JPS62149487A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は、光記録媒体に関し、特に赤外線レーザーによ
る光書き込みに適した光記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

最近、オフィスオートメーションの中心的な存在として
光ディスクが注目を集めている。光ディスクは一枚のデ
ィスク中に大量の文書、文献等を記録保存できるため、
オフィスにおける文書等の整理、管理が効率よ〈実施で
きる。この光デイスク用の記録素子としては、各種のも
のが検討されているが、価格、製造の容易さから有機材
料を用いたものが注目されている。

このような記録素子用の有機材料として、ジアセチレン
誘導体化合物が知られており、該化合物の熱変色性に着
目し、レーサー記録素子として用いる記録技術が特開昭
５６−１４７８０７号に開示されている。しかし、この
明細書中には、どのようなレーザーを用いたか、あるい
は用いるべきかの記載かなく、単にレーザーを用いて記
録を実施したとの記載に留まっている。

本発明者らは、種々のレーザーを用いてこのジアセチレ
ン誘導体化合物のレーザー記録につき検討した結果、ア
ルゴンレーザー等の大型かつ高出力のレーザーを用いれ
ば熱変色記録が可能なものの、小型で比較的低出力の半
導体レーザー（波長８００〜８５０ｎｍ）を使用した場
合にはレーザー記録が実施できないことを確認した。し
かし、光ディスク等の実用的な記録媒体としては、小型
で低出力の半導体レーザーにより光書き込みが可能なこ
とが要請される。

一方、特開昭５９−８４２４８号および同８４２４９号
には、熱安定＋ｈのよい特定構造のジエン化合物の塩を
含有する有機被膜か開示され、これらの有機板ｎ＝が゛
ｉ導体レーザー輻射波長領域の輻射線を吸収し発熱する
ので、レーザーエネルギーによりピットを形成するいわ
ゆるヒートモード記録が実力＆できることを開示してい
る。しかし、記録媒体の表面に物理的なピットを形成し
て記録を実７１ｈする場合には、初期の記録層の表面が
十分に平滑であると同時に記録後においても記録媒体の
表面に傷を付けないよう十分な注意が必要となるととも
に、高密度で高速記録を実施することは比較的困難であ
る。

また、これらの記録媒体の記録層は、ジアセチレン誘導
体化合物の微結晶あるいは前記ジエン化合物の塩がバイ
ンダー中に分散してなるものであり、記録層内における
これら化合物の配向はランダムてあり、そのため場所に
よって光の吸収率や反射率が異ったり、化学反応の程度
が相違したりする現象が生じ、高密度の記録には必ずし
も適しているとはいえなかった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明はかかる従来技術の問題点を解決するためになさ
れたものであり、本発明の目的は小型軽１の半導体レー
ザーで光書き込みが可能な光記録媒体を提供することに
ある。

本発明の他の目的は、高密度、高感度で高速記録の可能
な光記録媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、安定性に優れ、高品質な光記
録媒体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

すなわち、本発明の光記録媒体は、少なくとも親水性部
位および疎水性部位を併有するジアセチレン誘導体化合
物の単分子膜またはその累積１１ＱからなるＡ層と、下
記一般式（１）または（２）で表わされる化合物の−・
種以上を含有してなるＢ層とが積層されてなる記録層を
有することを特徴とする。

一般式（＋） 一般式（２） ：１ （式中、Ｒ１はアルキル基、置換基を有してもよいフェ
ニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ２およびＲ６は、
隣接した二つの−ＣＩＩ＝Ｃ１１−基と共役ニー重結合
系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わ
し、Ｒ３およびＲ７は、置換基を有してもよいフェニル
基またはナフチルＪ、（を表わし、Ｒ４はアルコキシ基
を表わし、Ｒ５はアルキル基を表わし、八はアニオン残
基を表わす。） 本発明に用いる親水性部位および疎水性部位を併有する
ジアセチレン誘４体化合物く以Ｆ、Ｄ式化合物と略称す
る）とは、隣接する分子中のＣＥに　−ＣＥ　Ｃ官能基
間において１．４−付力旧［合反応が可能な化合物であ
り、代表的には下記一般式＋１（Ｃ１ｌ２）１−Ｃ＝（
ニーＣ三Ｇ−（ＣＩ−１２）□　−Ｘ（式中、×は、親
水性部位を形成する親水性基であり、ｍ、ｎは整数を表
わす。） て表わされる化合物が挙げられる。

ト記ＤＡ化合物における親水性基Ｘとしては、例えばカ
ルボキシル基、アミノ基、ヒドロキシ基、ニトリル基、
チオアルコール基、イミノ基、スルホン酸基、スルフィ
ニル基またはその金属若しくはアミン塩か挙げられる。

疎水性部位を形成するＩｔ（Ｃ１ｌ、）「表わされるア
ルキル基としては炭素原子数か　１〜３０の長３Ｑアル
キル基が好ましい。また、ｎ＋ｍとしては　１〜３０の
整数が好ましい。

方、本発明で用いる前記一般式（１）または（２）で表
わされる化合物（以丁、ジエン化合物塩と略称する）は
、　７５０ｎｍ以トの波長域に吸収ピークを有し、この
波長の赤外光により発熱する化合物である。

このジエン化合物塩につきより具体的に説明すると、一
般式（１）および（２）中、Ｒ１はメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル
基、置換基を有してもよいフェニルＪＪ（またはスヂリ
ル基を表わす。ここで置換基としてはメトキシ、エトキ
シ、ブトキシ等のアルコキシ基、塩素、臭素、ヨウ素等
のハロゲン原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル等のアルキル基、ニトロ基かあげられる。Ｒ２およ
びＲ６は、ｐ−フェニレン、１．４−ナフチレン等の隣
接した二つの−ＣＩｌ＝Ｃ１１−基と共役二重結合系を
形成する置換基を仔してもよいアリーレン基を表わす。

ここで置換基としては塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン
原子、メチル、エチル等のアルキル基、メトキシ、エト
キシ等のアルコキシ基があげられる。

Ｒ３およびＲ７は置換基を有してもよいフェニル基また
はナフチル基を表わす。置換基としてはジメチルアミノ
、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジブチルアミノ
、ジフェニルアミノ、フェニルアミノ、フェニルベンジ
ルアミノ、フェニルエチルアミノ等の置換アミン基、モ
ルホリノ、ピペリジニル、ピロリジノ等の環状アミノ基
、メトキシ、エトキシ、ブトキシ等のアルコキシ基があ
げられる。Ｒ４はメトキシ、エトキシ、ブトキシ等のア
ルコキシ基を表わす。Ｒ５はメチル、エチル、プロピル
、イソプロピル、ブチル、ヘキシル等のアルキル基を表
わす。亀はアニオン残基で、例えばＢＩ’？、Ｃ心、Ｃ
Ｆ２Ｏ島、ＰＦ？、暦、計、’？、　ｃｔｓｏ（？′。

Ｃ１１３Ｓ桧、Ｃ２Ｈ９Ｓ　Ｏ２Ｏ３）１７ｓｏ？　ｃ
４Ｈ９ＳＯυＣ３Ｈ、、５Ｏｐｅ　　　　　　　　　　
Ｃ）　　　　　　　　　　ｅＣ６）１．３ｓｏ３　、　
ＣＨ３Ｃｌ１ＳＯ３、ＣＩＧＨ２Ｃ：Ｈ７ＳＯ３。

θ０．５Ｃ）１２ｓｏｐ、θ０４ＳＣＨ，，ＣＩｌ、Ｓ
桧、→０４４５ＣＨ２ＣＩＩ７ＣＨ２ＣＩＩ２Ｃ）１２
　ｅｌｆ、５ＩＳＰ　　、θ ゛う口：−，Ｓ（：Ｒ２Ｃ１１７［］　　−ＣｌＩ２Ｃ
Ｈ２５０３、すｎ◇。

このジエン化合物の具体例を以下に例示する。

本発明の光記？Ｊ媒体の代表的なＲ成を第１．コ図およ
び第１ｂ図に例示する。この例ではＪ、シ板１Ｆに１１
ｆ１記ジ工ン化合物塩を３打する８層４が形成さ、れ、
そのトに１１ｒ「記りへ化合物のｌｉ′Ｌ分子−膜また
はその累積膜からなるＡ層３か積層され、これら　層に
より記録層２か構成されている。Ａ層３と８層４との積
層順序は、これらの図に示される態様に限定され１゛、
逆の順序で積層してもよいか、ＤΔ化合物の中−分子膜
またはその累積膜からなるＡ層３か記録層２の表面側に
現われるよう積層する万が好ま（７い。また、必要に応
じて、例えば記録層２Ｆに透明な保護層等の他の層を設
けることもできる。

Ａ層３の膜厚としては、単分子層の累積度が４００程度
までのものが実用１−好ましく、　一方、８層４の膜厚
としては、　３００人〜１μｍ程度が適しており、特に
５００〜５０００人の範囲か好ましい。

本発明の光記録媒体の基板１としては、ガラス、アクリ
ル樹脂等のプラスチック板、ポリエステル等のプラスチ
ックフィルム、紙、金属等の各種の支持材料が使用でき
るか、基板側から輻射線を照射して記録を実施する場合
には、特定波長の記録用輻射線を透過するものを用いる
。

基板１上あるいはジエン化合物塩を含有するＢ層りにＤ
式化合物の単分子膜または！林分子累積膜を形成するに
は、例えばＩ　、　Ｌａｎｇｍｕ　ｉ　ｒらの開発した
ランクミュア・プロジェット法（以下、ＬＢ法と略）が
用いられる。ＬＢ法は、分子内に親木基と疎水基を有す
る構造の分子において、両者のバランス（両親媒性のバ
ランス）が適度に保たれているとき、この分子は水面計
て親水基をドに向けた単分子の層になることを利用して
ｒｐ−分子膜または単分子層の累積した膜を作成する方
法である。水面計の四分子層はゴー次元系の特徴をｂつ
。分子がまばらに散開しているときは、−分子一当り面
積Ａと表面圧ｎとの間に二次元理想気体の式、ｎＡ＝ｋ
Ｔ か成り入γち、°“気体膜“となる。ここに、ｋはボル
ツマン定数、Ｔは絶対温度である。Ａをト分小さくすれ
ば分子間相互作用が強まり一次元固体の“凝縮ｌｌｌ２
（または固体膜）°°になる。凝縮膜はガラスなどの基
板の表面へ一層ずつ移すことができる。

この方法を用いて、Ｄ式化合物の！ｐ−分子膜または単
分子累積膜は、例えば次のようにして製造される。まず
Ｄ式化合物をクロロホルム等の溶剤に溶解し、これを水
相ヒに展開し、これら化合物を膜状に展開させた展開層
を形成する。次にこの展開層が水相トを自由に拡散して
拡がりすきないように仕切板（またはｔ′￥７−　＞を
設けて展開層の面積を制限して０＾化合物の集合状態を
制御し、その集合状態に比例した表面圧■を得る。この
仕切板を動かし、展開ｕ’ｉｉ禎を縮少して膜物質の集
合状態を制御し、表面圧を徐々にＬ昇させ、累積１１ｔ
２．の製造に適する表面圧ｎを設定することかできる。

この表面圧を維持しなから静かに清浄な」、（板あるい
は表面にＢ層が形成された」＾板を屯直にトドさせるこ
とにより、Ｄ式化合物の噛分予成か１１（板［あるいは
Ｂ層Ｆに移しとられる。ｉｉｉ分子−膜はこのようにし
て製造さ、れるか、１）１−分子層累村１膜は、１１「
「記の操作を繰り返すことにより所望の累積度の１ｒ１
分ｉ′一層累植膜が形成される。

「へ分子−膜を４１（板）二に移すには、［述した垂直
浸／１°ｉ法の他、水１ε付石法、回転円筒法なとの方
法が採用できる。水・［４付着法は基板を水面に水・ト
に接触させて移しとる方法で、回転円筒法は、円筒型の
基体を水面上を回転させてＩｌｉ分子層を基体表面に移
しとる方法である。面述した用直浸消法では、水面を横
切る方向に表面が親水性である基板を水中から引きトげ
ると、　層目はＤＡ化合物の親水Ｊ、Ｌか基板側に向い
たｉＰ−分子一層が基板トに形成される。基板を上Ｆさ
せると、各行程ごとに一層ずつ単分子膜が積層されてい
く。成膜分子の向きが引１追ヂ行程と浸／Ｉ″１行程で
逆になるので、この方法によると、各層間は親木基と親
木基、疎水基と疎水」１（が向かい合うＹ型膜か形成さ
れる。

これに対し、水下付着法は、基板を水面に水平に接触さ
せて移しとる方法て、Ｄ△化合物の疎水基か基板側に向
いたｊｌｉ分子層か基板−ヒに形成される。この方法で
は、累積しても、ＤＡ化合物の分子の向きの交代はなく
全ての層において、疎水基がＪ、１板側に向いた×１１
°Ｊ膜か形成される。反対に全ての層において親水基か
」１（板側に向いた累積１漠はＺ（砦膜と呼ばれる。

回転円筒法は、円筒型の」、ζ体を水面トを回転させて
小分Ｙ一層を基体表面に移しとる方法である。

単分子層を基板［に移す方法は、これらに限定されるわ
けではなく、大面村（基板を用いる時には、基板ロール
から水相中に基板を押し出していく方法なともとり得る
。また、面述した親水基、疎水基の基板への向きは原則
であり、基板の表面処理等によって変えることもできる
。

これらの単分子膜の移し取り操作の詳細については既に
公知であり、例えば「新実験化学講座１８界而とコロイ
ｌ＝’Ｊ　　４９８〜５−０７頁、丸羨ＦＩＪ、に記載
されている。

一方、ジエン化合物塩を含有するＢ層を形成するには、
代表的にはジエン化合物塩を適当な揮発性溶媒に溶解し
て塗布液を作成し、これを塗布する方法が採用できる。

塗布液には、基板１やＯＡ化合物３の単分子膜またはそ
の累積膜からなるＡ層との密着性を向ヒさせるために、
適宜天然若しくは合成高分子からなるバインダーを添加
してもよ′い。また、Ｂ層の安定性、品質向上を計るた
めに各種の添加剤を加えてもよい。

好適なバインターとしては、広範な樹脂から選択するこ
とができる。具体的には、ニトロセルロース、リン酸セ
ルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピオ
ン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸セルロ
ース、バルミチン酸セルロース、酢酸プロピオン酸セル
ロース、酢酸酪酸セルロースなとのセルロースエステル
類；メヂルセルロース、エチルセノ゛レロース、プロピ
ルセルロース、ブチルセルロースなどのセルロースニー
デルｆｆ１ｒｉ　＋ポリスチレン、ポリｊ１ν、化ビニ
ル、ポリ肖酸ヒニル、ポリビニルブチラール、ポリビニ
ルアセクール、ボリヒニルアルコール、ポリビニルピロ
リドンなとのビニル樹脂類：スチレン−ブタジェンコポ
リマ−、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、スチ
レン−ブタジェン−アクリロニトリルコポリマー、塩化
ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類：ポ
リメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポ
リアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリルアミド
、ポリアクリロニトリルなどのアクリル樹脂類；ポリエ
チレンテレフタレートなどのポリエステル類、ポリ（４
，４’−イソプロビリデンシフェニレンーコ−１，４−
シクロヘキシレンジメチレンカーホネート）、ポリ（エ
チレンジオキシ−３，３′−フェニレンチオカーボネー
ト）、ポリ（４，４’−イソフ。

ロピリデンシフェニレンカーポネ−１・−ニーテレフタ
レート）、ポリ（４，４’−イソブロピリデンジフェニ
レンカーポネート）、ポリ（４，４’−５ｅｃ　−プチ
リデンシフェニレンカーホネート）、ポリ（４，４′−
イソブロピリデンシフエニレンカーホネートーブロック
ーオキシエチレン）などのボリアリレート樹脂類；ポリ
アミド類：ポリイミト類：エボキシ樹脂類；フェノール
樹脂類、およびポリエヂレン、ポリプロピレン、塩素化
ポリエチレンなとのポリオレフィン類などを用いること
ができる。

ジエン化合物塩の好適な溶媒としては、メタノール、エ
タノール、イソプロパツール等のアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
類；アセトニトリル等の脂肪族ニトリル類、クロロホル
ム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、ト
リクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類：等
が挙げられ、塩化メチレン、アセトニトリルか特に好適
である。

このようにして得た塗布液の塗工は、スピナー回転塗布
法、浸漬コーチインク法、スプレーコーティング法、ピ
ードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、プ
レートコーティング法、ローラーコーティング法、カー
テンコーティング法等の手法が用いられる。

また、ジエン化合物塩を含有するＢ層は、ＯＡ化合物の
単分子膜またはその累積膜からなるＡ層と同様に単分子
膜またはその累積膜であってもよい。しかし、ジエン化
合物塩５は両親媒性物質ではないので、単独ではＬＢ法
によっては単分子膜を形成＝１−ることはてきない。と
ころか、例えばステアリン酸、アラキシン酸なとの高級
脂肪酸のような両親媒＋’Ｆのバランスの適度に保たれ
た打機高分子−を担体外ｔとして仔・ご：の比率で混合
使用することによりＬＢ法を適用することかてきる。コ
ｊ−なわら、少なくとも　つの化合物において両親媒＋
［のバランスか保たれていれば、水面計にｆσ分子層が
形成され、他の化合物は両親媒性の化合物に挟持され、
結局全体として分子秩序性のあるＥＰ−分子層か形成さ
れるからである。

したがって、ジエン化合物塩５弔独の１ｎ分ｉ’　ＩＩ
Ｑまたはその累積膜を形成することは困難であるか、ジ
エン化合物塩５を含有する噛分子−１１Ｑまたはその累
積膜である８層４は、両親媒性物質を併用することによ
りＬＢ法で容易に形成することかてきる。

このようにして、基板トあるいはジエン化合物塩を含有
するＢｈ’ｔ　Ｆに形成されるＤ＾化合物の四分予成お
よびその累積膜は、高密度で高度な秩序性を有している
ので、場所による光吸収のバラツキは極めて小さい。し
たがって、このような膜によって記録層を構成すること
により、ＤＡ化合物とジエン化合物塩との機能に応じて
、光記録、熱的記録の可能な高密度、高解像度の記録機
能を有する記録媒体が得られる。

なお、上述したようにして形成された単分子膜またはそ
の累積膜からなるＡ層は、紫外線を照射することにより
、単分子膜またはその累積膜として形成されたＤ式化合
物が重合したものであってもよい。

本発明の光記録媒体は、品種の方式の光記録を実施する
ことか可能であるが、以Ｆに光や熱を加えることにより
、記録層の吸収波長か変化して見掛けの色が変化するこ
とを利用する゛１導体レーザーによる記録の機構につき
簡略に説明する。

Ｄ式化合物は、初期にはほぼ無色透明であるが、記録層
に紫外線を照射すると爪合し、ポリアセチレン１誘導体
化合物へと変化する。この１ａ合は紫外線の照射等によ
って起り、四に熱エネルキーを加えるたけでは生じない
。この１刊合の結果、記録層は６２０〜６６０ｎｍに最
大吸収波長を有するようになり、ｈ色乃至暗色へと変化
する。この重合に基づく色相の変化は不可逆変化であり
、一度肖色へ変化した記録層は無色透明膜へとは戻らな
い。また、この青色乃襞暗色・＼変化したポリアセチレ
ン誘導体化合物を約５０℃以トに加熱すると今度は約５
４０ｎｍに最大吸収波長を有するようになり、赤色膜へ
と変化する。この変化も不可逆変化である。

したがって、本発明の記録媒体を用いた光記録は次のよ
うな機構により実施される。

先−）゛本発明の光記録媒体の記録層２七体に紫外線を
照射すると記録層中のＤ式化合物かＩＦ合しポリアセチ
レン誘導体化合物へ変化＝ｒることにより、記録層２は
１〒色乃至暗色の膜へと変化する。次いで、この記録媒
体の所定の位置に＋ｌ’ｔ　’Ｎｉｌ　（＋ｉ号に応じ
て点滅する波長８００〜８５０ｎｍの゛ｂ導体レしサー
ヒビー５を照射すると、ポリアセチレン誘導体化合物は
このレーサービーム５を吸収しないか、第２ａ図に示さ
れるように、８層４中のジエン化合物１１俵はこのレー
サービーム５を吸収し発熱する（発熱部位を６て示した
。）このジエン化合物塩の発熱か隣接するＡ層３のポリ
アセチレン誘導体化合物に伝わり、赤色へと変化する。

かくして、第２ｂ図に示されるように、人力士＋１　’
ｒｕに応じて記録層りの記録部位７の色変化による光記
録が実／ｉぺされる。

（発明の効果） 本発明の記録媒体の効果を以下に列挙する。

（１）記録層中の晶化合物がｍ分−を膜またはその累積
膜として形成されているので、高密度で高度な秩序性を
有しており、したがって高密度で均質な記録が可能であ
る。

（２）大面積の支持体に対しても高度に均質な記録層を
安価に製造することが可能である。

（３）記録層か８００〜８５０層ｍの波長域に吸収ピー
クを有し発熱するジエン化合物塩を含有しているのて、
　８００〜８５０層ｍの波長域の赤外線を放射する小型
軽！■の半導体レーザーを用いた記録が可能である。

（９光照射による記録層の色相の変化を利用した記ｔＪ
か可能なので、高速、高感度、高密度な光記録が実施て
きる。

〔実施例］ 以Ｆ、本発明を実施例に基つきより詳細に説明−・）°
る。

実施例１ １１ｔ１記の化合物遂５で表わされるジエン化合物塩ｌ
　ｍ　ｉ４を部およびニトロセルロース０．２重量部を
塩化メチレン１０重ｉ１１部中に溶解して得た塗布液を
、スピナー塗！５機に装着したガラス製のディスク基板
（Ｊ’Ｊさ１．５ｍｍ、直径２００ｍｍ　）の中央部に
少呈滴ドした後、所定の回転数で所定の時間スピナーを
回転させ塗布し、常温で乾燥し、基板トの乾燥後の塗■
草の厚みが３００人、　５００人、１０００人、３００
０人および５０００人のものをそれぞれ多数準備した。

次に、一般式Ｃ１２Ｈ２５−ＣミＣ−ＣミＧ−Ｃ：、）
ｌ、、−（１：００１１で表わされるＤ晶化合物をクロ
ロホルムに３Ｘ１０−３モル／ｌの濃度で溶解した溶液
を、Ｉ）Ｉ＋が６．５で塩化カドミニウム濃度がＩｘｌ
Ｏ−３モル／ｌの水相上に展開した。溶媒のクロロホル
ムを除去した後、表面圧を一定に保ちながら、先にジエ
ン化合物塩層を表面に形成したガラス基板を、水面を横
切る方向にトド速度１．０ｃｍ／分で静かに上下させ、
ＤＡ晶化合物単分子膜をジエン化合物塩層Ｆに移しとり
、単分子膜ならびに７層、４１層、および１０１層に累
積したｍ分子累積膜を基板トに形成した光記録媒体を作
成した。

比較例１ ジエン化合物塩の■膜（Ｂ層）を形成せずに、直接Ｊ、
（板ににＤＡ（ヒ合物の４１層の（Ｉ′ｉ分子１漠積膜
を形成した光記録媒体を作製した。

比較例２ カラス基板上にスパッタリンク法により、膜厚１５Ｆｌ
　ｉｌへの［ｉｄ・’ｒｂ・Ｐｅによる輻射線吸収層を
設けた。この」、（板の輻射線吸収層トに実施例１と同
様にして晶化合物の甲−分子一膜または１層分子累積膜
をＪ、Ｌ仮１−に形成した光記録媒体を作成した。

記ｊ、Ａ試験１ 実施例１１５よび比較例！で作成した光記録媒体に２　
ｒ＋　４　ｎ　ｍの紫外線を均　かつ１分に照射し、記
録層を青色１１！２にした。次に出力３ｍＷ、波長８３
０ｎｍ、ビーム径１μｍの゛れ導体レーザービームを入
力情報にしたがい、各光記録媒体表面の所定位置に照射
（照射時間２００ｎｓ／　ｌビット）シ、青色の記録層
トに赤色の記録画像を形成した。

この記録結果の評価を第１表に示した。評価は記録の感
度、画像解像度および画像濃度の良否の総合評価により
判定し、特に良好なものを◎、良好なものを○、記録が
できないあるいは不良なものを×とした。

第１表 比較例３ ジエン化合物１４１　屯ｊ４’ｆ一部とニトロセルロー
ス　１重ｉｉ部とを塩化メチシン４重砒１Ｍ−に溶解し
た溶液を塗イ０液とし使用し、実施例１と同様の方法に
より厚みか：ｌ　ＯＯ０人のＢ層を形成し、これをその
まま光記録媒体とした。

実施例２ 比較例３で形成した記録媒体のＢ層Ｆに実施例１と同様
にして６１層のＤへ化合物の噛分子累積膜を形成した光
記録媒体を作成した。

記録試験２ 実施例２で作成した光記録媒体に対し゛ト導体し−サー
ビームの照射時間を種々変更（照射時間２００〜ｆ１０
０ｎｓ／　ｌヒツト）した以外は記録試験１と同様な操
作で記録を実施した。また、比較例３の光記録媒体につ
いては、紫外線照射を実施せずに直接半導体レーザービ
ームを人力情報にしたかい、同じ出力て光記録媒体表面
の所定位置に照射時間を種々変更して記録層表面上に照
射（照射時間５００〜５μｓ／Ｉビツト）し、ピットを
形成することによる記録を実施しり。

実施例２の光記録媒体については、照射時間が２００　
ｎｓ以−トの場合に良好な記録が実力板できたが、比較
例３で作成した光記録媒体については、顕微鏡で観察し
た結果、一つのピットを明瞭に形成するには２．５　ｎ
ｓ以上の照射時間を要することが判明した。

実施例３ 般式Ｃ，，Ｈ２，、−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃ、Ｈ，６−ｃ
ｏｏｎで表わされるＤへ化合物に代え、　Ｃ，、Ｈ１７
−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−ｃ２＋、−ｃｏｏｌ！で表わされる
Ｄへ化合物を用いたことを除いては実施例１と同様の方
法により、Ｂ層の厚みが３０００人て、Ｄへ化合物のｉ
ｌ’一分子層の累積度が６１の光記録媒体を作製した。

実施例４〜８ 化合物通　１て表わされるジエン化合物塩に代え、化合
物遂：ｊ、　８．１２．１５および２０で表わされるジ
エン化合物塩をそれぞれ用いたことを除いては実／ｉλ
例３と同様の方法により光記録媒体を作成した。

記録試験３ 実施例３〜８で作成した光記録媒体を用いて、記録試験
１と同様にして記録試験を実施した。この記録結果の評
価を第２表に示した。

第　　　２　　　表 を示す模式断面図であり、第２８図および第２ｂ図は、
本発明の光記録媒体の記録の態様を示す模式断面［′Ａ
１である。

ｌＪ、ζ板　　　　　　２・記録層 ３　ノアセチレン誘導体化合物含有層 ４　ジエン化合物塩類含イｒ層 ５　レーサービーム ６・発熱部位 ７　赤色変色部位（記録部位） 特許出願人　　キャノン株式会社 代　理　人　　　若　　　林　　　　忠第１０図 第１ｂ　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少なくとも親水性部位および疎水性部位を併有する
   ジアセチレン誘導体化合物の単分子膜またはその累積膜
   からなるＡ層と、下記一般式（１）または（２）で表わ
   される化合物の一種以上を含有してなるＢ層とが積層さ
   れてなる記録層を有することを特徴とする光記録媒体。 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（２） （式中、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有してもよいフ
   ェニル基またはスチリル基を表わし、Ｒ＾２およびＲ＾
   ６は、隣接した二つの−ＣＨ＝ＣＨ−基と共役二重結合
   系を形成する置換基を有してもよいアリーレン基を表わ
   し、Ｒ＾３およびＲ＾７は、置換基を有してもよいフェ
   ニル基またはナフチル基を表わし、Ｒ＾４はアルコキシ
   基を表わし、Ｒ＾５はアルキル基を表わし、Ａはアニオ
   ン残基を表わす。）