JPS62119973A - 低雑音トランジスタ - Google Patents
低雑音トランジスタInfo
- Publication number
- JPS62119973A JPS62119973A JP60260200A JP26020085A JPS62119973A JP S62119973 A JPS62119973 A JP S62119973A JP 60260200 A JP60260200 A JP 60260200A JP 26020085 A JP26020085 A JP 26020085A JP S62119973 A JPS62119973 A JP S62119973A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- contact holes
- layer
- type
- parts
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は低雑音トランジスタ、特にＶＴＲ。
Ｆ Ｄ Ｄ （Ｆｌｏｐｐｙ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ
）、 ＷＤ Ｄ （ＷｉｎｃｈｅｓｔｅｒＯＬｓｋ ｔ
ｈｒｉｖｅ ）用のＲ／Ｗ ＜リード・ライト用）ＩＣ
等に用いられるものに関し、性能向上のために低雑音ト
ランジスタを用いたＩＣは特に重要になってきている。
）、 ＷＤ Ｄ （ＷｉｎｃｈｅｓｔｅｒＯＬｓｋ ｔ
ｈｒｉｖｅ ）用のＲ／Ｗ ＜リード・ライト用）ＩＣ
等に用いられるものに関し、性能向上のために低雑音ト
ランジスタを用いたＩＣは特に重要になってきている。
第２図に従来の低雑音トランジスタを示す。
第２図（ａ）はその平面図で、図において、１はベース
拡散層、２はコレクタを形成するコレクタ拡散層、３，
４．５はエミッタを形成するエミッタ拡散層、６，７，
８．９はベースとアルミ線との接続を得るためのコンタ
クトホール、１０はコレクタとアルミ線との接続を得る
ためのコンタクトホール、１４．１５．１６はそれぞれ
ベース、エミッタ、コレクタの接Ｖｔ線を構成するアル
ミ線である。
拡散層、２はコレクタを形成するコレクタ拡散層、３，
４．５はエミッタを形成するエミッタ拡散層、６，７，
８．９はベースとアルミ線との接続を得るためのコンタ
クトホール、１０はコレクタとアルミ線との接続を得る
ためのコンタクトホール、１４．１５．１６はそれぞれ
ベース、エミッタ、コレクタの接Ｖｔ線を構成するアル
ミ線である。
また第２図山）は断面図であり、図中、１７はエピタキ
シャル層、１８はフローティングコレクタ層、１９は基
板、（サブストレート）であり、２０はエピタキシャル
層１７とアルミ線とを絶縁する絶縁層である。
シャル層、１８はフローティングコレクタ層、１９は基
板、（サブストレート）であり、２０はエピタキシャル
層１７とアルミ線とを絶縁する絶縁層である。
以上のように構成された低雑音トランジスタを内蔵する
半導体集積回路のウェハプロセス製造行程において、エ
ミッタのセルファラインを用いないプロセスでは、エミ
ッタ３，４．５の幅は第１図１ａ１より明らかなように
、コンタクト幅の最小幅に、両サイドにマージンＩｌｌ
、 β２を加えた幅となり、最小幅にはならない。こ
のため、ベース・エミッタの３次元的なベース抵抗ｒｂ
ｂ・ を小さくできず、熱雑音Ｎｔ＝ｆ＝７了７７正１
−アＡｆが増加することとなる。なお、ｋはボルツマン
定数。
半導体集積回路のウェハプロセス製造行程において、エ
ミッタのセルファラインを用いないプロセスでは、エミ
ッタ３，４．５の幅は第１図１ａ１より明らかなように
、コンタクト幅の最小幅に、両サイドにマージンＩｌｌ
、 β２を加えた幅となり、最小幅にはならない。こ
のため、ベース・エミッタの３次元的なベース抵抗ｒｂ
ｂ・ を小さくできず、熱雑音Ｎｔ＝ｆ＝７了７７正１
−アＡｆが増加することとなる。なお、ｋはボルツマン
定数。
Ｔは絶対温度、Ｒｂはトランジスタのベース抵抗。
Δｆはノイズの周波数帯域である。
従来の低雑音トランジスタは以上のように構成されてお
り、エミツタ幅がコンタクト幅の最小幅に両サイドのマ
ージンを加えたものとなるため、ベース抵抗が大きくな
り熱雑音が増加することとなった。
り、エミツタ幅がコンタクト幅の最小幅に両サイドのマ
ージンを加えたものとなるため、ベース抵抗が大きくな
り熱雑音が増加することとなった。
この発明は上記のような従来のものの問題点を解消する
ためになされたもので、ベース抵抗ｒ ｂｂ’を低減で
き、さらに熱雑音も低下させることができる低雑音トラ
ンジスタを得ることを目的としている。
ためになされたもので、ベース抵抗ｒ ｂｂ’を低減で
き、さらに熱雑音も低下させることができる低雑音トラ
ンジスタを得ることを目的としている。
この発明に係る低雑音トランジスタは、エミッタを形成
するエミッタ拡散層と配線とを接続するためのコンタク
トホールを各エミッタ拡散層上に部分的に設けるように
したものである。
するエミッタ拡散層と配線とを接続するためのコンタク
トホールを各エミッタ拡散層上に部分的に設けるように
したものである。
この発明においては、コンタクトホールがエミッタ拡散
層の一部のみに設けられるから、該コンタクト形成領域
以外のエミツタ幅が狭くて済み、ベース・エミッタの３
次元的な抵抗値が低下する。
層の一部のみに設けられるから、該コンタクト形成領域
以外のエミツタ幅が狭くて済み、ベース・エミッタの３
次元的な抵抗値が低下する。
（実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による低雑音トランジスタを
示す、第１図（ａ）は平面図で、第１図（ｂ）は断面図
であり、図中、第２図と同一符号は同一のものを示す。
示す、第１図（ａ）は平面図で、第１図（ｂ）は断面図
であり、図中、第２図と同一符号は同一のものを示す。
１１’ 、１２’ 、１３°はそれぞれエミッタ拡散層
３．４．５と配線１４とを接続する菱形のコンタクトホ
ールであり、従来のもののようにエミッタ拡散層上のほ
ぼ全面に設けられるのではなく部分的に設けられている
。また６゛。
３．４．５と配線１４とを接続する菱形のコンタクトホ
ールであり、従来のもののようにエミッタ拡散層上のほ
ぼ全面に設けられるのではなく部分的に設けられている
。また６゛。
７’、８’、９° はベース拡散層ｌと配線１５とを接
続する六角形のコンタクトホールであり、上記コンタク
トホール１１°、１２°、１３”同様部分的に設けられ
ている。
続する六角形のコンタクトホールであり、上記コンタク
トホール１１°、１２°、１３”同様部分的に設けられ
ている。
次に作用効果について説明する。
第１図（ａ）に示すように、本実施例ではエミッタ拡散
層３，４．５は各々３点ずつで菱形のコンタクトホール
１１°、１２°、１３°を介して接続しており、コンタ
クトホールは最小サイズでよい。
層３，４．５は各々３点ずつで菱形のコンタクトホール
１１°、１２°、１３°を介して接続しており、コンタ
クトホールは最小サイズでよい。
このようにすると第２図（ａ）の従来のエミッタ形状よ
りは実質的なエミツタ幅を細くできることがわかる。
りは実質的なエミツタ幅を細くできることがわかる。
なぜならコンタクトホールの最小幅を５μとすると、第
１図の本実施例の場合は、５μ×５μサイズが可能であ
り、コンタクトのない部分のエミツタ幅はエミッタの最
小設計基準β３まで狭めることが可能だからである。こ
れに対し、従来のトランジスタのエミツタ幅はコンタク
ト幅ｌ、とＡｌ配線の重ね合わせ幅１０の２倍との和、
即ち、ＩＩＪ町れ＋２ｚ０ ・・・（１）とな
り、この時、パターン設計ルール的にｆｉｅ＜Ｊ、
・・・（２）となり、本実施例の方が
エミツタ幅を細くできることがわかる。
１図の本実施例の場合は、５μ×５μサイズが可能であ
り、コンタクトのない部分のエミツタ幅はエミッタの最
小設計基準β３まで狭めることが可能だからである。こ
れに対し、従来のトランジスタのエミツタ幅はコンタク
ト幅ｌ、とＡｌ配線の重ね合わせ幅１０の２倍との和、
即ち、ＩＩＪ町れ＋２ｚ０ ・・・（１）とな
り、この時、パターン設計ルール的にｆｉｅ＜Ｊ、
・・・（２）となり、本実施例の方が
エミツタ幅を細くできることがわかる。
ここで、第１図の１−ランジスタのベース抵抗Ｒｈは、
Ｒｈ ” ｒ ｂｂ＋ ＋ ｒ 、 −
（３）但しｒ、＝ｋｔ ／ｑ Ｉ。、ｋはボルツマン定
数。
（３）但しｒ、＝ｋｔ ／ｑ Ｉ。、ｋはボルツマン定
数。
Ｔは絶対温度、ｑは電子の電荷、Ｉｃはコレクタ電流
で与えられ、このｒい・は第１図１ａ１． （ｂｌの平
面。
面。
断面を含めた３次元的な抵抗であり、エミツタ幅が細い
ほど小さくできるものである。
ほど小さくできるものである。
そしてこの時の熱雑音ｖＮは
■、＝Ｖ四１丁：肩コ ・・・（４）
（Ｂ、 Ｌ、Δｒはノイズの周波数帯域で与えられ、（
４）式より抵抗ｒい・が小さいほど、熱雑音ｖＮが小さ
くなることが分かる。
４）式より抵抗ｒい・が小さいほど、熱雑音ｖＮが小さ
くなることが分かる。
なお上記実施例では、ＶＴＲ，ＦＤＤ、ＷＤＤ用等のＩ
Ｃに用いられるものについて示したが、ＶＴＲ，、ＯＡ
機器のへソド７ンプ用ＩＣ以外でもトランジスタの低雑
音化は基本的な性能向上につながるので、一般の民生用
、産業用電子回路の低雑音化に広く応用できる。
Ｃに用いられるものについて示したが、ＶＴＲ，、ＯＡ
機器のへソド７ンプ用ＩＣ以外でもトランジスタの低雑
音化は基本的な性能向上につながるので、一般の民生用
、産業用電子回路の低雑音化に広く応用できる。
以上のように、この発明に係る低雑音トランジスタによ
れば、エミッタ拡散層と配線とを接続するためのコンタ
クトホールを各エミッタ拡散層上に部分的に形成しトラ
ンジスタの実質的なエミツタ幅を細くするよう工夫した
ので、従来のものに比し、３次元的なベース抵抗を低下
できるため、熱雑音をより低下することができるという
効果がある。
れば、エミッタ拡散層と配線とを接続するためのコンタ
クトホールを各エミッタ拡散層上に部分的に形成しトラ
ンジスタの実質的なエミツタ幅を細くするよう工夫した
ので、従来のものに比し、３次元的なベース抵抗を低下
できるため、熱雑音をより低下することができるという
効果がある。
第１図は本発明の一実施例による低雑音トランジスタを
示し１．第１図（ａ）はその平面図、第１図（ｂ）はそ
の断面図である。第２図は従来の低雑音トランジスタを
示し、第２図（ａｌはその平面図、第２図（ｂ）はその
断面図である。 図において、１はベース拡散層、２はコレクタ拡散層、
３．４．５はエミッタ拡散層、１１°。 １２’、１３° はコンタクトホール、１４はアルミ線
（配線）である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
示し１．第１図（ａ）はその平面図、第１図（ｂ）はそ
の断面図である。第２図は従来の低雑音トランジスタを
示し、第２図（ａｌはその平面図、第２図（ｂ）はその
断面図である。 図において、１はベース拡散層、２はコレクタ拡散層、
３．４．５はエミッタ拡散層、１１°。 １２’、１３° はコンタクトホール、１４はアルミ線
（配線）である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）セルフアライン以外のプロセスにより製造され同
一の配線により相互に接続された複数のエミッタ拡散層
を有する低雑音トランジスタにおいて、 上記エミッタ拡散層と配線とを接続するためのコンタク
トホールを各エミッタ拡散層上に部分的に設けたことを
特徴とする低雑音トランジスタ。 - （２）上記エミッタ拡散層は、コンタクトホール形成領
域付近のみ幅広の平面形状を有することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の低雑音トランジスタ。 - （３）上記コンタクトホールは、その平面形状が菱形で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２
項記載の低雑音トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60260200A JPS62119973A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 低雑音トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60260200A JPS62119973A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 低雑音トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119973A true JPS62119973A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=17344720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60260200A Pending JPS62119973A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 低雑音トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119973A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5723897A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-03 | Vtc Inc. | Segmented emitter low noise transistor |
| JP2003068747A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60260200A patent/JPS62119973A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5723897A (en) * | 1995-06-07 | 1998-03-03 | Vtc Inc. | Segmented emitter low noise transistor |
| JP2003068747A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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