JPS6215948B2 - - Google Patents
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- JPS6215948B2 JPS6215948B2 JP56088997A JP8899781A JPS6215948B2 JP S6215948 B2 JPS6215948 B2 JP S6215948B2 JP 56088997 A JP56088997 A JP 56088997A JP 8899781 A JP8899781 A JP 8899781A JP S6215948 B2 JPS6215948 B2 JP S6215948B2
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- JP
- Japan
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- pattern
- storage area
- wiring
- soft magnetic
- magnetic material
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブル記憶装置に関する。
近年磁気バブル記憶素子の性能向上のため種々
の構成が提案されているがその１つの方向として
データレートを増大させるため(イ)奇、偶数番目毎
のビツトを異なつた記憶領域単位に振り分けるオ
ツドイーブン方式、(ロ)メジヤーラインのゲート間
ビツト数を本質的に１ビツトにした倍周期方式(ハ)
全くの同一パタンからなる複数の記憶領域単位を
並列駆動する方式、あるいは(ニ)これらを組合せた
もの等の提案が活発化している。その殆んどの方
式に共通していることは１記憶素子が位置的に分
離された複数の記憶領域単位で構成されているこ
とである。なお、オツド・イーブン方式の場合、
動作原理上は記憶領域単位は分離されていないが
位置的には分離されているので本明細書ではオツ
ド側、イーブン側各々を記憶領域単位（ユニツ
ト）と規定する。
の構成が提案されているがその１つの方向として
データレートを増大させるため(イ)奇、偶数番目毎
のビツトを異なつた記憶領域単位に振り分けるオ
ツドイーブン方式、(ロ)メジヤーラインのゲート間
ビツト数を本質的に１ビツトにした倍周期方式(ハ)
全くの同一パタンからなる複数の記憶領域単位を
並列駆動する方式、あるいは(ニ)これらを組合せた
もの等の提案が活発化している。その殆んどの方
式に共通していることは１記憶素子が位置的に分
離された複数の記憶領域単位で構成されているこ
とである。なお、オツド・イーブン方式の場合、
動作原理上は記憶領域単位は分離されていないが
位置的には分離されているので本明細書ではオツ
ド側、イーブン側各々を記憶領域単位（ユニツ
ト）と規定する。
第１図は従来の代表的なオツド・イーブン方式
の磁気バブル記憶装置の構成図である。（オツ
ド・イーブン方式の詳細については米国特許第
407−5611号明細書で述べられている。）この装置
１は書込み側にスワツプゲート１１，１３、読取
り側にリプリケートゲート２１，２３を備えた２
メジヤーライン／マイナーループ構成で左半分が
オツド側ユニツト、右半分がイーブン側ユニツト
である。本装置では磁気バブルを電流制御するた
めの機能部及びその配線部からなる導電体層と磁
気バブル転送用パタンからなる軟磁性体層は左右
同一パタンとなつている。したがつてオツド側、
イーブン側両方のユニツトに１ビツト間隔差をも
つ２つの発生器、２つの検出器が共に具備されて
いて、オツド側ユニツトとイーブン側ユニツトと
の発生器からスワツプゲート迄の１ビツトの差及
びリプリゲートゲートから検出器までの１ビツト
の差は夫々ボンデイング端子を選択することで確
保されている。すなわちオツド側ユニツトでは発
生器３１と検出器４１が、イーブン側ユニツトで
は発生器３３と検出器４３がボンデイング線で選
択活用されていて、他の発生器３２，３４検出器
４２，４４は活用されていない。なお検出器４
１，４３の出力はダミー検出器４５，４６によつ
てノイズキヤンセルされている。このように１素
子内を複数の記憶領域単位に分割し各々を同一パ
タンの繰り返しにするということはマスク製作上
の利点が大きい。通常ステツプアンドリピータの
縮小レンズ系の解像性能からみて繰り返し単位の
10倍の大きさからなるレチクルパタンサイズはで
きるだけ小さいことが望ましく、前記のような構
成にすると素子サイズが大きくても繰り返し単位
すなわちレチクルパタンサイズは小さくて済み、
より微細パタンを採用することができ良好な動作
特性を有する磁気バブル記憶装置を実現すること
ができるからである。
の磁気バブル記憶装置の構成図である。（オツ
ド・イーブン方式の詳細については米国特許第
407−5611号明細書で述べられている。）この装置
１は書込み側にスワツプゲート１１，１３、読取
り側にリプリケートゲート２１，２３を備えた２
メジヤーライン／マイナーループ構成で左半分が
オツド側ユニツト、右半分がイーブン側ユニツト
である。本装置では磁気バブルを電流制御するた
めの機能部及びその配線部からなる導電体層と磁
気バブル転送用パタンからなる軟磁性体層は左右
同一パタンとなつている。したがつてオツド側、
イーブン側両方のユニツトに１ビツト間隔差をも
つ２つの発生器、２つの検出器が共に具備されて
いて、オツド側ユニツトとイーブン側ユニツトと
の発生器からスワツプゲート迄の１ビツトの差及
びリプリゲートゲートから検出器までの１ビツト
の差は夫々ボンデイング端子を選択することで確
保されている。すなわちオツド側ユニツトでは発
生器３１と検出器４１が、イーブン側ユニツトで
は発生器３３と検出器４３がボンデイング線で選
択活用されていて、他の発生器３２，３４検出器
４２，４４は活用されていない。なお検出器４
１，４３の出力はダミー検出器４５，４６によつ
てノイズキヤンセルされている。このように１素
子内を複数の記憶領域単位に分割し各々を同一パ
タンの繰り返しにするということはマスク製作上
の利点が大きい。通常ステツプアンドリピータの
縮小レンズ系の解像性能からみて繰り返し単位の
10倍の大きさからなるレチクルパタンサイズはで
きるだけ小さいことが望ましく、前記のような構
成にすると素子サイズが大きくても繰り返し単位
すなわちレチクルパタンサイズは小さくて済み、
より微細パタンを採用することができ良好な動作
特性を有する磁気バブル記憶装置を実現すること
ができるからである。
しかしながら、第１図のように単に同一パタン
からなる記憶領域単位を並置するだけでは以下に
示すいくつかの欠点を有する。第一に本素子１を
マウントする配線基板２、その他駆動コイル、バ
イアス磁石等磁気バブル駆動のための諸部品（図
示されていない）を内臓したパツケージの外部端
子数を減らそうとすると配線基板２の配線パタン
に交叉部３が生じ配線基板を二層構造にせねばな
らず高価になると、素子分割数を多くしたり、ゲ
ート駆動電圧低減のため並列接続を採用しようと
すると配線基板はより多層構造になりますます高
価になること、第二に配線基板が多層構造にな
り、厚さが増すと配線基板を覆つて巻回される駆
動コイルの内部体積が増え、駆動コイルの消費電
力が大きくなること、第三にボンデイング点数が
増え信頼性、作業工数の点で好しくないこと、第
１図の例ではボンデイング箇所は40点にものぼる
こと等が挙げられる。
からなる記憶領域単位を並置するだけでは以下に
示すいくつかの欠点を有する。第一に本素子１を
マウントする配線基板２、その他駆動コイル、バ
イアス磁石等磁気バブル駆動のための諸部品（図
示されていない）を内臓したパツケージの外部端
子数を減らそうとすると配線基板２の配線パタン
に交叉部３が生じ配線基板を二層構造にせねばな
らず高価になると、素子分割数を多くしたり、ゲ
ート駆動電圧低減のため並列接続を採用しようと
すると配線基板はより多層構造になりますます高
価になること、第二に配線基板が多層構造にな
り、厚さが増すと配線基板を覆つて巻回される駆
動コイルの内部体積が増え、駆動コイルの消費電
力が大きくなること、第三にボンデイング点数が
増え信頼性、作業工数の点で好しくないこと、第
１図の例ではボンデイング箇所は40点にものぼる
こと等が挙げられる。
本発明の目的は繰り返し記憶領域単位が小さい
という利点は損わずに上記欠点を解消した新規な
導電体配線パタン構成をもつ磁気バブル記憶装置
を提供することにある。
という利点は損わずに上記欠点を解消した新規な
導電体配線パタン構成をもつ磁気バブル記憶装置
を提供することにある。
本発明は、磁気バブルを電流制御するための機
能部及びその配線部からなる導電体パタンと前記
導電体パタンを覆う絶縁膜上に形成された磁気バ
ブル転送用及び電気配線用軟磁性体パタンのいず
れもが各記憶領域単位で本質的に同一パタンであ
り、前記導電体パタン配線部と電気配線用軟磁性
体パタンとの電気的接続が前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールによつて選択されることによ
つて達成される。
能部及びその配線部からなる導電体パタンと前記
導電体パタンを覆う絶縁膜上に形成された磁気バ
ブル転送用及び電気配線用軟磁性体パタンのいず
れもが各記憶領域単位で本質的に同一パタンであ
り、前記導電体パタン配線部と電気配線用軟磁性
体パタンとの電気的接続が前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールによつて選択されることによ
つて達成される。
すなわち、本発明は複数に分割された記憶領域
単位のパタンを同一にしたまゝ装置全体での端子
数を収束させることによつて、配線基板を簡略化
できる、配線基板との接続点数を低減できる等の
極めて有益な効果が得られる。
単位のパタンを同一にしたまゝ装置全体での端子
数を収束させることによつて、配線基板を簡略化
できる、配線基板との接続点数を低減できる等の
極めて有益な効果が得られる。
以下本発明を図面を用いて説明する。
第２図は本発明による磁気バブル記憶装置の実
施例を示す構成図である。本装置の全体構成の動
作は従来技術として第１図で示した素子と同じで
あるので説明を省略し、ここでは本発明による部
分、特に配線関係について詳述する。
施例を示す構成図である。本装置の全体構成の動
作は従来技術として第１図で示した素子と同じで
あるので説明を省略し、ここでは本発明による部
分、特に配線関係について詳述する。
第２図において、破線は装置外形、一点鎖線は
記憶領域単位の境界、細線は磁気バブル電流制御
のための機能部及び配線部からなる導電体パタ
ン、太線は磁気バブル転送用及び配線用軟磁性体
パタン、小丸印は導電体パタンと軟磁性体パタン
との配線部間の電気的接続がなされている絶縁膜
のコンタクトホールを夫々示している。本実施例
では全体の配線を簡素にするため共通線を採用し
ている。書き込み側に発生器の電源線ｂ１戻り線
ｂ２、スワツプゲートの電源線ｂ３戻り線ｂ４、
読取り側にリプリケートゲートの電源線ｂ５戻り
線ｂ６、検出器、ダミー検出器の信号線ｂ７、ｂ
８戻り線ｂ９計９本の共通線が設けられている。
但し検出器関係の信号線ｂ７，ｂ８はオツド側、
イーブン側共通不要部を削除している。全ての機
能部はこれらの共通線を介してボンデイング端子
に電気的接続がなされている。
記憶領域単位の境界、細線は磁気バブル電流制御
のための機能部及び配線部からなる導電体パタ
ン、太線は磁気バブル転送用及び配線用軟磁性体
パタン、小丸印は導電体パタンと軟磁性体パタン
との配線部間の電気的接続がなされている絶縁膜
のコンタクトホールを夫々示している。本実施例
では全体の配線を簡素にするため共通線を採用し
ている。書き込み側に発生器の電源線ｂ１戻り線
ｂ２、スワツプゲートの電源線ｂ３戻り線ｂ４、
読取り側にリプリケートゲートの電源線ｂ５戻り
線ｂ６、検出器、ダミー検出器の信号線ｂ７、ｂ
８戻り線ｂ９計９本の共通線が設けられている。
但し検出器関係の信号線ｂ７，ｂ８はオツド側、
イーブン側共通不要部を削除している。全ての機
能部はこれらの共通線を介してボンデイング端子
に電気的接続がなされている。
本実施例で注目すべき点は機能部と共通線間あ
るいはボンデイング端子と共通線間との電気的接
続用配線パタンに磁気バブル転送用に用いている
軟磁性体層を兼用し、しかもその軟磁性体パタン
をオツド側、イーブン側ともに同一にしたことで
ある。すなわちオツド側ユニツト又はイーブン側
ユニツトのどちらか片側でのみしか接続しない場
合でも両側に共通に配線部を敷設し、実際に活用
する部分のみコンタクトホールを用いて選択して
いることである。発生器を代表させてその配線の
様子を説明する。オツド側、イーブン側夫々の発
生器３１，３３の電源側配線３１１，３３１、ボ
ンデイング端子１０１が共通線ｂ１にコンタクト
ホールｃ１，ｃ２，ｃ３，ｃ４，ｃ５，ｃ６、軟
磁性体配線部ｌ１，ｌ２，ｌ３を介して接続され
ており、戻り配線３１２，３３２、ボンデイング
端子１０２が共通線ｂ２にコンタクトホールｃ
７，ｃ８，ｃ９，ｃ１０，ｃ１１，ｃ１２、軟磁
性体配線部ｌ４，ｌ５，ｌ６を介して接続されて
いる。オツド、イーブン各ユニツト間の共通線も
同様にコンタクトホールｃ１３，ｃ１４，ｃ１
５，ｃ１６、軟磁性体配線部ｌ７，ｌ８を介して
接続されている。したがつてオツド側、イーブン
側の２つの発生器の４つの電極線がボンデイング
端子では電源用１０１、戻り用１０２の１対のみ
に収束されている。又オツド側とイーブン側の軟
磁性体パタンを同一にするためオツド側にある２
つの発生器３１，３２には、ともに軟磁性体配線
部ｌ１，ｌ４，ｌ９，ｌ１０が設けられているが
コンタクトホールはオツド用発生器３１の配線部
ｌ１，ｌ４にしか設けられておらず不必要なイー
ブン用発生器３２は活用されていない。第２図に
おいてコンタクトホールによつて終端されていな
い軟磁性体配線部が数ケ所見られるがこれらは全
てオツド側とイーブン側の軟磁性体パタンを同一
にするために敷設されたものである。
るいはボンデイング端子と共通線間との電気的接
続用配線パタンに磁気バブル転送用に用いている
軟磁性体層を兼用し、しかもその軟磁性体パタン
をオツド側、イーブン側ともに同一にしたことで
ある。すなわちオツド側ユニツト又はイーブン側
ユニツトのどちらか片側でのみしか接続しない場
合でも両側に共通に配線部を敷設し、実際に活用
する部分のみコンタクトホールを用いて選択して
いることである。発生器を代表させてその配線の
様子を説明する。オツド側、イーブン側夫々の発
生器３１，３３の電源側配線３１１，３３１、ボ
ンデイング端子１０１が共通線ｂ１にコンタクト
ホールｃ１，ｃ２，ｃ３，ｃ４，ｃ５，ｃ６、軟
磁性体配線部ｌ１，ｌ２，ｌ３を介して接続され
ており、戻り配線３１２，３３２、ボンデイング
端子１０２が共通線ｂ２にコンタクトホールｃ
７，ｃ８，ｃ９，ｃ１０，ｃ１１，ｃ１２、軟磁
性体配線部ｌ４，ｌ５，ｌ６を介して接続されて
いる。オツド、イーブン各ユニツト間の共通線も
同様にコンタクトホールｃ１３，ｃ１４，ｃ１
５，ｃ１６、軟磁性体配線部ｌ７，ｌ８を介して
接続されている。したがつてオツド側、イーブン
側の２つの発生器の４つの電極線がボンデイング
端子では電源用１０１、戻り用１０２の１対のみ
に収束されている。又オツド側とイーブン側の軟
磁性体パタンを同一にするためオツド側にある２
つの発生器３１，３２には、ともに軟磁性体配線
部ｌ１，ｌ４，ｌ９，ｌ１０が設けられているが
コンタクトホールはオツド用発生器３１の配線部
ｌ１，ｌ４にしか設けられておらず不必要なイー
ブン用発生器３２は活用されていない。第２図に
おいてコンタクトホールによつて終端されていな
い軟磁性体配線部が数ケ所見られるがこれらは全
てオツド側とイーブン側の軟磁性体パタンを同一
にするために敷設されたものである。
コンタクトホールによる電気的接続状態の理解
を助けるために第３図を用いて説明する。第３図
は第２図に示した素子の導電体配線部２０１と軟
磁性体配線部２０６が交叉する部分２０３、コン
タクトホール２０４によつて導電体配線部２０１
と軟磁性体配線部２０６との電気的接続がなされ
ている部分２０５の膜断面を示す図である。スペ
ーサとしての2000ÅのSiO2２０７、導電体層と
しての100ÅのTaと3500ÅのAuを連続成膜し、
イオンミリングにより機能部と配線部２０３のパ
ターニングをし3000ÅSiO2２０８を成膜しコン
タクトホール２０４をケミカルエツチングにより
形成する。次に4000ÅのNiFeを成膜し、イオン
ミリングで磁気バブル転送路及び配線部２０６を
パターニングし6000Åのパツシベーシヨン用とし
てのSiO2２０９を付着する。最後にボンデイン
グ端子２１０をケミカルエツチングにより窓あけ
する。
を助けるために第３図を用いて説明する。第３図
は第２図に示した素子の導電体配線部２０１と軟
磁性体配線部２０６が交叉する部分２０３、コン
タクトホール２０４によつて導電体配線部２０１
と軟磁性体配線部２０６との電気的接続がなされ
ている部分２０５の膜断面を示す図である。スペ
ーサとしての2000ÅのSiO2２０７、導電体層と
しての100ÅのTaと3500ÅのAuを連続成膜し、
イオンミリングにより機能部と配線部２０３のパ
ターニングをし3000ÅSiO2２０８を成膜しコン
タクトホール２０４をケミカルエツチングにより
形成する。次に4000ÅのNiFeを成膜し、イオン
ミリングで磁気バブル転送路及び配線部２０６を
パターニングし6000Åのパツシベーシヨン用とし
てのSiO2２０９を付着する。最後にボンデイン
グ端子２１０をケミカルエツチングにより窓あけ
する。
第２図、第３図の説明から判るようにオツド
側、イーブン側夫々で活用したい機能部は、コン
タクトホールと軟磁性体配線部を用いて当該共通
線に接続することで選択され又使用すべきボンデ
イング端子も同様に当該共通線に接続することで
選択されているので、微細なパタンを必要とする
導電体パタンと軟磁性体パタンはオツド側、イー
ブン側同一にでき、レチクルパタンサイズが小さ
くて済む。一方コンタクトホールパタンは特に微
細な形状を必要としないのでオツド側、イーブン
側で異なつてレチクルパタンサイズが大きくなつ
ても問題とならない。又ボンデイング点数も第１
の実施例と同様18点に半減されている。
側、イーブン側夫々で活用したい機能部は、コン
タクトホールと軟磁性体配線部を用いて当該共通
線に接続することで選択され又使用すべきボンデ
イング端子も同様に当該共通線に接続することで
選択されているので、微細なパタンを必要とする
導電体パタンと軟磁性体パタンはオツド側、イー
ブン側同一にでき、レチクルパタンサイズが小さ
くて済む。一方コンタクトホールパタンは特に微
細な形状を必要としないのでオツド側、イーブン
側で異なつてレチクルパタンサイズが大きくなつ
ても問題とならない。又ボンデイング点数も第１
の実施例と同様18点に半減されている。
上記実施例では共にオツド・イーブン方式で記
憶領域単位が２の場合について説明したが、本発
明はこれに限ることなく１素子を３以上の記憶領
域単位に分割するものであつても、適用でき、し
かもその効果がますます大きくなることは明らか
である。
憶領域単位が２の場合について説明したが、本発
明はこれに限ることなく１素子を３以上の記憶領
域単位に分割するものであつても、適用でき、し
かもその効果がますます大きくなることは明らか
である。
以上述べた如く、本発明による磁気バブル記憶
装置は１装置が複数の記憶領域単位に分割されて
もボンデイング端子が収束されているので、配線
基板が簡素化され、それに伴ない駆動コイルの消
費電力が小さく又ボンデイング点数が低減でき、
経済性、信頼性の点で工業上極めて有益である。
又、本発明は１装置の分割数が増えるほど効果の
度合が大きく、今後ますます記憶容量が増大し、
性能維持改善のため分割数が増える傾向にあるの
でその効果は大きい。
装置は１装置が複数の記憶領域単位に分割されて
もボンデイング端子が収束されているので、配線
基板が簡素化され、それに伴ない駆動コイルの消
費電力が小さく又ボンデイング点数が低減でき、
経済性、信頼性の点で工業上極めて有益である。
又、本発明は１装置の分割数が増えるほど効果の
度合が大きく、今後ますます記憶容量が増大し、
性能維持改善のため分割数が増える傾向にあるの
でその効果は大きい。
第１図は、従来の磁気バブル記憶素子の構成
図、第２図、第３図は本発明による磁気バブル記
憶素子の構成図である。 １……磁気バブル記憶素子、２……配線基板、
３，２０３……配線交叉部、１１，１３……書込
みゲート、２１，２３……読取りゲート、３１，
３２，３３，３４……発生器、４１，４２，４
３，４４……検出器、４５，４６……ダミー検出
器、１０１，１０２，２１０……ボンデイング端
子、３１１，３１２，３３１，３３２……発生器
配線部、２０１……導電体パタン、２０６，ｌ１
〜ｌ８……軟磁性体配線部、２０４，ｃ１〜ｃ１
６……コンタクトホール、２０７，２０８，２０
９……絶縁膜。
図、第２図、第３図は本発明による磁気バブル記
憶素子の構成図である。 １……磁気バブル記憶素子、２……配線基板、
３，２０３……配線交叉部、１１，１３……書込
みゲート、２１，２３……読取りゲート、３１，
３２，３３，３４……発生器、４１，４２，４
３，４４……検出器、４５，４６……ダミー検出
器、１０１，１０２，２１０……ボンデイング端
子、３１１，３１２，３３１，３３２……発生器
配線部、２０１……導電体パタン、２０６，ｌ１
〜ｌ８……軟磁性体配線部、２０４，ｃ１〜ｃ１
６……コンタクトホール、２０７，２０８，２０
９……絶縁膜。
Claims (1)
- １ 少なくとも発生器、検出器、記憶ループが具
備され、位置的に分離された記憶領域単位を複数
個有する磁気バブル記憶装置において、磁気バブ
ルを電流制御するための機能部及び配線部からな
る導電体パタンと、前記導電体パタンを覆う絶縁
膜上に形成された磁気バブル転送用軟磁性体パタ
ンのいずれもが記憶領域単位で全て同一であり、
記憶領域単位内で機能部とボンデイング端子間を
接続するための配線部及び記憶領域単位間を相互
接続するための配線部に前記軟磁性体パタンと同
一層の軟磁性体を用い、この軟磁性体パタンも記
憶領域単位で全て同一であり、前記絶縁膜に設け
られたコンタクトホールによつて各記憶領域単位
で必要な機能部が選択されていることを特徴とす
る磁気バブル記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8899781A JPS57203285A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Magnetic bubble storage device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8899781A JPS57203285A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Magnetic bubble storage device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57203285A JPS57203285A (en) | 1982-12-13 |
| JPS6215948B2 true JPS6215948B2 (ja) | 1987-04-09 |
Family
ID=13958444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8899781A Granted JPS57203285A (en) | 1981-06-10 | 1981-06-10 | Magnetic bubble storage device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57203285A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832291A (ja) * | 1981-08-20 | 1983-02-25 | Nec Corp | 磁気バブル記憶装置 |
| JPS6116089A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-24 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS6116091A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-24 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441181B2 (ja) * | 1973-11-08 | 1979-12-07 | ||
| JPS5816552B2 (ja) * | 1977-08-26 | 1983-03-31 | 工業技術院長 | バブルメモリチップ製造方法 |
| JPS6048063B2 (ja) * | 1978-05-26 | 1985-10-25 | 富士通株式会社 | 磁気バブル装置 |
| JPS55139687A (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-31 | Nec Corp | Magnetic bubble element |
-
1981
- 1981-06-10 JP JP8899781A patent/JPS57203285A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57203285A (en) | 1982-12-13 |
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