JPS6193646A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

Info

Publication number
JPS6193646A
JPS6193646A JP21461984A JP21461984A JPS6193646A JP S6193646 A JPS6193646 A JP S6193646A JP 21461984 A JP21461984 A JP 21461984A JP 21461984 A JP21461984 A JP 21461984A JP S6193646 A JPS6193646 A JP S6193646A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
pattern
tensile stress
manufacturing
semiconductor integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21461984A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiaki Tanimoto
谷本　芳昭
Shuji Tabuchi
修司 田渕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP21461984A priority Critical patent/JPS6193646A/ja
Publication of JPS6193646A publication Critical patent/JPS6193646A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路に係り、特に、そのチップに
形成される配線のパターンに関す。
半導体集積回路の高集積化が進むに伴い、半導体チップ
に形成される配線のパターンが細幅化してきている。
この配線パターンの細幅化は、半導体集積回路（ＬＣ）
の製造過程における該配線の断線発生と言う製造トラブ
ルに繋がる場合があり、該トラブルに対する対応策が求
められる。
〔従来の技術〕
第２図は半導体チップに形成される配線の従来の一例を
示した平面図である。
同図において、ｌａ、ｌｂはそれぞれ同一半導体チップ
に形成された例えばトランジスタ、２ａ、　２ｂはトラ
ンジスタｌａｓ　ｌｂのそれぞれから配線を導出するた
めのコンタクトホール、３は例えばアルミニウムなどの
導電体からなりコンタクトホール２ａ、２ｂを通してト
ランジスタ１ａと１ｂとを接続する配線である。
配線３のパターンは、他のパターン多くは他の配線パタ
ーンに干渉されない限り直線状に形成されるのが一般で
ある。
また、配線３のパターン幅は、ＩＣの高集積化により例
えば２．０−１．５→１．０μｍと細くなって来ている
。
〔発明が解決しようとする問題点〕
一方、例えばアルミニウムの配線３をこのように直線状
で幅を細くした場合、後工程にある例えば熱処理工程な
どにおいて該配線３が断線する場合があることが見いだ
され、製造トラブルとじて問題になって来た。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、他のパターンに干渉されることなく直線
的な帯状に形成可能な配線パターンが、引張応力を緩和
する非直線的な帯状に形成されてなる配線を有する本発
明の半導体集積回路によって解決される。
〔作用〕
上記問題点である製造過程における配線の断線は、該配
線自体が内部応力を有し、該配線のパターンが直線的な
帯状であることから、後工程にある例えば熱処理工程な
どの際に増大する引張応力に抗しきれず粒界で破断する
ことに起因するものと考えられる。
従って、該パターンを引張応力を緩和する非直線的な帯
状例えばジグザグをなす帯状にすることにより、該後工
程の際に増大する引張応力を緩和することが出来て、該
配線の断線発生を防止することが可能になる。そしてこ
のようにするのは、問題となる配線のみを対象とすれば
よい。
かくして、高集積化されても製造に際して配線の断線発
生を生じ難いＩＣが提供出来て、該ＩＣの製造トラブル
を低減させる。
〔実施例〕
以下本発明の一実施例を図により説明する。企図を通じ
同一符号は同一対象物を示す。
第１図は半導体チップに形成される配線の本発明による
一実施例を示した平６面図で、第２図に対応する図であ
る。
第１図図示の配線３ａは、第２図図示の配線３を置換し
たもの゛で、そのパターンはコの字を組み合わせたジグ
ザグをなす帯状になっている。
具体的には、配線３ａの材料がアルミニウムの場合、そ
の寸法ａ、ｂＳｃ、ｄおよび厚さは、例えば、それぞれ
約１．５μｍ、約３．０μｍ１約１．５μｍ、約１０ｃ
ｒｍ、約１．０．ｃｚｍである。
この配線３ａは、帯状の中心線において、配線３ａの長
手方向に対して略直角な方向の部分を有するため該長手
方向に伸縮可能である。このことから、製造過程におい
て引張応力が掛かっても従来のように破断することが無
く、製造トラブル発注を抑制出来る。
なお、上記実施例における配線３ａのパターンは、コの
字を組み合わせたジグザグをなす帯状であるが、本発明
は、その原理からして、この形状に限定されるものでは
無く、例えば、■の字を組み合わせたジグザグをなす帯
状であってもよく、また、これらのジグザグは部分的に
設けられていてもよい。
〔１発明の効果〕 以上説明したように、本発明の構成によれば、高集積化
されても製造に際して配線の断線発生を生じ難いＩＣが
提供出来て、該ｒｃの製造トラブル低減を可能にさせる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
図面において、 第１図は半導体チップに形成される配線の本発明による
一実施例を示した平面図、 第２図は半導体チップに形成される配線の従来の一例を
示した平面図である。 また、図中において、 １ａＳｌｂはトランジスタ、 ２ａ、２ｂはコンタクトホール・ ３．３ａは配線、 ａ、ｂＳｃＳｄは寸法、 をそれぞれ示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　他のパターンに干渉されることなく直線的な帯状に形
    成可能な配線パターンが、引張応力を緩和する非直線的
    な帯状に形成されてなる配線を有することを特徴とする
    半導体集積回路。
JP21461984A 1984-10-13 1984-10-13 半導体集積回路 Pending JPS6193646A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21461984A JPS6193646A (ja) 1984-10-13 1984-10-13 半導体集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21461984A JPS6193646A (ja) 1984-10-13 1984-10-13 半導体集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6193646A true JPS6193646A (ja) 1986-05-12

Family

ID=16658723

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21461984A Pending JPS6193646A (ja) 1984-10-13 1984-10-13 半導体集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6193646A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62185072U (ja) * 1986-05-15 1987-11-25
WO1997040528A1 (fr) * 1996-04-19 1997-10-30 Matsushita Electronics Corporation Dispositif pour semi-conducteur

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62185072U (ja) * 1986-05-15 1987-11-25
WO1997040528A1 (fr) * 1996-04-19 1997-10-30 Matsushita Electronics Corporation Dispositif pour semi-conducteur
US6081036A (en) * 1996-04-19 2000-06-27 Matsushita Electronics Corp. Semiconductor device
EP0834913A4 (en) * 1996-04-19 2001-09-05 Matsushita Electronics Corp SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT
KR100299338B1 (ko) * 1996-04-19 2001-10-19 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 반도체장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04364051A (ja) 半導体装置
JPS6248053A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法
JPH04199721A (ja) ワイヤボンディグ方式半導体装置
US5523625A (en) Semiconductor integrated circuit device having partially constricted lower wiring for preventing upper wirings from short-circuit
JPS62144349A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ムおよびその製造方法
JPH03230556A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPS62115853A (ja) リ−ドフレ−ムの製造方法
JPS6010759A (ja) リードフレームの製造方法
JPS62177953A (ja) リ−ドフレ−ム
JPS5824020B2 (ja) 半導体装置
JPH01150347A (ja) 半導体装置製造用リードフレーム
JP2923012B2 (ja) プリント配線板
JP3251842B2 (ja) リードフレーム
JPS62237756A (ja) Ｍｏｓ集積回路
JPH03237742A (ja) マスタスライス集積回路
JPS5898938A (ja) 半導体集積回路
JPH04206867A (ja) 半導体ダイナミックｒａｍ
JPS6074460A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH02156662A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS61288458A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPS6352465A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0427122A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01133340A (ja) リードフレームおよびその製造方法
JPH0294547A (ja) リードフレームの製造方法
JPH07106416A (ja) 半導体素子の配線構造