JPH0476905A - 無電解メッキ膜 - Google Patents
無電解メッキ膜Info
- Publication number
- JPH0476905A JPH0476905A JP18944390A JP18944390A JPH0476905A JP H0476905 A JPH0476905 A JP H0476905A JP 18944390 A JP18944390 A JP 18944390A JP 18944390 A JP18944390 A JP 18944390A JP H0476905 A JPH0476905 A JP H0476905A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- electroless plating
- electroless
- ions
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates from liquids
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マグヱスケール等に用いて好適な無電解メッ
キ膜に関する。
キ膜に関する。
［発明の概要〕
本発明は、所定の組成比を有するＣ ｏ Ｍ ｎ Ｗ
Ｐ磁性膜を無電解メッキ法により成膜することにより、
高保磁力を有するとともに、良好な角形比を有する＄、
電解メッキ膜を捷供しようとするものである。
Ｐ磁性膜を無電解メッキ法により成膜することにより、
高保磁力を有するとともに、良好な角形比を有する＄、
電解メッキ膜を捷供しようとするものである。
磁気記録媒体の分野において、従来より、無電解メッキ
法によってＣｏ−Ｐ系等の無電解メッキ膜を成膜する技
術が研究されている。この無電解メッキ膜は、膜厚の均
一性に優れ、高保磁力を有するとともに大量生産性に優
れていることから、既に、汎用コンピュータの外部記憶
用磁気記録媒体等に実用化されている。
法によってＣｏ−Ｐ系等の無電解メッキ膜を成膜する技
術が研究されている。この無電解メッキ膜は、膜厚の均
一性に優れ、高保磁力を有するとともに大量生産性に優
れていることから、既に、汎用コンピュータの外部記憶
用磁気記録媒体等に実用化されている。
ところで、磁気記録媒体の記録密度の向上を図るために
は、磁性膜の高保磁力化が不可欠であり、このような状
況から、前述のようなＣｏ−Ｐ磁性膜にＮｉ、Ｍｎ、Ｚ
ｎ、Ｗ等を共析させたＣｏ系磁性膜が開発されている。
は、磁性膜の高保磁力化が不可欠であり、このような状
況から、前述のようなＣｏ−Ｐ磁性膜にＮｉ、Ｍｎ、Ｚ
ｎ、Ｗ等を共析させたＣｏ系磁性膜が開発されている。
中でも、ＭｎやＺｎを共析させた磁性膜では、Ｉｌｌ！
厚に依存しない高保磁力材料が得られることが知られて
おり、特にＣＯＭｎＰｌ性膜では、約１５０００ｅｌ）
高保磁力が達成されることが報告されている。そして、
このＣｏＭｎＰ磁性膜は、大きな垂直磁気異方性を有し
ていることから、垂直磁気記録媒体としての利用が検討
されている。
厚に依存しない高保磁力材料が得られることが知られて
おり、特にＣＯＭｎＰｌ性膜では、約１５０００ｅｌ）
高保磁力が達成されることが報告されている。そして、
このＣｏＭｎＰ磁性膜は、大きな垂直磁気異方性を有し
ていることから、垂直磁気記録媒体としての利用が検討
されている。
ところで、上記Ｃｏ Ｍ ｎ Ｐ磁性膜の有する高保磁
力を利用して、面内記録用１例えばマグネスケールに用
いようとした場合には、角形比（残留磁束密度Ｂｒ／飽
和磁束密度Ｂｓ）の点で不満があり、特に膜厚がある程
度厚い場合にも良好な角形比が維持されることが望まれ
ている。
力を利用して、面内記録用１例えばマグネスケールに用
いようとした場合には、角形比（残留磁束密度Ｂｒ／飽
和磁束密度Ｂｓ）の点で不満があり、特に膜厚がある程
度厚い場合にも良好な角形比が維持されることが望まれ
ている。
そこで、本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案され
たものであって、優れた高保磁力を存しつつ、良好な角
形比を示す無電解メッキ膜を提供することを目的とする
。
たものであって、優れた高保磁力を存しつつ、良好な角
形比を示す無電解メッキ膜を提供することを目的とする
。
Ｃ課題を解決するための手段〕
本発明者等は、１ｌｉ７７述の目的を達成せんものと鋭
意研究を重ねた結果、Ｃｏ−Ｐ無；解メッキ浴中にＭｎ
イオン及びＷイオンを添加して、Ｃｏ Ｍ ｎＷＰ磁性
膜として共析させることにより、高保磁力、及び良好な
角形比を有する無電解メッキ膜が得られることを見出す
に至った。
意研究を重ねた結果、Ｃｏ−Ｐ無；解メッキ浴中にＭｎ
イオン及びＷイオンを添加して、Ｃｏ Ｍ ｎＷＰ磁性
膜として共析させることにより、高保磁力、及び良好な
角形比を有する無電解メッキ膜が得られることを見出す
に至った。
本発明はかかる知見に基づいて完成されたものである。
即ち、本発明にかかる無電解メッキ膜は、Ｃｏ、 Ｍｎ
ａ Ｗｂ Ｐ ｙ （但し、前記ｘ、 ｙ、 ａ及び
ｂはそれぞれ各元素の割合を原子％で表す。）で表され
、その組成範囲が ８５≦ｘ≦９５ ０、１≦ａ≦１．５ ０、１≦ｂ≦５ ｘ＋ａ’−、ｂ＋３’＝１００ であることを特徴とするものである。
ａ Ｗｂ Ｐ ｙ （但し、前記ｘ、 ｙ、 ａ及び
ｂはそれぞれ各元素の割合を原子％で表す。）で表され
、その組成範囲が ８５≦ｘ≦９５ ０、１≦ａ≦１．５ ０、１≦ｂ≦５ ｘ＋ａ’−、ｂ＋３’＝１００ であることを特徴とするものである。
本発明の無電解メッキ膜においては、その組成範囲を上
述のように規定することにより、高保磁力とともに、良
好な角形比を実現することができ本発明の無電解メッキ
膜は、所定の濃度に調製された無電解メッキ浴を用いて
成膜される。
述のように規定することにより、高保磁力とともに、良
好な角形比を実現することができ本発明の無電解メッキ
膜は、所定の濃度に調製された無電解メッキ浴を用いて
成膜される。
上記無電解メッキ浴には、コバルトイオン及びリンイオ
ンが導入され、必要に応してｐＨ１１衝剤、ｐＨｆｆ１
節剤等が加えられ、更に添加剤としてＭｎイオン及びＷ
イオンが加えられる。
ンが導入され、必要に応してｐＨ１１衝剤、ｐＨｆｆ１
節剤等が加えられ、更に添加剤としてＭｎイオン及びＷ
イオンが加えられる。
コバルトイオンは、硫酸塩、塩化物、酢酸塩算の可溶性
塩を無電解メッキ浴中に熔解させることにより供給され
る。
塩を無電解メッキ浴中に熔解させることにより供給され
る。
また、還元剤として次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸
カリウム等を使用することにより、リンを導入すること
ができる。
カリウム等を使用することにより、リンを導入すること
ができる。
マンガンイオンは、硫酸塩等の可溶性塩を無電解メンキ
浴中に溶解させることにより供給される。
浴中に溶解させることにより供給される。
マンガンイオンの濃度は、０．００１〜０．１ｍｏｌ、
Ｎ！であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜
０．０３■ｏｆ／ｊ２である。上述の範囲から外れると
、即ちＯ，ＯＯ１１１ｏｔ／４２を下回る場合、又は０
． Ｉ ｍｏｌ／ｌを越える場合には、成膜速度が非常
に遅くなる。
Ｎ！であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜
０．０３■ｏｆ／ｊ２である。上述の範囲から外れると
、即ちＯ，ＯＯ１１１ｏｔ／４２を下回る場合、又は０
． Ｉ ｍｏｌ／ｌを越える場合には、成膜速度が非常
に遅くなる。
マンガンイオンの濃度が０． Ｉ 曙ｏ１／ Ｅを越え
る場合に：よ、無電解メッキ浴のｐ Ｈを高（（ｐＨ＝
ｌ。
る場合に：よ、無電解メッキ浴のｐ Ｈを高（（ｐＨ＝
ｌ。
程度）して成膜速度を増大させることも考えらねるが、
この場合、上記無電解メッキ浴か分解し易くなるので好
ましくない。
この場合、上記無電解メッキ浴か分解し易くなるので好
ましくない。
タングステンイオンは、アンモニウム塩、ナトリウム塩
等の可溶性塩を無電解メッキ浴中に溶解させることによ
り供給される。タングステンイオンの濃度は、０．００
１＝Ｏ，１ｍｏｌ／ｆｆｉであることが好ましい。更に
、良好な成膜速度を確保するとともに、優れた角形比を
得るために、０．０ Ｏ５〜０゜０２ｍｏｌ＃！とする
ことがより好ましい。
等の可溶性塩を無電解メッキ浴中に溶解させることによ
り供給される。タングステンイオンの濃度は、０．００
１＝Ｏ，１ｍｏｌ／ｆｆｉであることが好ましい。更に
、良好な成膜速度を確保するとともに、優れた角形比を
得るために、０．０ Ｏ５〜０゜０２ｍｏｌ＃！とする
ことがより好ましい。
本発明の無電解メッキ膜の下地ｉ々しては、適宜選定し
て使用すればよいが、下地膜の種類によって、得られる
無電解メッキ膜の磁気特性が異なる。例えば、スパッタ
等によるＰｄ膜を下地膜とすると、垂直磁気異方性を有
する磁性膜が得られる。また、無電解メッキ法によるＮ
１−Ｐ膜を下地膜として用いると、面内磁化膜が得られ
る。
て使用すればよいが、下地膜の種類によって、得られる
無電解メッキ膜の磁気特性が異なる。例えば、スパッタ
等によるＰｄ膜を下地膜とすると、垂直磁気異方性を有
する磁性膜が得られる。また、無電解メッキ法によるＮ
１−Ｐ膜を下地膜として用いると、面内磁化膜が得られ
る。
〔作用］
本発明の無電解メッキ膜では、ＣｏＭｎＰ［性膜に加え
てタングステンが導入され、更にその組成比が規定され
ており、これにより高保磁力が得られるとともに、膜厚
が厚くとも良好な角形比が確保され、同時に実用的な成
膜速度も維持される。
てタングステンが導入され、更にその組成比が規定され
ており、これにより高保磁力が得られるとともに、膜厚
が厚くとも良好な角形比が確保され、同時に実用的な成
膜速度も維持される。
こ実施例］
本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。
クエン酸ナトリウム ０．２ ｍｏｌ／ ｊ！ホ
ウ酸 ０．５ ｍｏｌ／ １上記基本
メッキ浴を水酸化ナトリウムを用いて所定のｐＨに調節
した。そして、この基本メッキ浴中にタングステン酸ナ
トリウム０、Ｏ０５ｓｏｌ／ρ及び硫酸マンガン０．０
２ ｍｏｌ／ ｊ！を加えた。そして、得られた無電解
メッキ浴をｐＨ９、浴温８０℃として、上記基板Ａ上に
メッキを行い、約０．１μｍ厚のＣｏ Ｍ ｎ Ｗ Ｐ
磁性膜を作製した。
ウ酸 ０．５ ｍｏｌ／ １上記基本
メッキ浴を水酸化ナトリウムを用いて所定のｐＨに調節
した。そして、この基本メッキ浴中にタングステン酸ナ
トリウム０、Ｏ０５ｓｏｌ／ρ及び硫酸マンガン０．０
２ ｍｏｌ／ ｊ！を加えた。そして、得られた無電解
メッキ浴をｐＨ９、浴温８０℃として、上記基板Ａ上に
メッキを行い、約０．１μｍ厚のＣｏ Ｍ ｎ Ｗ Ｐ
磁性膜を作製した。
実１１津１
本実施例では、スライドガラス上にＰｄをスパッタして
触媒活性層を形成した基板Ａを用いた。
触媒活性層を形成した基板Ａを用いた。
そして、以下の手法により無電解メッキ浴を調製した。
基本メッキ浴の組成
硫酸コバルト
０、１ ｍｏｌ／ １
次亜リン酸ナトリウム ０．２ ｍｏｌ／ ｊ２ス
ｌｌ津１ 本実施例では、スライドガラス上にＰｄをスパッタして
触媒活性層を形成した後、更に無電解メッキ法により約
０．２μｍ厚のＮｉＰ非磁性膜を形成し、この基板Ｂを
用いた。
ｌｌ津１ 本実施例では、スライドガラス上にＰｄをスパッタして
触媒活性層を形成した後、更に無電解メッキ法により約
０．２μｍ厚のＮｉＰ非磁性膜を形成し、この基板Ｂを
用いた。
そして、上述のように調製した無電解メッキ浴中で、実
施例１と同一の手法により上記基板Ｂ上にメッキを行い
、約０．１ 、ｌ／ ｍ厚のＣｏＭｎＷＰ［性膜を作製
した。
施例１と同一の手法により上記基板Ｂ上にメッキを行い
、約０．１ 、ｌ／ ｍ厚のＣｏＭｎＷＰ［性膜を作製
した。
且ｆｌｉｍ
上述の基本メッキ浴の組成中に硫酸マンガン０゜０４ｍ
ｏｌ／βのみを加えた。そして、得られた無電解メッキ
浴をｐＨ９、浴温８０°Ｃとして、上記基Ｆｊ、Ａ上に
メッキを行い、約０．１５μｍ厚のＣｏＭｎＰ磁性膜を
作製した。
ｏｌ／βのみを加えた。そして、得られた無電解メッキ
浴をｐＨ９、浴温８０°Ｃとして、上記基Ｆｊ、Ａ上に
メッキを行い、約０．１５μｍ厚のＣｏＭｎＰ磁性膜を
作製した。
上述のようにして作製した各磁性膜について、膜面内の
保磁力Ｈｃ及び角形比を調べた。
保磁力Ｈｃ及び角形比を調べた。
この結果を第１表に示す。
第１表
第１表が示すように、実施例１及び実施例２では、高い
保磁力Ｈｃが得られた。また、比較例１と比べると、角
形比が著しく改善されることが明らかとなった。
保磁力Ｈｃが得られた。また、比較例１と比べると、角
形比が著しく改善されることが明らかとなった。
また、第１図は、実施例１に関する面内方向のＢ−（（
曲線（ａ）と垂直方向のＢ−８曲線（ｂ）を同時に示す
特性図である。同様に、第２図及び第３図Ｇこ実施例２
及び比較例１について面内方向のＢ−８曲線（ａ）と垂
直方向のＢ−８曲線（ｂ）をそれぞれ示した。
曲線（ａ）と垂直方向のＢ−８曲線（ｂ）を同時に示す
特性図である。同様に、第２図及び第３図Ｇこ実施例２
及び比較例１について面内方向のＢ−８曲線（ａ）と垂
直方向のＢ−８曲線（ｂ）をそれぞれ示した。
第１図に示すように、実施例１は、比較例１と同様に垂
直磁気異方性を有する高保磁力膜であることが判った。
直磁気異方性を有する高保磁力膜であることが判った。
これに対し、実施例２は、良好な面内磁化膜であった。
また、第１表からも明らかなように、この面内磁化膜は
実施例１における磁化膜よりもさらに優れた角形比を有
している。このことから、スパッタ等によるＰｄ膜を下
地膜とした場合には、垂直磁気異方性を有する高保磁力
媒体が得られ、ＮｉＰ膜を下地膜とした場合には、角形
比に優れた面内磁化膜が得られることが判った。
実施例１における磁化膜よりもさらに優れた角形比を有
している。このことから、スパッタ等によるＰｄ膜を下
地膜とした場合には、垂直磁気異方性を有する高保磁力
媒体が得られ、ＮｉＰ膜を下地膜とした場合には、角形
比に優れた面内磁化膜が得られることが判った。
この事実は、第４図に示すＸ線回折の結果からも明らか
となる。即ち、第４図に示すように、実施例１と実施例
２は、内部構造が異なっている。
となる。即ち、第４図に示すように、実施例１と実施例
２は、内部構造が異なっている。
この内部構造の差異によって磁気特性の変化が生ずると
考えられる。
考えられる。
次に、無電解メッキ浴中のタングステンイオンとマンガ
ンイオンの濃度を変化させてメッキを行い、得られた膜
の組成比とその膜の磁気特性との関係を検討した。
ンイオンの濃度を変化させてメッキを行い、得られた膜
の組成比とその膜の磁気特性との関係を検討した。
実１１１１
硫酸マンガンとタングステン酸ナトリウムの添加量を変
化させて上述の基本メッキ浴の組成中に加えた。これら
無電解メッキ浴中で、実施例２と同一の手法により上記
基板Ｂ上にメンキを行い、２０種類の磁性膜（膜厚約０
．１μｍ）を作製した。
化させて上述の基本メッキ浴の組成中に加えた。これら
無電解メッキ浴中で、実施例２と同一の手法により上記
基板Ｂ上にメンキを行い、２０種類の磁性膜（膜厚約０
．１μｍ）を作製した。
なお、比較用として、実施例１における上記基本メッキ
浴の組成中にｇｍマンガン０．０２５ｅａｌ／ １のみ
を加えた無電解メッキ浴中で、実施例２と同一の手法に
より上記基板Ｂ上にメッキを行ってＣｏＭｎＰ磁性膜を
作製した。
浴の組成中にｇｍマンガン０．０２５ｅａｌ／ １のみ
を加えた無電解メッキ浴中で、実施例２と同一の手法に
より上記基板Ｂ上にメッキを行ってＣｏＭｎＰ磁性膜を
作製した。
そして、上述のように無電解メッキ浴中のマンガンイオ
ンの濃度及びタングステンイオンの濃度を変化させた時
Ｓこおける成膜速度を測定した出ころ、第６０に示すよ
うな結果が得みれた。
ンの濃度及びタングステンイオンの濃度を変化させた時
Ｓこおける成膜速度を測定した出ころ、第６０に示すよ
うな結果が得みれた。
第６図に示すように、マンガンイオンの′ｅＡ度を０．
０５ｍｏｌ／ｆとした時のように、マンガンイオンの濃
度が増大すると、成膜速度が遅くなる傾向；こあること
が判った。逆に、図中Δ印で示す組成においては、成膜
速度は非常に遅くなった。このことから、マンガンイオ
ンの濃度は０．００１〜０．１ｍａ１／ ｌであること
が好ましく、より好ましくは０゜０１〜０．０３ ｍｏ
ｌ／ ｌとされる。一方、タングステンイオンについて
も、４度の増化に伴って成膜速度が低下することが判っ
た。
０５ｍｏｌ／ｆとした時のように、マンガンイオンの濃
度が増大すると、成膜速度が遅くなる傾向；こあること
が判った。逆に、図中Δ印で示す組成においては、成膜
速度は非常に遅くなった。このことから、マンガンイオ
ンの濃度は０．００１〜０．１ｍａ１／ ｌであること
が好ましく、より好ましくは０゜０１〜０．０３ ｍｏ
ｌ／ ｌとされる。一方、タングステンイオンについて
も、４度の増化に伴って成膜速度が低下することが判っ
た。
そこで、上記比較用のＣｏＭｎＰｔｆｔ性膜も含めた上
述の２１ｉ１類の磁性膜のうち、第２表に示す磁性膜を
用い、約０．１μｍ厚のＣｏＭｎＷＰ磁性膜と１μｍ以
上の膜厚のＣｏ Ｍ ｎ Ｗ Ｐ磁性膜にっいてそれぞ
れ面内方向の保磁力Ｈｃ及び角形比を調べた。
述の２１ｉ１類の磁性膜のうち、第２表に示す磁性膜を
用い、約０．１μｍ厚のＣｏＭｎＷＰ磁性膜と１μｍ以
上の膜厚のＣｏ Ｍ ｎ Ｗ Ｐ磁性膜にっいてそれぞ
れ面内方向の保磁力Ｈｃ及び角形比を調べた。
この結果を第２表に示す。
（以下余白）
第２表より、本実施例では、従来のＣｏＭｎＰ磁性膜と
同様に比較的高い保磁力Ｈｃを確保することができた。
同様に比較的高い保磁力Ｈｃを確保することができた。
また、この磁化膜は、優れた角形比を示す。更に、無電
解メッキ浴中のタングステンイオンの濃度が０．０１２
５ｍｏｌ／ｆｆ以下である場合については、ｌｌ！ｉ！
厚が１μｍ以上のものでも、良好な角形比を維持してい
ることが判った。
解メッキ浴中のタングステンイオンの濃度が０．０１２
５ｍｏｌ／ｆｆ以下である場合については、ｌｌ！ｉ！
厚が１μｍ以上のものでも、良好な角形比を維持してい
ることが判った。
〔発明の効果］
以上の説明からも明らかなように、本発明の無電解メッ
キ膜では、無電解メッキ法により所定の組成を有するＣ
ｏＭｎＷＰ膜を成膜するので、高保磁力を有するととも
に、優れた角形比を実現することができる。
キ膜では、無電解メッキ法により所定の組成を有するＣ
ｏＭｎＷＰ膜を成膜するので、高保磁力を有するととも
に、優れた角形比を実現することができる。
また、本発明の無電解メンキ膜は、下地膜を選定すれば
、面内磁化膜にも、垂直磁気異方性を存する磁化膜にも
なることが可能である。
、面内磁化膜にも、垂直磁気異方性を存する磁化膜にも
なることが可能である。
更に、本発明の無電解メッキ膜は、膜厚に依存せずに良
好な磁気特性を示すので、例えば２〜３μｍ程度の膜厚
を必要とするマグネスケール等に用いて好適な磁気記録
媒体を捉供することができる。
好な磁気特性を示すので、例えば２〜３μｍ程度の膜厚
を必要とするマグネスケール等に用いて好適な磁気記録
媒体を捉供することができる。
第１図はＰｄ下地膜上に成膜されたＣ ｏ Ｍ ｎＷＰ
無電解メッキ膜の１３−８曲線を示す特性図、第２図は
ＮｉＰ下地股上に成膜されたＣｏＭｎＷＰ無電解メ、キ
膜のＢ−８曲線を示す特性図、第３図は従来のＣｏＭｎ
Ｐ無電解メッキ膜のＢ−８曲線を示す特性図である。第
４図ｉま上記Ｐｄ下地膜上に成膜されたＣ ｏ Ｍ ｎ
Ｗ Ｐ無電解メンキ膜のＸ線回折像を示す特性図、第
５図は上記Ｎ１ＰＴ地膜上に成膜されたＣ ｏ Ｍ ｎ
Ｗ Ｐ無電解メ、キ膜のＸ線回折像を示す特性図であ
る。第６図は無電解メンキ浴中のマンガンイオンとタン
グステンイオンの濃度を変化させた時の成膜速度の関係
を示す特性図である。
無電解メッキ膜の１３−８曲線を示す特性図、第２図は
ＮｉＰ下地股上に成膜されたＣｏＭｎＷＰ無電解メ、キ
膜のＢ−８曲線を示す特性図、第３図は従来のＣｏＭｎ
Ｐ無電解メッキ膜のＢ−８曲線を示す特性図である。第
４図ｉま上記Ｐｄ下地膜上に成膜されたＣ ｏ Ｍ ｎ
Ｗ Ｐ無電解メンキ膜のＸ線回折像を示す特性図、第
５図は上記Ｎ１ＰＴ地膜上に成膜されたＣ ｏ Ｍ ｎ
Ｗ Ｐ無電解メ、キ膜のＸ線回折像を示す特性図であ
る。第６図は無電解メンキ浴中のマンガンイオンとタン
グステンイオンの濃度を変化させた時の成膜速度の関係
を示す特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｃｏ＿ｘＭｎ＿ａＷ＿ｂＰ＿ｙ（但し、前記ｘ，ｙ，
ａ及びｂはそれぞれ各元素の割合を原子％で表す。）で
表され、その組成範囲が ８５≦ｘ≦９５ ０．１≦ａ≦１．５ ０．１≦ｂ≦５ ｘ＋ａ＋ｂ＋ｙ＝１００ であることを特徴とする無電解メッキ膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18944390A JPH0476905A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 無電解メッキ膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18944390A JPH0476905A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 無電解メッキ膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0476905A true JPH0476905A (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16241338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18944390A Pending JPH0476905A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | 無電解メッキ膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0476905A (ja) |
-
1990
- 1990-07-19 JP JP18944390A patent/JPH0476905A/ja active Pending
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