JPS6176480A - 液晶のトランス‐４‐（トランス‐５‐置換‐１，３‐ジオキサン‐２‐イル）‐シクロヘキサンカルボン酸エステル、その製造方法およびその用途 - Google Patents
液晶のトランス‐４‐（トランス‐５‐置換‐１，３‐ジオキサン‐２‐イル）‐シクロヘキサンカルボン酸エステル、その製造方法およびその用途Info
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- JPS6176480A JPS6176480A JP60194993A JP19499385A JPS6176480A JP S6176480 A JPS6176480 A JP S6176480A JP 60194993 A JP60194993 A JP 60194993A JP 19499385 A JP19499385 A JP 19499385A JP S6176480 A JPS6176480 A JP S6176480A
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Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発ＢＡは、文字、記号および図形を表示する為の電気
光学的装置におけるネマ・チック液晶混合物に加えられ
る液晶のトランス−４−１１換−シクロヘキサンカルボ
ン酸エステルに関する。
光学的装置におけるネマ・チック液晶混合物に加えられ
る液晶のトランス−４−１１換−シクロヘキサンカルボ
ン酸エステルに関する。
トランス−４−倉換−シクロヘキサンカルボン酸の非常
に多くの誘導体が公知である［ ｎ。
に多くの誘導体が公知である［ ｎ。
デームス（Ｄｅｍｕｓ）、Ｈ，デーＡ ス（Ｄａｍｕａ
）、Ｈ。
）、Ｈ。
ツアシエケ（Ｚａｓｃｈｋａ） ：フリューシツヒ・ク
リスタレ拳イン・タベレン（Ｆｌｕｓ＋５１ｇ５ Ｋｒ
１ｓｔａｌｌｅｉｎ Ｔａｂｅｌｌｅｎ）、ライプツイ
ヒ（Ｌａｉｐｚｉｇ）、１９７４：第璽巻、ライプツイ
ヒ（ＩｅｉｐＺｉｇ）、１９８４〕。
リスタレ拳イン・タベレン（Ｆｌｕｓ＋５１ｇ５ Ｋｒ
１ｓｔａｌｌｅｉｎ Ｔａｂｅｌｌｅｎ）、ライプツイ
ヒ（Ｌａｉｐｚｉｇ）、１９７４：第璽巻、ライプツイ
ヒ（ＩｅｉｐＺｉｇ）、１９８４〕。
しかしながらこれらの化合物の中にはトランス−４−（
）ランス−５−ｆ換−１，３−ジオキサン−２−イル）
−シクロヘキサンカルボン酸マたはそのエステルの中間
生成物が存在していないしまたトラン−４−ホルミル−
シクロヘキサン−カルボン酸エステルの誘導体あるいは
その遊離酸自体も存在していない。
）ランス−５−ｆ換−１，３−ジオキサン−２−イル）
−シクロヘキサンカルボン酸マたはそのエステルの中間
生成物が存在していないしまたトラン−４−ホルミル−
シクロヘキサン−カルボン酸エステルの誘導体あるいは
その遊離酸自体も存在していない。
ネマチック液晶の性質を有するシクロヘキサン−カルボ
ン酸の誘導体は接触的に水嵩化することによって相応す
る芳香族化合物から得られる。この場合、勿論、分離の
困難々シス型−トランス型異性体混合物が生ずる。純粋
なトランス型化合物だけが液晶相を形成する。
ン酸の誘導体は接触的に水嵩化することによって相応す
る芳香族化合物から得られる。この場合、勿論、分離の
困難々シス型−トランス型異性体混合物が生ずる。純粋
なトランス型化合物だけが液晶相を形成する。
ネマチック液晶は、その光学的異方性および誘電異方性
の為に文字、記号および歯形を表示する為の電気光学的
装ｆｉｔ（ディスプレイ）において、広く利用すること
ができる。この場合、ねじれた均一なネマチック層〔シ
ャーデットーヘル７リツヒ効果（Ｓｃｈａｄｔ−Ｈａｌ
ｆｒｌｃｈ−ｇｆｆａｋｔ））の可塑性変形の原理に従
って作動する特別の表示システムが用いられる。
の為に文字、記号および歯形を表示する為の電気光学的
装ｆｉｔ（ディスプレイ）において、広く利用すること
ができる。この場合、ねじれた均一なネマチック層〔シ
ャーデットーヘル７リツヒ効果（Ｓｃｈａｄｔ−Ｈａｌ
ｆｒｌｃｈ−ｇｆｆａｋｔ））の可塑性変形の原理に従
って作動する特別の表示システムが用いられる。
いまのところ、個々の物質はメゾ相範囲（Ｍａｓｏ−ｐ
ｈａｓａｎｂｅｒｅｉｃｈ ）、粘度、誘電−および弾
性定数等に関しての高い要求を満足していない為に、液
晶混合物を用いることだけが興味をもたれている。
ｈａｓａｎｂｅｒｅｉｃｈ ）、粘度、誘電−および弾
性定数等に関しての高い要求を満足していない為に、液
晶混合物を用いることだけが興味をもたれている。
混合物は確に多くの性質における要求に度々対応してい
るが、例えば靜澄点が低過ぎることによって制限的にし
か使用できない。
るが、例えば靜澄点が低過ぎることによって制限的にし
か使用できない。
本発明の課題は、液晶混合物に高い靜澄点を４える物質
を見出すことである。
を見出すことである。
本発明者は、一般式■
Ｈ３
Ｒ３はＯＮ、Ｆ、Ｏ／、Ｂｒ。
Ｒ４はＣＮ 、 Ｆ ＋ Ｃ１ｔ Ｂ ｒ ＊ ＯＯｎ
Ｈ２ｎ＋ １ ｔたは’ｎＨ２ｎ＋１ ” 並びに Ｘは０またはＳ’（ｉ−そしてｎ／ｆｉＯ−１０を意味
する。〕 で表わされる液晶の４−（５−＠換−１．３−ジオキサ
ンー２−イル）−シクロヘキサン−１−カルポン酸エス
テルがネマチック液晶混合物の靜澄点を高めるのに逼し
ていることを見・川した。
Ｈ２ｎ＋ １ ｔたは’ｎＨ２ｎ＋１ ” 並びに Ｘは０またはＳ’（ｉ−そしてｎ／ｆｉＯ−１０を意味
する。〕 で表わされる液晶の４−（５−＠換−１．３−ジオキサ
ンー２−イル）−シクロヘキサン−１−カルポン酸エス
テルがネマチック液晶混合物の靜澄点を高めるのに逼し
ていることを見・川した。
本発明の化合物を加えることは、電気光学的パラメータ
ー、例えば閾値電圧、立ち土がシーおよび立ち下が９時
間にマイナスの影響を及ばさ々い。本発明の化合物は５
〜５ Ｑ ｒｎｏ！％の量で用いるのが有利である。
ー、例えば閾値電圧、立ち土がシーおよび立ち下が９時
間にマイナスの影響を及ばさ々い。本発明の化合物は５
〜５ Ｑ ｒｎｏ！％の量で用いるのが有利である。
一般式１の液晶の置換−（１，５−ジオキサン−２−イ
ル） −シ／ロヘキサンーカルボン酸エステルは、トラ
ンス−４−（）ランス−５−アルキル−１，３−ジオキ
サン−２−イル）−シクロヘキサンカルボン酸を水放出
性反応薬、例えばチオニルクロライドまｆｃＦｉカルボ
−ジイミド類の存在下で且つ第三−アミンｔｆｃｔｉピ
リジンの存在下に水不含の非プロトン性溶剤中において
アルコール類、フェノール類およびそれらの硫黄類似物
と反応させることによって製造される。
ル） −シ／ロヘキサンーカルボン酸エステルは、トラ
ンス−４−（）ランス−５−アルキル−１，３−ジオキ
サン−２−イル）−シクロヘキサンカルボン酸を水放出
性反応薬、例えばチオニルクロライドまｆｃＦｉカルボ
−ジイミド類の存在下で且つ第三−アミンｔｆｃｔｉピ
リジンの存在下に水不含の非プロトン性溶剤中において
アルコール類、フェノール類およびそれらの硫黄類似物
と反応させることによって製造される。
この製造の際に中間生成物として必要とされる４−ホル
ミル−シクロヘキサンカルボン酸アルキルエステル（Ｖ
）はへキサヒドロテレフタル酸モノアルキルエステル（
夏）から容具に入手し得る。
ミル−シクロヘキサンカルボン酸アルキルエステル（Ｖ
）はへキサヒドロテレフタル酸モノアルキルエステル（
夏）から容具に入手し得る。
この目的の為に化合物（１１’に酸無水物混合物情）に
転化し、これを４−ヒドロキシメチルシクロヘキサンカ
ルボン酸エステル（Ｍｌに還元する。化合物（酌から（
ｖｌへの選択的酸化を、例えばピリジニウムークロロー
クロマートまたはＧｒ Ｏｓ／ピリジンを用いて行なう
。個々の反応段階の間にシクロヘキサン環のトランス−
配置は変わらない。
転化し、これを４−ヒドロキシメチルシクロヘキサンカ
ルボン酸エステル（Ｍｌに還元する。化合物（酌から（
ｖｌへの選択的酸化を、例えばピリジニウムークロロー
クロマートまたはＧｒ Ｏｓ／ピリジンを用いて行なう
。個々の反応段階の間にシクロヘキサン環のトランス−
配置は変わらない。
合成図式Ａに示した如く行なう反応手順、テトラフタル
酸モノアルキルエステル（１１中のカルボキシル基の所
望の活性化、化合物（明の選択的還元および続いての、
アルデヒドの段１ｖ（Ｖｌまでのカルビノール（１／ｌ
の酸化が、トランス−４−ホルミル−シクロヘキサンカ
ルボン酸エステル（Ｖ（に近ずくことを初めて可能とす
る。次の反応段階、即ち２−Ｍ換−プロパン−１，３−
ジオールでのアセタール化、エステル（Ｗｌからの酸（
ロ）の遊離および再度のエステル化の間にシクロヘキサ
ン環の異性化が生じないことは驚ろくべきことであった
。化合物（Ｖｌと（Ｍｌとの反応の場合には１．５−ジ
オキサン環の所でのシス型−／トランス型異性体が生じ
るが、トランス型化合物しか液晶皐動全示さない。適尚
な溶剤、例えばメタノールまたはｎ−ヘキツンを用いて
再結晶化処理することによって、トランス型異性体を分
離することが可能である。シス型異性体含有１゛の多く
成ったこの母液を酸性触媒の存在下で加熱することによ
って元のシス型／トランス型−割合の平衡状態にさせる
ことができ、その結呆繰シ返えし再結晶化処理および続
すて平衡化処理を行なうことによって、用いた原料の殆
んど全てを液晶のトランス型化合物として単Ｍ−ｊ−る
ことができる。既に開示された構造類似の液晶４′−ｎ
−アルキル−ビシクロへキサン−１−カルボン酸エステ
ルの合成〔Ｒ，アイデンシンク（Ｅｉｄｅｎｓｃｈｉｎ
ｋ） ； Ｊ、クラウゼ（Ｋｒａｕｓｅ’）； Ｌ、ボ
ール（ｐｏｈｌ）； 、ｒ、アイヒラ−（Ｅｉｃｈｌｅ
ｒ） ： ”リキッド・クリスタルズ・ブロク・インド
・コン７（ＬｌｑｕｌｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｐｒｏａ、
Ｉｎｔ、Ｃｏｎｆ、）”、 Ｓ、テアンドラゼクハー
（Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒ）編集、ハイデ：／ （
Ｈｅｙｄｅｎχロンドン（Ｌｏｎｄｏｎ） 、 （１９
８０）、第５１５頁〕の場合にも勿論同様にシス′！Ｊ
！！異性体生成物を形成するのだが、この生成物はメゾ
形態の挙動を示さず、反応混合物から分離しなけれはな
らない。しかしながら後から、前述の如〈実施される平
衡此処ｆＭは不可能であシ、とれによって用いｆｃ原料
の一部が失々われる。
酸モノアルキルエステル（１１中のカルボキシル基の所
望の活性化、化合物（明の選択的還元および続いての、
アルデヒドの段１ｖ（Ｖｌまでのカルビノール（１／ｌ
の酸化が、トランス−４−ホルミル−シクロヘキサンカ
ルボン酸エステル（Ｖ（に近ずくことを初めて可能とす
る。次の反応段階、即ち２−Ｍ換−プロパン−１，３−
ジオールでのアセタール化、エステル（Ｗｌからの酸（
ロ）の遊離および再度のエステル化の間にシクロヘキサ
ン環の異性化が生じないことは驚ろくべきことであった
。化合物（Ｖｌと（Ｍｌとの反応の場合には１．５−ジ
オキサン環の所でのシス型−／トランス型異性体が生じ
るが、トランス型化合物しか液晶皐動全示さない。適尚
な溶剤、例えばメタノールまたはｎ−ヘキツンを用いて
再結晶化処理することによって、トランス型異性体を分
離することが可能である。シス型異性体含有１゛の多く
成ったこの母液を酸性触媒の存在下で加熱することによ
って元のシス型／トランス型−割合の平衡状態にさせる
ことができ、その結呆繰シ返えし再結晶化処理および続
すて平衡化処理を行なうことによって、用いた原料の殆
んど全てを液晶のトランス型化合物として単Ｍ−ｊ−る
ことができる。既に開示された構造類似の液晶４′−ｎ
−アルキル−ビシクロへキサン−１−カルボン酸エステ
ルの合成〔Ｒ，アイデンシンク（Ｅｉｄｅｎｓｃｈｉｎ
ｋ） ； Ｊ、クラウゼ（Ｋｒａｕｓｅ’）； Ｌ、ボ
ール（ｐｏｈｌ）； 、ｒ、アイヒラ−（Ｅｉｃｈｌｅ
ｒ） ： ”リキッド・クリスタルズ・ブロク・インド
・コン７（ＬｌｑｕｌｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｐｒｏａ、
Ｉｎｔ、Ｃｏｎｆ、）”、 Ｓ、テアンドラゼクハー
（Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒ）編集、ハイデ：／ （
Ｈｅｙｄｅｎχロンドン（Ｌｏｎｄｏｎ） 、 （１９
８０）、第５１５頁〕の場合にも勿論同様にシス′！Ｊ
！！異性体生成物を形成するのだが、この生成物はメゾ
形態の挙動を示さず、反応混合物から分離しなけれはな
らない。しかしながら後から、前述の如〈実施される平
衡此処ｆＭは不可能であシ、とれによって用いｆｃ原料
の一部が失々われる。
合成図式Ａ：
Ｏ００
ｊ／ｖ
（但し、Ｒ６＝アルキル）
以下の実施例で本発明の化合物の製法を更に詳細に説明
する。
する。
実施例１
トランス−４−ヒドロキシメチルーシ／／Ｄヘキサン−
カルボン酸エチルエステル（Ｉｌ （Ｒ’：＝ｃ２Ｈ５
）の製造ニ ア５Ｗｉｌの無水Ｔ）（Ｆに溶解した１ ９．０．９（
０，１ｍｏ／ ）のへキサヒドローテレンタル酸−モノ
エチルエステル（組（Ｒ’ ＝ ０２Ｈ５）に、５０ｄ
の無水ＴＨＦに取った１ ０．８ ｆ／ （０，１ｍａ
ｔ ）のクロル−ｍ酸エチルエステル′ｆｒ−５ｒのも
とで加える。添加終了後にこの混合物を更に３０分攪拌
する。次いで、沈殿した固体を戸去しそしてＦ液をＮａ
ＢＨ４での還元反応に委ねる。
カルボン酸エチルエステル（Ｉｌ （Ｒ’：＝ｃ２Ｈ５
）の製造ニ ア５Ｗｉｌの無水Ｔ）（Ｆに溶解した１ ９．０．９（
０，１ｍｏ／ ）のへキサヒドローテレンタル酸−モノ
エチルエステル（組（Ｒ’ ＝ ０２Ｈ５）に、５０ｄ
の無水ＴＨＦに取った１ ０．８ ｆ／ （０，１ｍａ
ｔ ）のクロル−ｍ酸エチルエステル′ｆｒ−５ｒのも
とで加える。添加終了後にこの混合物を更に３０分攪拌
する。次いで、沈殿した固体を戸去しそしてＦ液をＮａ
ＢＨ４での還元反応に委ねる。
この目的の為にＰ液に、５０ｍ１の水に７，４ Ｉｌの
ＮａＢＨ４を溶解した溶液を冷却下に１０Ｃ〜１５Ｃの
もとで滴加する。４時間室温で後攪拌し、３ＮのＨｅ／
で酸性にする。酢酸エチルエステルでの徹底的な抽出、
精製した抽出物の５％濃度に２Ｃ０３溶液での洗浄、Ｎ
２Ｌ２Ｓ０４ での乾燥および減圧下での蒸留の後に
１１５．９ （理論値の７８％）の純粋なトランス−４
−ヒドロキシメチル−シクロヘキサンカルボン酸エチル
エステル（ｗｌ （’Ｋｐ１２： １ ｓ ｏ ｃ ）
カ得らｔＬ７．。
ＮａＢＨ４を溶解した溶液を冷却下に１０Ｃ〜１５Ｃの
もとで滴加する。４時間室温で後攪拌し、３ＮのＨｅ／
で酸性にする。酢酸エチルエステルでの徹底的な抽出、
精製した抽出物の５％濃度に２Ｃ０３溶液での洗浄、Ｎ
２Ｌ２Ｓ０４ での乾燥および減圧下での蒸留の後に
１１５．９ （理論値の７８％）の純粋なトランス−４
−ヒドロキシメチル−シクロヘキサンカルボン酸エチル
エステル（ｗｌ （’Ｋｐ１２： １ ｓ ｏ ｃ ）
カ得らｔＬ７．。
トランス−４−ホルミル−シクロヘキサンカルボン酸エ
チルエステル（Ｖｌ （Ｒ’ ＝ Ｃ２Ｈ３） ’を製
造する為に、２００鮮の無水メチレンクロライドに５２
．２１ （０，１５ｌｌ１ｏｌ ）のビリジニウムーク
ロロークロマートを懸濁させる。これに、３ＯＮのメチ
レンクロライドに１８．６．９ （０，ｌｌ１１０１り
の化合物（駒を入れたものを指押１に一度に添加する。
チルエステル（Ｖｌ （Ｒ’ ＝ Ｃ２Ｈ３） ’を製
造する為に、２００鮮の無水メチレンクロライドに５２
．２１ （０，１５ｌｌ１ｏｌ ）のビリジニウムーク
ロロークロマートを懸濁させる。これに、３ＯＮのメチ
レンクロライドに１８．６．９ （０，ｌｌ１１０１り
の化合物（駒を入れたものを指押１に一度に添加する。
１．５時間攪拌しｆｃ稜に、沈殿した黒色の残渣からデ
カンテーションによって除き、メチレンクロライドで稜
洗浄しそしてｆＰｉａしたメチレンクロライド溶液を濃
縮する。残渣を石油エーテル中に取シ、それによって同
時に油状の不純物が生ずる。この不純物はデカンテーシ
ョンまたはｐ過によって分離する。回転式蒸発器で石油
エーテルを除いた後に、減圧下での蒸留によって精製を
行なう。
カンテーションによって除き、メチレンクロライドで稜
洗浄しそしてｆＰｉａしたメチレンクロライド溶液を濃
縮する。残渣を石油エーテル中に取シ、それによって同
時に油状の不純物が生ずる。この不純物はデカンテーシ
ョンまたはｐ過によって分離する。回転式蒸発器で石油
エーテルを除いた後に、減圧下での蒸留によって精製を
行なう。
収量： ｉ ５．５ 、！ｉ’ （理論値の８４％）Ｋ
ｐ、２： １２８〜１３１７：０ トランス−４−（トランス−５−ｎ−へキシル−１，Ｓ
−ジオキサン−２−イル）−シクロヘキサンカルボン
酸エチルエステル（ｖＩＯ（Ｒ＝０６Ｈ１，５１Ｒ’＝
０２Ｈ５）を製造する為に、１，６ ｌ （１０ｍ ｍ
ａｔ）の２−ｎ−へキシル−プロパン−１，３−ジオー
ル（ＶＪ （Ｒ’＝ Ｃ６Ｈ１３）および１．ａ ４
ｉ （１ｏ ｍ ｍａｔ）ノドランス−４−ホルミル−
シクロヘキサンカルボン酸エチルエステル（ｖ）（Ｒ６
＝Ｃ２Ｈ５）ヲ１００ｙｎｌのベンゼン中において１０
０■のｐ−）シアンスルホン酸の存在下に１時間水分離
器において加熱する。冷却した反応混合物を２％濃度の
に２Ｃ０３溶液および水で洗浄し、次いでＮａ２ＳＯ４
で乾燥させる。回転式蒸発器で溶剤を除きそしてｎ−へ
キサンで数回再結晶処理した稜に、１．５ ＩＩの純粋
なトランス−４−（トランス−５−〇−へキシル−場、
５−ジオキサン−２−イル）−シクロヘキサンカルボン
酸エチルエステルが得られる。
ｐ、２： １２８〜１３１７：０ トランス−４−（トランス−５−ｎ−へキシル−１，Ｓ
−ジオキサン−２−イル）−シクロヘキサンカルボン
酸エチルエステル（ｖＩＯ（Ｒ＝０６Ｈ１，５１Ｒ’＝
０２Ｈ５）を製造する為に、１，６ ｌ （１０ｍ ｍ
ａｔ）の２−ｎ−へキシル−プロパン−１，３−ジオー
ル（ＶＪ （Ｒ’＝ Ｃ６Ｈ１３）および１．ａ ４
ｉ （１ｏ ｍ ｍａｔ）ノドランス−４−ホルミル−
シクロヘキサンカルボン酸エチルエステル（ｖ）（Ｒ６
＝Ｃ２Ｈ５）ヲ１００ｙｎｌのベンゼン中において１０
０■のｐ−）シアンスルホン酸の存在下に１時間水分離
器において加熱する。冷却した反応混合物を２％濃度の
に２Ｃ０３溶液および水で洗浄し、次いでＮａ２ＳＯ４
で乾燥させる。回転式蒸発器で溶剤を除きそしてｎ−へ
キサンで数回再結晶処理した稜に、１．５ ＩＩの純粋
なトランス−４−（トランス−５−〇−へキシル−場、
５−ジオキサン−２−イル）−シクロヘキサンカルボン
酸エチルエステルが得られる。
収量＝（理論値の４５％）。
この化合物は４２Ｃのもとて溶融し、７０Ｃまでスメテ
ツクＢ相を形成しそしてこの温度以上で等方性である。
ツクＢ相を形成しそしてこの温度以上で等方性である。
トランス−４−（トランス−５−ｎ−へキシル−１，３
−シオキｆンー２−イル）−シクロヘキサンカルボン酸
（ｗ（Ｒ１＝Ｃ６Ｈ４３）を製造する為に、５．２６１
（１０ｍ ｌｌ１ａｔ ）の化合物（■全５０１のア
ルコール中で１履ｌの水および１．１２ ｐ（２０ｍ
ｍａｔ ）のＫＯＨの存在下１ｃ１時間還流下に加熱す
る。溶剤の留去後に残渣を２０１の水に溶解しそしてＯ
Ｃのもとて塩酸で中和する。
−シオキｆンー２−イル）−シクロヘキサンカルボン酸
（ｗ（Ｒ１＝Ｃ６Ｈ４３）を製造する為に、５．２６１
（１０ｍ ｌｌ１ａｔ ）の化合物（■全５０１のア
ルコール中で１履ｌの水および１．１２ ｐ（２０ｍ
ｍａｔ ）のＫＯＨの存在下１ｃ１時間還流下に加熱す
る。溶剤の留去後に残渣を２０１の水に溶解しそしてＯ
Ｃのもとて塩酸で中和する。
遊離酸（冑をエーテル中に取ｐそしてエーテル相を２回
水で洗浄する。このエーテル相ｆ Ｎａ２８０４で乾燥
し、Ｆ遇しそして回転式蒸発器でエーテルを留去した彼
に、残渣をｎ−ヘキサンで３回再結晶処理する。２．４
１１ （理論値の８０％）の純粋な化合物■が得られる
。このものは１６１Ｃｔでスメチツク相を示しそして１
６１〜１８３Ｃの範囲においてネマチックである。
水で洗浄する。このエーテル相ｆ Ｎａ２８０４で乾燥
し、Ｆ遇しそして回転式蒸発器でエーテルを留去した彼
に、残渣をｎ−ヘキサンで３回再結晶処理する。２．４
１１ （理論値の８０％）の純粋な化合物■が得られる
。このものは１６１Ｃｔでスメチツク相を示しそして１
６１〜１８３Ｃの範囲においてネマチックである。
トランス−４−（トランス−５−ｎ−へキシル−１，３
−ジオキサン−２−イル）−シクロヘキサンカルボン酸
−４−シアンフェニルエステに、３ ’０８ｍ９（１ｍ
ｍａｔ ）の化合物（４）および１２０９（１ｍ ｍ
ａｔ ）の４−シアンフェニル並びに２２７ｔｂｇ（Ｌ
ｌ ｍ ｖｎｏｌ ）のジシクロへキシルカルボジイミ
ド（Ｄａｃ）ｆｌｒＪ−の無水エーテルに溶解する。こ
れに７ ｑｑ（１ｍ ｍａｔ ）の無水ピリジンを加え
る。次いで更に３〜４時間、室温のもとて湿気の排除下
に攪拌する。沈殿するジシクロヘキシル尿素ｔｐ去しそ
してｐ液を濃縮する。残渣を、一定の静滑ｍ度にまでメ
タノールおよびｎ−ヘキサンによって再結晶処理して精
製する。
−ジオキサン−２−イル）−シクロヘキサンカルボン酸
−４−シアンフェニルエステに、３ ’０８ｍ９（１ｍ
ｍａｔ ）の化合物（４）および１２０９（１ｍ ｍ
ａｔ ）の４−シアンフェニル並びに２２７ｔｂｇ（Ｌ
ｌ ｍ ｖｎｏｌ ）のジシクロへキシルカルボジイミ
ド（Ｄａｃ）ｆｌｒＪ−の無水エーテルに溶解する。こ
れに７ ｑｑ（１ｍ ｍａｔ ）の無水ピリジンを加え
る。次いで更に３〜４時間、室温のもとて湿気の排除下
に攪拌する。沈殿するジシクロヘキシル尿素ｔｐ去しそ
してｐ液を濃縮する。残渣を、一定の静滑ｍ度にまでメ
タノールおよびｎ−ヘキサンによって再結晶処理して精
製する。
収量：２２０〜（理論値の５５％）
Ｋ２ＯＮ１９１ Ｉ
実施例２
トランス−４−（トランス−５−ｎ−へキシル−１−一
ジオキサンー２−イル）−シクロヘキサンカルボン酸−
（４−ペンチルオキシフエを製造する為に、実施例１に
従って得られた３０ ＢＩＱ（１ｔａ ｍｏ／ ）の化
合物（％１ｌｉ１０１１／の無水エーテルに溶解しそし
て１２９〜（ｔｕｍｏｒ）のチオニルクロライドと混合
する。この反応混合物を１２時間室温で放置し、ＯＣに
冷却しそして５１の無水エーテルに１８０ｑ （１ｍ＋
ｎｏ／ ）のヒドロキノン−モノペンチルエーテルおよ
びｓｏｓａｇ（ｓｔｎｒｎｏｔ）のＴＥＡ’ｉｉ溶解し
た溶液を添加しそして更に１２時間室温で放置する。
ジオキサンー２−イル）−シクロヘキサンカルボン酸−
（４−ペンチルオキシフエを製造する為に、実施例１に
従って得られた３０ ＢＩＱ（１ｔａ ｍｏ／ ）の化
合物（％１ｌｉ１０１１／の無水エーテルに溶解しそし
て１２９〜（ｔｕｍｏｒ）のチオニルクロライドと混合
する。この反応混合物を１２時間室温で放置し、ＯＣに
冷却しそして５１の無水エーテルに１８０ｑ （１ｍ＋
ｎｏ／ ）のヒドロキノン−モノペンチルエーテルおよ
びｓｏｓａｇ（ｓｔｎｒｎｏｔ）のＴＥＡ’ｉｉ溶解し
た溶液を添加しそして更に１２時間室温で放置する。
次いで各５１の水、２％濃度ＫＯＨおよび再び水にて洗
浄し、Ｎａ２５ｏ４ で乾燥しそして回転式蒸発器で
エーテルを留去する。残渣ｉｎ−へキサンで数回再結晶
処理する。
浄し、Ｎａ２５ｏ４ で乾燥しそして回転式蒸発器で
エーテルを留去する。残渣ｉｎ−へキサンで数回再結晶
処理する。
収量＝２２９ｙ（理論値の４８％）
Ｋ４８〜５２ ８８１２９ Ｎ１４８ １同様ＶＣし
て以下の化合物’を製造し、転移温度を示す： 転移温度 実施例 化 合 物 ＫＳ
８ ＮＩＫ−結昌固体 ８８−スメチツクＢ Ｎ−ネマチック Ｉ−等方性 液晶混合物における本発明の所望の性質を説明する為に
以下の実施例が役立つ。
て以下の化合物’を製造し、転移温度を示す： 転移温度 実施例 化 合 物 ＫＳ
８ ＮＩＫ−結昌固体 ８８−スメチツクＢ Ｎ−ネマチック Ｉ−等方性 液晶混合物における本発明の所望の性質を説明する為に
以下の実施例が役立つ。
実施例１
以下の組成の混合物Ａは１０〜１４Ｃの融点および７２
Ｃの静滑点を有する： ５４．５ ｒｎｏ！、％の４−ｎ−グロビルシクロヘキ
サンカルボン酸−４−シアンフェニルエステル３、１．
Ｏｍｏ／％の４−ｎ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸
−４−シアンフェニルエステル ５４．５ ｎｏ／％の４−ｎ−ペンチルシクロヘキサン
カルボン酸−４−シアンフェニルエステル。
Ｃの静滑点を有する： ５４．５ ｒｎｏ！、％の４−ｎ−グロビルシクロヘキ
サンカルボン酸−４−シアンフェニルエステル３、１．
Ｏｍｏ／％の４−ｎ−ブチルシクロヘキサンカルボン酸
−４−シアンフェニルエステル ５４．５ ｎｏ／％の４−ｎ−ペンチルシクロヘキサン
カルボン酸−４−シアンフェニルエステル。
１０ ｒａｏ１％の本発明の化合物を加えることによっ
て以下の性質が結果として生ずる：ｌ ２
１ ０ − １
２ ８ ３実施例璽 以下の組成の置換ジオキサン混合物（靜漬点４３Ｃ）に
１０ ｍｏ７％の実施例３の化合物を混入する： ６５’Ｃの静滑点（即ち、２２Ｃだけ静滑点が高まる）
が結果としてヰする。
て以下の性質が結果として生ずる：ｌ ２
１ ０ − １
２ ８ ３実施例璽 以下の組成の置換ジオキサン混合物（靜漬点４３Ｃ）に
１０ ｍｏ７％の実施例３の化合物を混入する： ６５’Ｃの静滑点（即ち、２２Ｃだけ静滑点が高まる）
が結果としてヰする。
この実施例は、本発明の化合物が、以下の実施例から判
る様に他のパラメーターにマイナスの影響を及ぼすこと
なしに、所望の静滑点ｔ−達成することを示してｂる。
る様に他のパラメーターにマイナスの影響を及ぼすこと
なしに、所望の静滑点ｔ−達成することを示してｂる。
実施例層
電気光学的パラメーターを変える試験二組 成
１００ １．３２．６ １００ ３５９０ １１０１
．４２．８ １３４ ６２９０ ２１ＯＬ４２，８ ９
６ ３８ ９０ ３１０１．４２．８ ９７ ６５Ｕｏ ：２０Ｃ
，５００１１ｇでの閾値電圧Ｕ ：作動電圧 Ｅ” ： ５０％の強度変化、２０Ｃ，５００１ｇでの
立ち上がシ時間 Ａ”’ ： ５０％の強度変化、２０Ｃ，５００１ｚで
の立ち下が９時間 実施例■ 粘度を変える試験： 混合物 η（ｃｐ）
混合物Ａ ３５．０
混合物Ａ＋１０％の実施例１の化合物 ５３．０混
合物Ａ＋１０％の実施例２の化合物 ５８．５（但
し、ηは２０Ｃでの粘度である。）実施例Ｖ エンタルピー測定値： 実施例１．５．５および６の化合物について溶融エンタ
ルピーを測定した。
．４２．８ １３４ ６２９０ ２１ＯＬ４２，８ ９
６ ３８ ９０ ３１０１．４２．８ ９７ ６５Ｕｏ ：２０Ｃ
，５００１１ｇでの閾値電圧Ｕ ：作動電圧 Ｅ” ： ５０％の強度変化、２０Ｃ，５００１ｇでの
立ち上がシ時間 Ａ”’ ： ５０％の強度変化、２０Ｃ，５００１ｚで
の立ち下が９時間 実施例■ 粘度を変える試験： 混合物 η（ｃｐ）
混合物Ａ ３５．０
混合物Ａ＋１０％の実施例１の化合物 ５３．０混
合物Ａ＋１０％の実施例２の化合物 ５８．５（但
し、ηは２０Ｃでの粘度である。）実施例Ｖ エンタルピー測定値： 実施例１．５．５および６の化合物について溶融エンタ
ルピーを測定した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼ I 〔式中、Ｒ＾１はＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１、▲数式、
化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表等があり
ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼を、 Ｒ＾２はＲ＾１、▲数式、化学式、表等があります▼ま
たは▲数式、化学式、表等があります▼を、 Ｒ＾３はＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、 −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＮ、▲数式、化学式、表等があります
▼、 Ｒ＾５−ＯＯＣ−、Ｒ＾５−ＣＯＯ−または▲数式、化
学式、表等があります▼を、 Ｒ＾４はＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＯＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿
＋＿１またはＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１を Ｒ＾５はＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１または▲数式、化学
式、表等があります▼を並びに Ｘはｏまたはｓをそしてｎは０− １０を意味する。〕 で表わされる液晶のトランス−４−（トランス−５−置
換−１，３−ジオキサン−２−イル）−シクロヘキサン
カルボン酸エステル。 ２）一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼ I 〔式中、Ｒ＾１はＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１、▲数式、
化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表等があり
ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼を、 Ｒ＾２はＲ＾１、▲数式、化学式、表等があります▼ま
たは▲数式、化学式、表等があります▼を、 Ｒ＾３はＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、▲数式、化学式、表等
があります▼ −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＮ、▲数式、化学式、表等があります
▼、Ｒ＾５−ＯＯＣ−、Ｒ＾５−ＣＯＯ−または▲数式
、化学式、表等があります▼を、 Ｒ＾４はＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＯＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿
＋＿１またはＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１を Ｒ＾５はＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１または▲数式、化学
式、表等があります▼を並びに Ｘはｏまたはｓをそしてｎは０−１０ を意味する。〕 で表わされる液晶のトランス−４−（トランス−５−置
換−１，３−ジオキサン−２−イル）−シクロヘキサン
カルボン酸エステルを製造するに当つて、ヘキサヒドロ
−テレフタル酸モノアルキルエステルをクロル蟻酸アル
キルエステルと反応させ、選択的に還元してカルビノー
ルとしそして選択的に酸化してトランス−４−ホルミル
シクロヘキサンカルボン酸アルキルエステルとし、２−
置換−プロパン−１，３−ジオールと反応させてトラン
ス−４−／シス−トランス−５−置換−１，３−ジオキ
サン−２−イル／−シクロヘキサンカルボン酸アルキル
エステルとしそして適当なヒドロキシ化合物でケン化し
た後に再びエステル化し、その後にジオキサン環のトラ
ンス位配置の化合物を分離しそしてトランス−型−異性
体のこの分離後に母液中で含有量の多く成つたシス型−
異性体をｐ−トルエンスルホン酸、鉱酸またはルイス酸
（Ｌｅｖｉｓ−Ｓ■ｕｒｅ）の如き酸性触媒と一諸に加
熱することによつて平衡状態とさせそして生ずるトラン
ス型−異性体を再び分離することを特徴とする、上記ト
ランス−４−（トランス−５−置換−１，３−ジオキサ
ン−２−イル）−シクロヘキサンカルボン酸エステルの
製造方法。 ３）一般式 I ▲数式、化学式、表等があります▼ I 〔式中、Ｒ＾１はＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１、▲数式、
化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表等があり
ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼を、 Ｒ＾２はＲ＾１、▲数式、化学式、表等があります▼ま
たは▲数式、化学式、表等があります▼を、 Ｒ＾３は、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、▲数式、化学式、表
等があります▼、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＮ、▲数式、化学式
、表等があります▼、Ｒ＾５−ＯＯＣ−、Ｒ＾５−ＣＯ
Ｏまたは▲数式、化学式、表等があります▼を、 Ｒ＾４はＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＯＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿
＋＿１またはＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１を Ｒ＾５はＣ＿ｎＨ＿２＿ｎ＿＋＿１または▲数式、化学
式、表等があります▼を並びに Ｘはｏまたはｓをそしてｎは０−１０ を意味する。〕 で表わされる液晶のトランス−４−（トランス−５−置
換−１，３−ジオキサン−２−イル）−シクロヘキサン
カルボン酸エステルを、ネマチツク液晶混合物において
静澄点を高める為に用いる方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD09K/266980-6 | 1984-09-05 | ||
| DD26697984A DD227706A1 (de) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | Verfahren zur herstellung von kristallin-fluessigen trans-4- trans-5-subst.-1,3-dioxan-2-yl/- cyclohexancarbonsaeureestern |
| DD07D/266979-1 | 1984-09-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6176480A true JPS6176480A (ja) | 1986-04-18 |
Family
ID=5560200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60194993A Pending JPS6176480A (ja) | 1984-09-05 | 1985-09-05 | 液晶のトランス‐４‐（トランス‐５‐置換‐１，３‐ジオキサン‐２‐イル）‐シクロヘキサンカルボン酸エステル、その製造方法およびその用途 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6176480A (ja) |
| DD (1) | DD227706A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998017664A1 (en) * | 1996-10-22 | 1998-04-30 | Chisso Corporation | Dioxane derivatives, liquid-crystal compositions containing the same, and liquid-crystal display devices made by using the same |
| JP2004256490A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nagase Chemtex Corp | トランスシクロヘキサン誘導体の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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1984
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1985
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Also Published As
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