JPS60235149A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば負帯電用の電子写真感光体に関
するものである。

２、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡｓ　
ＸＴｅ　ＸＳｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安
定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ−３ｔ）を母体として
用いた電子写真感光体が近年になって提案されている。

ａ−３ｉは、５ｉ−３ｔの結合手が切れたいわゆるダン
グリングボンドを有しており、この欠陥に起因してエネ
ルギーギヤ・ノブ内に多くの局在準位が存在する。この
ために、熱励起担体（２） のポツピング伝導が生じて暗抵抗が小さく、また光励起
担体が局在準位にトラップされて光導電性が悪くなって
いる。そこで、上記欠陥を水素原子（ト■）で補償して
Ｓｉ　に１−１を結合させることによって、ダングリン
グボンドを埋めることが行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０８〜１０９
Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば約１
万分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：Ｔｌの単層からな
る感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電
位が低いという問題点を有している。しかし他方では、
可視及び赤外領域の光を照射すると抵抗率が大きく減少
するため、感光体の感光層として極めて優れた特性を有
している。

第１図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系悪感光を組込んだ電子写真複写機が示されている。こ
の複写機によれば、キャビネ・２ト１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光７１！５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラ
ーユニツト７からなる光学走査台か図面左右方向へ直線
移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光
路長を一定にするための第２ミラーユニソ１−２０が第
１ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側か
らの反射光がレノス２１、反射用ミラー８を介して像担
持体としての感光体ドラム９」二へスリット状に入射す
るようになっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電
器１０、現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリー
ニング部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各
給紙ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はト
ラム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され
、トレイ３５へ排紙される。

定着部１９では、ヒーター２２を内蔵した加熱ローラー
２３と圧着ローラー２４との間に現像済みの複写紙を通
して定着操作を行なう。

しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等（３） の如き表面の化学的安定性に関して、これ迄十分な検討
がなされていない。例えば１力月以上放置したものは湿
気の影響を受け、受容電位が著しく低下することが分っ
ている。一方、アモルファス水素化炭化シリコン（以下
、ａ−３ｉＣ：Ｈと称する。）について、その製法や存
在が”　Ｐ　ｈｉｌ、　Ｍａｇ。

Ｖｏｌ、３５″’　（１９７８）等に記載されており、
その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと、ａ−３
ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０１２〜１０′３
Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学的エネルギ
ーギャップが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って変化す
ること等が知られている。但、炭素の含有によりハンド
ギャップが拡がるために長波長感度が不良となるという
欠点がある。

こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ：Ｈ
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
−３ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層として設けた機能分離型の
２Ｎ構造を作成し、上層の（５） （４） ａ−３ｉ：Ｈにより広い波長域での光感度を得、かつａ
−３ｉ：Ｈとへテロ接合を形成する下層のａ−３ｉＣ：
　Ｈにより帯電電位の向上を図っている。

しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈ層の暗減衰を充分に防止で
きず、帯電電位はなお不充分であって実用性のあるもの
とはならない上に、表面にａ−３ｉ：Ｈ層が存在してい
ることにより化学的安定性や機械的強度、耐熱性等が不
良となる。

一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ　−３ｉ
：１−１からなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣ：Ｈ
層を表面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）
に第２のａ−３ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層として形成して
いる。

この公知の感光体に関しては、表面改質層によって暗減
衰の防止、表面の化学的安定性等の効果は期待できるも
のの、次の如き問題点があることが判明した。

即ち、上記の如き表面改質層の構成物質であるａ−３ｉ
Ｃ：Ｈの比抵抗（暗所抵抗率）ρ、は１ｏＩ３Ω−ｃｍ
が限界であり、これより大きくはならない（６） ために帯電電位の保持性が十分ではない。また、Ｓ　ｉ
　０２を表面改質層に使用した場合、ρ。は高くなるが
、帯電極近傍で発生した活性種（放電雰囲気中等のイオ
ンや、分子、原子）が表面に吸着され易く、このために
沿面放電が生じて画像流れが生し易くなる。これに対し
、ａ−３ｉＣ：ＨはＳ　ｉ　Ｏｚの如き活性種の吸着は
生じ難いが、上記の如くρ。が不充分であって帯電電位
の保持能（特に高温高湿下における保持能）が悪い。こ
うした欠陥は、表面改質層をアモルファス窒化シリコン
（ａ−３ｉＮ）で構成した場合にも同様に生じる。

３、発明の目的 本発明の目的は、表面の化学的安定性、機械的強度、耐
熱性等に優れ、光感度も良好であり、かつ帯電電位の保
持能が良く、沿面放電も生し難い感光体を提供するもの
である。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層上に、アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化窒化シリコンからな
る表面改質層が設けられ、かつ前記電荷発生層下に、ア
モルファス水素化及び／又はフッ素化炭化（及び／又は
窒化）シリコンからなる電荷輸送層が設けられている感
光体において、前記表面改質層が１〜２０ａｔｏｍｉｃ
％の酸素（但、シリコン原子と窒素原子と酸素原子との
合計原子数を］ＯＯａｔｏｍｉｃ％とする。）を含有し
ていることを特徴とするものである。

本発明によれば、ａ−３ｉＮ系の表面改質層（例えばア
モルファス水素化窒化シリコン（ａ−３ｉＮ：Ｈ）から
なる表面改質層）を具備せしめているので、ａ−３ｉ系
感光体の表面特性についての欠点を解消することができ
る。即ち、この表面改質層はａ−３ｉ系感光体の表面電
位特性の改善、長期に亘る電位特性の保持、耐環境性の
維持（湿度や雰囲気、コロナ放電で生成される化学種の
影響防止）、表面硬度が高いことによる耐剛性の向上、
感光体使用時の耐熱性の向上、熱転写性（特に粘着転写
性）の向上環の機能を有するものである。

（７） しかも、この表面改質層には、酸素が１〜２０ａｔｏｍ
ｉｃ％（以下ｒａｔｏｍｉｃ％」を単に％と記す。）含
有せしめられているために、表面改質層の比抵抗が大き
く向上（−＞１０′３Ω−ｃｍ）Ｌ、、特に高温又は高
湿下での帯電電位の保持能が著しく向上する。

逆に、酸素原子が１％未満ではそうした効果がなり、２
０％を越えると活性種の吸着に依る画像流れが生してし
まう。従って、表面改質層中の酸素含有量を１〜２０％
に設定することが必須不可欠であり、２〜１０％とする
のが好適である。

５、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第２図は本実施例による負帯電用のａ−３ｉ系の電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はへβ
等のドラム状導電性支持基板４１上に、ａ−３ｉＣ：Ｈ
層（電荷輸送層）４２　、ａ−３ｉ：Ｈ電荷発生層（光
導電層）４３、酸素含有ａ−３ｉＮ：１４層（表面改質
層）４５が順次積層せしめられたものからなっている。

ａ−３ｉＣ：Ｈ層４２は主として電位保持、電荷輸送及
び基板４１に対する接着（９） （８） 性向」−の各機能を有し、その炭素原子含有量は１０〜
３０％（ＳｔとＣの合計総原子数に対する割合）に設定
されることが重要であり、また１０μｍ〜３０μｍの厚
みに形成されるのがよい。

この感光体３９においては、本発明に基いて、電荷発生
層４３上の表面改質層４５に、Ｓｉ　とＮとＯとの合計
原子数に対し１〜２０％の酸素を含有せしめているので
、比抵抗の上昇、帯電電位保持能の向上という顕著な作
用効果が得られる。即ち、第３図に曲線ａで示すように
、表面改質層に単なるａ−３ｉＮ：Ｈを用いた場合、そ
の比抵抗は炭素含有量に従って高められるが１０１３Ω
−ｃｍ以上になることが分っている。これに対し、本発
明に基いて、ａ−３ｉＮ：Ｈ中に酸素を含有せしめたＯ
含有量−３ｉＮ：Ｈの場合（酸素含有量は例えば５％）
には、曲線すで示すように、比抵抗が大きく上昇して窒
素含有量を決めることによって１０′３Ω−ｃｍをはる
かに上回る値を示すことが確認された。

この０含有ａ−３ｉＮ：Ｈ層４５は感光体の表面を改質
してａ−３ｉ系感光体を実用的に優れたち（１０） のとするために必須不可欠なものである。即ち、表面で
の電荷保持と、光照射による表面電位の減衰という電子
写真感光体としての基本的な動作を可能とするものであ
る。従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定と
なり、長期間（例えば１ｔ月以上）放置しておいても良
好な電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｔ：Ｈ
を表面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰
囲気等の影響を受け易く、電位特性の経時変化が著しく
なる。また、ａ−３ｉＣ：Ｈは表面硬度が高いために、
現像、転写、クリーニング等の工程における耐摩耗性が
あり、更に耐熱性も良いことから粘着転写等の如く熱を
付与するプロセスを適用することができる。

上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ
−３ｉＮ：’Ｈ上層５の窒素組成を選択することが重要
である。即ち、炭素原子含有量がＳｉ＋Ｎ十〇＝１００
％としたとき１０〜７０％であることが望ましい。Ｎ含
有量が１０％以上であると、上記した比抵抗が所望の値
となり、かつ光学的エネルギーギャップがほぼ２．Ｏｅ
Ｖ以上となり、可視及び赤外光に対しいわゆる光学的に
透明な窓効果により照射光はａ−５ｉ：Ｈ層（電荷発生
層）４３に到達し易くなる。しかし、Ｎ含有量が１０％
未満では、比抵抗が所望の値以下となり易く、かつ一部
分の光は表面層４５に吸収され、感光体の光感度が低下
し易くなる。また、Ｎ含有量が７０％を越えると層の窒
素量が多くなり、半導体特性が失なわれ易い上にａ−３
ｉＮ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積速度が
低下し易いので、Ｎ含有量は７０％以下とするのがよい
。

また、ａ−３ｉＮ：Ｈ層４５の膜厚を４００人≦ｔ≦５
０００人の範囲内（特に４００人≦ｔ＜２０００人）に
選択することも重要である。即ち、その膜厚が５０００
人を越える場合には、残留電位Ｖ、が高くなりすぎかつ
光感度の低下も生し、ａ−３ｉ系感光体としての良好な
特性を失ない易い。また、膜厚を４００人未満とした場
合には、トンネル効果によって電荷が表面上に帯電され
なくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生じてし
まう。

（１１） 電荷発生層４３は１〜５μｍとするのがよい。電荷発生
４３が１μｍ未満であると光感度が充分でなく、また５
μｍを越えると残留電位が」二昇し、実用上不充分であ
る。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０ａｔｏｍｉｃ％
であるのが望ましい。この含有量範囲は表面改質層４５
及び電荷輸送層４２も同様である。

なお、上記電荷輸送層４２は、アモルファス水素化窒化
シリコン（ａ−３ｉＮ：Ｈ）で構成することもできる。

この場合の窒素含有量は１０〜３０％とするのがよい。

また、炭素及び窒素の双方を電荷輸送層に含有せしめる
こともできる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装Ｍ）を第４図について説明す
る。

この装置５１の真空槽５２内では、ドラム状の基板（１
３） （１２） ４１が垂直に回転可能にセントされ、ヒーター５５で基
板４１を内側から所定温度に加熱し得るようになってい
る。基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付
きの円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に
高周波電＃５６によりグロー放電が生ぜしめられる。な
お、図中の６２は５ｉＨａ又はガス状シリコン化合物の
供給源、６３は０□又はガス状酸素化合物の供給源、６
４はＣＨ４等の炭化水素ガス又はＮ　Ｈ３、Ｎ　ｚ等の
窒素化合物ガスの供給源、６５はＡｒ等のキャリアガス
供給源、６７は各流量計である。このグロー放電装置に
おいて、まず支持体である例えばＡβ基板４１の表面を
清浄化した後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内の
ガス圧が１Ｏ−６Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し
、かつ基板４１を所定温度、特に１００〜３５０°Ｃ（
望ましくは１５０〜３００℃）に加熱保持する。次いで
、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ　ｉ　
Ｈａ又はガス状シリコン化合物、ＣＨａ　（又はＮＨ３
、Ｎ２）、０２を適宜真空槽５２内に導入し、例えば０
．０１〜１０Ｔ　ｏｒｒの反応圧下で高周波電源５６に
より高周波電（１４） 圧（例えば１３．５６　Ｍｌｌｚ）を印加する。これに
よって、上記各反応ガスを電極５７と基板４１との間で
グロー放電分解し、ａ−３ｉＣ：Ｈ又はａ−３ｉＮ：　
Ｈ，、ａ−３ｔ：Ｈ，Ｏ含有ａ−３ｉＮ：Ｈを上記の層
４２．４３．４５として基板上に連続的に（即ち、第２
図の例に対応して）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｔ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０°Ｃとして
いるので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くする
ことができる。

なお、上記ａ−３ｔ系感光体の各層の形成時に於て、ダ
ングリングボンドを補償するためには、上記したＨの代
りに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形で導
入し、ａ−８＋：Ｆ、　ａ−３ｉ：Ｈ：Ｆ、ａ−３ｉＮ
：Ｆ、ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ。

ａ　Ｓ　＋　Ｃ：　Ｆ　、、　ａ　Ｓ　ｉＣ：　Ｈ：　
Ｆとすることもできる。この場合のフッ素量は０．５〜
１０ａｔｏｍｉｃ％が望ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｉを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特開昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

第５図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。

ペルジャ−７１は、バタフライバルブ７２を有する排気
管７３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当８亥へルジャー７１内を例えば１０−３〜１Ｏ
−７Ｔｏｒｒの高真空状態とする。当該ペルジャー７１
内には基板４１を配置してこれをヒーター７５により温
度１００〜３５０℃、好ましくは１５０〜３００　’Ｃ
に加熱すると共に、直流電源７６により基板１に０〜−
１０ＫＶ、好ましくは一１〜〜６ＫＶの直流負電圧を印
加する。ａ−３ｉ：Ｈ層４３を形成するには、出口が基
板４１と対向するようペルジャー７１に接続して設けた
水素ガス放電管７７より活性水素及び水素イオンをペル
ジャー７１内に導入しながら、基板（１５） ４１と対向するよう設げたシリコン蒸発源７８を加熱す
ると共に上方のシャッターＳを開き、シリコンをその蒸
発速度比が例えば１ｎｔｏ−’となる蒸発速度で同時に
蒸発させる。ａ−３ｉＣ：Ｈ層４２を形成するには、更
にＣＨ，を供給すればよく、また０含有ａ−３ｉＮ：Ｈ
層４５はＣＨ４に代えてＮＨ３又はＮ２と共に酸素ガス
を更に供給すれば形成できる。

図示省略したＣＨ４、ＮＨ３，０□は放電管７０を介し
て活性化して適宜導入するとよい。

上記の放電管７７．７０の構造を例えば放電管７７につ
いて示すと、第６図の如く、ガス人口８１を有する筒状
の一方の電極部材８２と、この一方の電極部材８２を一
端に設けた、放電空間８３を囲む例えば筒状ガラス製の
放電空間部材８４と、この放電空間部材８４の他端に設
けた、出口８５を有するリング状の他方の電極部材８６
とより成り、前記一方の電極部材８２と他方の電極部材
８６との間に直流又は交流の電圧が印加されることによ
り、ガス人口８１介して供給された例えば水素ガスが放
電空間８３において（１７） （１６） グロー放電を生じ、これにより電子エネルギー的に賦活
された水素原子若しくは分子より成る活性水素及びイオ
ン化された水素イオンが出口８５より排出される。この
図示の例の放電空間部材８２は二重管構造であって冷却
水を流過せしめ得る構成を有し、８７．８８が冷却水入
口及び出口を示す。８９は一方の電極部材８２の冷却用
フィンである。上記の水素ガス放電管７７における電極
間距離は１０〜１５ｃｍであり、印加電圧は６００ｖ、
放電空間８３の圧力は１０−２Ｔ　ｏｒｒ程度とされる
。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａｌ支持体上に第２
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面をもつドラ
ム状ＡＩ！基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の
真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１０−
’Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１
を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０
〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高（１日） 純度のＡｒガスをキャリアガスとして導入し、０．５Ｔ
　ｏｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６　Ｍｌｌｚの
高周波電力を印加し、１０分間の予備放電を行った。次
いで、Ｓ　ｉ　Ｈａ　とＣＨ４とからなる反応ガスを導
入し、流量比１：１：］の（’Ａ　ｒ　＋　Ｓ　ｉ　Ｈ
’４　＋ＣＨａ　）混合ガスをグロー放電分解すること
により、電荷輸送機能を担うａ−３ｉＣ：Ｈ層４２を５
Ｉ７ｍ／ｈｒの堆積速度で所定厚さに製膜した。引き続
き、ＣＩ−Ｉ　。

を供給停止し、Ｓ　ｉ　Ｈａを放電分解し、所定厚さの
ａ−３ｉ：０層４３を形成した。引き続いて、流量比４
：１：６：１の（Ａｒ　＋　Ｓ　ｉＨ４＋　Ｎ　Ｈ２＋
　０２　）混合ガスと共にグロー放電分解し、所定厚さ
のＯ含有量−３ｉＮ　：’Ｈ表面保護層４５を更に設け
、電子写真感光体を完成させた。この感光体を用いて、
複写機（Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　３０００改造機：小西六写真
工業■製）により画像出しを行なった結果、解像度、階
調性がよく、画像濃度が高く、カプリのない鮮明な画像
が得られた。また、２０万回の繰り返し複写を行なって
も、安定した良質な画像が続けて得られた。

また、各層の組成を種々変化させたところ、下記表に示
す結果が得られた。これによれば、表面改質層のＯ含有
量を１〜２０％、特に２〜１０％とすれば、感光体の画
像再生特性等が大きく向上することが分る。なお、画質
については、◎は画像鮮明、○は画像良好、△は画質が
実用上採用可能、×は画質が実用上採用不可を夫々示す
。

（以下、余白次頁へつづく） （２２） 上記表中、ａ−５ｉＮ：Ｏ：ＨはＯ含有ａ−３ｉＮ：■
Ｉをａ−３ｉＮ　：　Ｏ：　Ｈ／Ｆば０含有ａ−３ｉＮ
：Ｈ：Ｆを表わず。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 第２図〜第６図は本発明の実施例を示すものであって、 第２図はａ−３ｉ系感光体の断面図、 第３図はａ−３ｉＨの比抵抗を比較して示すグラフ、 第４図はグロー放電装置の概略断面図、第５図は真空蒸
着装置の概略断面図、 第６図はガス放電管の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９−−−−−−−−　ａ　−Ｓ　ｉ光感光体４１−−
−−−−−−一支持体（基板）４２−一−−−−−−電
荷輸送層 ４３−一−−−−−−−電荷発生層 （２３） ４５−−−−−表面改質層 ５５−−−−−−ヒーター ５６−−−−−−　高周波電源 ５７−−−−−−電極 ６２〜６６−＝−各ガス供給源 ７０．７７−−−−−−−−−ガス放電管７Ｆｌ−−−
−−−一蒸発源 である。 代理人　弁理士　逢　坂　宏 （２４）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又は
   フッ素化窒化シリコンからなる表面改質層が設けられ、
   かつ前記電荷発生層下に、アモルファス水素化及び／又
   はフッ素化炭化（及び／又は窒化）シリコンからなる電
   荷輸送層が設けられている感光体において、前記表面改
   質層が１〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸素（但、シリコン原
   子と窒素原子と酸素原子との合計原子数を１００１００
   ａｔｏ％とする。）を含有していることを特徴とする感
   光体。 ２、表面改質層の窒素含有量が１０〜７０ａｔｏｍｉｃ
   ％（但、シリコン原子と窒素原子と酸素原子との合計原
   子数を１００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）である、特許
   請求の範囲の第１項に記載した感光体。 ３、電荷輸送層が、炭素を含む場合にはその炭素含有量
   が１０〜３０ａｔｏｍｉｃ％であり、窒素を含む場合（
   １） にはその窒素含有量が１０〜３０ａｔｏｍｉｃ％である
   、特許請求の範囲の第１項又は第２項に記載した感光体
   。