JPS6161693B2 - - Google Patents
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- JPS6161693B2 JPS6161693B2 JP16955081A JP16955081A JPS6161693B2 JP S6161693 B2 JPS6161693 B2 JP S6161693B2 JP 16955081 A JP16955081 A JP 16955081A JP 16955081 A JP16955081 A JP 16955081A JP S6161693 B2 JPS6161693 B2 JP S6161693B2
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- capacitor element
- anode lead
- water
- lead
- repellent coating
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関
し、特に弁作用を有する金属粉末の成形体よりな
るコンデンサエレメントより導出された陽極リー
ドへの半導体層形成部材の這い上り現象を軽減さ
せることを目的とするものである。
し、特に弁作用を有する金属粉末の成形体よりな
るコンデンサエレメントより導出された陽極リー
ドへの半導体層形成部材の這い上り現象を軽減さ
せることを目的とするものである。
一般に、この種固体電解コンデンサは例えば第
1図に示すように、タンタル、ニオブ、アルミニ
ウムなどのように弁作用を有する金属粉末を円柱
状に加圧成形し焼結してなるコンデンサエレメン
トAに予め弁作用を有する金属線を陽極リードB
として植立し、この陽極リードBのコンデンサエ
レメントAからの導出部分の第1の外部リード部
材Cを溶接すると共に、第2の外部リード部材D
をコンデンサエレメントAの周面に酸化層、半導
体層を介して形成された電極引出し層に半田付け
し、然る後、コンデンサエレメントAの全周面を
樹脂材Eにて被覆して構成されている。
1図に示すように、タンタル、ニオブ、アルミニ
ウムなどのように弁作用を有する金属粉末を円柱
状に加圧成形し焼結してなるコンデンサエレメン
トAに予め弁作用を有する金属線を陽極リードB
として植立し、この陽極リードBのコンデンサエ
レメントAからの導出部分の第1の外部リード部
材Cを溶接すると共に、第2の外部リード部材D
をコンデンサエレメントAの周面に酸化層、半導
体層を介して形成された電極引出し層に半田付け
し、然る後、コンデンサエレメントAの全周面を
樹脂材Eにて被覆して構成されている。
ところで、このコンデンサエレメントAはそれ
より導出された陽極リードBに第1の外部リード
部材Cを溶接するに先立つて、陽極リードBと共
に化成処理によりその表面に酸化層が形成され、
さらにコンデンサエレメントAのみを半導体母液
に一定時間浸漬し充分に含浸させた後、高温雰囲
気中において熱分解反応を起させ酸化層上に半導
体層が形成されている。
より導出された陽極リードBに第1の外部リード
部材Cを溶接するに先立つて、陽極リードBと共
に化成処理によりその表面に酸化層が形成され、
さらにコンデンサエレメントAのみを半導体母液
に一定時間浸漬し充分に含浸させた後、高温雰囲
気中において熱分解反応を起させ酸化層上に半導
体層が形成されている。
しかし乍ら、陽極リードBの表面には例えば軸
方向に多くのダイス傷が存在している関係で、コ
ンデンサエレメントAに含浸された半導体母液が
このダイス傷を通つて陽極リードBのコンデンサ
エレメントAからの導出部分に付着し、熱分解さ
れていわゆる半導体層の這い上りを生ずる。通
常、半導体母液の含浸−熱分解操作はコンデンサ
エレメントAが多孔質であることに鑑み数回以上
繰り返される関係で、半導体層形成部材の這い上
りもさらに進行する傾向にある。
方向に多くのダイス傷が存在している関係で、コ
ンデンサエレメントAに含浸された半導体母液が
このダイス傷を通つて陽極リードBのコンデンサ
エレメントAからの導出部分に付着し、熱分解さ
れていわゆる半導体層の這い上りを生ずる。通
常、半導体母液の含浸−熱分解操作はコンデンサ
エレメントAが多孔質であることに鑑み数回以上
繰り返される関係で、半導体層形成部材の這い上
りもさらに進行する傾向にある。
従つて、陽極リードBの導出部分に第1の外部
リード部材Cを溶接する際に、第1の外部リード
部材Cと這い上つた半導体層とが接触して漏洩電
流が増加したり、時には陰極と陽極とが短絡され
てしまいコンデンサとしての機能を奏し得なくな
るという問題がある。
リード部材Cを溶接する際に、第1の外部リード
部材Cと這い上つた半導体層とが接触して漏洩電
流が増加したり、時には陰極と陽極とが短絡され
てしまいコンデンサとしての機能を奏し得なくな
るという問題がある。
それ故に、本出願人は先にコンデンサエレメン
トに半導体層を形成するに先立つて、コンデンサ
エレメント面より導出された陽極リード部分にの
み撥水性被膜を形成することにより、半導体層の
這い上り形成を防止する製造方法を提案した。
トに半導体層を形成するに先立つて、コンデンサ
エレメント面より導出された陽極リード部分にの
み撥水性被膜を形成することにより、半導体層の
這い上り形成を防止する製造方法を提案した。
この方法によれば、仮に陽極リードにダイス傷
が形成されていても、半導体母液の這い上りを撥
水性被膜の撥水効果によつて確実に防止すること
ができるために、第1の外部リード部材が溶接さ
れる陽極リード部分への半導体層の形成を防止す
ることができ、漏洩電流特性の劣化を防止できる
ものである。
が形成されていても、半導体母液の這い上りを撥
水性被膜の撥水効果によつて確実に防止すること
ができるために、第1の外部リード部材が溶接さ
れる陽極リード部分への半導体層の形成を防止す
ることができ、漏洩電流特性の劣化を防止できる
ものである。
しかし乍ら、陽極リードBへの撥水性被膜の形
成は例えば液状の撥水性部材にコンデンサエレメ
ントA及び陽極リードBを浸漬した後、コンデン
サエレメントAにのみ付着した撥水性部材を洗
浄、除去することにより行われているのである
が、コンデンサエレメントAの深層部にまで含浸
された撥水性部材は簡単な洗浄によつて除去する
ことはできない。従つて、長時間洗浄液に浸漬し
なければならないために、作業性が著しく損なわ
れ、量産工程への適用が困難であるという問題が
ある。また、固体電解コンデンサエレメントとし
て焼結工程なしに圧縮成形することが知られてお
り、その際の導出用リード線に汎用の銅金属リー
ド線に予め耐熱性シリコンワニスを塗布してコン
デンサエレメント中に埋没することも公知である
(特開昭51−25756号公報)。
成は例えば液状の撥水性部材にコンデンサエレメ
ントA及び陽極リードBを浸漬した後、コンデン
サエレメントAにのみ付着した撥水性部材を洗
浄、除去することにより行われているのである
が、コンデンサエレメントAの深層部にまで含浸
された撥水性部材は簡単な洗浄によつて除去する
ことはできない。従つて、長時間洗浄液に浸漬し
なければならないために、作業性が著しく損なわ
れ、量産工程への適用が困難であるという問題が
ある。また、固体電解コンデンサエレメントとし
て焼結工程なしに圧縮成形することが知られてお
り、その際の導出用リード線に汎用の銅金属リー
ド線に予め耐熱性シリコンワニスを塗布してコン
デンサエレメント中に埋没することも公知である
(特開昭51−25756号公報)。
しかし、このような非焼結型コンデンサエレメ
ントは高純度の金属粉末が要求されるなど実用上
の問題があつた。
ントは高純度の金属粉末が要求されるなど実用上
の問題があつた。
本発明はこのような点に鑑み、撥水性部材によ
つてコンデンサエレメント面から導出された陽極
リード部分への半導体層の這い上り形成を抑制で
き、かつ撥水性部材のコンデンサエレメントの深
層部への浸み込みを確実に防止できる固体電解コ
ンデンサの製造方法を提供するもので、以下その
一製造方法について第2図〜第5図を参照して説
明する。
つてコンデンサエレメント面から導出された陽極
リード部分への半導体層の這い上り形成を抑制で
き、かつ撥水性部材のコンデンサエレメントの深
層部への浸み込みを確実に防止できる固体電解コ
ンデンサの製造方法を提供するもので、以下その
一製造方法について第2図〜第5図を参照して説
明する。
まず、第2図に示すように、弁作用を有する金
属粉末を角柱状に加圧成形し焼結してコンデンサ
エレメント1を形成する。一方、第3図に示すよ
うに、弁作用を有する金属部材例えば金属線より
なる陽極リード2の一端部を例えば液状の撥水性
部材に浸漬し、引上げた後、加熱処理することに
より、撥水性被膜3を形成する。次に、第4図に
示すように、コンデンサエレメント1の側面に陽
極リード2を、撥水性被膜3がコンデンサエレメ
ント面1aからの導出部分に位置するように当接
させる。そして、溶接電極4,4にて陽極リード
2をコンデンサエレメント1に押圧させた状態に
おいて通電することにより、それぞれを溶接す
る。次に、第5図に示すように、通常の方法によ
り、コンデンサエレメント1の周面に、酸化層、
半導体層を介して電極引出し層5を形成する。そ
して陽極リード2の導出端に第1の外部リード部
材6を溶接すると共に、第2の外部リード部材7
を電極引出し層5に半田付けする。然る後、コン
デンサエレメント1の全周面を樹脂材8にてモー
ルド被覆することにより固体電解コンデンサを得
る。
属粉末を角柱状に加圧成形し焼結してコンデンサ
エレメント1を形成する。一方、第3図に示すよ
うに、弁作用を有する金属部材例えば金属線より
なる陽極リード2の一端部を例えば液状の撥水性
部材に浸漬し、引上げた後、加熱処理することに
より、撥水性被膜3を形成する。次に、第4図に
示すように、コンデンサエレメント1の側面に陽
極リード2を、撥水性被膜3がコンデンサエレメ
ント面1aからの導出部分に位置するように当接
させる。そして、溶接電極4,4にて陽極リード
2をコンデンサエレメント1に押圧させた状態に
おいて通電することにより、それぞれを溶接す
る。次に、第5図に示すように、通常の方法によ
り、コンデンサエレメント1の周面に、酸化層、
半導体層を介して電極引出し層5を形成する。そ
して陽極リード2の導出端に第1の外部リード部
材6を溶接すると共に、第2の外部リード部材7
を電極引出し層5に半田付けする。然る後、コン
デンサエレメント1の全周面を樹脂材8にてモー
ルド被覆することにより固体電解コンデンサを得
る。
このように陽極リード2のコンデンサエレメン
ト面1aからの導出部分にはコンデンサエレメン
ト1に半導体層を形成するに先立つて、撥水性被
膜3が形成されているので、それの表面に無数の
ダイス傷が形成されていても、コンデンサエレメ
ント1の半導体母液への浸漬工程において、半導
体母液が陽極リード部分に這い上つて付着するこ
とを防止できる。従つて、第1の外部リード部材
6を陽極リード2に溶接しても、漏洩電流の増
加、電極短絡などの不良発生を効果的に減少でき
る。
ト面1aからの導出部分にはコンデンサエレメン
ト1に半導体層を形成するに先立つて、撥水性被
膜3が形成されているので、それの表面に無数の
ダイス傷が形成されていても、コンデンサエレメ
ント1の半導体母液への浸漬工程において、半導
体母液が陽極リード部分に這い上つて付着するこ
とを防止できる。従つて、第1の外部リード部材
6を陽極リード2に溶接しても、漏洩電流の増
加、電極短絡などの不良発生を効果的に減少でき
る。
又、陽極リード2における撥水性被膜3は陽極
リード2のコンデンサエレメント1への溶接に先
立つて形成されているので、コンデンサエレメン
ト1に撥水性部材が含浸されることは全くない。
このために、それの除去操作を完全に省略できる
こともあつて、作業能率を著しく改善できる。
リード2のコンデンサエレメント1への溶接に先
立つて形成されているので、コンデンサエレメン
ト1に撥水性部材が含浸されることは全くない。
このために、それの除去操作を完全に省略できる
こともあつて、作業能率を著しく改善できる。
しかも、陽極リード2に形成されている撥水性
被膜3はその厚みが例えば3μm以下と極めて薄
いために、機械的衝撃などにより簡単に破壊させ
ることができる。このために、陽極リード2はコ
ンデンサエレメント1に、撥水性被膜3をわざわ
ざ除去することなく、そのままの状態で溶接する
ことができる。
被膜3はその厚みが例えば3μm以下と極めて薄
いために、機械的衝撃などにより簡単に破壊させ
ることができる。このために、陽極リード2はコ
ンデンサエレメント1に、撥水性被膜3をわざわ
ざ除去することなく、そのままの状態で溶接する
ことができる。
次に具体的実施例について説明する。タンタル
粉末を4×4×2tmmの角柱状に加圧成形し焼結
してコンデンサエレメントを形成する。一方、
0.5φmmのタンタル線(陽極リード)に、一端か
ら5mmの範囲内にダイキン株式会社製の商品名ダ
イフリーFS−126(弗素系樹脂)を浸漬塗布する
と共に、250℃にて10分間加熱することにより撥
水性被膜を形成する。そして、コンデンサエレメ
ントに陽極リードを、コンデンサエレメント面か
ら撥水性被膜が3mm突出するように溶接する。以
下通常の方法にてタンタル固体電解コンデンサを
製作した処、半導体母液の陽極リードへの這い上
り付着は全く認められなかつた。又、コンデンサ
エレメントへの撥水性部材の浸み込みも全くな
く、所望の容量特性が得られた。さらには陽極リ
ードのコンデンサエレメントに対する溶接強度は
充分であり、陽極リードを側方に引張つても溶接
はずれは発生しなかつた。
粉末を4×4×2tmmの角柱状に加圧成形し焼結
してコンデンサエレメントを形成する。一方、
0.5φmmのタンタル線(陽極リード)に、一端か
ら5mmの範囲内にダイキン株式会社製の商品名ダ
イフリーFS−126(弗素系樹脂)を浸漬塗布する
と共に、250℃にて10分間加熱することにより撥
水性被膜を形成する。そして、コンデンサエレメ
ントに陽極リードを、コンデンサエレメント面か
ら撥水性被膜が3mm突出するように溶接する。以
下通常の方法にてタンタル固体電解コンデンサを
製作した処、半導体母液の陽極リードへの這い上
り付着は全く認められなかつた。又、コンデンサ
エレメントへの撥水性部材の浸み込みも全くな
く、所望の容量特性が得られた。さらには陽極リ
ードのコンデンサエレメントに対する溶接強度は
充分であり、陽極リードを側方に引張つても溶接
はずれは発生しなかつた。
尚、本発明において、コンデンサエレメントは
タンタルの他、アルミニウム、チタン、ジルコニ
ウム、ハフニウム、ニオブなどにて構成すること
もできるし、2種以上の金属を混合しない合金化
して使用することもできる。又、その形状は角柱
状の他、円柱状など任意に設定できる。又、陽極
リードもタンタルの他、弁作用を有する任意の金
属部材を使用できる。それに予め形成する撥水性
被膜は弗素系樹脂の他、シリコン系樹脂なども利
用できるし、それの形成は浸漬による他、スプレ
ーなどによつて行うこともできる。
タンタルの他、アルミニウム、チタン、ジルコニ
ウム、ハフニウム、ニオブなどにて構成すること
もできるし、2種以上の金属を混合しない合金化
して使用することもできる。又、その形状は角柱
状の他、円柱状など任意に設定できる。又、陽極
リードもタンタルの他、弁作用を有する任意の金
属部材を使用できる。それに予め形成する撥水性
被膜は弗素系樹脂の他、シリコン系樹脂なども利
用できるし、それの形成は浸漬による他、スプレ
ーなどによつて行うこともできる。
以上のように本発明によれば、予め陽極リード
に撥水性被膜を形成することによつて、コンデン
サエレメント面から導出された陽極リード部分へ
の半導体層の這い上り形成を抑制でき、かつ撥水
性部材のコンデンサエレメントへの浸み込みを確
実に防止でき、特性面、作業面の改善を計ること
ができる。
に撥水性被膜を形成することによつて、コンデン
サエレメント面から導出された陽極リード部分へ
の半導体層の這い上り形成を抑制でき、かつ撥水
性部材のコンデンサエレメントへの浸み込みを確
実に防止でき、特性面、作業面の改善を計ること
ができる。
第1図は従来の固体電解コンデンサの側断面
図、第2図〜第5図は本発明方法の説明図であつ
て、第2図はコンデンサエレメントの側断面図、
第3図は陽極リードに撥水性被膜を形成した状態
を示す側断面図、第4図はコンデンサエレメント
に陽極リードを溶接した状態を示す側断面図、第
5図は完成状態を示す側断面図である。 図中、1はコンデンサエレメント、2は陽極リ
ード、3は撥水性被膜である。
図、第2図〜第5図は本発明方法の説明図であつ
て、第2図はコンデンサエレメントの側断面図、
第3図は陽極リードに撥水性被膜を形成した状態
を示す側断面図、第4図はコンデンサエレメント
に陽極リードを溶接した状態を示す側断面図、第
5図は完成状態を示す側断面図である。 図中、1はコンデンサエレメント、2は陽極リ
ード、3は撥水性被膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 弁作用を有する金属粉末を所望形状に加圧成
形し焼結するコンデンサエレメントの形成工程、 弁作用を有する金属部材から成る陽極リードの
所定位置に撥水性被膜を形成する工程、前記コン
デンサエレメントと前記陽極リードとを、撥水性
被膜がコンデンサエレメントの上面側に導出し且
つその側面に当接する位置で通電して溶接する工
程、及び前記コンデンサエレメントの周面に酸化
層、半導体層及び電極引出し層を形成する工程と
を含む固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16955081A JPS5870520A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16955081A JPS5870520A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5870520A JPS5870520A (ja) | 1983-04-27 |
| JPS6161693B2 true JPS6161693B2 (ja) | 1986-12-26 |
Family
ID=15888547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16955081A Granted JPS5870520A (ja) | 1981-10-22 | 1981-10-22 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5870520A (ja) |
-
1981
- 1981-10-22 JP JP16955081A patent/JPS5870520A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5870520A (ja) | 1983-04-27 |
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