル(KBr錠剤法)は第1図に示した。 実施例 2 (〔B法〕による9−(4−N,N−ジベンジル
アミノベンジリデン)フルオレンの製造) 4−N,N−ジベンジルアミノベンズアルデヒ
ド6.0gとトリ−n−ブチルホスホニウムフルオ
レニリド7.2gを乾燥ベンゼン120mlに採り、3時
間加熱還流した後、室温迄放冷し、ベンゼンを減
圧下で留去して黄色の油状物を得た。この油状物
に少量のn−ヘキサンを加えて結晶化し析出した
結晶をろ取、乾燥した。 収量8.1g(収率92.0%)、融点122.5〜124.0
℃、ベンゼン−n−ヘキサンの混合溶媒から再結
晶して黄色プリズム状晶の9−(4−N,N−ジ
ベンジルアミノベンジリデン)フルオレンの純晶
を得た。融点126.5〜127.5℃ 元素分析値 C% H% N% C34H27Nとしての計算値 90.82 6.07 3.12 実測値 90.87 6.05 3.11 IRスペクトル(KBr錠剤法)は第2図に示す通
りであり、これは実施例1で得られた第1図と完
全に一致した。 実施例 3 実施例1及び2の4−N,N−ジベンジルアミ
ノベンズアルデヒドの代りに下記表に示す。 アルデヒドを使用し、かつ下表に示す反応方法
(A法あるいはB法)溶媒、反応温度及び強塩基
性アルカリ化合物を用いて、9−(4−N,N−
ジベンジルアミノベンジリデン)フルオレン化合
物を製造した。各化合物の収率、融点、元素分析
値は表に示す通りであつた。
アミノベンジリデン)フルオレン化合物及びその
製造法に関する。 従来、電子写真方式において使用される感光体
の有機光導電性素材としてポリ−N−ビニルカル
バゾールをはじめ数多くの材料が提案されてい
る。 ここにいう「電子写真方式」とは一般に光導電
性の感光体をまず、暗所で例えばコロナ放電など
により帯電せしめ、ついで露光部のみの電荷を選
択的に放電させる事により静電潜像を得て、この
潜像部をトナーなどを用いた現像手段で可視化し
て画像を形成するようにした画像形成法の一つで
ある。このような電子写真方式における感光体に
要求される基本的な特性としては、1)暗所にお
いて適当な電位に帯電されること、2)暗所にお
ける電荷の放電が少ないこと、3)光照射により
速やかに電荷を放電すること、などが挙げられ
る。しかし従来の光導電性有機材料はこれらの要
求をかならずしも充分に満足していないのが実情
である。 一方、セレンや酸化亜鉛は光導電性無機材料と
して知られており、中でもセレンは広く実用に供
されていることは事実である。しかし最近電子写
真のプロセスの点から、感光体に対する種々の要
求、即ち一例として前述の基本的特性に加えて、
例えばその形状についても可撓性のあるベルト状
の感光体などが要求されるようになつて来てい
る。しかしセレンの場合は一般にこのような形状
のものに作成することは困難である。 本発明の目的は上記のような感光体における光
導電性素材の持つ欠点を除去した、殊に光導電性
素材として有用な新規な9−(4−N,N−ジベ
ンジルアミノベンジリデン)フルオレン化合物及
びその製造方法を提供することにある。 即ち、本発明の一つは、一般式() (式中Rは水素、炭素数1〜4の低級アルキル
基、ハロゲン原子、又はニトロ基を表わす。)で
表わされる新規な9−(4−N,N−ジベンジル
アミノベンジリデン)フルオレン化合物である。
一般式()で表わされる9−(4−N,N−ジ
ベンジルアミノベンジリデン)フルオレン化合物
は下記〔A法〕および〔B法〕に示すように、一
般式()の化合物と一般式()または式
()の化合物との反応によつて得られる。 (上記式中Rは水素、炭素数1〜4の低級アル
キル基、ハロゲン原子又はニトロ基をR′は炭素
数1〜4の低級アルキル基を表わす。) 上記〔A法〕では、一般式()の4−N,N
−ジベンジルアミノベンズアルデヒド類と一般式
()の9−フルオレニルホスホン酸ジアルキル
とを、有機溶媒中、強塩基性アルカリ化合物の存
在下で10℃〜180℃の温度において15分から3時
間かきまぜを行なうことによつて高純度かつ高収
率で得られる。一般式()の9−フルオレニル
ホスホン酸ジアルキルはB.E.Smithらの方法(J.
Am.Chem.Soc、75 5892(1955))によつて合成
することができ、R′としては炭素数4以下のア
ルキル基、特にメチル基、エチル基などが好まし
い。 反応溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレ
ン、タロルベンゼン等の炭化水素類、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、ブタノー
ル、2−メトキシエタノール、ビス(2−メトキ
シエチル)エーテル、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン等のアルコール及びエーテル類、その他、
ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、
N−メチルピロリドン等が挙げられる。中でも極
性溶媒、例えばジメチルホルムアミド及びジメチ
ルスルホキシドが特に適している。 反応温度は1)使用する溶媒の反応成分、特に
強塩基性アルカリ化合物に対する安定性、2)縮
合成分(一般式及びの化合物)の反応性、
3)前記アルカリ化合物の溶媒中における縮合剤
としての反応性によつて広範囲に選択することが
できる。例えば極性溶媒を用いる時は実際には10
〜100℃、好ましくは20〜60℃である。しかし反
応時間の短縮又は活性の低い縮合剤を使用する時
は更に高い温度(最大180℃)でもよい。従つて
極性溶媒の場合、反応温度は基本的には10〜180
℃の範囲である。 強塩基性アルカリ化合物としてはアルカリ金属
の水酸化物、アミド又はアルコラート(好ましく
は1〜4個の炭素原子を含むアルコールのアルコ
ラート)があるが、経済的な理由からリチウム、
ナトリウム及びカリウムの水酸化物、アミド又は
アルコラートが好ましい。 一般式の9−フルオレニルホスホン酸ジアル
キル及び一般式のアルデヒドの使用量は通常、
化学量論量である。また強塩基性アルカリ化合物
の使用量は前記2)及び3)項によつて変化する
が、一般式の9−フルオレニルホスホン酸ジア
ルキル1モルに対し通常は1〜5倍モル量、好ま
しくは1〜3倍モル量である。 上記〔B法〕では一般式()の4−N,N−
ジベンジルアミノベンズアルデヒド類と式()
のトリ−n−ブチルホスホニウムフルオレニリド
とを、有機溶媒中10〜180℃の温度において15分
〜3時間反応せしめることにより高純度かつ高収
率で得られる。式()の9−トリ−n−ブチル
ホスホニウムフルオレニリドはA.W.Johnsonら
の方法(Tetrahedron 9 130(1960))によつ
て合成することができる。反応溶媒としてはベン
ゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼンなど
の炭化水素類、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、ブタノール、2−メトキシエタノー
ル、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン等のアルコール及び
エーテル類、その他ジメチルスルホキシド、ジメ
チルホルムアミド、N−メチルピロリドンが挙げ
られる。 反応温度は縮合成分(一般式()及び式
()の化合物)の反応性により広範囲に選択す
ることができる。通常は10〜100℃で好ましくは
20〜80℃である。しかし反応時間の短縮又は活性
の低い縮合成分を用いる時は更に高い温度(最大
180℃)でもよい。USP.3331687、特願昭53−
17445にベンジリデンフルオレン化合物の記載が
あるが、本発明に係る一般式()で表わされる
9−(4−N,N−ベンジルアミノベンジリデ
ン)フルオレン化合物は伸長されたπ電子骨格を
有するにも拘らず高い溶解性を示し電子写真用感
光体に於ける光導電性素材として極めて有用であ
り、染料やルイス酸などの増感剤によつて光学的
にあるいは化学的に増感される。 上記増感剤として例えばメチルバイオレツト、
クリスタルバイオレツト等のトリアリルメタン染
料、ローズベンガル、エリスロシン、ローダミン
B等のキサンテン染料、メチレンブルー等のチア
ジン染料、2,4,7−トリニトロ−9−フルオ
レノン、2,4−ジニトロ−9−フルオレノン等
が挙げられる。 また有機顔料例えばシーアイピグメントブル−
25(CINo.21180)、シーアイピグメントレツド41
(CINo.21200)、シーアイベーシツクレツド3(CI
No.45210)等のアゾ系顔料、シーアイピグメント
ブルー16(CINo.74100)等のフタロシアニン系顔
料、シーアイバツトブラウン5(CINo.73410)、
シーアイバツトダイ(CINo.73030)等のインジゴ
系顔料、アルゴスカーレツトB、インダンスレン
スカーレツトR等のペリレン系顔料とともに併用
することができ、またこれによりさらに好ましい
結果が得られる。場合によりセレン、セレン−テ
ルル、硫化カドミウム等の無機顔料とも併用でき
る。 次に本発明の9−(4−N,N−ジベンジルア
ミノベンジリデン)フルオレン化合物による効果
を感光体の用途例で説明する。文中部はすべて重
量部である。 シーアイピグメントブルー25(CINo.21180)2
部にテトラヒドロフラン98部を加え、これをボー
ルミル中で粉砕混合して顔料分散液を得る。これ
をアルミ蒸着したポリエステルフイルム上にドク
ターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して厚さ
1μの顔料層を形成せしめる。次いで本発明に係
る9−(4−N,N−ジベンジルアミノベンジリ
デン)フルオレン2部、ポリカーボネート(帝人
製パンライトL)3部及びテトラヒドロフラン45
部を混合して得た溶液を上記の顔料層上にドクタ
ーブレードを用いて塗布し、100℃で10分間乾燥
して厚さ9μの層を設けた。次にこうして得られ
た感光体について静電複写紙試験装置により−
6KVのコロナ放電を20秒間行なつて負に帯電せし
めた後、20秒間暗所に放置し、その時の表面電位
Vpo(ボルト)を測定し、ついでタングステンラ
ンプによつてその表面照度が20ルツクスになるよ
うにして光を照射し、その表面電位がVpoの1/2
になる迄の時間(秒)を求めて半減露光量E1/2
(ルツクス・秒)を得た。その結果は、 Vpo=−980ボルト E1/2=1.4ルツクス・秒 と極めて感度の高い値を示した。 以下実施例により本発明の詳細を示す。 実施例 1 (〔A法〕による9−(4−N,N−ジベンジル
アミノベンジリデン)フルオレンの製造) 4−N,N−ジベンジルアミノベンズアルデヒ
ド11.2gと9−フルオレニルホスホン酸ジエチル
10.2gをエタノール60ml中に溶解し、これに金属
ナトリウム1.2gをエタノール30mlに溶解した溶
液を5分で滴下した後、1時間加熱還流した。室
温迄放冷し析出した結晶をろ取、水洗、乾燥し
た。収量14.3g(収率94.1%)、融点124.0〜126.0
℃であつた。 ベンゼン−n−ヘキサンの混合溶媒から再結晶
して黄色プリズム状晶の9−(4−N,N−ジベ
ンジルアミノベンジリデン)フルオレンの純品を
得た。融点127.0〜127.5℃、 元素分析値 C% H% N% C34H27Nとしての計算値 90.82 6.70 3.12 実測値 90.81 6.04 3.12 IRスペクトル(KBr錠剤法)は第1図に示した。 実施例 2 (〔B法〕による9−(4−N,N−ジベンジル
アミノベンジリデン)フルオレンの製造) 4−N,N−ジベンジルアミノベンズアルデヒ
ド6.0gとトリ−n−ブチルホスホニウムフルオ
レニリド7.2gを乾燥ベンゼン120mlに採り、3時
間加熱還流した後、室温迄放冷し、ベンゼンを減
圧下で留去して黄色の油状物を得た。この油状物
に少量のn−ヘキサンを加えて結晶化し析出した
結晶をろ取、乾燥した。 収量8.1g(収率92.0%)、融点122.5〜124.0
℃、ベンゼン−n−ヘキサンの混合溶媒から再結
晶して黄色プリズム状晶の9−(4−N,N−ジ
ベンジルアミノベンジリデン)フルオレンの純晶
を得た。融点126.5〜127.5℃ 元素分析値 C% H% N% C34H27Nとしての計算値 90.82 6.07 3.12 実測値 90.87 6.05 3.11 IRスペクトル(KBr錠剤法)は第2図に示す通
りであり、これは実施例1で得られた第1図と完
全に一致した。 実施例 3 実施例1及び2の4−N,N−ジベンジルアミ
ノベンズアルデヒドの代りに下記表に示す。 アルデヒドを使用し、かつ下表に示す反応方法
(A法あるいはB法)溶媒、反応温度及び強塩基
性アルカリ化合物を用いて、9−(4−N,N−
ジベンジルアミノベンジリデン)フルオレン化合
物を製造した。各化合物の収率、融点、元素分析
値は表に示す通りであつた。
【表】
第1図及び第2図は本発明で得られた9−(4
−N,N−ジベンジルアミノベンジリデン)フル
オレンのIRスペクトルである。
−N,N−ジベンジルアミノベンジリデン)フル
オレンのIRスペクトルである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式(1) (式中Rは水素、炭素数1〜4の低級アルキル
基、ハロゲン原子、又はニトロ基を表わす)で示
される9−(4−N,N−ジベンジルアミノベン
ジリデン)フルオレン化合物。 2 一般式()および() (式中R′は炭素数1〜4の低級アルキル基を
表わす。) (式中Rは水素、炭素数1〜4の低級アルキル
基、ハロゲン原子又はニトロ基を表わす)を有機
溶媒中強塩基性アルカリ化合物の存在下で反応せ
しめることを特徴とする一般式() (式中Rは水素、炭素数1〜4の低級アルキル
基、ハロゲン原子、又はニトロ基を表わす。)で
示される9−(4−N,N−ジベンジルアミノベ
ンジリデン)フルオレン化合物の製造方法。 3 式() で表わされるトリ−n−ブチルホスホニウムフル
オレニリドと、 一般式() (式中Rは水素、炭素数1〜4の低級アルキル
基、ハロゲン原子、又はニトロ基を表わす)で表
わされる化合物を有機溶媒中において反応せしめ
ることを特徴とする一般式() (式中Rは水素、炭素数1〜4の低級アルキル
基、ハロゲン原子、又はニトロ基を表わす)で表
わされる9−(4−N,N−ジベンジルアミノベ
ンジリデン)フルオレン化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6678279A JPS55160749A (en) | 1979-05-31 | 1979-05-31 | 9- 4-n,n-dibenzylaminobenzylidene fluorene compound and its preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6678279A JPS55160749A (en) | 1979-05-31 | 1979-05-31 | 9- 4-n,n-dibenzylaminobenzylidene fluorene compound and its preparation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55160749A JPS55160749A (en) | 1980-12-13 |
| JPS6160823B2 true JPS6160823B2 (ja) | 1986-12-23 |
Family
ID=13325773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6678279A Granted JPS55160749A (en) | 1979-05-31 | 1979-05-31 | 9- 4-n,n-dibenzylaminobenzylidene fluorene compound and its preparation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55160749A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09278075A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-28 | Kazue Hayashi | ハンカチケース |
-
1979
- 1979-05-31 JP JP6678279A patent/JPS55160749A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09278075A (ja) * | 1996-04-12 | 1997-10-28 | Kazue Hayashi | ハンカチケース |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55160749A (en) | 1980-12-13 |
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