JPS6185850A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents

混成集積回路の製造方法

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Publication number
JPS6185850A
JPS6185850A JP59208623A JP20862384A JPS6185850A JP S6185850 A JPS6185850 A JP S6185850A JP 59208623 A JP59208623 A JP 59208623A JP 20862384 A JP20862384 A JP 20862384A JP S6185850 A JPS6185850 A JP S6185850A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
hybrid integrated
manufacturing
individual
metal terminal
Prior art date
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Pending
Application number
JP59208623A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Ono
大野 兼一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6185850A publication Critical patent/JPS6185850A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/0198Manufacture or treatment batch processes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01Manufacture or treatment
    • H10W70/05Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
    • H10W70/093Connecting or disconnecting other interconnections thereto or therefrom, e.g. connecting bond wires or bumps

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、アルミナセラミック等の絶縁性材料を基板と
した混成集積回路の製造方法懺;関するものである・ 〔従来技術〕 アルミナセラミック等の絶縁性材料を基板とした混成集
積回路の製造工程ζ2おいて、基板上(ニ一定間隔で同
一の電気回路となるよう抵抗等の電気回路素子を形成し
た後、基板を同一寸法に分割するべくレーザー光等によ
り基板表面に分割のための溝を作り、分割した基板個片
の電極上(ニ一定間隔に保持された金属電極端子を固定
し、ハンダ付は等の方法C;より基板個片上の電極と金
属電極端子とを接続固定する作業が必要である。
第2図は従来製法に係る混成集積回路基板の製造工程の
一部と組立工程の一部とを示す因である。
第2図(a)はアルミナセラミック等の絶縁性を有する
基板1の上に、導体2と抵抗6とを一定間隔で形成した
状態を示す。電極2は後工程でハンダ付けされる金属端
子電極の配列間隔と同じ間隔で作られている・又該電極
はハンダ付は或いは他の方法で接続可能な材料が選ばれ
る。第2 因(b) &s、レーザー光により基板を個
片に分割するための溝4をつけた状態を示す。第2図(
c)は、溝4c二沿って基板1から同一のパターンを持
つ個片基板5に分割した状態を示す。第2図(d)は、
金属端子電シ6の先端部分7を導体2【;相接して重ね
た状態を示す。この後■二、この状態を何らかの方法で
保持したま\、ハンダ付は等の接続方式により個片基板
5と金属端子電極6とが固定される。なお、第2図(d
)では、金属端子電極6の先端部分7のうち個片基板5
の導体2に合せて欠落部分8を設けている。
ところが、金属端子電極6の先端部分7を個片基板5に
取り付ける部分の辺の長さが先端部分7の間隔の整数倍
でないためC:、金属端子電極6を取り付ける前に個片
基板5をすべて分割しておく必要がある。又、その取り
付けに際し、個片基板5を再度正確な間隔で並べ直し、
場合(;よっては、取り付けC:先立ち、金属端子電極
6(−欠落部分8を設ζすることも必要となる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、このような欠点を取り除くことが可能
な混成集積回路の製造方法を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕 本発明に係る混成集積回路の製造方法は、金層端子電極
が取り付けられる混成集積回路用個片基板の辺の長さが
、前記金属端子電極の先端部分の間隔の整数倍の長さを
備えた個片基板を用い、前記金属端子電極の先端部分を
前記個片基板のパターンの所定の位i+1 を二固定し
た後に、絶縁性基板から個片基板C二分割することを特
徴としている。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
1lcI図は、実施例C係る混成集積回路の製造方法を
説明する平面図である。第11g(a)〜(d)は、そ
れぞれ第2図(a)〜(d)の状!!に相当する。第1
図(a)は導体2及び抵抗3が基板1の上C(り返し同
じ間隔で作られた状態を示し、第1囚伽)は、レーザー
光等f二より分割用の溝4が基板1の表面じ設けられた
状態を示す。第1自(c)は基板1を溝4に沿って分割
した状態を示すが、個片基板5の金、FA端子電極6が
取り付けられる辺が直線状になるよう(ニなっており、
まだ分割は完了していない状態を示している。第1図(
d)は、金属端子電極6の先端部分7が各個片基板5の
上の導体2の上C固定保持された状態を示す。この後、
ハンダ付は等の方法により、各導体2と各先端部分7と
が固定され、さらに金属端子電極6と各先端部分7との
中間の位置で切断され、各個片基板5が分割された状態
C二なる。
〔発明の効果〕
以上説明したようC二、本発明区;係る製造方法によれ
ば、従来例Cニルべて作業の最終工程C2近い所まで個
片基板を分割しない状態で作業を行うために、生産の自
動化、省力化が容易【2行なえる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明C係る混成f4M回路の製造方法を示
す平面自、第2図は従来の混W:、集積回路の場合の製
造方法の一例を示す平面図である01・・・基板; 2
・・・導体; 6・・・抵抗; 4・・・4;5・・・
個片基板; 6・・・金属端子電極;7・・・先端部分
: 8・・・欠落部分。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  複数個の同一パターンの繰り返しによつて作成された
    絶縁性基板を分割し、各同一パターンの個片基板を作る
    混成集積回路の製造方法において、少なくとも一辺が、
    該パターンに取り付けられる金属端子電極の先端部分の
    間隔の整数倍の寸法を備える該個片基板を用い、該金属
    端子電極の先端部分を前記個片基板のパターンの所定の
    位置へ固定した後に、前記個片基板に分割することを特
    徴とする混成集積回路の製造方法。
JP59208623A 1984-10-04 1984-10-04 混成集積回路の製造方法 Pending JPS6185850A (ja)

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JPS6185850A true JPS6185850A (ja) 1986-05-01

Family

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227502A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227502A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置の製造方法

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