JPS6213106A - 電力増幅回路 - Google Patents
電力増幅回路Info
- Publication number
- JPS6213106A JPS6213106A JP60152665A JP15266585A JPS6213106A JP S6213106 A JPS6213106 A JP S6213106A JP 60152665 A JP60152665 A JP 60152665A JP 15266585 A JP15266585 A JP 15266585A JP S6213106 A JPS6213106 A JP S6213106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- power
- transistor
- terminal
- amplifier circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は最大出力電力の異なるトランジスタをカスコー
ドに接続した電力増幅回路に関する。
ドに接続した電力増幅回路に関する。
従来の技術
従来の電力増幅回路について第２図に示すハイブリッド
集積回路を用いて説明する。放熱用銅板１上に、チップ
部品等で形成した回路を有するセラミック基板２を搭載
１〜、チップ部品の主要要素として、トランジスタ３ａ
、３ｂ、ｓｃが含まれている。これらのトランジスタ
３ａ、３ｂ、３ｃはカスコード接続され、トランジスタ
３ａの入力２ 、 端子４に入力信号を印加し、トランジスタ３Ｃの出力端
子６から出力信号が取り出され、電源端子６からトラン
ジスタ３ａ 、３ｂ 、３ｃの動作電圧が饋電されてい
る。各トランジスタの最大出力は３ａ、３ｂ、３ｃの順
に順次増大している。
集積回路を用いて説明する。放熱用銅板１上に、チップ
部品等で形成した回路を有するセラミック基板２を搭載
１〜、チップ部品の主要要素として、トランジスタ３ａ
、３ｂ、ｓｃが含まれている。これらのトランジスタ
３ａ、３ｂ、３ｃはカスコード接続され、トランジスタ
３ａの入力２ 、 端子４に入力信号を印加し、トランジスタ３Ｃの出力端
子６から出力信号が取り出され、電源端子６からトラン
ジスタ３ａ 、３ｂ 、３ｃの動作電圧が饋電されてい
る。各トランジスタの最大出力は３ａ、３ｂ、３ｃの順
に順次増大している。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、複数の出力電力を同一の出
力電力端子から得る場合、高い最大出力電力を持つ例え
ばトランジスタ３Ｃを例えばトランジスタ３ａの低い出
力電力で使用する為、電源効率が悪いという問題があっ
た。本発明はこのような問題点を解決するもので、複数
の出力電力を電源効率の高い状態で実現することを目的
とするものである。
力電力端子から得る場合、高い最大出力電力を持つ例え
ばトランジスタ３Ｃを例えばトランジスタ３ａの低い出
力電力で使用する為、電源効率が悪いという問題があっ
た。本発明はこのような問題点を解決するもので、複数
の出力電力を電源効率の高い状態で実現することを目的
とするものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために、本発明は最大出力の異な
る複数の出力端子と上記出力端子間の出力切り換え手段
とを有し、最大出力の異なるトランジスタのカスコード
接続により構成された事を特徴とする電力増幅回路を提
供するものである。
る複数の出力端子と上記出力端子間の出力切り換え手段
とを有し、最大出力の異なるトランジスタのカスコード
接続により構成された事を特徴とする電力増幅回路を提
供するものである。
作 用
この構成により、適当な最大出力電力を有するトランジ
スタを使用して、電源効率の良い状態で、複数の出力電
力を取り出すことが可能となる。
スタを使用して、電源効率の良い状態で、複数の出力電
力を取り出すことが可能となる。
実施例
本発明の実施例として、第１図に示すハイブリッド集積
回路について説明する。放熱用銅板１１上に、チップ部
品等で形成した回路を有するセラミック基板１２を搭載
し、チップ部品の主要要素としてトランジスタ１３ａ、
１３ｂ、１３ｃが含まれている。これらのトランジスタ
はカスコード接続され、トランジスタ１３ａの入力端子
１４に入力信号を印加し、トランジスタ１３ａの出力端
子１６及びトランジスタ１３Ｇの出力端子１７から夫々
出力信号が取り出され、電源端子１６からトランジスタ
１３ａ、１３ｂ、１３ｃの動作電圧が饋電されている。
回路について説明する。放熱用銅板１１上に、チップ部
品等で形成した回路を有するセラミック基板１２を搭載
し、チップ部品の主要要素としてトランジスタ１３ａ、
１３ｂ、１３ｃが含まれている。これらのトランジスタ
はカスコード接続され、トランジスタ１３ａの入力端子
１４に入力信号を印加し、トランジスタ１３ａの出力端
子１６及びトランジスタ１３Ｇの出力端子１７から夫々
出力信号が取り出され、電源端子１６からトランジスタ
１３ａ、１３ｂ、１３ｃの動作電圧が饋電されている。
トランジスタ１３ａの出力結合コンデンサとトランジス
タ１３ｂの入力結合コンデンサ間にはダイオード２２が
接続され、トランジスタ１３ａの出力結合コンデンサと
出力端子１７の結合コンデンサとの間にはダイオード２
１が接続され、ダイオード２２の両端には出力電力切り
換え用電源端子２０．１９が接続され、ダイオード２１
の両端にｄ出力電力切り換え用電源端子２０．１８が接
続されている。なお各トランジスタの最大出力は１３ａ
、１３ｂ、１３ｃの順に順次増大している。
タ１３ｂの入力結合コンデンサ間にはダイオード２２が
接続され、トランジスタ１３ａの出力結合コンデンサと
出力端子１７の結合コンデンサとの間にはダイオード２
１が接続され、ダイオード２２の両端には出力電力切り
換え用電源端子２０．１９が接続され、ダイオード２１
の両端にｄ出力電力切り換え用電源端子２０．１８が接
続されている。なお各トランジスタの最大出力は１３ａ
、１３ｂ、１３ｃの順に順次増大している。
上記の構成は、三段構成の電力増幅用のノ・イブリッド
集積回路において、二種類の出力電力を得る場合の構成
を示している。この場合、出力電力の切り換え手段とし
ては上記のダイオード２１゜２２を用いる。ダイオード
２２がＯＮ、ダイオード２１がＯＦ’Ｆ になるように
出力電力用切り換え端子１６にトランジスタ１３ａ、１
３ｂ、１３ｃＶＣよって三段増幅された電力が得られ、
寸だダイオード２１がＯＮ 、ダイオードがＯＦ’Ｆ
になるように出力電力切り換え用電源端子１８，１９
．２０に電圧を力えると、出力端子１７にトランジスタ
１３ａ一段で増幅された電力が得られる。
集積回路において、二種類の出力電力を得る場合の構成
を示している。この場合、出力電力の切り換え手段とし
ては上記のダイオード２１゜２２を用いる。ダイオード
２２がＯＮ、ダイオード２１がＯＦ’Ｆ になるように
出力電力用切り換え端子１６にトランジスタ１３ａ、１
３ｂ、１３ｃＶＣよって三段増幅された電力が得られ、
寸だダイオード２１がＯＮ 、ダイオードがＯＦ’Ｆ
になるように出力電力切り換え用電源端子１８，１９
．２０に電圧を力えると、出力端子１７にトランジスタ
１３ａ一段で増幅された電力が得られる。
尚、上記の例では出力電力切り換え用手段として、ダイ
オードを用いたが代りに、トランジスタ等の他のスイッ
チング素子を用いる事の可能な事は勿論である。
オードを用いたが代りに、トランジスタ等の他のスイッ
チング素子を用いる事の可能な事は勿論である。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、電力
増幅用・・イブリッドＩＣにおいて、電源効率の良い状
態で複数の出力電力が得られるという効果がある。
増幅用・・イブリッドＩＣにおいて、電源効率の良い状
態で複数の出力電力が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例による電力増幅回路の模式図
、第２図は従来の電力増幅回路の模式図である。 １１・・・・・・放熱用銅板、１２・・・・・・セラミ
ックス基板、１３・・・・・・トランジスタ、１４・・
・・・入力電力端子、１５・・・・・・電源端子、１６
．１７・・・・・・出力電力端子、１８，１９．２０・
・・・・・出力切り換え用電源端子、２１．２２・・・
・・・ダイオード。
、第２図は従来の電力増幅回路の模式図である。 １１・・・・・・放熱用銅板、１２・・・・・・セラミ
ックス基板、１３・・・・・・トランジスタ、１４・・
・・・入力電力端子、１５・・・・・・電源端子、１６
．１７・・・・・・出力電力端子、１８，１９．２０・
・・・・・出力切り換え用電源端子、２１．２２・・・
・・・ダイオード。
Claims (1)
- 最大出力電力の異なる複数の出力端子と上記出力端子間
の出力切り換え手段とを有し、最大出力電力の異なる複
数のトランジスタをカスコード接続したことを特徴とす
る電力増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152665A JPS6213106A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 電力増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60152665A JPS6213106A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 電力増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213106A true JPS6213106A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15545410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60152665A Pending JPS6213106A (ja) | 1985-07-11 | 1985-07-11 | 電力増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6213106A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6254423B1 (en) * | 2001-01-04 | 2001-07-03 | Chin-Feng Lin | Power diode terminal holder mounting arrangement |
-
1985
- 1985-07-11 JP JP60152665A patent/JPS6213106A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6254423B1 (en) * | 2001-01-04 | 2001-07-03 | Chin-Feng Lin | Power diode terminal holder mounting arrangement |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2023029754A1 (zh) | 读卡电路、读卡器及读卡系统 | |
| US5726605A (en) | Silicon carbide RF power module | |
| US4274018A (en) | Saturation limited bias circuit for complementary transistors | |
| JPS6141444B2 (ja) | ||
| JPH0219002A (ja) | マイクロ波増幅回路 | |
| US5040050A (en) | Hybrid circuit comprising a cascade connection of parallel-transistor stages | |
| JP3203377B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS6085615A (ja) | バツフア・アンプ | |
| JPH01204513A (ja) | 電流出力回路 | |
| JP3198266B2 (ja) | 電力用半導体モジュール | |
| US20210152142A1 (en) | Distributed amplifier with low supply voltage and low power consumption for full-chip high-speed communication | |
| JPS59117810A (ja) | ハイブリツドｉｃ化ｆｅｔ増幅器 | |
| JPS58153373U (ja) | 電気部品の異常検出装置 | |
| JPH021177A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6024714A (ja) | 音声ミキシング回路 | |
| JPS5869947U (ja) | マイクロ波半導体回路 | |
| JPH01120112A (ja) | チューナａｆｃ回路 | |
| JPH03222509A (ja) | 入力整合回路 | |
| JPS61137410A (ja) | 高周波高出力混成集積回路 | |
| JPS5959015U (ja) | 電力増幅器の保護回路 | |
| JPS6047311U (ja) | パワ−プロテクタ回路 | |
| JPS6039126U (ja) | 電流源回路 | |
| JPS63296412A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS5958919A (ja) | Ｅｃｌ回路技術における回路装置 | |
| JPS60172438U (ja) | 半導体装置 |