JPS6177242A - ウエ−ハの冷却装置 - Google Patents
ウエ−ハの冷却装置Info
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- JPS6177242A JPS6177242A JP59198146A JP19814684A JPS6177242A JP S6177242 A JPS6177242 A JP S6177242A JP 59198146 A JP59198146 A JP 59198146A JP 19814684 A JP19814684 A JP 19814684A JP S6177242 A JPS6177242 A JP S6177242A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体ウエーノ１に対してイオン注入等の処理
を行う際のウェー／・冷却装置に関する。
を行う際のウェー／・冷却装置に関する。
イオン注入を行う際のウエーノへ冷却装置について従来
の一例を第２図によシ述べる。プラテン１１は円形状を
なしその前側（左側）には浅い円形の凹みにした空間Ａ
が形成され、この空間Ａの外周にはパツキン１２がはめ
こまれている。またプラテン１１は図示省略した冷却流
体循環用の穴が設けられていることによシ常時冷却され
ており、かつ中央には穴１３があけである。ウェーハ１
４は表面をイオンビームＬの方向に向は裏面をプラテン
１１の方向に向けて、押えリング１５によりパツキン１
２に対し適当な力によシ円周上を均等に押しつけられて
いる。
の一例を第２図によシ述べる。プラテン１１は円形状を
なしその前側（左側）には浅い円形の凹みにした空間Ａ
が形成され、この空間Ａの外周にはパツキン１２がはめ
こまれている。またプラテン１１は図示省略した冷却流
体循環用の穴が設けられていることによシ常時冷却され
ており、かつ中央には穴１３があけである。ウェーハ１
４は表面をイオンビームＬの方向に向は裏面をプラテン
１１の方向に向けて、押えリング１５によりパツキン１
２に対し適当な力によシ円周上を均等に押しつけられて
いる。
このような構成において装置全体を１０−’ ｔｓｘＨ
ｇ程度の高真空に置くと共に空間Ａへ数ｍ Ｈｇ程度の
微小圧力のガスを穴１３から導入した後イオンビームＬ
を照射する。このときイオンビームＬがウェーハ１４の
表面を走査することにより、ウェーハ１４内部に発生し
た熱はガスを介してプラテン１１に伝シ放熱される。ま
たウェーハ１４の脱着は高真空内で行っても大気圧に解
放した後行ってもよいが、高真空内でウェーハ１４を取
りはずすときはその前に空間Ａ内のガスをポンプ（図示
せず）により、吸引した後空間Ａ内を外部の高真空に近
い圧力にして行う。なお大気圧に解放してウェーハ１４
の取りはずしを行う場合には、ウェーハ１４の破損金避
けるため、ウェーノ・１４０表面に接する空間の圧力と
ウェーノ１１４の裏面に接する空間Ａの圧力を等しく保
ちつつ、両者を大気圧１で上昇させてから行う。
ｇ程度の高真空に置くと共に空間Ａへ数ｍ Ｈｇ程度の
微小圧力のガスを穴１３から導入した後イオンビームＬ
を照射する。このときイオンビームＬがウェーハ１４の
表面を走査することにより、ウェーハ１４内部に発生し
た熱はガスを介してプラテン１１に伝シ放熱される。ま
たウェーハ１４の脱着は高真空内で行っても大気圧に解
放した後行ってもよいが、高真空内でウェーハ１４を取
りはずすときはその前に空間Ａ内のガスをポンプ（図示
せず）により、吸引した後空間Ａ内を外部の高真空に近
い圧力にして行う。なお大気圧に解放してウェーハ１４
の取りはずしを行う場合には、ウェーハ１４の破損金避
けるため、ウェーノ・１４０表面に接する空間の圧力と
ウェーノ１１４の裏面に接する空間Ａの圧力を等しく保
ちつつ、両者を大気圧１で上昇させてから行う。
このような装置ではウェーノ・１４自身にそり等の微小
変形があったり、或いはウェーノ・１４の裏面とパツキ
ン１２との間に塵埃やレジストの破片等の微粒子が介在
すると、ウェーノ・１４とノくツキン１２との接触が離
れるためガスが高真空側に洩れて良好なイオン注入が不
可能になる欠点があった。
変形があったり、或いはウェーノ・１４の裏面とパツキ
ン１２との間に塵埃やレジストの破片等の微粒子が介在
すると、ウェーノ・１４とノくツキン１２との接触が離
れるためガスが高真空側に洩れて良好なイオン注入が不
可能になる欠点があった。
本発明はこのような欠点を除去したものでその目的は、
ウェーノ・に変形のある場合ならびにウェーノ・の裏面
に微粒子が付着している場合でも何等支障なくイオン注
入等の処理を可能にしたウェーハの冷却装置を提供する
ことにある。
ウェーノ・に変形のある場合ならびにウェーノ・の裏面
に微粒子が付着している場合でも何等支障なくイオン注
入等の処理を可能にしたウェーハの冷却装置を提供する
ことにある。
本発明におけるウェーハの冷却装置は、浅い凹みを有し
かつ冷却された円形状のプラテンと、凹みをおおいかつ
その外周部をプラテンに固着してウェーハを固定する膜
と、ウェーハの裏面を膜に押しつける押、えリングと、
膜によシおおわれている凹み内に注入された流動性を有
する物質とからなることを特徴にしている。
かつ冷却された円形状のプラテンと、凹みをおおいかつ
その外周部をプラテンに固着してウェーハを固定する膜
と、ウェーハの裏面を膜に押しつける押、えリングと、
膜によシおおわれている凹み内に注入された流動性を有
する物質とからなることを特徴にしている。
以下本発明の一実施例を示した第１図について説明する
。プラテン２１は従来例と同様に円形状をなし内部には
冷却流体循環用の穴（図示せず）が設けられており、そ
の前側には浅い円形の凹みにした空間Ａが形成されてい
る。空間Ａは穴２２によシ外部に連通しその端部は栓２
３で閉じられている。咬た空間人の開放面はＳｉゴム等
の弾力性がちシ薄い例えば０．３調程度の膜２４によシ
おおわれ、膜２４の外周は固定リング２５を介してプラ
テン２１に固着されている。ウェーノー１４は表面をイ
オンビームＬの方向に向は裏面をプラテン２１の方向に
向けている。押えリング２６は第１図において左右方向
へ移動可能に取付けられておシ、例えばスプリング（図
示せず）等によシウエーハ１４に向って押圧されること
によシウエ熱伝導率が高くかつ流動性を有する物質２７
が注入され、栓２３によって閉じられている。ただしガ
リウムを用いた場合ガリウムの融点が約３０℃であるの
でプラテン２１はガリウムが常に液体であるように３０
℃以上（例えば３５℃）に保たれなければならない。
。プラテン２１は従来例と同様に円形状をなし内部には
冷却流体循環用の穴（図示せず）が設けられており、そ
の前側には浅い円形の凹みにした空間Ａが形成されてい
る。空間Ａは穴２２によシ外部に連通しその端部は栓２
３で閉じられている。咬た空間人の開放面はＳｉゴム等
の弾力性がちシ薄い例えば０．３調程度の膜２４によシ
おおわれ、膜２４の外周は固定リング２５を介してプラ
テン２１に固着されている。ウェーノー１４は表面をイ
オンビームＬの方向に向は裏面をプラテン２１の方向に
向けている。押えリング２６は第１図において左右方向
へ移動可能に取付けられておシ、例えばスプリング（図
示せず）等によシウエーハ１４に向って押圧されること
によシウエ熱伝導率が高くかつ流動性を有する物質２７
が注入され、栓２３によって閉じられている。ただしガ
リウムを用いた場合ガリウムの融点が約３０℃であるの
でプラテン２１はガリウムが常に液体であるように３０
℃以上（例えば３５℃）に保たれなければならない。
この状態でイオンビームＬがウェーハ１４の表面を走査
することによりイオン注入がなされ、イオンビームＬの
ために熱せられたウェーハ１４は物質２７を介してプラ
テン２１に伝り放熱される。ここで膜２４にウェーハ１
４が押付けられていない場合は、膜２４の外側に接する
高真空の圧力と膜２４の張力との和が、凹みＡ内の圧力
（物質２７の蒸気圧）にバランスする位置まで膜２４は
変形する。しかしながらその変形量はウェーノ１１４の
取付けに支障のない量であシ、また変形によシ膜２４に
発生する応力は繰シ返し使用に耐えるよう十分小さい値
でなければならない。従って膜２４の材質および厚さな
らびに物質２７の選定に当ってはそれらの点を十分考慮
して定める。
することによりイオン注入がなされ、イオンビームＬの
ために熱せられたウェーハ１４は物質２７を介してプラ
テン２１に伝り放熱される。ここで膜２４にウェーハ１
４が押付けられていない場合は、膜２４の外側に接する
高真空の圧力と膜２４の張力との和が、凹みＡ内の圧力
（物質２７の蒸気圧）にバランスする位置まで膜２４は
変形する。しかしながらその変形量はウェーノ１１４の
取付けに支障のない量であシ、また変形によシ膜２４に
発生する応力は繰シ返し使用に耐えるよう十分小さい値
でなければならない。従って膜２４の材質および厚さな
らびに物質２７の選定に当ってはそれらの点を十分考慮
して定める。
本発明におけるウェーハの冷却装置は以上説明したよう
に、前面に浅い凹みの空間を有するブラテンの空間を膜
でおおい、この空間に流動性があシかつ熱伝導率の高い
物質を注入した後、固定リングによυウェーハを膜に密
着固定するようにした。このためウェーハに多小の変形
がある場合も或いはウェーハの裏面に微粒子が付着した
場合でも、物質２７は膜があるため高真空側に洩れるこ
とはない。従って良好なイオン注入等が可能になる利点
を有する。
に、前面に浅い凹みの空間を有するブラテンの空間を膜
でおおい、この空間に流動性があシかつ熱伝導率の高い
物質を注入した後、固定リングによυウェーハを膜に密
着固定するようにした。このためウェーハに多小の変形
がある場合も或いはウェーハの裏面に微粒子が付着した
場合でも、物質２７は膜があるため高真空側に洩れるこ
とはない。従って良好なイオン注入等が可能になる利点
を有する。
６一
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来例の
断面図である。 １４・・・ウェーハ、２１・・・プラテン、２４・・・
膜、２６・・・押えリング
断面図である。 １４・・・ウェーハ、２１・・・プラテン、２４・・・
膜、２６・・・押えリング
Claims (1)
- 浅い凹みを有しかつ冷却された円形状のプラテンと、
前記凹みをおおいかつその外周部を前記プラテンに固着
してウェーハを固定する膜と、前記ウェーハの裏面を前
記膜に押しつける押えリングと、前記膜によりおおわれ
ている凹み内に注入された流動性を有する物質とからな
るウェーハの冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198146A JPS6177242A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | ウエ−ハの冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59198146A JPS6177242A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | ウエ−ハの冷却装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177242A true JPS6177242A (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=16386224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59198146A Pending JPS6177242A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | ウエ−ハの冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177242A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62201936U (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-23 |
-
1984
- 1984-09-21 JP JP59198146A patent/JPS6177242A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62201936U (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-23 |
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