JPS6181631A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6181631A JPS6181631A JP59203204A JP20320484A JPS6181631A JP S6181631 A JPS6181631 A JP S6181631A JP 59203204 A JP59203204 A JP 59203204A JP 20320484 A JP20320484 A JP 20320484A JP S6181631 A JPS6181631 A JP S6181631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- semiconductor device
- cvd
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に信頼度の高い表面保護
膜を有する半導体装置に関する。
膜を有する半導体装置に関する。
従来、半導体基板に不純物を拡散して素子を形成し各素
子をＡ４−？Ａｔ合金等の金属配線で接続した後、キズ
による不良の低減や耐湿性の向上を目的として、常圧の
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ ）法やプラズマＣＶＤ法によって、シリコン酸
化膜、 ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ ８ｉ１ｉ−
ｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ ）膜、シリコン窒化膜を形成し
ていた。
子をＡ４−？Ａｔ合金等の金属配線で接続した後、キズ
による不良の低減や耐湿性の向上を目的として、常圧の
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ ）法やプラズマＣＶＤ法によって、シリコン酸
化膜、 ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ ８ｉ１ｉ−
ｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ ）膜、シリコン窒化膜を形成し
ていた。
第２図及び第３図は従来の保護膜を有する半導体装置の
断面図を示す。両図において、ｌはシリコン基板で２は
約７０００１のシリコン酸化膜、３は１μｍの厚さのＡ
ｔ配線でちる。金属配線が形成された後、ハンドリンク
によるキズを防いだり耐湿性を向上させるために、第２
図のようにモノシラン（ＳｉＨ４）ａ酸素（０２）Ｉ７
オスフイン（ＰＨｓ）から、常圧下でＣＶＤ法によって
シリコン酸化膜中に五酸化燐（Ｐ２Ｏ３）が３から６モ
ルチ含まれるＰ８Ｇ膜４を、あるいは第３図のようにモ
ノ７ラン（８ｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）を減圧状
態でプラズマ励起するプラズマＣＶＤ法によってシリコ
ン窒化膜５を形成していた。
断面図を示す。両図において、ｌはシリコン基板で２は
約７０００１のシリコン酸化膜、３は１μｍの厚さのＡ
ｔ配線でちる。金属配線が形成された後、ハンドリンク
によるキズを防いだり耐湿性を向上させるために、第２
図のようにモノシラン（ＳｉＨ４）ａ酸素（０２）Ｉ７
オスフイン（ＰＨｓ）から、常圧下でＣＶＤ法によって
シリコン酸化膜中に五酸化燐（Ｐ２Ｏ３）が３から６モ
ルチ含まれるＰ８Ｇ膜４を、あるいは第３図のようにモ
ノ７ラン（８ｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）を減圧状
態でプラズマ励起するプラズマＣＶＤ法によってシリコ
ン窒化膜５を形成していた。
上述による表面保護膜のうち、常圧ＣＶＤによるＰ８Ｇ
膜４は、その成長方式のためＡｔ配線段部でのステ、プ
カバレ、ジが悪くなシ、シかもＰＥＧ膜自体機械的強度
が弱いため、Ａｔ配線の段部でクラ、りが発生しやすく
なる。またプラズマＣＶＤによるシリコン窒化膜の場合
、機械的強度も強く段部でのステ、プカバレッジも良好
であるが、窒化膜の内部応力が平坦部では圧縮応力であ
るが、段部では引張応力となるためやはシ段部にクラ、
りが発生しやすくなる。
膜４は、その成長方式のためＡｔ配線段部でのステ、プ
カバレ、ジが悪くなシ、シかもＰＥＧ膜自体機械的強度
が弱いため、Ａｔ配線の段部でクラ、りが発生しやすく
なる。またプラズマＣＶＤによるシリコン窒化膜の場合
、機械的強度も強く段部でのステ、プカバレッジも良好
であるが、窒化膜の内部応力が平坦部では圧縮応力であ
るが、段部では引張応力となるためやはシ段部にクラ、
りが発生しやすくなる。
上述した従来の半導体装置の表面保護膜は何れも金属配
線の膜厚が厚くなったシ、段部の傾斜が急峻になってく
ると、その上部に形成したＣＶＤ絶縁膜に金属配線の段
部のところで、り２ツクが発生しゃすくなル、半導体装
置の信頼度、特に耐湿性の向上を阻害する大きな要因と
なっていた。
線の膜厚が厚くなったシ、段部の傾斜が急峻になってく
ると、その上部に形成したＣＶＤ絶縁膜に金属配線の段
部のところで、り２ツクが発生しゃすくなル、半導体装
置の信頼度、特に耐湿性の向上を阻害する大きな要因と
なっていた。
本発明の半導体装置は上記問題点に着目してなされたも
ので、金属配線の上部にクラ、りの発生しない表面保護
膜を有する半導体装置を提供することを目的とする。
ので、金属配線の上部にクラ、りの発生しない表面保護
膜を有する半導体装置を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置は、基板の一生面に形成された複数
個の素子と該複数個の各素子を接続する金属配線が形成
された半導体基板表面に表面保護膜として回転塗布法で
形成された第１の絶縁膜とＣＶＤ法で形成された第２の
絶縁膜よりなる複層の絶縁膜を有することＫよシ構成さ
れる。
個の素子と該複数個の各素子を接続する金属配線が形成
された半導体基板表面に表面保護膜として回転塗布法で
形成された第１の絶縁膜とＣＶＤ法で形成された第２の
絶縁膜よりなる複層の絶縁膜を有することＫよシ構成さ
れる。
次に１本発明について、図面を参照して説明する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施例並びにそ
の製造方法を説明するために工程順に示した断面図であ
る。なお、説明の都合上半導体基板表面に形成した素子
の表示は省略した。
の製造方法を説明するために工程順に示した断面図であ
る。なお、説明の都合上半導体基板表面に形成した素子
の表示は省略した。
まず、第１図（ａｌに示すように、複数個の素子が形成
されたシリコン基板ｌのシリコン熱酸化膜２上ＫＡｔ配
線３を形成し、しかる後ケイ素化合物（Ｒｎ ８ｉ （
ＯＨ）４−ｎ ）を有機溶剤に溶解したものを表面に回
転塗布する。これを窒素雰囲気中において３００℃で６
０分間、さらに４５０’Ｃで３０分間ベークして、シリ
コン酸化膜６を形成する。こうして段部で厚く平坦部で
薄いシリコン酸化膜を形成することによｐｈｔ配線によ
ってできた急峻な段をなだらかにすることができる。
されたシリコン基板ｌのシリコン熱酸化膜２上ＫＡｔ配
線３を形成し、しかる後ケイ素化合物（Ｒｎ ８ｉ （
ＯＨ）４−ｎ ）を有機溶剤に溶解したものを表面に回
転塗布する。これを窒素雰囲気中において３００℃で６
０分間、さらに４５０’Ｃで３０分間ベークして、シリ
コン酸化膜６を形成する。こうして段部で厚く平坦部で
薄いシリコン酸化膜を形成することによｐｈｔ配線によ
ってできた急峻な段をなだらかにすることができる。
次に、第１図（ｂｌに示すように、塗布法で形成された
シリコン酸化膜６上に常圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤによ
ってＰ２Ｏ膜やシリコン窒化膜のようなＣＶＤ絶縁膜７
を形成する。
シリコン酸化膜６上に常圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤによ
ってＰ２Ｏ膜やシリコン窒化膜のようなＣＶＤ絶縁膜７
を形成する。
以上によシ基板の一生面に形成された複数個の素子とこ
れら複数個の各素子を接続する金属配線３が形成された
半導体基板ｌの表面に表面保護膜として回転塗布法で形
成された第１の絶縁膜６とＣＶＤ法で形成された第２の
絶縁膜７とよりなる複層の絶縁膜を有する半導体装置が
得られる。
れら複数個の各素子を接続する金属配線３が形成された
半導体基板ｌの表面に表面保護膜として回転塗布法で形
成された第１の絶縁膜６とＣＶＤ法で形成された第２の
絶縁膜７とよりなる複層の絶縁膜を有する半導体装置が
得られる。
なお、本発明において、回転塗布法によって形成する第
１の絶縁膜はシリコン酸化膜に限定されず、ポリイミド
のような有機絶縁膜でもよい。
１の絶縁膜はシリコン酸化膜に限定されず、ポリイミド
のような有機絶縁膜でもよい。
以上説明したように１本発明によれば、金属配線の膜厚
が厚くな）段差が大きくなったプ、Ａ、／＝金合金のよ
うに、ＲＩＥ（几ｅａｃｔｉｖｅ ＩＯＮＥｔｃｈｉ
ｎｇ ）を使って配線を形成して段部の傾斜が急峻にな
っても、その上に形成したＣＶＤ絶縁膜にクラ、りが発
生することがなくな）、半導体装置の信頼度特に耐湿性
を大幅に改善することができた。
が厚くな）段差が大きくなったプ、Ａ、／＝金合金のよ
うに、ＲＩＥ（几ｅａｃｔｉｖｅ ＩＯＮＥｔｃｈｉ
ｎｇ ）を使って配線を形成して段部の傾斜が急峻にな
っても、その上に形成したＣＶＤ絶縁膜にクラ、りが発
生することがなくな）、半導体装置の信頼度特に耐湿性
を大幅に改善することができた。
第１図（ａｌ 、 （ｂｌは本発明の一実施例及びその
製造方法を説明するために工程順に示した断面図、第２
図および第３図は何れも従来の保護膜を有する半導体装
置の断面図である。 ｌ・・・・・・半導体基板（シリコン基板）、２・・・
・・・シリコン熱酸化膜、３・・・・・・金属配線（Ａ
ｔ配線）、４・・・・・・ＣＶＤ ＰＥＧ膜、５・・・
・・・ＰＣＶＤ シリコン窒化膜、６・・・・・・第１
の絶縁膜（回転塗布シリコン酸化膜）、７・・・・・・
第２の絶縁膜（ＣＶＤ絶縁膜）。 代理人 弁理士 内 原 ８ °’ ：、’、ｐ
、：。 １・′ ”１ （αン （ｂ） 第１ 図 ３Ａｅ配東 第２ 凹 第３図
製造方法を説明するために工程順に示した断面図、第２
図および第３図は何れも従来の保護膜を有する半導体装
置の断面図である。 ｌ・・・・・・半導体基板（シリコン基板）、２・・・
・・・シリコン熱酸化膜、３・・・・・・金属配線（Ａ
ｔ配線）、４・・・・・・ＣＶＤ ＰＥＧ膜、５・・・
・・・ＰＣＶＤ シリコン窒化膜、６・・・・・・第１
の絶縁膜（回転塗布シリコン酸化膜）、７・・・・・・
第２の絶縁膜（ＣＶＤ絶縁膜）。 代理人 弁理士 内 原 ８ °’ ：、’、ｐ
、：。 １・′ ”１ （αン （ｂ） 第１ 図 ３Ａｅ配東 第２ 凹 第３図
Claims (1)
- 基板の一主面上に形成された複数個の素子と該複数個
の各素子を接続する金属配線が形成された半導体基板表
面に、表面保護膜として回転塗布法で形成された第１の
絶縁膜とＣＶＤ法で形成された第２の絶縁膜とよりなる
複層の絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203204A JPS6181631A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203204A JPS6181631A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6181631A true JPS6181631A (ja) | 1986-04-25 |
Family
ID=16470188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59203204A Pending JPS6181631A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6181631A (ja) |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59203204A patent/JPS6181631A/ja active Pending
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