JPS62286796A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPS62286796A JPS62286796A JP61130828A JP13082886A JPS62286796A JP S62286796 A JPS62286796 A JP S62286796A JP 61130828 A JP61130828 A JP 61130828A JP 13082886 A JP13082886 A JP 13082886A JP S62286796 A JPS62286796 A JP S62286796A
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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- G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記録密度が高いことがら大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（Ｔｅ）等のカルコゲン元素又はこ
れらの化合物が使用されている（特公昭４７−２６８９
７号公報）。とくにテルル−セレン系合金はよく使用さ
れている（特公昭５４−４１９０２号公報、特公昭５７
−７９１９号公報、特公昭５７−５６０５８＠公報）。
デイスクメモリは、記録密度が高いことがら大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（Ｔｅ）等のカルコゲン元素又はこ
れらの化合物が使用されている（特公昭４７−２６８９
７号公報）。とくにテルル−セレン系合金はよく使用さ
れている（特公昭５４−４１９０２号公報、特公昭５７
−７９１９号公報、特公昭５７−５６０５８＠公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
撮波長がａｏｏｏ入前後入射後が、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が１ｑられる（フィジカ・スティタス・ソ
リダイ、 ７，１８９．１９６４（ｐｈｙｓ、 ５ｔａ
ｔ、 ｓｏｌ、 ７．１８９．１９６４） ）。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
撮波長がａｏｏｏ入前後入射後が、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が１ｑられる（フィジカ・スティタス・ソ
リダイ、 ７，１８９．１９６４（ｐｈｙｓ、 ５ｔａ
ｔ、 ｓｏｌ、 ７．１８９．１９６４） ）。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第２図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板１を通
して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形成され
る。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピットが同心円
状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録され
るように通常案内溝が設けられてい乞。
録媒体は第２図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板１を通
して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形成され
る。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピットが同心円
状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録され
るように通常案内溝が設けられてい乞。
［発明が解決しようとする問題点コ
しかしながら前記したような従来の光記録媒体において
、記録層として用いられているテルル−セレン系合金は
その組成を制御することが容易ではなく、そのため量産
性に問題があった。又、ピットをトラック１周にわたっ
て均一に形成することは困難であるため、充分に良好な
記録再生特性は得られなかった。
、記録層として用いられているテルル−セレン系合金は
その組成を制御することが容易ではなく、そのため量産
性に問題があった。又、ピットをトラック１周にわたっ
て均一に形成することは困難であるため、充分に良好な
記録再生特性は得られなかった。
一方、本発明者らは、基板の上にセレン層、テルル層、
セレン層を順次積層して記録層とすることにより、量産
性および耐候性に優れ、かつ、トラック１周にわたって
ピットを均一に形成でき、良好な記録再生特性を有する
光記録媒体となることを見出し、すでに提案している。
セレン層を順次積層して記録層とすることにより、量産
性および耐候性に優れ、かつ、トラック１周にわたって
ピットを均一に形成でき、良好な記録再生特性を有する
光記録媒体となることを見出し、すでに提案している。
本発明はこれをざらに改善したもので、量産性および耐
候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することを目的とする。
候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層がセレン層、
テルル層、パラジウム層、セレン層を順次基板上に積層
したものでおることを特徴とする光記録媒体である。
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層がセレン層、
テルル層、パラジウム層、セレン層を順次基板上に積層
したものでおることを特徴とする光記録媒体である。
本発明においては第１図に示すように基板１上にセレン
層２、テルル層３、パラジウム層４、セレン層５か順次
積層されて記録層を形成する。パラジウム層４を形成す
ることにより、記録により形成されるピットが大きく拡
がらないようになる。
層２、テルル層３、パラジウム層４、セレン層５か順次
積層されて記録層を形成する。パラジウム層４を形成す
ることにより、記録により形成されるピットが大きく拡
がらないようになる。
上下のセレン層の膜厚はともにそれぞれ５〜１００人の
範囲、テルル層の膜厚は１００〜５００人の範囲、パラ
ジウム層の膜厚は０．５〜５０Ａの範囲が記録再生特性
、耐候性の観点から望ましい。なお、ここでいう０．５
〜５０人のパラジウム層というのは重量平均に相当する
膜厚でおり、実際には不連続膜となっている。
範囲、テルル層の膜厚は１００〜５００人の範囲、パラ
ジウム層の膜厚は０．５〜５０Ａの範囲が記録再生特性
、耐候性の観点から望ましい。なお、ここでいう０．５
〜５０人のパラジウム層というのは重量平均に相当する
膜厚でおり、実際には不連続膜となっている。
基板としてはポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリ
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスなど通常使用されているものか用いられる。
。
メチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合成樹脂
やガラスなど通常使用されているものか用いられる。
。
本発明の光記録媒体は、基板上にセレン、テルル、パラ
ジウムおよびセレンを順に真空蒸着させることによって
製造することができる。
ジウムおよびセレンを順に真空蒸着させることによって
製造することができる。
［作 用１
テルル層とセレン層の間にパラジウム層を介在させるこ
とによってピットか大きく拡がらなくなり、ｉれた光記
録媒体を得ることができる。これはピット形成による反
射率変化の主要因であ把テルル層の表面張力がパラジウ
ム層の形成により変化することによってピットか拡がり
にくくなるためて必ると思われる。
とによってピットか大きく拡がらなくなり、ｉれた光記
録媒体を得ることができる。これはピット形成による反
射率変化の主要因であ把テルル層の表面張力がパラジウ
ム層の形成により変化することによってピットか拡がり
にくくなるためて必ると思われる。
ピットか大きく拡がらないのでピットをつめて記録でき
、高密度記録が可能となるとともに記録パワー変動に対
する余裕度も大きくなるので実用的な光記録媒体となる
。
、高密度記録が可能となるとともに記録パワー変動に対
する余裕度も大きくなるので実用的な光記録媒体となる
。
［実施例］
以下本発明の実施例について説明する。
実施例
内径１５ｍ、外径１３０．、厚さ１．２ｍのポリカーボ
ネート樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に入れ、５
ｘ １０’Ｔｏｒｒ以下に排気した。蒸発源としては、
第１の抵抗加熱用ボートにテルル（Ｔｅ）を入れ、第２
の抵抗加熱用ボートにセレン（Ｓｅ）を入れ、電子ビー
ム加熱用るつぼにパラジウム（Ｐｄ）を入れた。まずＳ
ｅを８０人へ属着し、次にＴｅを２２５人厚へ属し、次
にＰｄを水晶振動子の周波数変化からの換算で１へ属蒸
着し、最後にＳｅを８０Ａ厚蒸着した。この光ディスク
を９５°Ｃで１時間アニールしたのら、波長８３００八
における基板入射反射率を測定したところ３２％でめっ
た。波長８３００人の半導体レーザ光を基板を通して入
射して１，５珈φ程度に絞り、媒体線速度５．６ｍ／ｓ
ｅｃ 、記録周波＠ ３．７７ＭＨｚ、記録パルス幅７
０ｎｓｅｃの条件で記録し、０．７ｍＷで再生した。記
録パワー５．５ｍＷにおいて、バンド幅３０ｋＨｚのキ
ャリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ ）は５０ｄＢと良好
であった。又、Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上得られる記録パワ
ー領域は５．０ｍＷから８．０ｍＷと広範囲であった。
ネート樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に入れ、５
ｘ １０’Ｔｏｒｒ以下に排気した。蒸発源としては、
第１の抵抗加熱用ボートにテルル（Ｔｅ）を入れ、第２
の抵抗加熱用ボートにセレン（Ｓｅ）を入れ、電子ビー
ム加熱用るつぼにパラジウム（Ｐｄ）を入れた。まずＳ
ｅを８０人へ属着し、次にＴｅを２２５人厚へ属し、次
にＰｄを水晶振動子の周波数変化からの換算で１へ属蒸
着し、最後にＳｅを８０Ａ厚蒸着した。この光ディスク
を９５°Ｃで１時間アニールしたのら、波長８３００八
における基板入射反射率を測定したところ３２％でめっ
た。波長８３００人の半導体レーザ光を基板を通して入
射して１，５珈φ程度に絞り、媒体線速度５．６ｍ／ｓ
ｅｃ 、記録周波＠ ３．７７ＭＨｚ、記録パルス幅７
０ｎｓｅｃの条件で記録し、０．７ｍＷで再生した。記
録パワー５．５ｍＷにおいて、バンド幅３０ｋＨｚのキ
ャリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ ）は５０ｄＢと良好
であった。又、Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上得られる記録パワ
ー領域は５．０ｍＷから８．０ｍＷと広範囲であった。
比較のための８０人へ属Ｓｅ、２２５人厚０葎、８０人
へ属Ｓｅの光ディスクでは、記録パワー５．０ｍＷにお
いてＣ／Ｎは４８ｄＢであり、Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上得
られる記録パワー領域は５．０ｍＷから６、５ｍＷと狭
い範囲であった。
へ属Ｓｅの光ディスクでは、記録パワー５．０ｍＷにお
いてＣ／Ｎは４８ｄＢであり、Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上得
られる記録パワー領域は５．０ｍＷから６、５ｍＷと狭
い範囲であった。
次に、本実施例のディスクを６０’Ｃ１８０％の高温高
湿度の環境に６０時間保存した後、上記特性を調べたが
変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体でおることが確
認された。
湿度の環境に６０時間保存した後、上記特性を調べたが
変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体でおることが確
認された。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の光記録媒体は量産性および
耐候性に優れているばかりでなく、高感度で信号品質の
良好なものである。
耐候性に優れているばかりでなく、高感度で信号品質の
良好なものである。
第１図は本発明の光記録媒体の一実施例を示す部分断面
図、第２図は従来の光記録媒体を示す部分断面図でおる
。 １・・・基板 ２．５・・・セレン層 ３・・・テルル層 ４・・・パラジウム層 ２１・・・記録層 ２２・・・ピット
図、第２図は従来の光記録媒体を示す部分断面図でおる
。 １・・・基板 ２．５・・・セレン層 ３・・・テルル層 ４・・・パラジウム層 ２１・・・記録層 ２２・・・ピット
Claims (1)
- （１）基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去さ
れて情報を記録する前記基板上に形成された記録層とか
らなる光記録媒体において、前記記録層がセレン層、テ
ルル層、パラジウム層、セレン層を順次基板上に積層し
たものであることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61130828A JPS62286796A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61130828A JPS62286796A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62286796A true JPS62286796A (ja) | 1987-12-12 |
| JPH051758B2 JPH051758B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=15043653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61130828A Granted JPS62286796A (ja) | 1986-06-04 | 1986-06-04 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62286796A (ja) |
-
1986
- 1986-06-04 JP JP61130828A patent/JPS62286796A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051758B2 (ja) | 1993-01-08 |
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