JPS63296412A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS63296412A JPS63296412A JP62132193A JP13219387A JPS63296412A JP S63296412 A JPS63296412 A JP S63296412A JP 62132193 A JP62132193 A JP 62132193A JP 13219387 A JP13219387 A JP 13219387A JP S63296412 A JPS63296412 A JP S63296412A
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- Japan
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- power supply
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- supply wiring
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置に関し、特に静電保護回路
を有する半導体集積回路装置に関するものである。
を有する半導体集積回路装置に関するものである。
従来、この種の半導体集積回路装置は、第３図に示す様
に出力信号パッド５は、電源配線１と電源配線２との間
に、それぞれ静電保護素子３および４を接続していた。
に出力信号パッド５は、電源配線１と電源配線２との間
に、それぞれ静電保護素子３および４を接続していた。
上述した従来の同電源配線が電源配線１と電源配線２と
に分離された半導体集積回路装置では、出力信号パッド
５から電源配線１および電源配線２間にそれぞれ静電保
護素子３および４を接続していた。その為、半導体集積
回路装置の個々の出力回路に静電保護素子が２個必要と
なり、半導体集積回路装置が大きくなってしまうという
欠点がある。
に分離された半導体集積回路装置では、出力信号パッド
５から電源配線１および電源配線２間にそれぞれ静電保
護素子３および４を接続していた。その為、半導体集積
回路装置の個々の出力回路に静電保護素子が２個必要と
なり、半導体集積回路装置が大きくなってしまうという
欠点がある。
本発明の目的は、上記欠点を除去し対静電気にも強くて
より小型化にすることができる半導体集積回路装置を提
供することにある。
より小型化にすることができる半導体集積回路装置を提
供することにある。
本発明の半導体集積回路装置の構成は、パッド出力用ト
ランジスタの第１の高電位側電源配線およびそれと同電
位である同トランジスタ前段までの内部論理部の第２の
高電位側電源配線とが分離された半導体集積回路装置の
前記第１および第２の高電位側電源配線間にダイオード
を双方向に接続する事を特徴とする。
ランジスタの第１の高電位側電源配線およびそれと同電
位である同トランジスタ前段までの内部論理部の第２の
高電位側電源配線とが分離された半導体集積回路装置の
前記第１および第２の高電位側電源配線間にダイオード
を双方向に接続する事を特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体集積回路装置の出力
信号端子部の回路および静電保護回路の回路図、第２図
は第１図の静電保護回路のダイオードを多段にした回路
図である。
信号端子部の回路および静電保護回路の回路図、第２図
は第１図の静電保護回路のダイオードを多段にした回路
図である。
第１図および第２図で、１および２は分離された高電位
電源配線、３は静電保護素子、５は出力信号パッド、６
，７は静電保護用ダイオード、８は出力信号用トランジ
スタである。
電源配線、３は静電保護素子、５は出力信号パッド、６
，７は静電保護用ダイオード、８は出力信号用トランジ
スタである。
第１１図の出力信号用トランジスタ８および同トランジ
スタ前段までの内部論理部高電位側電源配線１および２
との間に静電保護用ダイオード６を双方向に半導体集積
回路装置内の１ケ所及び数ケ所に接続する事により、両
電源配線１と２間の電位差を高々ダイオードの順方向電
圧とすることができるので、出力信号パッド５から出力
信号用トランジスタ８の高電位側電源配線１と同電位の
同トランジスタ前段までの内部論理部電源配線２の間に
接続している静電保護素子３または４のどちらか一方を
不要とすることができる。
スタ前段までの内部論理部高電位側電源配線１および２
との間に静電保護用ダイオード６を双方向に半導体集積
回路装置内の１ケ所及び数ケ所に接続する事により、両
電源配線１と２間の電位差を高々ダイオードの順方向電
圧とすることができるので、出力信号パッド５から出力
信号用トランジスタ８の高電位側電源配線１と同電位の
同トランジスタ前段までの内部論理部電源配線２の間に
接続している静電保護素子３または４のどちらか一方を
不要とすることができる。
従って、半導体集積回路装置の素子数を低減でき、半導
体集積回路装置面積を小さくできる。
体集積回路装置面積を小さくできる。
第２図では静電保護回路において、出力信号用トランジ
スタ８の高電位側電源配線１と同トランジスタ前段まで
の内部論理部高電位側電源配線２の間に双方向に接続し
ている静電保護用ダイオード７を多段にする事により、
出力信号用トランジスタ８の高電位型電源配線１と同電
位である同トランジスタ前段までの内部論理部高電位側
電源配線２間のノイズマージンを大きく採る事が出来る
。
スタ８の高電位側電源配線１と同トランジスタ前段まで
の内部論理部高電位側電源配線２の間に双方向に接続し
ている静電保護用ダイオード７を多段にする事により、
出力信号用トランジスタ８の高電位型電源配線１と同電
位である同トランジスタ前段までの内部論理部高電位側
電源配線２間のノイズマージンを大きく採る事が出来る
。
以上説明した如く、本発明によれば、半導体集積回路装
置内の出力信号用トランジスタの高電位側電源配線と、
それと同電位である同トランジスタ前段までの内部論理
部高電位電源配線間に半導体集積回路装置内の１ケ所な
いし数ケ所に静電保護用ダイオードを双方向に接続する
事により、ある出力信号パッドと出力信号用トランジス
タの高電位側電源配線間か、もしくは出力信号パッドと
同電位である同トランジスタ前段までの内部論理部高電
源配線間に接続されている静電保護素子のどちらか一方
を削減する事ができるので半導体集積回路装置内に有す
る素子数を低減させ装置面積を小さくできる効果がある
。
置内の出力信号用トランジスタの高電位側電源配線と、
それと同電位である同トランジスタ前段までの内部論理
部高電位電源配線間に半導体集積回路装置内の１ケ所な
いし数ケ所に静電保護用ダイオードを双方向に接続する
事により、ある出力信号パッドと出力信号用トランジス
タの高電位側電源配線間か、もしくは出力信号パッドと
同電位である同トランジスタ前段までの内部論理部高電
源配線間に接続されている静電保護素子のどちらか一方
を削減する事ができるので半導体集積回路装置内に有す
る素子数を低減させ装置面積を小さくできる効果がある
。
尚、同電位の高電位側電源配線と内部論理部高電位側電
源間に接続する双方向の静電保護用ダイオードを多段に
する事で両電源配線に乗るノイズに対して、多段に組む
ダイオードの順方向電圧の総合電圧までマージンが採れ
るという効果がある。
源間に接続する双方向の静電保護用ダイオードを多段に
する事で両電源配線に乗るノイズに対して、多段に組む
ダイオードの順方向電圧の総合電圧までマージンが採れ
るという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の半導体集積回路装置の出力
信号端子部の回路および静電保護回路の回路図、第２図
は第１図の静電保護回路のダイオードを多段にした回路
図、第３図は従来の出力信号用トランジスタの高電位側
電源配線と、それと同電位である同トランジスタ前段ま
での内部論理部高電位側電源配線を分離している半導体
集積回路装置の出力信号端子部の回路図である。 １・・・出力信号用トランジスタの前段までの内部論理
部高電位側電源配線、２・・・内部論理部高電位側電源
配線と同電位側電源配線、３．４・・・静電保護素子、
５・・・出力信号パッド、６．７・・・静電保護第１０ ｒＪｚ図 芳３図
信号端子部の回路および静電保護回路の回路図、第２図
は第１図の静電保護回路のダイオードを多段にした回路
図、第３図は従来の出力信号用トランジスタの高電位側
電源配線と、それと同電位である同トランジスタ前段ま
での内部論理部高電位側電源配線を分離している半導体
集積回路装置の出力信号端子部の回路図である。 １・・・出力信号用トランジスタの前段までの内部論理
部高電位側電源配線、２・・・内部論理部高電位側電源
配線と同電位側電源配線、３．４・・・静電保護素子、
５・・・出力信号パッド、６．７・・・静電保護第１０ ｒＪｚ図 芳３図
Claims (1)
- パッド出力用トランジスタの第１の高電位側電源配線お
よびそれと同電位である同トランジスタ前段までの内部
論理部の第２の高電位側電源配線とが分離された半導体
集積回路装置の前記第１および第２の高電位側電源配線
間にダイオードを双方向に接続する事を特徴とする半導
体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62132193A JPH088480B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62132193A JPH088480B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63296412A true JPS63296412A (ja) | 1988-12-02 |
| JPH088480B2 JPH088480B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=15075572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62132193A Expired - Fee Related JPH088480B2 (ja) | 1987-05-27 | 1987-05-27 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088480B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03210817A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-13 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54966A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | Logic circuit |
-
1987
- 1987-05-27 JP JP62132193A patent/JPH088480B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54966A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | Logic circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03210817A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-13 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH088480B2 (ja) | 1996-01-29 |
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Legal Events
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