JPS6184908A - 高周波回路におけるバイアス回路 - Google Patents
高周波回路におけるバイアス回路Info
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- JPS6184908A JPS6184908A JP59207618A JP20761884A JPS6184908A JP S6184908 A JPS6184908 A JP S6184908A JP 59207618 A JP59207618 A JP 59207618A JP 20761884 A JP20761884 A JP 20761884A JP S6184908 A JPS6184908 A JP S6184908A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- bias
- emitter
- stage
- voltage
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- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
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- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（，１）技術分野
この発明は高周波増幅回路等の高周波回路にハ・イアス
ミ圧を供給するバイアス回路に関し、特に電流−電圧変
換によって形成されたバイアス電圧中に混入するノイズ
を除去するローパスフィルタ回路を含むバイアス回路の
改良に関する。
ミ圧を供給するバイアス回路に関し、特に電流−電圧変
換によって形成されたバイアス電圧中に混入するノイズ
を除去するローパスフィルタ回路を含むバイアス回路の
改良に関する。
（ｂｌ従来技術とその欠点
高周波増幅回路等の高周波回路において、所定のハ・イ
アスミ圧を形成するには、−Ｃにトランジスタ等を含む
定電流源から供給される電流を電圧変換し、その電圧を
ローパスフィルタ回路を通して得るようにする。電流−
電圧変換して形成した電圧、をローパスフィルタ回路を
通すのは、電流源回路等に含まれるトランジスタ等が発
生する広範囲スペクトルのノイズ（熱雑音やショットＭ
音等に起因する）を除去し、高周波信号にバイアス回路
を得てノイズが混入しないようにするためである。第４
図はＣＲ時定数によるローパスフィルタ回路を含む従来
のバイアス回路の回路図である。
アスミ圧を形成するには、−Ｃにトランジスタ等を含む
定電流源から供給される電流を電圧変換し、その電圧を
ローパスフィルタ回路を通して得るようにする。電流−
電圧変換して形成した電圧、をローパスフィルタ回路を
通すのは、電流源回路等に含まれるトランジスタ等が発
生する広範囲スペクトルのノイズ（熱雑音やショットＭ
音等に起因する）を除去し、高周波信号にバイアス回路
を得てノイズが混入しないようにするためである。第４
図はＣＲ時定数によるローパスフィルタ回路を含む従来
のバイアス回路の回路図である。
図において、ダイオードＤはバイアス出力端子Ｋに接続
される図示しない高周波回路の温度係数とバイアス回路
回路の温度係数とを合わせるためのものである。ダイオ
ードＤ、このダイオードＤに直列に接続される抵抗Ｒ１
およびコンデンサＣＩは初段のローパスフィルタ回路を
構成する。抵抗Ｒ１はフィルタ要素として作用するとと
もに、電流源−［、から流入する電流ｉを電流−電圧変
換する。
される図示しない高周波回路の温度係数とバイアス回路
回路の温度係数とを合わせるためのものである。ダイオ
ードＤ、このダイオードＤに直列に接続される抵抗Ｒ１
およびコンデンサＣＩは初段のローパスフィルタ回路を
構成する。抵抗Ｒ１はフィルタ要素として作用するとと
もに、電流源−［、から流入する電流ｉを電流−電圧変
換する。
抵抗Ｒ２およびコンデンサＣ２は後段のローパスフィル
タ回路を構成する。この回路において、抵抗Ｒ１に電流
源■。から電流ｉが流入するとコンデンサＣ１の両端に
バイアス電圧が形成され、二段のローパスフィルタ回路
によってノイスが除去され、端子Ｋにバイアス電圧が出
力する。
タ回路を構成する。この回路において、抵抗Ｒ１に電流
源■。から電流ｉが流入するとコンデンサＣ１の両端に
バイアス電圧が形成され、二段のローパスフィルタ回路
によってノイスが除去され、端子Ｋにバイアス電圧が出
力する。
しかし、上記のバイアス回路では、バイアス電流ｉ、が
大きく変化すると抵抗Ｒ２による電圧降下分も大きく変
わり、端子Ｋに供給されるバイアス電圧の変動が非常に
大きくなる不都合があった。またこの変動分をできるだ
け少なくするために抵抗Ｒ２を小さくすると後段のフィ
ルタ回路による効果が薄れてしまい、十分なフィルタ特
性を得ることができない欠点があった。
大きく変化すると抵抗Ｒ２による電圧降下分も大きく変
わり、端子Ｋに供給されるバイアス電圧の変動が非常に
大きくなる不都合があった。またこの変動分をできるだ
け少なくするために抵抗Ｒ２を小さくすると後段のフィ
ルタ回路による効果が薄れてしまい、十分なフィルタ特
性を得ることができない欠点があった。
（Ｃ）発明の目的
この発明の目的は、簡単な構成で後段のローパスフィル
タ回路のＣＲ時定数を大きくでき、しかもバイアス電流
が大きく変化しても安定したバイアス電圧を出力するこ
とのできる高周波回路におけるバイアス回路を提供する
ことにある。
タ回路のＣＲ時定数を大きくでき、しかもバイアス電流
が大きく変化しても安定したバイアス電圧を出力するこ
とのできる高周波回路におけるバイアス回路を提供する
ことにある。
ｆｄ１発明の構成および効果
この発明は、後段のフィルタ回路を、初段のフィルタ出
力端子とバイアス出力端子間にベース。
力端子とバイアス出力端子間にベース。
エミッタを接続したエミ・ツタホロワトランジスタと、
このトランジスタのエミッタに接続したコンデンサ′と
で構成したことを特徴とする。
このトランジスタのエミッタに接続したコンデンサ′と
で構成したことを特徴とする。
上記のように構成することによってこの発明によれば、
従来のＣＲ時定数回路の抵抗Ｒに代えてトランジスター
・個を使用するだけでよいため、回路構成を複雑化する
ことなく、大きなＣＲ時定数を（：）るごとかでき、ま
たバイアス電圧の安定化を実現することができる。
従来のＣＲ時定数回路の抵抗Ｒに代えてトランジスター
・個を使用するだけでよいため、回路構成を複雑化する
ことなく、大きなＣＲ時定数を（：）るごとかでき、ま
たバイアス電圧の安定化を実現することができる。
ｔｅ＋実施例
第１図はこの発明の実施例であるバイアス回路の回路図
である。構成において、第４図に示す従来のバイアス回
路と相違する部分は、後段のフィルタ回路の抵抗Ｒ２を
エミッタホロワ接続したトランジスタＱｌに置き換えた
点である。。このように構成するごとによって、初段の
フィルタ回路から後段のフィルタ回路を見た場合、入力
インピーダンスは極めて高くなり、その結果時定数も非
常に太き（なる。またバイアス電流１８が大きく変化し
てもトランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧Ｖ、は
それ程度化しないため、端子Ｋに出方するバイアス電圧
は殆ど変化することがない。第２図は上記のバイアス回
路を差動増幅器に接続した場合の回路例を示している。
である。構成において、第４図に示す従来のバイアス回
路と相違する部分は、後段のフィルタ回路の抵抗Ｒ２を
エミッタホロワ接続したトランジスタＱｌに置き換えた
点である。。このように構成するごとによって、初段の
フィルタ回路から後段のフィルタ回路を見た場合、入力
インピーダンスは極めて高くなり、その結果時定数も非
常に太き（なる。またバイアス電流１８が大きく変化し
てもトランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧Ｖ、は
それ程度化しないため、端子Ｋに出方するバイアス電圧
は殆ど変化することがない。第２図は上記のバイアス回
路を差動増幅器に接続した場合の回路例を示している。
第３図はこの発明の応用例を示す図である。上記第１図
に示す本発明の実施例と相違する部分は、エミッタホロ
ワトランジスタＱ１を定電流接続したデプ１．・ノシゴ
ンタイプのＭＯ，Ｓｌ−ランジスタＱ２に置き換えた点
である。この回路では、トランジスタＱ２が定電流動作
するためにインピーダンスが極めて大きくなる。また定
電流のためにバイアス電流Ｉｎも大きく変化することが
なく、その結果、電圧変動も殆ど生じることがない。尚
、ＭＯＳトランジスタＱ２に換えて定電流動作するピン
チ抵抗を使用するようにしてもよい。
に示す本発明の実施例と相違する部分は、エミッタホロ
ワトランジスタＱ１を定電流接続したデプ１．・ノシゴ
ンタイプのＭＯ，Ｓｌ−ランジスタＱ２に置き換えた点
である。この回路では、トランジスタＱ２が定電流動作
するためにインピーダンスが極めて大きくなる。また定
電流のためにバイアス電流Ｉｎも大きく変化することが
なく、その結果、電圧変動も殆ど生じることがない。尚
、ＭＯＳトランジスタＱ２に換えて定電流動作するピン
チ抵抗を使用するようにしてもよい。
第１図はこの発明の実施例であるバイアス回路の回路図
である。第２図は同バイアス回路を差動増幅器に接続し
た場合の回路例を示す図である。 また第３図はこの発明の応用例を示し７、第４図は従来
のバイアス回路の回路図を示す。 Ｒ１’、Ｃ１−初段のローパスフィルタ回路、Ｑｌ、Ｃ
２−ａ段のローパスフィルタ回路、Ｑｌ−エミッタホロ
ワトランジスタ。
である。第２図は同バイアス回路を差動増幅器に接続し
た場合の回路例を示す図である。 また第３図はこの発明の応用例を示し７、第４図は従来
のバイアス回路の回路図を示す。 Ｒ１’、Ｃ１−初段のローパスフィルタ回路、Ｑｌ、Ｃ
２−ａ段のローパスフィルタ回路、Ｑｌ−エミッタホロ
ワトランジスタ。
Claims (1)
- （１）半導体素子で制御される電流を電圧変換し、その
電圧を二段に接続されたＣＲ時定数によるローパスフィ
ルタ回路を通してバイアス電圧として出力する高周波回
路におけるバイアス回路において、 後段のフィルタ回路を、初段のフィルタ出力端子とバイ
アス出力端子間にベース、エミッタを接続したエミッタ
ホロワトランジスタと、このトランジスタのエミッタに
接続したコンデンサとで構成したことを特徴とする高周
波回路におけるバイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207618A JPS6184908A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 高周波回路におけるバイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207618A JPS6184908A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 高周波回路におけるバイアス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184908A true JPS6184908A (ja) | 1986-04-30 |
Family
ID=16542770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207618A Pending JPS6184908A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 高周波回路におけるバイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6184908A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5241284A (en) * | 1990-02-16 | 1993-08-31 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Circuit arrangement for connecting RF amplifier and supply voltage filter |
| JP2007508755A (ja) * | 2003-10-14 | 2007-04-05 | オーディオアシクス エー／エス | マイクロフォン前置増幅器 |
| JP2013183359A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 差動増幅回路および光受信装置 |
| CN103684287A (zh) * | 2012-09-11 | 2014-03-26 | 三菱电机株式会社 | 功率放大器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5314541A (en) * | 1976-07-26 | 1978-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Bias circuit |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP59207618A patent/JPS6184908A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5314541A (en) * | 1976-07-26 | 1978-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Bias circuit |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5241284A (en) * | 1990-02-16 | 1993-08-31 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Circuit arrangement for connecting RF amplifier and supply voltage filter |
| JP2007508755A (ja) * | 2003-10-14 | 2007-04-05 | オーディオアシクス エー／エス | マイクロフォン前置増幅器 |
| JP2013183359A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 差動増幅回路および光受信装置 |
| CN103684287A (zh) * | 2012-09-11 | 2014-03-26 | 三菱电机株式会社 | 功率放大器 |
| JP2014057154A (ja) * | 2012-09-11 | 2014-03-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
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