JPS6212664B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6212664B2 JPS6212664B2 JP55045935A JP4593580A JPS6212664B2 JP S6212664 B2 JPS6212664 B2 JP S6212664B2 JP 55045935 A JP55045935 A JP 55045935A JP 4593580 A JP4593580 A JP 4593580A JP S6212664 B2 JPS6212664 B2 JP S6212664B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- chip
- check
- area
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路の製造方法、特に工程
チエツク用素子の配置方法に関する。
チエツク用素子の配置方法に関する。
半導体集積回路（以下ICと略記する）を製造
する場合、いくつかの工程を経て所望の回路機能
が半導体基板に集積されるわけであるが、各工程
が設計通りに行なわれたかどうかチエツクをする
ために、必要な工程チエツク用素子を設ける必要
がある。ひとつのチツプ領域にIC本来の機能素
子の外に工程チエツク素子を適当に配置する方法
は元来無数にあるが、１例をあげて説明すると、
第１図に示すように、機能素子を配置する機能素
子領域１と工程チエツク素子１１〜１５を含む領
域２０とから全体のチツプ領域はなつている。チ
エツク素子領域２０はチツプ領域の大小にかゝわ
らず必要な領域であり、チツプサイズが比較的小
さいICにおいては、機能素子領域１以外の占め
る割合が相対的に大きく1.5mm角程度のICの場合
甚しい場合には15％にもなり、素子等のレイアウ
トが制限を受けたり、原価低減上の要請である
ICチツプの縮小化が困難になる等の問題があつ
た。
する場合、いくつかの工程を経て所望の回路機能
が半導体基板に集積されるわけであるが、各工程
が設計通りに行なわれたかどうかチエツクをする
ために、必要な工程チエツク用素子を設ける必要
がある。ひとつのチツプ領域にIC本来の機能素
子の外に工程チエツク素子を適当に配置する方法
は元来無数にあるが、１例をあげて説明すると、
第１図に示すように、機能素子を配置する機能素
子領域１と工程チエツク素子１１〜１５を含む領
域２０とから全体のチツプ領域はなつている。チ
エツク素子領域２０はチツプ領域の大小にかゝわ
らず必要な領域であり、チツプサイズが比較的小
さいICにおいては、機能素子領域１以外の占め
る割合が相対的に大きく1.5mm角程度のICの場合
甚しい場合には15％にもなり、素子等のレイアウ
トが制限を受けたり、原価低減上の要請である
ICチツプの縮小化が困難になる等の問題があつ
た。
本発明はこのような欠点をなくし、ICチツプ
の縮小化に有利な半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
の縮小化に有利な半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
本発明によれば、ある回路機能を実現すべき能
動素子及び又は受動素子を含む機能素子領域と工
程チエツク用素子を含むチエツク領域とを含むチ
ツプ領域を単一半導体基板に複数形成・配置する
工程を含む半導体集積回路の製造方法において、
相異なる複数の工程チエツク用素子を各チツプ領
域に分散して配置することを特徴とする半導体装
置の製造方法が得られる。
動素子及び又は受動素子を含む機能素子領域と工
程チエツク用素子を含むチエツク領域とを含むチ
ツプ領域を単一半導体基板に複数形成・配置する
工程を含む半導体集積回路の製造方法において、
相異なる複数の工程チエツク用素子を各チツプ領
域に分散して配置することを特徴とする半導体装
置の製造方法が得られる。
次に実施例をあげ、図面を用いて本発明を詳細
に説明する。
に説明する。
第２図は本発明の一実施例における配置関係を
示す平面図で、半導体基板２にチツプ領域３-1，
３-2，３-3及び３-4を配置したもので、各チツプ
領域は同一の機能素子領域４-1，４-2，４-3及び
４-4ならびに同一のチエツク領域２０-1，２０
-2，２０-3及び２０-4を有し、かつ各々異なる工
程チエツク用素子１６，１７，１８及び１９を分
散して配置する。チエツク領域は全て同じ位置
（この例では左下隅）に配置してあるのは、パタ
ーン形成ないしチエツク工程時の便宜のためであ
るが、こうすることによつてマスク製作の困難さ
も避けられる。各工程チエツク素子（必ずしも単
一の素子とは限らない）単独では複雑なIC製造
工程のチエツクには不十分であるが、多面付け
（この例では４面付け）されたチツプ領域に分散
して十分な数の異種のチエツク素子を配置するこ
とによつて工程チエツクの目的は達成される。多
面付けされてひとつの群をなすチツプ領域を素チ
ツプ領域（この実施例で第２図に示したもの）と
呼ぶことにすると、この素チツプ領域の大きさ
は、メタルマスク製作上の問題があり、一概に言
えないが四面付を考えるなら、素チツプ領域の大
きさは、４×４mm程度が限度となる。今、1.5×
1.5mmのチツプの四面付を考えると、マスク製作
時間が短縮され、チツプサイズは10〜15％節減が
可能となる。最近よく用いられている３インチ径
ウエーハの場合、10％の節減と考えると有効ペレ
ツト数は16％も増える。本発明の方法は十分に意
味がある。
示す平面図で、半導体基板２にチツプ領域３-1，
３-2，３-3及び３-4を配置したもので、各チツプ
領域は同一の機能素子領域４-1，４-2，４-3及び
４-4ならびに同一のチエツク領域２０-1，２０
-2，２０-3及び２０-4を有し、かつ各々異なる工
程チエツク用素子１６，１７，１８及び１９を分
散して配置する。チエツク領域は全て同じ位置
（この例では左下隅）に配置してあるのは、パタ
ーン形成ないしチエツク工程時の便宜のためであ
るが、こうすることによつてマスク製作の困難さ
も避けられる。各工程チエツク素子（必ずしも単
一の素子とは限らない）単独では複雑なIC製造
工程のチエツクには不十分であるが、多面付け
（この例では４面付け）されたチツプ領域に分散
して十分な数の異種のチエツク素子を配置するこ
とによつて工程チエツクの目的は達成される。多
面付けされてひとつの群をなすチツプ領域を素チ
ツプ領域（この実施例で第２図に示したもの）と
呼ぶことにすると、この素チツプ領域の大きさ
は、メタルマスク製作上の問題があり、一概に言
えないが四面付を考えるなら、素チツプ領域の大
きさは、４×４mm程度が限度となる。今、1.5×
1.5mmのチツプの四面付を考えると、マスク製作
時間が短縮され、チツプサイズは10〜15％節減が
可能となる。最近よく用いられている３インチ径
ウエーハの場合、10％の節減と考えると有効ペレ
ツト数は16％も増える。本発明の方法は十分に意
味がある。
なお図において一点鎖線はスクライブ線を示す
もので、素チツプ領域は最終的には分割されてチ
ツプになる。チエツク領域を設ける場所は任意で
あるが、多くの場合、隅に設けるのが好都合であ
るが、各チツプ領域の同じ場所にするのが好まし
い。
もので、素チツプ領域は最終的には分割されてチ
ツプになる。チエツク領域を設ける場所は任意で
あるが、多くの場合、隅に設けるのが好都合であ
るが、各チツプ領域の同じ場所にするのが好まし
い。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、
工程チエツク素子の占める面積を最小限度におさ
えることができるので、レイアウト上の自由度が
増し、マスク製作における困難さも増すことなく
チツプの縮小化の実現に大きな効果がある。
工程チエツク素子の占める面積を最小限度におさ
えることができるので、レイアウト上の自由度が
増し、マスク製作における困難さも増すことなく
チツプの縮小化の実現に大きな効果がある。
第１図は従来の半導体装置の製造方法を説明す
るための図、第２図は本発明の一実施例を説明す
るための平面図である。 １，４-1，４-2，４-3，４-4……機能素子領
域、２……半導体基板、３-1，３-2，３-3，３-4
……チツプ領域、１１，１２，…，１９……素子
領域、２０，２０-1，２０-2，２０-3，２０-4…
…チエツク領域。
るための図、第２図は本発明の一実施例を説明す
るための平面図である。 １，４-1，４-2，４-3，４-4……機能素子領
域、２……半導体基板、３-1，３-2，３-3，３-4
……チツプ領域、１１，１２，…，１９……素子
領域、２０，２０-1，２０-2，２０-3，２０-4…
…チエツク領域。
Claims (1)
- １ ある回路機能を実現すべき能動素子及び又は
受動素子を含む機能素子領域と工程チエツク用素
子を含むチエツク領域とを含むチツプ領域を単一
半導体基板に複数形成・配置する工程を含む半導
体集積回路の製造方法において、相異なる複数の
工程チエツク用素子を各チツプ領域に分散して配
置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4593580A JPS56142662A (en) | 1980-04-08 | 1980-04-08 | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4593580A JPS56142662A (en) | 1980-04-08 | 1980-04-08 | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56142662A JPS56142662A (en) | 1981-11-07 |
| JPS6212664B2 true JPS6212664B2 (ja) | 1987-03-19 |
Family
ID=12733119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4593580A Granted JPS56142662A (en) | 1980-04-08 | 1980-04-08 | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56142662A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685456U (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-06 | 新キャタピラー三菱株式会社 | 回動式操作レバー装置における固定機構 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63278242A (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1980
- 1980-04-08 JP JP4593580A patent/JPS56142662A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685456U (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-06 | 新キャタピラー三菱株式会社 | 回動式操作レバー装置における固定機構 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56142662A (en) | 1981-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2422485A (en) | IC die with rows of staggered I/O pads with each row having a different pad shape | |
| JPS63211739A (ja) | 半導体装置 | |
| EP0073721A2 (en) | Large scala integration semiconductor device having monitor element and method of manufacturing the same | |
| JPH0542823B2 (ja) | ||
| JPS58116757A (ja) | マスタスライスｌｓｉ | |
| US5656851A (en) | Semiconductor wafer having slices and limited scribe areas for implementing die | |
| JPS61225845A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2734890B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS604249A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63102237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06120346A (ja) | 半導体集積回路チップの自動設計方法 | |
| JPH0310234B2 (ja) | ||
| JPS6194341A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2878765B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5922335A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0129053B2 (ja) | ||
| JPH02189944A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH05166932A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS63280439A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS56142662A (en) | Manufacture of semiconductor integrated circuit | |
| JPH0332044A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS60223140A (ja) | 大規模集積回路の製造方法 | |
| JPH03185730A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01290242A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0521708A (ja) | 半導体装置 |