JPS6043006B2 - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS6043006B2 JPS6043006B2 JP55069163A JP6916380A JPS6043006B2 JP S6043006 B2 JPS6043006 B2 JP S6043006B2 JP 55069163 A JP55069163 A JP 55069163A JP 6916380 A JP6916380 A JP 6916380A JP S6043006 B2 JPS6043006 B2 JP S6043006B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode lead
- capacitor element
- lead
- solid electrolytic
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関し、特に弁
作用を有する金属部材にて構成されたコンデンサエレメ
ントの陽極リードヘの半導体層形成部材の這い上りを減
少させることを目的とするものである。
作用を有する金属部材にて構成されたコンデンサエレメ
ントの陽極リードヘの半導体層形成部材の這い上りを減
少させることを目的とするものである。
一般に、この種固体電解コンデンサは例えば第１図に示
すように、タンタル、ニオブ、アルミニウムなどのよう
に弁作用を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し焼結し
てなるコンデンサエレメントＡに予め弁作用を有する金
属線を陽極リードＢとして植立し、この陽極リードＢの
突出部分にＬ形に屈曲された第１の外部リード部材Ｃを
溶接すると共に、第２の外部リード部材Ｄをコンデンサ
エレメントＡの周面に酸化層、半導体層を介して形成さ
れた電極引出し層Ｅに半田付けし、然る後、コンデンサ
エレメントＡの全周面に樹脂材Ｆにて被覆して構成され
ている。
すように、タンタル、ニオブ、アルミニウムなどのよう
に弁作用を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し焼結し
てなるコンデンサエレメントＡに予め弁作用を有する金
属線を陽極リードＢとして植立し、この陽極リードＢの
突出部分にＬ形に屈曲された第１の外部リード部材Ｃを
溶接すると共に、第２の外部リード部材Ｄをコンデンサ
エレメントＡの周面に酸化層、半導体層を介して形成さ
れた電極引出し層Ｅに半田付けし、然る後、コンデンサ
エレメントＡの全周面に樹脂材Ｆにて被覆して構成され
ている。
ところで、コンデンサエレメントＡはそれより導出され
た陽極リードＢの突出部分に第１の外部リード部材Ｃを
溶接するに先立つて、陽極リードＢと共に化成処理によ
りその表面に酸化層が形成され、さらにコンデンサエレ
メントＡのみを半導体母液に一定時間浸漬し充分に含浸
させた後、高温雰囲気中において熱分解反応を起させ酸
化層上に半導体層が形成されている。
た陽極リードＢの突出部分に第１の外部リード部材Ｃを
溶接するに先立つて、陽極リードＢと共に化成処理によ
りその表面に酸化層が形成され、さらにコンデンサエレ
メントＡのみを半導体母液に一定時間浸漬し充分に含浸
させた後、高温雰囲気中において熱分解反応を起させ酸
化層上に半導体層が形成されている。
しかし乍ら、陽極リードＢの表面には軸方向に多くのダ
イス傷が存在している関係で、コンデンサエレメントＡ
に含浸された半導体母液がこのダイス傷を通つて陽極リ
ードＢのコンデンサエレメントＡからの突出部分に付着
し、熱分解されていわゆる半導体層の這い上りを生する
。
イス傷が存在している関係で、コンデンサエレメントＡ
に含浸された半導体母液がこのダイス傷を通つて陽極リ
ードＢのコンデンサエレメントＡからの突出部分に付着
し、熱分解されていわゆる半導体層の這い上りを生する
。
通常、半導体母液の含浸−熱分解操作はコンデンサエレ
メントＡが多孔質であるとに鑑み数回以上繰り返される
関係で、半導体層形成部材の這い上りもさらに進行する
傾向にある。従つて、陽極リードＢに第１の外部リード
部材・Ｃを溶接する際に、第１の外部リード部材ｃと這
い上つた半導体層とが接触してしまい、漏洩電流特性が
著しく損なわれるという欠点がある。
メントＡが多孔質であるとに鑑み数回以上繰り返される
関係で、半導体層形成部材の這い上りもさらに進行する
傾向にある。従つて、陽極リードＢに第１の外部リード
部材・Ｃを溶接する際に、第１の外部リード部材ｃと這
い上つた半導体層とが接触してしまい、漏洩電流特性が
著しく損なわれるという欠点がある。
本発明はこのような点に鑑み、簡単な構成にて陽極リー
ドヘの半導体層の這い上りを抑制でき、・かつコンデン
サとしての品位を著しく高めうる固体電解コンデンサの
製造方法を提供するもので、以下具体的実施例について
第２図〜第６図を参照して説明する。まず、第２図に示
すように、弁作用を有する金属粉末を円柱状に加圧成形
し焼結してなるコンデンサエレメント１に予め弁作用を
有する金属線を陽極リード２として植立する。
ドヘの半導体層の這い上りを抑制でき、・かつコンデン
サとしての品位を著しく高めうる固体電解コンデンサの
製造方法を提供するもので、以下具体的実施例について
第２図〜第６図を参照して説明する。まず、第２図に示
すように、弁作用を有する金属粉末を円柱状に加圧成形
し焼結してなるコンデンサエレメント１に予め弁作用を
有する金属線を陽極リード２として植立する。
そして、このコンデンサエレメント１の陽極リード２の
非導出側を真空吸着装置３にて吸着すると共に、コンデ
ンサエレメント１から露呈する陽極リード２を、例えば
ダイキン株式会社より発売されているダイフリーＭＳ−
５４３（弗素系の離型剤）に、陽極リード２の導出側に
おけるコンデンサエレメント面１ａが液面から０．５〜
１．０ＴＢｍ程度離隔されるように浸漬する。そして、
引上げることによつて、陽極リード２のほぼ全周面には
第３図に示すように、ダイフリー（撥水性部材）の被膜
４が形成される。尚、この被膜４の厚みは例えば一回の
浸漬操作によつて数μ程度である。次に第４図に示すよ
うに、真空吸着装置３による吸着状態を維持し乍ら、コ
ンデンサエレメント１より延びる陽極リード２の先端部
分を板状の金属部材５に当接させる。そして、陽極リー
ド２と金属部材５とを溶接電極６，６にて加圧挾持し、
溶接する。尚、加圧時に被膜４は容易に破壊されて確実
に溶接できる。次に第５図に示すように、コンデンサエ
レメント１の周面に酸化層、半導体層を介して電極引出
し層７を形成する。次に第６図に示すように、陽極リー
ド２の所定部分より切断すると共に、それの突出部分２
ａに例えばＬ形に屈曲された第１の外部リード部材８を
、屈曲部８ａが交叉するように重合して溶接する。そし
て、例えばストレート状の第２の外部リード部材９の一
端をコンデンサエレメント１の電極引出し層７に当接さ
せた状態で、溶融半田槽に浸漬し引上げることによつて
、第２の外部リード部材９を電極引出し層７に半田付け
する。然る後、コンデンサエレメント１の全周面を樹脂
材１０にて被覆して固体電解コンデンサを得る。このよ
うにコンデンサエレメント１より延びる陽極リード２の
ほぼ全周面にはコンデンサエレメント１への半導体層の
形成、陽極リード２への金属部材５の溶接に先立つて、
撥水性部材よりなる被膜４が形成されているので、それ
の周面に無数に形成されているダイス傷は被膜４によつ
て埋められる。
非導出側を真空吸着装置３にて吸着すると共に、コンデ
ンサエレメント１から露呈する陽極リード２を、例えば
ダイキン株式会社より発売されているダイフリーＭＳ−
５４３（弗素系の離型剤）に、陽極リード２の導出側に
おけるコンデンサエレメント面１ａが液面から０．５〜
１．０ＴＢｍ程度離隔されるように浸漬する。そして、
引上げることによつて、陽極リード２のほぼ全周面には
第３図に示すように、ダイフリー（撥水性部材）の被膜
４が形成される。尚、この被膜４の厚みは例えば一回の
浸漬操作によつて数μ程度である。次に第４図に示すよ
うに、真空吸着装置３による吸着状態を維持し乍ら、コ
ンデンサエレメント１より延びる陽極リード２の先端部
分を板状の金属部材５に当接させる。そして、陽極リー
ド２と金属部材５とを溶接電極６，６にて加圧挾持し、
溶接する。尚、加圧時に被膜４は容易に破壊されて確実
に溶接できる。次に第５図に示すように、コンデンサエ
レメント１の周面に酸化層、半導体層を介して電極引出
し層７を形成する。次に第６図に示すように、陽極リー
ド２の所定部分より切断すると共に、それの突出部分２
ａに例えばＬ形に屈曲された第１の外部リード部材８を
、屈曲部８ａが交叉するように重合して溶接する。そし
て、例えばストレート状の第２の外部リード部材９の一
端をコンデンサエレメント１の電極引出し層７に当接さ
せた状態で、溶融半田槽に浸漬し引上げることによつて
、第２の外部リード部材９を電極引出し層７に半田付け
する。然る後、コンデンサエレメント１の全周面を樹脂
材１０にて被覆して固体電解コンデンサを得る。このよ
うにコンデンサエレメント１より延びる陽極リード２の
ほぼ全周面にはコンデンサエレメント１への半導体層の
形成、陽極リード２への金属部材５の溶接に先立つて、
撥水性部材よりなる被膜４が形成されているので、それ
の周面に無数に形成されているダイス傷は被膜４によつ
て埋められる。
このため、コンデンサエレメント１を硝酸マンガン溶液
などの半導体母液に浸漬した際に、半導体母液がダイス
傷を通つて上方に這い上つてきても、被膜４によつて、
それ以上の這い上りが阻止されるために、第１の外部リ
ード部材８を陽極リード２における被膜形成部分に溶接
しても、半導体層との接触を大巾に減少できる。例えば
、従来方法によれば漏洩電流不良が４〜５％発生するの
であるが、本発明方法によれば、１％ないしそれ以下に
減少できる。又、陽極リード２に被膜４を形成する際に
、陽極リード２はダイフリーに、コンデンサエレメント
面１ａが接触しないように例えば０．５〜１．０ｒｓｎ
程度離隔して浸漬されるので、ダイフリー（撥水性部材
）がコンデンサエレメント１の内部に含浸されることは
なく、これがための静電容量の減少も全く生じない。
などの半導体母液に浸漬した際に、半導体母液がダイス
傷を通つて上方に這い上つてきても、被膜４によつて、
それ以上の這い上りが阻止されるために、第１の外部リ
ード部材８を陽極リード２における被膜形成部分に溶接
しても、半導体層との接触を大巾に減少できる。例えば
、従来方法によれば漏洩電流不良が４〜５％発生するの
であるが、本発明方法によれば、１％ないしそれ以下に
減少できる。又、陽極リード２に被膜４を形成する際に
、陽極リード２はダイフリーに、コンデンサエレメント
面１ａが接触しないように例えば０．５〜１．０ｒｓｎ
程度離隔して浸漬されるので、ダイフリー（撥水性部材
）がコンデンサエレメント１の内部に含浸されることは
なく、これがための静電容量の減少も全く生じない。
又、陽極リード２の被膜４は例えば数μ程度の厚みに形
成されているので、金属部材５、第１の外部リード部材
８との溶接時の機械的衝撃によつて容易に破れる。
成されているので、金属部材５、第１の外部リード部材
８との溶接時の機械的衝撃によつて容易に破れる。
このために、溶接に先立つて、被膜４を除去する必要が
ないので、溶接作業を能率的に行うことができる。さら
に被膜４は耐熱性に優れた部材にて形成されているので
、半導体層形成工程における２００〜４００′Ｃ程度の
温度に充分に耐えることができる。
ないので、溶接作業を能率的に行うことができる。さら
に被膜４は耐熱性に優れた部材にて形成されているので
、半導体層形成工程における２００〜４００′Ｃ程度の
温度に充分に耐えることができる。
このために、撥水性は損なわれることなく、半導体母液
の這い上りを有効に抑制できる。尚、本発明は何ら上記
実施例にのみ制約されることなく、例えばコンデンサエ
レメントは金属粉末を加圧成形し焼結して構成する他、
線材、板材によつて構成することもできるし、それより
延びる陽極リードも植立の他、溶接によつて導出させる
こともできる。
の這い上りを有効に抑制できる。尚、本発明は何ら上記
実施例にのみ制約されることなく、例えばコンデンサエ
レメントは金属粉末を加圧成形し焼結して構成する他、
線材、板材によつて構成することもできるし、それより
延びる陽極リードも植立の他、溶接によつて導出させる
こともできる。
さらに撥水性部材はダイフリーのように弗素系のものの
他、シリコンなども利用できる。以上のように本発明に
よれば、簡単な構成によつて陽極リードへの半導体層形
成部材の這い上りを抑制でき、かつコンデンサとしての
品位をも著しく高めることができる。
他、シリコンなども利用できる。以上のように本発明に
よれば、簡単な構成によつて陽極リードへの半導体層形
成部材の這い上りを抑制でき、かつコンデンサとしての
品位をも著しく高めることができる。
第１図は従来の固体電解コンデンサの側断面図、第２図
〜第６図は本発明方法を説明するための図であつて、第
２図は陽極リードを撥水性部材に浸漬している状態を示
す側断面図、第３図は陽極リードに被膜の形成された状
態を示す側断面図、第４図は陽極リードと金属部材との
溶接状態を示す側断面図、第５図はコンデンサエレメン
トに電極引出し層を形成した状態を示す側断面図、第６
図は完成状態に示す側断面図である。 図中、１はコンデンサエレメント、２は陽極リード、４
は被膜、５，８は金属部材である。
〜第６図は本発明方法を説明するための図であつて、第
２図は陽極リードを撥水性部材に浸漬している状態を示
す側断面図、第３図は陽極リードに被膜の形成された状
態を示す側断面図、第４図は陽極リードと金属部材との
溶接状態を示す側断面図、第５図はコンデンサエレメン
トに電極引出し層を形成した状態を示す側断面図、第６
図は完成状態に示す側断面図である。 図中、１はコンデンサエレメント、２は陽極リード、４
は被膜、５，８は金属部材である。
Claims (1)
- １ 弁作用を有する金属部材にて構成されたコンデンサ
エレメントより導出された弁作用を有する金属線よりな
る陽極リードのほぼ全周面に撥水性部材で被膜を形成し
た後、この陽極リードに金属部材を被膜を介して加圧し
溶接することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55069163A JPS6043006B2 (ja) | 1980-05-23 | 1980-05-23 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| KR1019810001538A KR840002390B1 (ko) | 1980-05-23 | 1981-05-04 | 고체전해콘덴서의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55069163A JPS6043006B2 (ja) | 1980-05-23 | 1980-05-23 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56165315A JPS56165315A (en) | 1981-12-18 |
| JPS6043006B2 true JPS6043006B2 (ja) | 1985-09-26 |
Family
ID=13394756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55069163A Expired JPS6043006B2 (ja) | 1980-05-23 | 1980-05-23 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043006B2 (ja) |
| KR (1) | KR840002390B1 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2722899B2 (de) * | 1977-05-20 | 1979-03-15 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung eines Fest-Elektrolytkondensators |
-
1980
- 1980-05-23 JP JP55069163A patent/JPS6043006B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-05-04 KR KR1019810001538A patent/KR840002390B1/ko not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56165315A (en) | 1981-12-18 |
| KR830006787A (ko) | 1983-10-06 |
| KR840002390B1 (ko) | 1984-12-24 |
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