JPS62101259U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62101259U JPS62101259U JP19175185U JP19175185U JPS62101259U JP S62101259 U JPS62101259 U JP S62101259U JP 19175185 U JP19175185 U JP 19175185U JP 19175185 U JP19175185 U JP 19175185U JP S62101259 U JPS62101259 U JP S62101259U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser chip
- mount
- emitting device
- pin photodiode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
Description
第１図は本考案によるレーザ出射装置の一実施
例を示す一部破断斜視図、第２図は第１図の装置
における半導体レーザチツプとＰＩＮフオトダイ
オードとの電気的接続を示した結線図、第３図は
従来のレーザ出射装置の一部破断斜視図、第４図
は第３図の装置における半導体レーザチツプとＰ
ＩＮフオトダイオードとの電気的結線図、第５図
は第３図の装置における半導体レーザチツプの発
光部とマウントとの相対的位置関係を示した平面
図、第６図は従来の他のレーザ出射装置における
半導体レーザチツプとマウントとの相対的位置関
係を示した平面図、第７図は第６図に示した従来
のレーザ出射装置における電気的結線を示した図
、第８図は第６図とは異る他のレーザ出射装置に
おける半導体レーザチツプとマウントとの取付構
造を示した平面図である。 １…半導体レーザチツプ、１ａ…発光部、２…
マウント、３…ベース、４…ＰＩＮフオトダイオ
ード、５…キヤツプ、６，６Ａ…第一の端子、７
，７Ａ…第二の端子、８，８Ａ…第三の端子、１
１…絶縁材、９，１０，１４〜１６…ボンデイン
グワイヤ、１２…電極、１３…絶縁板。
例を示す一部破断斜視図、第２図は第１図の装置
における半導体レーザチツプとＰＩＮフオトダイ
オードとの電気的接続を示した結線図、第３図は
従来のレーザ出射装置の一部破断斜視図、第４図
は第３図の装置における半導体レーザチツプとＰ
ＩＮフオトダイオードとの電気的結線図、第５図
は第３図の装置における半導体レーザチツプの発
光部とマウントとの相対的位置関係を示した平面
図、第６図は従来の他のレーザ出射装置における
半導体レーザチツプとマウントとの相対的位置関
係を示した平面図、第７図は第６図に示した従来
のレーザ出射装置における電気的結線を示した図
、第８図は第６図とは異る他のレーザ出射装置に
おける半導体レーザチツプとマウントとの取付構
造を示した平面図である。 １…半導体レーザチツプ、１ａ…発光部、２…
マウント、３…ベース、４…ＰＩＮフオトダイオ
ード、５…キヤツプ、６，６Ａ…第一の端子、７
，７Ａ…第二の端子、８，８Ａ…第三の端子、１
１…絶縁材、９，１０，１４〜１６…ボンデイン
グワイヤ、１２…電極、１３…絶縁板。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体レーザチツプと、該半導体レーザチツプ
がロウ付けされているマウントと、該半導体レー
ザチツプの裏面から出射されるレーザビームを検
知するためのＰＩＮフオトダイオードと、を有す
るレーザ出射装置において、 該半導体レーザチツプの発光部に近い方の電極
面を該マウントに直接ロウ付けするとともに該半
導体レーザチツプのアノードと該ＰＩＮフオトダ
イオードのカソードとを共通の端子に接続し、更
に該端子を該マウントに対して電気的に絶縁した
ことを特徴とするレーザ出射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19175185U JPS62101259U (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19175185U JPS62101259U (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62101259U true JPS62101259U (ja) | 1987-06-27 |
Family
ID=31146184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19175185U Pending JPS62101259U (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62101259U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58111389A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Hitachi Ltd | 受光素子付レ−ザ−ダイオ−ド |
-
1985
- 1985-12-13 JP JP19175185U patent/JPS62101259U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58111389A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Hitachi Ltd | 受光素子付レ−ザ−ダイオ−ド |
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