JPS6177405A - 電界効果トランジスタ用バイアス回路 - Google Patents
電界効果トランジスタ用バイアス回路Info
- Publication number
- JPS6177405A JPS6177405A JP59197797A JP19779784A JPS6177405A JP S6177405 A JPS6177405 A JP S6177405A JP 59197797 A JP59197797 A JP 59197797A JP 19779784 A JP19779784 A JP 19779784A JP S6177405 A JPS6177405 A JP S6177405A
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- JP
- Japan
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- effect transistor
- field effect
- potential difference
- drain
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/306—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in junction-FET amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電界効果トランジスタ用のバイアス回路に関し
、特に何等かの原因で直流パラメータに変動が生じた場
合でも、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間の
電位差及びドレイン電流を、演算増幅器を使用して自動
的に一定に保持する事が出来るように改良を施したバイ
アス回路に関する。
、特に何等かの原因で直流パラメータに変動が生じた場
合でも、電界効果トランジスタのドレイン・ソース間の
電位差及びドレイン電流を、演算増幅器を使用して自動
的に一定に保持する事が出来るように改良を施したバイ
アス回路に関する。
第２図は、ドレイン接地した電界効果トランジスタに直
流バイアスを供給するバイアス回路の従来例を示す。こ
の電界効果トランジスタ用バイアス回路は、可変抵抗器
２の中間端子と電界効果トランジスタ１のゲート電極と
を接続している。電界効果トランジスタ１のソース電極
は抵抗器３を介して負電源に接続している。また、可変
抵抗器２はその一端を接地し、他端は抵抗器３を接続し
た電源と同じ負電源に接続している。このようにして可
変抵抗器２の中間端子の位置を変える事により、ゲート
・ノース間の電位差を変えて所定のドレイン電流、ドレ
イン・ソース間の電位差を得ている。
流バイアスを供給するバイアス回路の従来例を示す。こ
の電界効果トランジスタ用バイアス回路は、可変抵抗器
２の中間端子と電界効果トランジスタ１のゲート電極と
を接続している。電界効果トランジスタ１のソース電極
は抵抗器３を介して負電源に接続している。また、可変
抵抗器２はその一端を接地し、他端は抵抗器３を接続し
た電源と同じ負電源に接続している。このようにして可
変抵抗器２の中間端子の位置を変える事により、ゲート
・ノース間の電位差を変えて所定のドレイン電流、ドレ
イン・ソース間の電位差を得ている。
ところで、この構成においては、電界効果トランジスタ
ｌを交換した場合には、可変抵抗器２の中間端子の位置
を調整する必要が生じ、且つ可変抵抗器２の信頼度が低
い為、バイアス回路としての信頼度も低くなるという問
題がある。
ｌを交換した場合には、可変抵抗器２の中間端子の位置
を調整する必要が生じ、且つ可変抵抗器２の信頼度が低
い為、バイアス回路としての信頼度も低くなるという問
題がある。
本発明の目的は、電界効果トランジスタに一定のドレイ
ン電流、ドレイン・ソース間の電位差を自動的に供給で
きるようにし、より安定した電界効果トランジスタ用バ
イアス回路を提供する事にある。
ン電流、ドレイン・ソース間の電位差を自動的に供給で
きるようにし、より安定した電界効果トランジスタ用バ
イアス回路を提供する事にある。
前記目的を達成する為に１本発明による電界効果トラン
ジスタ用バイアス回路は、演算増幅器を使用して直流パ
ラメータの変動に起因して前記電界効果トランジスタの
ドレイン電流及びドレイン・ソース間の電位差の変化分
を検出し。
ジスタ用バイアス回路は、演算増幅器を使用して直流パ
ラメータの変動に起因して前記電界効果トランジスタの
ドレイン電流及びドレイン・ソース間の電位差の変化分
を検出し。
それを補う方向に動作する様に構成しである。
上記の構成によれば、自動的にドレイン・ソース間の電
位差及びドレイン電流を一定に保持する事が出来、更に
前記演算増幅器の増幅度を大きくする事により、直流パ
ラメータの変動によるバイアス条件の変動をより小さく
抑える事が出来２本発明の目的は確実に達成出来る。
位差及びドレイン電流を一定に保持する事が出来、更に
前記演算増幅器の増幅度を大きくする事により、直流パ
ラメータの変動によるバイアス条件の変動をより小さく
抑える事が出来２本発明の目的は確実に達成出来る。
以下１図面を参照して本発明を更に詳しく説明する。
第１図は本発明の実施例を示す図である。
この回路は、演算増幅器１０の出力電極を電界効果トラ
ンジスタ１のゲート電極に接続すると共に、抵抗器４を
介して演算増幅器１０の反転入力電極に接続している。
ンジスタ１のゲート電極に接続すると共に、抵抗器４を
介して演算増幅器１０の反転入力電極に接続している。
電界効果トランジスタｌの×−スミ極は抵抗器５を介し
て電源の負電極に接続している。演算増幅器１００反転
反転入力電極非反転入力電極はそれぞれ、抵抗器６及び
直列接続された抵抗器７と抵抗器８を介して。
て電源の負電極に接続している。演算増幅器１００反転
反転入力電極非反転入力電極はそれぞれ、抵抗器６及び
直列接続された抵抗器７と抵抗器８を介して。
電界効果トランジスタ１０ノース電極と抵抗器５との接
続点及び電源の負電極に接続している。
続点及び電源の負電極に接続している。
また、抵抗器７とμ（抗器８との接続点を抵抗器９を介
して接地している。このようにして、直流パラメータの
変動に起因して電界効果トランジスタ１のドレイン電流
及びドレイン・ソース間の電位差が変化した時にはその
変化分を検出し、それを補う方向に動作する様に構成し
ている。
して接地している。このようにして、直流パラメータの
変動に起因して電界効果トランジスタ１のドレイン電流
及びドレイン・ソース間の電位差が変化した時にはその
変化分を検出し、それを補う方向に動作する様に構成し
ている。
抵抗器５は所定のトンイン電流が流れた時にドレイン・
ソース間の電位差が所定の電位差となる様な抵抗値に定
められる。抵抗器８．９は演算増幅器］０の非反転入力
電極に印加する基準の・ｉ？Ｊ （ｆｆｌ差を決めるも
ので、ドレイン・ソース間の１ｚ位差に等しくなる様に
定められる。また、抵抗器４．６．７は演算増幅器を所
定の利得を持たせて動作させる為の抵抗で、演算増幅器
１０の利得は抵抗器６に対する抵抗器４の抵抗値の比に
より決定される。
ソース間の電位差が所定の電位差となる様な抵抗値に定
められる。抵抗器８．９は演算増幅器］０の非反転入力
電極に印加する基準の・ｉ？Ｊ （ｆｆｌ差を決めるも
ので、ドレイン・ソース間の１ｚ位差に等しくなる様に
定められる。また、抵抗器４．６．７は演算増幅器を所
定の利得を持たせて動作させる為の抵抗で、演算増幅器
１０の利得は抵抗器６に対する抵抗器４の抵抗値の比に
より決定される。
今、何らかの原因で直流パラメータが変化しドレイン電
流が減少したとする。このドレイン電流の減少により抵
抗器５の電圧降下は減少し。
流が減少したとする。このドレイン電流の減少により抵
抗器５の電圧降下は減少し。
電界効果トランジスタ１のドレイン・ソース間の電位差
が犬きくな）、演算増幅器１０の非反転入力電極に印加
した前記の基準の電位差との間に差を生じる。これに対
応して１反転増幅器を構成している演算増幅器１０の出
力電圧の絶対値は減少し、電界効果トランジスタ１のゲ
ート・ノース間の電位差は減少する。その結果、電界効
果トランジスタ１のドレイン電流は増加し。
が犬きくな）、演算増幅器１０の非反転入力電極に印加
した前記の基準の電位差との間に差を生じる。これに対
応して１反転増幅器を構成している演算増幅器１０の出
力電圧の絶対値は減少し、電界効果トランジスタ１のゲ
ート・ノース間の電位差は減少する。その結果、電界効
果トランジスタ１のドレイン電流は増加し。
抵抗器５の電圧降下も増加して、電界効果トランジスタ
１のドレイン・ソース間の電位差は前記の基準の電位差
と等しい電位差に戻る。
１のドレイン・ソース間の電位差は前記の基準の電位差
と等しい電位差に戻る。
以上のプロセスにより、電界効果トランジスタ１のドレ
イン電流、ひいてはドレイン・ソース間の電位差を一定
に深つ事が出来る。
イン電流、ひいてはドレイン・ソース間の電位差を一定
に深つ事が出来る。
以上説明した様に１本発明によれば電界効果トランジス
タを交換した場合にも、また電界効果トランジスタの直
流パラメータの変化にも。
タを交換した場合にも、また電界効果トランジスタの直
流パラメータの変化にも。
自動的に演算増幅器の利得に比例した精度でドレイノミ
流及びドレイン・ソース間の電位差を一定に保つ事が出
来る。
流及びドレイン・ソース間の電位差を一定に保つ事が出
来る。
第１図は本発明による電界効果トランジスタ用バイアス
回路の実施例を示す回路図、第２図は従来のバイアス回
路の回路図。 図中、１・・・電界効果トランジスタ。 １０・・・演算増幅器。 第１図 声２図
回路の実施例を示す回路図、第２図は従来のバイアス回
路の回路図。 図中、１・・・電界効果トランジスタ。 １０・・・演算増幅器。 第１図 声２図
Claims (1)
- １、直流的にドレインを接地して電界効果トランジスタ
１を負電源で使用する場合の直流バイアス回路において
、演算増幅器１０の出力電極を電界効果トランジスタ１
のゲート電極に接続すると共に、抵抗器４を介して演算
増幅器１０の反転入力電極に接続し、電界効果トランジ
スタ１のソース電極は抵抗器５を介して電源の負電極に
接続し、演算増幅器１０の反転入力電極及び非反転入力
電極はそれぞれ、抵抗器６及び互いに直列接続された抵
抗器７と抵抗器８を介して電界効果トランジスタ１のソ
ース電極と抵抗器５との接続点及び電源の負電極に接続
し、更に抵抗器７と抵抗器８との接続点を抵抗器９を介
して接地した回路を含み、直流パラメータの変動に起因
して電界効果トランジスタ１のドレイン電流及びドレイ
ン・ソース間の電位差が変化した時にはその変化分を検
出してそれを補う方向に動作するように構成したことを
特徴とする電界効果トランジスタ用バイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59197797A JPS6177405A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | 電界効果トランジスタ用バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59197797A JPS6177405A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | 電界効果トランジスタ用バイアス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6177405A true JPS6177405A (ja) | 1986-04-21 |
Family
ID=16380508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59197797A Pending JPS6177405A (ja) | 1984-09-22 | 1984-09-22 | 電界効果トランジスタ用バイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6177405A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994023491A1 (en) * | 1993-03-26 | 1994-10-13 | Qualcomm Incorporated | Power amplifier bias control circuit and method |
-
1984
- 1984-09-22 JP JP59197797A patent/JPS6177405A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994023491A1 (en) * | 1993-03-26 | 1994-10-13 | Qualcomm Incorporated | Power amplifier bias control circuit and method |
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